SU1596425A1 - Transistor inverter - Google Patents
Transistor inverter Download PDFInfo
- Publication number
- SU1596425A1 SU1596425A1 SU874277139A SU4277139A SU1596425A1 SU 1596425 A1 SU1596425 A1 SU 1596425A1 SU 874277139 A SU874277139 A SU 874277139A SU 4277139 A SU4277139 A SU 4277139A SU 1596425 A1 SU1596425 A1 SU 1596425A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- power transistor
- windings
- transformer
- diode
- additional
- Prior art date
Links
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к электротехнике и может быть использовано в системах вторичного электропитани и электропривода. Цель изобретени - повышение надежности путем повышени быстродействи защиты от сквозных токов. Транзисторный инвертор содержит два силовых транзистора 1 и 2, соединенных по полумостовой схеме и управл емых в противофазе напр жени ми на вторичных обмотках 5,6 управл ющего трансформатора 7. Дл защиты от сквозных токов при переключении силовых транзисторов введен дополнительный трансформатор 11, перва пара обмоток 9 и 10 которого через диоды 12 и 13 подключена в запирающей пол рности к входам силовых транзисторов 1, 2, а втора пара обмоток 18, 19 подключена к силовым электродам транзисторов 1, 2 через диоды 20, 21 и конденсаторы 22, 23, которые зар жены до напр жени на дополнительных обмотках 14, 15 управл ющего трансформатора 7 с помощью выпр мительных диодов 16, 17. Благодар блокировочному действию напр жени на обмотках 9, 10 отпирание одного из силовых транзисторов произойдет только после запирани другого силового транзистора. Конденсаторы 22, 23 обеспечивают быстродействие этой блокировки. 2 ил.The invention relates to electrical engineering and can be used in secondary power supply and electric drive systems. The purpose of the invention is to increase reliability by increasing the speed of protection against through currents. The transistor inverter contains two power transistors 1 and 2 connected in a half-bridge circuit and controlled in antiphase by the voltages on the secondary windings 5,6 of the control transformer 7. An additional transformer 11 is introduced for protection against through currents when switching power transistors 9 and 10 through diodes 12 and 13 are connected in locking polarity to the inputs of power transistors 1, 2, and the second pair of windings 18, 19 is connected to power electrodes of transistors 1, 2 through diodes 20, 21 and capacitors 22, 23 that charge wife to a voltage on the additional windings 14, 15 of the control transformer 7 through rectifying diodes 16, 17. By the locking action of the voltage on the windings 9, 10 unlocking one of the power transistors will occur only after locking of another power transistor. Capacitors 22, 23 provide the performance of this interlock. 2 Il.
Description
FDFd
сл юthe next
оabout
j: ч слj: h cl
Изобретение относитс к электротехнике и может быть использовано в системах вторичного электропитани и электропривода .The invention relates to electrical engineering and can be used in secondary power supply and electric drive systems.
Цель изобретени - повышение надежности путем повышени быстродействи защиты от сквозных токов.The purpose of the invention is to increase reliability by increasing the speed of protection against through currents.
На фиг.1 показана принципиальна схема полумоста транзисторного инвертора; на фиг.2 -диаграммы напр жений.Figure 1 shows a schematic diagram of the half bridge of a transistor inverter; Fig. 2 stress diagrams.
