SU425323A1 - Мультивибратор - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  ,к импульсной техНике , а именно к мультювийраторам.

Известен мультивибратор, содержащий два транзистора, причем коллектор первого транзистора непосредственно св зан с базой второго , порогообразующий делитель на резисторах , включенный в цепь эмиттера второго транзистора, врем задающий коиденсатор, одна обкладка которого соединена с шиной и сточника ПИтапи , а втора  через один резистор - с базой первого транзистора и вторым резистором, и диод.

Целью изобретепи   вл етс  упрощение схемы.

Дл  этого эмиттер первого транзистора соединен со средней точкой порогообразующего делител , а диод включвн между вторым резистором и эмиттером второго транзистора.

На чертеже приведена принципиальна  элект1рическа  схема мультивибратора.

Мультивибратор содержит усилитель на транзисторе 1, коллекторна  нагрузка 2 которого соединена непосредственно .с базой транзистора 3, а эмиттер транзистора 1 присоединен к отводу между резистора:ми 4 и 5, образующими эмиттерную нагрузку транзистора 3, врем задающа  цепь образована последовательно включенным диодом 6, резисторами 7 и 8 и конденсатором 9, подключенным между соединением рези топов 7 и 8 и источником питани , диод 6 подключен к эмиттеру транзистора 3 пол раюстью, обеспечивающей проводимость тока, открывающего транзистор 1 со стороны его базы, подключенной к резистору 8.

Мультивибратор работает следующим обра зоМ.

Пусть в исходном состо нии транзистор 1 закрыт, конденсатор 9 разр жен. Тогда копденсатор 9 начнет зар жатьс  от источника + ЕП через открытый транзистор 3, диод 6, резистор 7. Когда напр жение на конденсаторе 9 превысит потенциал на резисторе 5 (потенциал запирани  транзистора 1 по эмпттеру ) и порог отпирани  транзистора 1, транзистор 1 начинает отпиратьс , напр жение на базе транзистора 3 падает, вследствие этого падает и запирающий потенциал на резисторе 5, а это приводит к ускорению отпирани 

транзистора 1. Проводимость транзистора 3 резко падает, поэтому диод 6 оказываетс  запертым папр жением на конденсаторе 9, который, зар жа сь через резистов 8 в базу транзистора 1, удерживает последний в открытом состо нии. Когда конденсатор 9 разр дитс  до порога закрывани  транзистора 1, проводимость последнего падает, открывающий по базе ток в транзисторе 3 увеличиваетс  и растет напр жение на эмиттере транзистора 1, ускор ющее запирание этого трапзистора . В дальнейшем цикл работы повтор етс .

Резистор 8 должен иметь сопротивление, превосход щее не более чем в три раза лараллельное сопротивление нагрузки и резисторов 4 и 5.

Дл  формировани  Импульсоъ, соответствующих длительному открытому состо нию транзистора 3 и короткому закрытому его состо нию , .сопротивление резистора 8 можно выбрать равным нулю, а отношение сопротивлений резисторов 4 и 5 уменьшить, сохран   неизменной их сумму.

Дл  формировани  импульсов, при которых открытое состо ние транзистора 3 должно быть коротким, а закрытое - длительным, необходимо уменьшить сопротивление резистора 7 и увеличить сопротивление резистора 8, а также уменьшить сопротивление резистора 5, сохран   неизменной .сумму со.противлеНИИ резисторов 4 и 5.

Если со;противление резисторов 4 мало в сравнении с сопротивлением резистора 5, то выбором соотношений сопротивлений резиCTOpoiB 7 и 8 -можно, почти не измен   частоты генерадии, измен ть в широких пределах скважность генерируемых импульсов.

Напротив, при фиксированном соотношении сопротивлений резисторов 7 и 8 изменением соотношений сопротивлений резисторов 4 и 5 можно в широких пределах измен ть частоту генерации.

Экспериментальные высокочастотные образцы обеспечивали ча,стоту генерации до 25 м,гц, а низкочастотные - пор дка lfl гч.

Предмет изобретени 

Мультивибратор, содержащий два транзистора , причем коллектор первого транзистора непосредственно св зан с базой второго, порогообразующий делитель на резисторах, включенный в цепь эмиттера второго транзистора , врем задающий конденсатор, одна обкладка которого соединена с шиной источника питани , а втора  через один резистор - с базой первого транзистора и вторым резистором , и диод, отличающийс  тем, что, с целью упрощени  схемы, эмиттер первого транзистора соединен со средней точкой порогообразующего делител , а диод включен между вторым резистором и эмиттером второго транзистора.

v

76