SU471652A1 - Phase full-wave demodulator - Google Patents
Phase full-wave demodulatorInfo
- Publication number
- SU471652A1 SU471652A1 SU1861645A SU1861645A SU471652A1 SU 471652 A1 SU471652 A1 SU 471652A1 SU 1861645 A SU1861645 A SU 1861645A SU 1861645 A SU1861645 A SU 1861645A SU 471652 A1 SU471652 A1 SU 471652A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistors
- demodulator
- closed
- voltage
- phase full
- Prior art date
Links
Landscapes
- Dc Digital Transmission (AREA)
Description
Один полупериод опорного напр жени низкочастотного модулирующего сигнала находитс в фазе с напр жением сигнала, а другой полупериод - в противофазе.One half-period of the reference voltage of the low-frequency modulating signal is in phase with the voltage of the signal, and the other half-period is in antiphase.
При формировании положительной полуволны в резисторе 15 напр жение сигнала и опорное напр жение наход тс в протнвофазе . В этом случае при положительном сигнале в начале обмотки 1 (начало обмоток обозначено точкой) в началах обмоток 9, 10 наводитс минус и транзисторы 3, 4 открыты, а транзисторы 5, 6 закрыты.During the formation of a positive half-wave in the resistor 15, the signal voltage and the reference voltage are in the phase voltage. In this case, with a positive signal at the beginning of the winding 1 (the beginning of the windings is indicated by a dot) in the beginning of the windings 9, 10 leads to minus and the transistors 3, 4 are open, and the transistors 5, 6 are closed.
На эквивалентной схеме дл этого состо ни (см. фиг. 2) диоды 16, 17 представл ют собой р- -эмиттерные переходы закрытых транзисторов 5, 6. Диод 17 при данной пол рности наводимых напр жений закрыт и отключает неработающую обмотку 2 от остальной части демодул тора. При Слмене пол рности напр жени сигнала и опорного напр жени транзисторы 5, 6 открываютс , а транзисторы 3, 4 закрываютс , но при этом структура эквивалентной схемы демодул тора не изменитс , измен тс лишь обозначени : обмотки 1, 2 помен ютс местами, диоды 16, 17 будут представл ть собой эмиттерные переходы транзисторов 3, 4 закрытого ключа 7, а один из диодов будет закрыт и отключит неработающую обмотку 1 от остальной части демодул тора.In the equivalent circuit for this condition (see Fig. 2), diodes 16, 17 are p-emitter junctions of closed transistors 5, 6. Diode 17 is closed at this polarity of induced voltages and shuts off the inoperative winding 2 from the rest demodul torus. In the case of polarity, the voltage of the signal and the reference voltage of the transistors 5, 6 are opened, and the transistors 3, 4 are closed, but the structure of the demodulator equivalent circuit does not change, only the signs: the windings 1, 2 are interchanged, the diodes 16 , 17 will be the emitter transitions of the transistors 3, 4 of the private key 7, and one of the diodes will be closed and disconnect the inoperative winding 1 from the rest of the demodulator.
При взаимном изменении фаз напр жени сигнала и опорного напр жени на резисторе 15 начнет формироватьс отрицательна полуволна напр жени низкой частоты. При отрицательном пр моугольном сигнале в начале обмотки 1 и в началах обмоток 9, 10 наводитс минус; транзисторы 3, 4 открыты, а транзисторы 5, 6 закрыты (см. фиг. 3).When the phases of the voltage of the signal and the reference voltage change across the resistor 15, a negative half-wave of the low-frequency voltage will begin to form. With a negative rectangular signal at the beginning of the winding 1 and at the beginning of the windings 9, 10 minus is induced; transistors 3, 4 are open, and transistors 5, 6 are closed (see Fig. 3).
При данной пол рности наводимых напр жений диод 16 будет закрыт и отключит неработающую обмотку 2 от остальной части демодул тора. При смене пол рности напр жени сигнала и опорного напр жени транзисторы 5, 6 откроютс , а транзисторы 3, 4 закроютс , но структура эквивалентной схемы демодул тора не изменитс . При этом один из диодов, представл ющих собой р- -эмиттерные переходы транзисторов 3, 4 закрытогоAt this polarity of the induced voltages, the diode 16 will be closed and disconnect the inoperative winding 2 from the rest of the demodulator. When the polarity of the signal voltage and the reference voltage is changed, transistors 5, 6 open, and transistors 3, 4 close, but the structure of the demodulator equivalent circuit does not change. At the same time, one of the diodes, which are p-emitter junctions of the transistors 3, 4 of the closed
ключа 7, закрыт и отключит неработающуюkey 7, is closed and disables idle
обмотку 1 от остальной части демодул тора.winding 1 from the rest of the demodulator.
