SU394915A1 - AMPLIFIER - Google Patents
AMPLIFIERInfo
- Publication number
- SU394915A1 SU394915A1 SU1689525A SU1689525A SU394915A1 SU 394915 A1 SU394915 A1 SU 394915A1 SU 1689525 A SU1689525 A SU 1689525A SU 1689525 A SU1689525 A SU 1689525A SU 394915 A1 SU394915 A1 SU 394915A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- transistors
- collector
- base
- emitter
- Prior art date
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
1one
Изобретение относитс к области радиотехники .This invention relates to the field of radio engineering.
Известны усилители мощности с трансформаторным током и rt-ным количеством источников питани , выполненный по двухтактной схеме на тра нз-исторах в каждом плече.Power amplifiers with a transformer current and an rt-th number of power sources are known, which are designed in a push-pull pattern on transceivers in each arm.
Однако известные усилители обладают недостаточно большой выходной .мощностью.However, the known amplifiers do not have sufficiently large output power.
С целью увеличени выходной мощности база каждого последующего транзистора предлагаемого усилител через .последовательно соединенные дополнительную вторичную обмотку входного трансформатора и диод подключена .к эмиттеру предыдущего транзистора .In order to increase the output power, the base of each subsequent transistor of the proposed amplifier is successively connected to the additional secondary winding of the input transformer and a diode connected to the emitter of the previous transistor.
На чертеже представлена схема предлагаемого усилител мощности.The drawing shows the scheme of the proposed power amplifier.
Усилитель представл ет собой двухтактный каскад, в каждом плече которого содержатс п последовательно включенных траизисторов . Калада двухтактна пара транзисторов TI-TI, TZ-TZ,... Т„ -Г,/ подключена к своему последовательно включенному источнику питани через диоды ,...The amplifier is a push-pull cascade, each arm of which contains n series-connected traisistors. Calad push pull pair of transistors TI-TI, TZ-TZ, ... T „-G, / is connected to its series-connected power source through diodes, ...
Д« -Д .D “-D.
Нагрузка усилител включена в эмиттеры транзисторов Ti-Т/.The load of the amplifier is included in the emitters of the Ti-T / transistors.
Дл возбуждени используетс входной трансформатор Тр, имеющий одну первичную обмотку, и 2п-вторичных, намотанных 2д-фил рно . Причем обмотки возбуждени к транзисторам Т и TI подсоедин ютс через резисторы RQ и RO непосредственно к базе и эмиттеру соответственно транзисторов TI иAn input transformer Tp, having one primary winding, and 2n-secondary, wound 2d-filing is used for excitation. Moreover, the field windings to the transistors T and TI are connected through resistors RQ and RO directly to the base and the emitter, respectively, of the transistors TI and
Т/.T /.
Цепи возбуждени последующих транзисторов выполнены иначе: у остальных вторичных обмоток один конец подсоединен к базе соответствующих транзисторов, а другой -The excitation circuit of the subsequent transistors is made differently: for the remaining secondary windings, one end is connected to the base of the corresponding transistors, and the other end
через диоды Д„ и Д,/, которые обеспечивают защиту базовых цепей от обратных перенапр жений , к эмиттеру предыдущего транзистора , счита от нагрузки.through diodes Д "and Д, /, which provide protection of base circuits against reverse overvoltages, to the emitter of the previous transistor, from the load.
В исходном состо нии все транзисторы закрыты , при этом напр жение на участке эмиттер-коллектор каждого тра«зистора неIn the initial state, all transistors are closed, and the emitter-collector voltage of each transistor does not
, Е, ...„, E, ... „
превышает величину -, гдеexceeds the value - where
EI, Е2...Е,, - напр жение соответствующих источников питани , п - число источников.EI, E2 ... E ,, is the voltage of the respective power sources, and n is the number of sources.
