SU1727215A1

SU1727215A1 - Shf chamber for heating of dielectric materials

Info

Publication number: SU1727215A1
Application number: SU904815381A
Authority: SU
Inventors: Валентин Николаевич Удалов; Юрий Михайлович Егоров
Original assignee: В.Н.Удалов и Ю.М.Егоров .;,,..,л
Priority date: 1990-04-17
Filing date: 1990-04-17
Publication date: 1992-04-15

Abstract

Изобретение относитс к технике СВЧ нагрева. Цель изобретени - уменьшение уровн паразитного излучени при обеспечении нагрева сыпучих продуктов. СВЧ-ка- мера дл нагрева диэлектриков содержиv двз отрезка пр моугольного; волновода (ОПВ) 1, 4, имеющих общую узкую стенку, о которой выполнен продольный разрез 3, п широких стенках ОПВ 1,4 выполнены также продольные разрезы 2, 6. СВЧ-энергию поз буждают в ОПВ 1,- в Котором размещают нагреваемый диэлектрик. Паразитное излучение через продольный разрез 3 попадает в ОП.В 4, из которого имеет место паразитное излучение через продольный разрез 6. 2 ил.This invention relates to a microwave heating technique. The purpose of the invention is to reduce the level of spurious radiation while ensuring the heating of bulk solids. Microwave chamber for heating dielectrics containing a rectangular piece; waveguide (OPV) 1, 4, having a common narrow wall, which is made of a longitudinal section 3, n wide walls of OPV 1.4, longitudinal sections 2, 6 are also made. Microwave energy is induced in OPV 1, - in which the heated dielectric . Spurious radiation through a longitudinal section 3 enters the OP.V 4, from which parasitic radiation takes place through a longitudinal section 6. 2 Il.

Description

Изобретение относитс к СВЧ-технике и может использоватьс при термической обработке диэлектрических материалов.The invention relates to microwave technology and can be used in the heat treatment of dielectric materials.

Цель изобретени -уменьшение уровн паразитного излучени при обеспечении нагрева сыпучих продуктов.The purpose of the invention is to reduce the level of parasitic radiation while ensuring the heating of bulk solids.

На фиг. 1 приведена конструкци СВЧ-ка- меры дл нагрева диэлектриков; на фиг. 2 - вариант СВЧ-камеры.FIG. 1 shows the design of a microwave chamber for heating dielectrics; in fig. 2 - variant of the microwave camera.

СВЧ-камера дл нагрева диэлектриков содержит отрезок пр моугольного волновода 1. Разрезы 2, 3 выполнены в середине широкой стенки отрезка пр моугольного волновода и в узкой стенке. Камера снабжена дополнительным отрезком пр моугольного волновода 4, имеющим с ним общую узкую стенку. При этом разъемна часть камеры может иметь форму, крышки 5 или в случае выполнени линий разреза 6 дополнительного пр моугольного волновода 4 в середине нижней широкой стенки разьемна камера имеет сдвижную стенку (см. фиг. 2).The microwave chamber for heating dielectrics contains a segment of a rectangular waveguide 1. Cuts 2, 3 are made in the middle of the wide wall of a segment of a rectangular waveguide and in a narrow wall. The camera is equipped with an additional segment of a rectangular waveguide 4 having a common narrow wall with it. In this case, the detachable part of the chamber may have a shape, a cover 5, or in the case of making cut lines 6 of an additional rectangular waveguide 4 in the middle of the lower wide wall, the split chamber has a sliding wall (see Fig. 2).

СВЧ-камера дл нагрева диэлектриков работает следующим образом.The microwave chamber for heating dielectrics operates as follows.

В камеру, отключенную QT генератора (на чертеже не показан) со сн той крышкой 5 о волновод 1 помещают диэлектрик, подлежащий обработке. Закрывают крышку 5 и включают генератор. Максимальный уровень паразитного излучени имеет место через разрез 3, расположенный в узкой стенке. Это излучение, попада в дополнительный волновод 4, возбуждает основной .гип волны , котора имеет минимальное излучение в окружающую среду через линию 6 разреза дополнительного волноводл 4, расположенную в середине его широкой стенки.При необходимости контрол состо ни A dielectric to be processed is placed into the chamber turned off by the QT generator (not shown in the drawing) with the cover 5 removed from the waveguide 1. Close the cover 5 and turn on the generator. The maximum level of spurious radiation occurs through incision 3 located in a narrow wall. This radiation, entering an additional waveguide 4, excites the main wave, which has minimal radiation into the environment through line 6 of the additional waveguide 4, located in the middle of its wide wall.

обрабатываемого диэлектрического материала , перва лини продольного разреза дополнительного волновода может быть выполнена в его нижней широкой стенке.the processed dielectric material, the first longitudinal section of the additional waveguide can be made in its lower wide wall.

Предлагаема СВЧ-камера обеспечивает ее безопасную эксплуатацию и оперативное открывание при заполнении и контроле.The proposed microwave camera ensures its safe operation and quick opening during filling and control.

Claims

Invention Formula

A microwave chamber for heating dielectrics containing a generator connected to a segment of a rectangular waveguide in the middle of the wide wall of which a longitudinal section is made is about that,

that, in order to reduce the level of parasitic radiation while providing heating for bulk solids, an additional segment of a rectangular waveguide was introduced into it, having a common narrow wall with a segment of a rectangular waveguide, in which a longitudinal section was made, with

This is in one of the wide walls of an additional segment of a rectangular waveguide, an additional longitudinal section is made.