Транзисторный инвертор содержит два силовых транзистора 1 и 2, которые управл ютс противофазно по базовым цеп м через токоограничительные резисторы 3 и 4 напр жением вторичных обмоток 5 и 6 управл ющего трансформатора 7, вход щего в блок управлени 8. Одна из обмоток 9 (10) дополнительного трансформатора 11 с последовательно включенным в пр мом направлении блокирующим диодом 12 (13) шунтирует эмиттерный переход соответствующего силового транзистора 1 (2). Дополнительна обмотка 14 (15) трансформатора 7 включена синфазно с обмоткой управлени 5 (6) и соединена одним выводом с эмиттером Силовогр транзистора 1 (2). Выпр мительный диод 16 (17) подключен анодом ко второму выводу дополнительной обмотки 14 (15) трансформатора 7. Обмотка 18 (19) дополнительного трансформатора 11 одним выводом подключена к катоду выпр мительного диода 16(17). Анод блокирующего диода 20 (21) соединен со вторым выводом обмотки 18 (19) дополнительного трансформатора 11, а катод - с коллектором силового транзистора 1 (2). Конденсатор 22 (23) включен между точкой соединени выпр мительного диода 16 (17) с. обмоткой 18 (19) трансформатора 11 и эмиттером силового транзистора 1 (2).The transistor inverter contains two power transistors 1 and 2, which are controlled anti-phase along the base circuits through current-limiting resistors 3 and 4 of the voltage of the secondary windings 5 and 6 of the control transformer 7 entering the control unit 8. One of the windings 9 (10) Additional transformer 11 with a series-connected in the forward direction blocking diode 12 (13) shunts the emitter junction of the corresponding power transistor 1 (2). The additional winding 14 (15) of the transformer 7 is turned on in phase with the control winding 5 (6) and is connected by one output to the emitter of the power transistor 1 (2). The rectifying diode 16 (17) is connected by the anode to the second output of the additional winding 14 (15) of the transformer 7. The winding 18 (19) of the additional transformer 11 is connected to the cathode of the rectifying diode 16 (17). The anode of the blocking diode 20 (21) is connected to the second output of the winding 18 (19) of the additional transformer 11, and the cathode is connected to the collector of the power transistor 1 (2). A capacitor 22 (23) is connected between the junction point of the rectifier diode 16 (17) s. winding 18 (19) of the transformer 11 and the emitter of the power transistor 1 (2).
Транзисторный инвертор работает следующим образом.Transistor inverter operates as follows.
Предположим, что в начальный момент времени силовой транзистор 1 открыт, а транзистор 2 заперт. На обмотках управл ющего трансформатора 7 действует напр жение с пол рностью, указанной без скобок. Напр жение с обмотки 14 (15) выпр мл етс диодом 16 (17) и фильтруетс конденсатором 22 (23). К обмотке 18 трансформатора 11 через пр мосмещенный диод 20 и открытый силовой транзистор 1 приложено напр жение Die (фиг.2) конденсатора 22. На остальных обмотках трансформатора 11 действуют напр жени с пол рностью, указанной без скобок (фиг.1).Suppose that at the initial moment of time the power transistor 1 is open and the transistor 2 is locked. On the windings of the control transformer 7, a voltage is applied with a polarity indicated without brackets. The voltage from winding 14 (15) is rectified by diode 16 (17) and filtered by capacitor 22 (23). A voltage Die (Fig. 2) of the capacitor 22 is applied to the winding 18 of the transformer 11 through a straight-shifted diode 20 and an open power transistor 1. On the other windings of the transformer 11, voltages are applied with the polarity indicated without brackets (Fig. 1).
После реверса напр жени Us, Ue (фиг.2) на обмотках управл ющего трансформатора (пол рность указана на фиг.1 вAfter reversing the voltage Us, Ue (Fig.2) on the windings of the control transformer (the polarity is indicated in Fig.1
скобках) силовой транзистор 1 начинает закрыватьс . Но в течение времени рассасывани неосновных носителей в области базы tpi (фиг.2) пол рность напр жени наbrackets), power transistor 1 begins to close. But during the resorption time of minority carriers in the area of the base tpi (Fig. 2), the polarity of the voltage
обмотках вспомогательного трансформатора 11 сохран етс . При этом, к эмиттер-базовому переходу силового транзистора 2 через пр мосмещенный диод 13 приложено запирающее напр жение (фиг.2) с обмотки 10 трансформатора 11, По мере выхода силового транзистора 1 из насыщени , напр жение на его коллекторе увеличиваетс . Когда оно достигнет величины напр жени на конденсаторе 22, диод 20 закроетс the windings of the auxiliary transformer 11 is maintained. At the same time, to the emitter-base junction of the power transistor 2, through the shifted diode 13, a blocking voltage is applied (Fig. 2) from the winding 10 of the transformer 11. As the power transistor 1 goes out of saturation, the voltage on its collector increases. When it reaches the voltage across capacitor 22, diode 20 will close.