В случае, если имеет место разброс сопротивлений запертых транзисторов, наличие диодов устран ет возможность пере«апр жеНИИ на участке коллектор-эмиттер.If there is a variation in the resistances of the locked transistors, the presence of diodes eliminates the possibility of transferring the collector to the collector-emitter section.
С по влением и ростом входного сигнала на обмотках Wi, W... W,, наводитс одинаковое по амплитуде напр жение сигнала. Однако возрастание входного сигнала приводитWith the appearance and growth of the input signal on the windings Wi, W ... W,, the signal voltage of the same amplitude is induced. However, increasing the input signal leads
к по влению базового тока лишь транзистораto the appearance of the base current only transistor
TI по цепи: база транзистора Ti - резистор / 6- переход эмиттер-база транзистора Т/.TI across the circuit: the base of the transistor Ti is the resistor / 6- transition emitter-base of the transistor T /.
Токи баз остальных транзисторов отсутствуют , так как их цепи включают в себ сопротивление участка коллектор-эмиттер преыдущего транзистора (счита от нагрузки).The base currents of the remaining transistors are absent, since their circuits include the resistance of the collector-emitter section of the previous transistor (counting from the load).
Работа одного плеча усилител происходит следующим образом (другое илечо работает аналогично).The operation of one arm of the amplifier occurs as follows (the other works well in the same way).
С увеличением входного силнала открываетс только транзистор Tj, который работает активном режиме. Через плечо нагрузки ротекает ток от источника EI по цепи: диод Д - коллектор-эмиттер транзистора TI - нагрузка.With an increase in the input power, only the transistor Tj, which operates in active mode, opens. Through the load shoulder current flows from the EI source along the circuit: diode D - collector-emitter of the transistor TI - load.
При подходе транзистора TI к режиму насыщени сопротивление участка коллекторэмиттер снижаетс , чем обеспечиваетс протекание базового тока транзистора Тд.With the approach of the transistor TI to the saturation mode, the resistance of the collector section is reduced, which ensures the flow of the base current of the transistor Td.
Как только динамическое солротивление частка коллектор-эмиттер транзистора Т. станет равным сопротивлению Re , то базовые оки транзисторов Т и Т2 станов тс одинаковыми , следовательно, их коллекторные токи также равны. Коллекторный то« транзистора Т2 в момент достижени транзистором Ti режима насыщени скачкообразно достигает значени коллекторного тока транзистора Т.As soon as the dynamic component of the collector-emitter transistor T. becomes equal to the resistance Re, then the base oxides of the transistors T and T2 become the same, therefore, their collector currents are also equal. The collector of the transistor T2 at the time the transistor Ti reaches the saturation mode abruptly reaches the value of the collector current of the transistor T.
Дальнейщее увеличение входного сигнала приводит к синхронному возрастанию коллекторных токов транзисторов Т и Тд, причем транзистор Та работает в активном режиме, и транзистор T - в режиме насыщени . Ток через одно плечо нагрузки протекает уже от двух последовательно соединенных источников EI + 2 но цепи: диод До - коллекторэмиттер транзисторов Т2 п TI - плечо нагрузки .A further increase in the input signal leads to a synchronous increase in the collector currents of the transistors T and Td, with the transistor Ta operating in the active mode and the transistor T in the saturation mode. The current through one side of the load flows already from two series-connected sources of EI + 2 but the circuit: diode C - collector of transistors T2 and TI - shoulder of the load.
Поскольку напр жение на нагрузке, возраста , -становитс больше EI, то диод Д1 отключаетс .Since the voltage on the load, age, becomes greater than EI, the diode D1 turns off.
При подходе транзистора Т2 к режиму насыщени сопротивление участка коллекторэмиттер транзистора TZ уменьшаетс , что обеспечивает возможность протекани базового тока транзистора Тз. После достижени транзистором Т2 режима, близкого к насыщению , ток транзистора Тз скачкообразно достигает величины тока транзистора Т2, процесс протекает аналогично.When the transistor T2 approaches the saturation mode, the resistance of the collector section of the transistor TZ decreases, allowing the base current of the transistor Tz to flow. After the transistor T2 reaches the state close to saturation, the current of the transistor Tz abruptly reaches the value of the current of transistor T2, the process proceeds in a similar way.
