SU465720A1 - Одновибратор - Google Patents

Description

етс  закрытым. Транзистор 5 также закрыт и находитс  в состо нии отсечки. Отрицательный импульс синхронизации поступает на базу транзистора 9, перевод  его в состо ние насыщени . Конденсатор 8 начинает зар жатьс  до величины напр жени  источника питани  Е. Ток зар да протекает по цепи: «Земл  - насыщенный транзистор 9 - конденсатор 8 - резистор 7. Таким образом, в коллектор транзистора 5 с каждым импульсом запуска поступает дозированный зар д носителей, величина которого определ етс  только значением напр жени  источника питани  и величиной емкости конденсатора 8. Каждый импульс синхронизации понижает потенциал катода диода 2 (права  обкладка конденсатора 4) на строго фиксированную величину - «ступеньку (см. фиг. 2, эпюра напр жени  t/o). Амплитуда «ступеньки определ етс  площадью импульса тока коллектора транзистора 5, д-й импульс открывает диод 2 и транзистор 1. В схеме возникает регенеративный процесс, в результате которого транзистор 3 закрываетс , переходит в состо ние отсечки, а транзистор 1 насыщаетс  током зар да конденсатора 4. Временем зар да конденсатора 4 определ етс  врем  восстановлени  схемы. После восстановлени  начального напр жени  на накопительном конденсаторе 4 в схеме возникает обратный регенеративный процесс, в результате которого схема возвращаетс  к своему исходному состо нию. На фиг. 2 показана эпюра напр жени  в цепи коллектора транзистора 1 (t/вых), иллюстрирующа  процесс делени  частоты.

При изменении напр жени  источника питани  измен етс  величина начального напр жени  на врем задающем конденсаторе 4 и, пропорциональпо этому изменению,- амплитуда «ступеньки. Поскольку процесс уменьщени  напр жени  на конденсаторе 4 носит перезар дный характер, коэффициент делени  п не зависит от величины напр жени  источника питани  и при R определ етс  соотношением:

п

а,

где а - коэффициент передачи тока эмиттера транзистора 5;

С4 и Се- емкости конденсаторов 4 и 8 одновибратора , соответственно. Таким образом, коэффициент делени  п не зависит от амплитуды подводимых импульсов, порогового напр жени  ключа и напр жени  источника питани , что существенно повышает стабильность коэффициента делени  частоты повторени  импульсных сигналов.

Предмет изобретени 

Одновибратор на транзисторах одного типа проводимости с коллекторно-базовыми св з ми и термостабилизирующим диодом, включенным между одной из обкладок врем задающего конденсатора и базой закрытого в

исходном состо нии транзистора, отличающийс  тем, что, с целью обеспечени  возможности делени  частоты непериодических импульспых сигналов и повыщени  стабильности коэффициента делени , в него введен ключ

на транзисторе того же типа проводимости, собранный по схеме с ОЭ, база которого соединена с источником синхронизирующих импульсов , и импульсный генератор тока на транзисторе противоположного типа проводимости , коллектор которого соединен с общей точкой между врем задающим конденсатором и указанным диодом, эмиттер - через резистор с шиной источника питани , база - через резистор с той же шиной источника питани 

и через конденсатор с коллектором транзисторного ключа.

S-E

n импульсоВ

Фиг.2