и напр жение на обмотке 18 трансформатора 11 станет равным нулю. При этом исчезнет запирающее напр жение на обмотке 10 и на базу силового транзистора 2 поступит отпирающее напр жение иб(фиг.2)с обмотки 6 трансформатора 7.and the voltage across the winding 18 of the transformer 11 becomes zero. In this case, the locking voltage on the winding 10 will disappear and the unlocking voltage IB (Fig. 2) from the winding 6 of the transformer 7 will come to the base of the power transistor 2.
После отпирани силового транзистора 2, откроетс диод 21 и к обмотке 19 трансформатора 11 будет приложено напр жение Ui9 (фиг.2) с конденсатора 23. На обмотки 9,After unlocking the power transistor 2, a diode 21 will open and the voltage Ui9 (Fig. 2) from the capacitor 23 will be applied to the winding 19 of the transformer 11. On the winding 9,
10, 18 трансформатора 11 трансформируетс напр жение с пол рностью, указанной в скобках (фиг.1). Схема переходит во второе квазистатическое состо ние, противоположное исходному.10, 18, the transformer 11 is transformed with the voltage indicated in brackets (Fig. 1). The circuit changes to the second quasistatic state opposite to the initial one.
, Таким образом, в схеме осуществл етс автоматическа задержка отпирани силового транзистора на врем рассасывани неосновных носителей в области базы запирающегос силового транзистора.Thus, in the circuit, the unlocking of the power transistor is automatically delayed by the absorption time of the minority carriers in the area of the base of the locking power transistor.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874277139A SU1596425A1 (en) | 1987-07-06 | 1987-07-06 | Transistor inverter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874277139A SU1596425A1 (en) | 1987-07-06 | 1987-07-06 | Transistor inverter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1596425A1 true SU1596425A1 (en) | 1990-09-30 |
Family
ID=21316709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU874277139A SU1596425A1 (en) | 1987-07-06 | 1987-07-06 | Transistor inverter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1596425A1 (en) |
-
1987
- 1987-07-06 SU SU874277139A patent/SU1596425A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 762113, кл. Н 02 М 7/537, 1978.Авторское свидетельство СССР № 817910, кл. Н 02 М 7/537, 1979. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6653806B1 (en) | Dynamic brake circuit and semiconductor inverter using dynamic brake circuit | |
US5077651A (en) | Snubber circuit of power converter | |
US4611267A (en) | Snubber arrangements with energy recovery for power converters using self-extinguishing devices | |
US4499533A (en) | Power supply apparatus | |
SU1596425A1 (en) | Transistor inverter | |
SU1298885A1 (en) | Two-position transistor selector switch | |
SU1262657A1 (en) | D.c.converter | |
SU1101999A1 (en) | Two-step transistor inverter | |
SU1026263A1 (en) | Push-pull inverter | |
JPS6116794Y2 (en) | ||
SU845249A1 (en) | Semi-bridge inverter | |
SU1582298A1 (en) | Stabilized converter | |
SU1524142A1 (en) | Single-end dc voltage converter | |
SU1226584A2 (en) | Two-step transistor inverter | |
SU1705992A1 (en) | Inverter | |
SU1577012A1 (en) | Single-ended dc voltage converter | |
SU1686567A1 (en) | Device for current protection against faults in ac circuit | |
SU851707A1 (en) | Inverter | |
SU484627A1 (en) | Relaxation generator of two-stage pulses | |
SU788314A1 (en) | Voltage converter | |
RU1803958C (en) | Constant voltage converter | |
RU1829094C (en) | Single-cycle d c/d c converter | |
SU1610571A1 (en) | Semi-bridge transistor inverter | |
SU1539942A1 (en) | Single-ended inverter | |
SU756579A1 (en) | Dc-to-ac voltage converter |