SU363194A1 - ВСЕСОЮЗНАЯ ПЛТгеТ1Ш-ТГШ:^;Е;л?= - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к области импульсной техники и может быть использовано, например, дл  согласовани  задержек в цеп х быстродействующих устройств автоматики, дл  формировани  импульсов заданной длительности, дл  моделировани  задержек сигнала в устройствах вычислительной техники.

Известно устройство задержки импульсов, содержащее релаксатор на транзисторе с туннельным диодом в эмиттерной цепи и бистабильную туннельно-диодную  чейку с транзистором сброса, база которого через резистор соединена с эмиттером транзистора релаксатора .

Однако такое устройство, характеризующеес  высокой стабильностью и малым временем восстановлени , не обеспечивает возможности регулировани  времени задержки выходных импульсов относительно входных.

Цель изобретени  - регулирование интервалов задержки в щироких .пределах.

Она достигаетс  тем, что между базой транзистора релаксатора, подсоединенной через переменный резистор к источнику напр жени  коллекторного питани , и выходом бистабильной туннельно-диодной  чейки введен разделительный лолуп.роводниковый диод.

На чертеже изображена принципиальна  схема предлагаемого устройства.

Оно содержит релаксатор на транзисторе /

с туннельным диодом 2 в эмнттерной цепи, бистабильную туннель 10-днодную  чейку, состо щую из туннельного диода 3 и резистора 4, с транзистором 5 сброса, база которого через резистор 6 соединена с эмнттером транзистора релаксатора и переменный резистор 7. Диод 5 служит дл  подачи импульса установки бистабильной туннельно-.диодной  чейки в единичное состо ние. Разделительный полупроводниковый диод 9 введен между базой транзистора / релаксатора, нодсоединенно , в свою очередь, через переменный резистор 7 к источнику напр жени  коллектор 1ого питани , и выходом бистабильной ту}1нельно-днодной  чейки. Выходное напр  кен е снимаетс  с туннельного диода 2.

Исходным дл  б стабнльной  чейки  вл етс  нулевое состо ние. При этом напр жение на туннельном диоде 3 мало, через этот диод резистор 4 и резистор 7 протекает ток. Напр жение на базе транзистора 1 релаксатора мало дл  перек.тючени  тунне.тьного диода 2, наход щегос  в нулевом состо нии.

Входной импульс, поступающий через диод 8 на туннельный диод 3, переводит бистабильную  чейку в единичное состо ние. Нри этом напр жение на туннельном диоде 3 и на аноде разделительного диода 9 скачком возрастает. Диод 9 переходит в непровод щее состо ние, и ток, ранее протекавший через него, переключаетс  в базу транзистора /, барьерна  и диффузионна  емкостн перехода эмиттер-база которого начинают зар жатьс  черз токозадающий переменный резистор 7. Бистабильна   чейка в течение времени зар да емкостей перехода находитс  в единичном состо нии, так как ток протекает через резистор 4 и тупне.тьный диод 3.

Когда напр жение эмиттер-база транзистора / достигает величины, достаточной дл  переключени  туннельного диода 2, напр жение па последнем скачком возрастает. Это напр жение через резистор 6 воздействует на базу транзистора 5 сброса, который открываетс  и устанавливает бистабильную  чейку в пулевое состо ние, что, в свою очередь, вызывает отпирание разделительного диода 9, шуитирующего базу транзистора /. Зар д, 1 акопле 1ный на емкости перехода эмиттер-база транзистора /, быстро рассасываетс , туннельный диод 2 возвращаетс  в исходное состо ние, и устройство оказываетс  готовым к повторепию цикла задержки . На тупнелыюм дноде 3, таким образом , образуетс  импульс, длительность которого равна времени задержки, а па туннельном

диоде 2 образуетс  короткий импульс, задержанный относительпо входного на то же врем  и совпадающий по времени со срезом импульса на туннельном диоде 5. Cпoмoщьютoкoзaдaющего резистора 7 можно мен ть ток зар да емкости перехода эмиттер-база трапзистора 1 и, тем самым, врем  задержки. Подключением конденсатора параллельно эмиттер-базовому переходу транзистора / можно расщирить диапазон задержек в область больших времен.

Предмет изобретени  Устройство задержки импульсов, содержащее релаксатор на транзисторе с туннельным

диодом в эмиттерной цепи и бистабильную туннельно-диодную  чейку с транзистором сброса, база которого через резистор соединена с эмиттером транзистора релаксатора, отличающеес  тем, что, с целью регулировани 

интервалов задержки в широких пределах, между базой транзистора релаксатора, подсоединенной через перемеппый резистор к источнику напр жепи  коллекторного питани , и выходом бистабильной тупнельно-диодной  чейки введен разделительный полупроводниковый диод.