Таким образом, в демодул торе при любойSo in demodulator for any
пол рности и величине выходного напр жени один из диодов (один из jt - -эмиттерных переходов транзисторов закрытого ключа) находитс в закрытом состо нии и отключает неработающую обмотку 1 или 2 от остальной части демодул тора.The polarity and the output voltage of one of the diodes (one of the jt - emitter transitions of the private key transistors) is in the closed state and disconnects the inoperative winding 1 or 2 from the rest of the demodulator.
Эквивалентные схемь демодул тора аналогичны . Посто нные составл ющие, возникающие при формировании положительных и отрицательных полуволн на нагрузке, одинаковы по абсолютной величине и имеют протнвоположные знаки; они компенсируютс , в результате чего паразитна посто нна составл юща в выходном напр жении становитс незначительной, что повышает точность демодул ции.Equivalent demodulator circuits are similar. The constant components arising during the formation of positive and negative half-waves on the load are the same in absolute value and have prot-opposite signs; they are compensated, with the result that the parasitic constant in the output voltage becomes insignificant, which increases the demodulation accuracy.
Предмет изобретени Subject invention
Фазовый двухполупериодный демодул тор, содержащий трансформаторы входного сигнала и опорного напр жени и два ключа, каждый из которых выполнен на двух транзисторах , при этом между коллекторами транзисторов каждого ключа включена обща дл двух ключей нагрузка, отличающийс тем, что, с целью повышени точности демодул ции, эмиттеры транзисторов з каждом ключе соединены между собой соответствующей вторичной обмоткой трансформатора входного сигнала, а между базами транзисторов разных ключей включена соответствующа вторична обмотка трансформатора опорного напр жени .Phase full-wave demodulator containing input signal and reference voltage transformers and two keys, each of which is made on two transistors, while a common load for the two keys is included between the collectors of the transistors of each key, in order to improve the demodulation accuracy , the emitters of the transistors from each key are interconnected by the corresponding secondary winding of the input signal transformer, and between the bases of the transistors of different keys is included the corresponding secondary insulation Single reference voltage transformer.
o-Nnno-nnn
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1861645A SU471652A1 (en) | 1972-12-21 | 1972-12-21 | Phase full-wave demodulator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1861645A SU471652A1 (en) | 1972-12-21 | 1972-12-21 | Phase full-wave demodulator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU471652A1 true SU471652A1 (en) | 1975-05-25 |
Family
ID=20536353
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1861645A SU471652A1 (en) | 1972-12-21 | 1972-12-21 | Phase full-wave demodulator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU471652A1 (en) |
-
1972
- 1972-12-21 SU SU1861645A patent/SU471652A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2920259A (en) | Direct current converter | |
SE324389B (en) | ||
US2915710A (en) | Magnetic coupled transistor oscillator | |
US2780725A (en) | Modulator-demodulator limiter transistor circuits | |
SU471652A1 (en) | Phase full-wave demodulator | |
US3044025A (en) | Transistorized modulator-demodulator | |
GB1045369A (en) | Static inverter | |
US3075150A (en) | Transistor demodulator | |
GB918554A (en) | Improvements relating to demodulators | |
US3434075A (en) | Phase-sensitive modulator and demodulator utilizing a single transformer | |
GB1341566A (en) | ||
US3046495A (en) | High-voltage inverter using lowvoltage transistors | |
GB988498A (en) | Improvements in or relating to control circuits for thyratrons | |
KR840003935A (en) | FM detection circuit | |
SU464946A1 (en) | Three Phase Self-excited Inverter | |
SU145654A1 (en) | Diode-transformer converter (key) AC | |
SU132313A1 (en) | Static converter DC to multiphase | |
US3047790A (en) | Direct current modulator | |
GB1258442A (en) | ||
SU436429A1 (en) | DEVICE FOR PULSE-PHASE CONTROL OF T-PHASE VENTIAL CONVERTER | |
SU387516A1 (en) | PHASE DISCRIMINATOR | |
SU555524A1 (en) | Inverter | |
SU138990A1 (en) | Electronic switch on semiconductor triodes | |
SU637933A1 (en) | Single-phase inverter | |
SU416819A1 (en) |