SU495622A1 - Однокомпонентный датчик градиента магнитного пол - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к области магнитных измерений и может быть использовано дл  измерени  локальных .градиентов магнитного нол , В частности при исследовании доменной структуры.

Известен датчик градиента магнитного пол , содержащий подложку с полупроводниковым элемептом.

Однако, такой датчик имеет достаточно высокий нулевой сигиал, порождаемый неодинаковостью датчиков, и достаточно малую разрешаюпцую способность.

Целью изобретени   вл етс  уменьшение нулевого сигнала и увеличение разрешающей снособности.

Поставленна  цель достигаетс  с помощью того, что полупроводниковый элемент предлагаемого датчика имеет Н-образную форму.

На чертеже представлена схема предлагаемого датчика.

Датчик состоит из подложки 1, на которой расположен полупроводниковый элемент 2,

имеющий Н-образную форму, с токовыми электродами 3 и выходными электродамн 4.

Датчик работает следующим образом.

При помещении датчика в исследуемое магнитиое иоле на боковых гран х его половин по вл етс  э.д. с. Холла. Если через половииы датчика протекают встречные токи, то на выходных электродах 4 элемента 2 по вл етс  э.д. с., пропорциональна  градиенту магнитного нол . Так как датчик изготавливаетс  из одного кристалла в едином технологическом цикле, то нулевой сигнал его минимален .

Фор м у л а изобретени 

Однокомнонентный датчик градиента магнитного пол , содержащий подложку с полуироводниковым элементом, отличаю щ и и с   тем, что, с целью уменьцгени  нулевого сигнала и увеличенн  разрешающей способности , полупроводниковый элемент имеет П-образную форму.