SU503144A1 - Thermoelectric semiconductor temperature sensor - Google Patents
Thermoelectric semiconductor temperature sensorInfo
- Publication number
- SU503144A1 SU503144A1 SU2040675A SU2040675A SU503144A1 SU 503144 A1 SU503144 A1 SU 503144A1 SU 2040675 A SU2040675 A SU 2040675A SU 2040675 A SU2040675 A SU 2040675A SU 503144 A1 SU503144 A1 SU 503144A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- temperature sensor
- thermoelectric semiconductor
- semiconductor temperature
- sensor
- temperature
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Description
(54) ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ(54) THERMOELECTRIC SEMICONDUCTOR TEMPERATURE SENSOR
1one
Изобретение относитс к области измерени температуры ио величине термоз.д.с. иможет быть ийпользовано дл контрол темлературы различных технологических nipo.ueccoB.This invention relates to the field of temperature measurement and its thermoelectric dc value. It can be used to control the temperature of various technological nipo.ueccoB.
Известные термоизмерительные устройства обладают малой чувствительностью, обычно не превышающей неоколыко дес тков мкв/град, или наличием сложной измерительной аппаратуры при более высокой чувствительности термодатчика.Known thermal measuring devices have a low sensitivity, usually not exceeding a neo-shorter of tens of microvolts / degree, or the presence of complex measuring equipment with a higher sensitivity of the thermal sensor.
Предлагаемый термоэлектрический полупроводниковый датчик температуры позвол ет получить чувствительность в несколько сотен мкв/град., а измер ть индуцируемую им т.э.д.с. можно обычным милливольтметром без дополнительных электронных приборов за счет использовани в качестве материала термодатчика гидрата закиси никел .The proposed thermoelectric semiconductor temperature sensor makes it possible to obtain a sensitivity of several hundred µV / degree, and measure the TEM induced by it. You can use a conventional millivoltmeter without additional electronic devices by using a nickel oxide hydrate temperature sensor as a material.
Термоэлектрический полупроводниковый датчик температуры представл ет собой плоскую пластину толщиной, например, 1-2 мм, цилиндрической или пр моугольной формы, изготовленную прессованием под давлением 5000-6000 кг/см2 из порошка гидрата закиси никел промь1шленного производства. На противоположные стороны . плоской поверхности пластины методом вакуумного катодного напылени нанесены серебр ные токопровод щие электроды, характерный размер которых составл ет, например, 0,9 характерного размера плоской поверхности, причем к серебр ным электродам припа ны медные токоотводы .A thermoelectric semiconductor temperature sensor is a flat plate with a thickness of, for example, 1-2 mm, cylindrical or rectangular, made by pressing under a pressure of 5000-6000 kg / cm2 of industrial grade nickel hydrate powder. On opposite sides. Vacuum cathode sputtering applied a flat surface of the plate with silver conductive electrodes, the characteristic size of which is, for example, 0.9 of the characteristic size of a flat surface, with copper current leads soldered to the silver electrodes.
Выходное сопротивление термодатчика составл ет 10 3-10 ом.The output impedance of the thermal sensor is 10 3-10 ohms.
С помощью обычного вольтметра, например, типа М265М измер ют т.э.д.с. датчика, помещенного в температурное поле с градиентом температуры, направленным преимущественно от одной плоской поверхности к другой. Устройство позвол ет измер ть температуру в диапазоне (-50) - (-f 200)°С с чувствительностью 1200 мкв/град, обладает линейной зависимостью т.э.д.с. от разности тепловоспринимающих поверхностей датчика.Using an ordinary voltmeter, for example, of the type M265M, an emf is measured. sensor placed in a temperature field with a temperature gradient, directed mainly from one flat surface to another. The device allows to measure the temperature in the range (-50) - (-f 200) ° C with a sensitivity of 1200 µV / deg, it has a linear dependence of the TEM. from the difference between the heat-sensitive surfaces of the sensor.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU2040675A SU503144A1 (en) | 1974-07-02 | 1974-07-02 | Thermoelectric semiconductor temperature sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU2040675A SU503144A1 (en) | 1974-07-02 | 1974-07-02 | Thermoelectric semiconductor temperature sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU503144A1 true SU503144A1 (en) | 1976-02-15 |
Family
ID=20589894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU2040675A SU503144A1 (en) | 1974-07-02 | 1974-07-02 | Thermoelectric semiconductor temperature sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU503144A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2537754C1 (en) * | 2013-08-05 | 2015-01-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный аэрогидродинамический институт имени профессора Н.Е. Жуковского" (ФГУП "ЦАГИ") | Manufacturing method of temperature sensors and heat flow (versions) |
-
1974
- 1974-07-02 SU SU2040675A patent/SU503144A1/en active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2537754C1 (en) * | 2013-08-05 | 2015-01-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный аэрогидродинамический институт имени профессора Н.Е. Жуковского" (ФГУП "ЦАГИ") | Manufacturing method of temperature sensors and heat flow (versions) |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2526636A (en) | Moisture measuring instrument | |
| US3234461A (en) | Resistivity-measuring device including solid inductive sensor | |
| US3377862A (en) | Electronic clinical thermometer | |
| US3748625A (en) | Moisture sensing element and method of making same | |
| SU503144A1 (en) | Thermoelectric semiconductor temperature sensor | |
| US3787764A (en) | Solid dielectric capacitance gauge for measuring fluid pressure having temperature compensation and guard electrode | |
| US4344062A (en) | Humidity sensor element | |
| US5681111A (en) | High-temperature thermistor device and method | |
| Cutforth et al. | Electrical conductivity of linear chain mercury compounds | |
| US3186229A (en) | Temperature-sensitive device | |
| JP2567441B2 (en) | Measuring method of thermal conductivity, measuring device and thermistor | |
| CN117425823A (en) | Resistance type oxygen sensor | |
| CN114544023B (en) | An array type rare earth nickel-based oxide precision temperature measurement system and using method | |
| SU723382A1 (en) | Liquid film thickness sensor | |
| JPH0233903A (en) | Temperature measuring device | |
| SU838428A1 (en) | Thermal radiation thermoelectric gage | |
| SU607117A1 (en) | Temperature sensor | |
| RU2010256C1 (en) | Device to measure specific resistance of semiconductor materials | |
| JPH0333215B2 (en) | ||
| US3457785A (en) | Temperature measurements | |
| SU985719A1 (en) | Semiconductor pressure pickup | |
| Fielding | The Electrical Properties of Some Complex Compounds. Part 1 | |
| SU565220A1 (en) | Temperature sensor thermal element | |
| Kvist | Thermoelectric Power of Silver Iodide | |
| RU1805367C (en) | Dew-point hygrometer |