С уменьшением входного сигнала нроцессы протекают в обратной последовательности. Величины напр жени каждого из элементов источника питани выбираютс исход из услови обеспечени равномерной мощности рассе ни на каждом из транзисторов.With a decrease in the input signal, the process proceeds in reverse order. The voltages of each of the power supply elements are chosen based on the condition of providing a uniform power dissipation on each of the transistors.
Пред м ет изобретени Present Invention
Усилитель мощности с трансформаторным входом и л-ым количеством источников питани , выполненный на транзисторах однойPower amplifier with transformer input and l-th number of power sources, made on transistors one
проводимости по двухтактной схеме, содержащий в каждом плече /г-ое количество транзисторов , соединенных последовательно ио посто нному току, причем база первого транзистора каждого плеча соединена с эмиттеромconduction on the push-pull circuit, containing in each arm / gth number of transistors connected in series with direct current, with the base of the first transistor of each arm connected to the emitter
этого транзистора через последовательно соединенные резистор и вторичную обмотку входного трансформатора, отличаю1цийс тем, что, с целью увеличени выходной мощности , база каждого последующего транзистора через последовательно соединенные доиолнИтельную вторичную обмотку входного трансфор.матора и диод подключена к эмлттеру предыдущего транзистора.This transistor through a series-connected resistor and the secondary winding of the input transformer is distinguished by the fact that, in order to increase the output power, the base of each subsequent transistor is connected via a series-connected secondary winding of the input transformer and a diode to the emlter of the previous transistor.
ТрTr
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1689525A SU394915A1 (en) | 1971-08-02 | 1971-08-02 | AMPLIFIER |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1689525A SU394915A1 (en) | 1971-08-02 | 1971-08-02 | AMPLIFIER |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU394915A1 true SU394915A1 (en) | 1973-08-22 |
Family
ID=20485509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1689525A SU394915A1 (en) | 1971-08-02 | 1971-08-02 | AMPLIFIER |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU394915A1 (en) |
-
1971
- 1971-08-02 SU SU1689525A patent/SU394915A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
GB1503951A (en) | Voltage-current converter | |
JPS5990412A (en) | Bidirectional constant current driving circuit | |
SU394915A1 (en) | AMPLIFIER | |
JPS59139723A (en) | Differential switch circuit | |
US3289105A (en) | Temperature compensated transistor inverter | |
GB984347A (en) | Improvements in or relating to clampable integrating circuit arrangements | |
US3160830A (en) | Inverter starting circuit | |
US3127576A (en) | D.c. to a.c. converter with negative feedback stabilization | |
US3487315A (en) | Current pulse circuit | |
US4727264A (en) | Fast, low-power, low-drop driver circuit | |
JPS58976Y2 (en) | transistor nobias warmer | |
SU905806A2 (en) | Thyristor-transistor voltage stabilizer | |
SU1757096A1 (en) | Transistor-magnetic key | |
JP3221058B2 (en) | Rectifier circuit | |
SU575752A1 (en) | Stabilized inverter | |
SU613482A1 (en) | Transistorized power amplifier | |
SU1569945A1 (en) | Dc amplifier | |
SU440789A1 (en) | Voltage to frequency converter | |
SU491189A1 (en) | Amplifier | |
SU528686A1 (en) | Symmetric Rectangular Pulse Generator | |
JPH05244718A (en) | Thermal protector | |
JPS5889074A (en) | Power converter circuit | |
SU632086A1 (en) | Switching apparatus | |
GB1206479A (en) | A potential supply circuit arrangement | |
SU364058A1 (en) | DEVICE FOR PROTECTION OF HIGH-FREQUENCY TRANSISTORS |