SU1521259A1 - Способ изготовлени мишени дл дерно-физических исследований - Google Patents
Способ изготовлени мишени дл дерно-физических исследований Download PDFInfo
- Publication number
- SU1521259A1 SU1521259A1 SU884412302A SU4412302A SU1521259A1 SU 1521259 A1 SU1521259 A1 SU 1521259A1 SU 884412302 A SU884412302 A SU 884412302A SU 4412302 A SU4412302 A SU 4412302A SU 1521259 A1 SU1521259 A1 SU 1521259A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- target
- nitrogen
- temperature
- Prior art date
Links
- 230000005658 nuclear physics Effects 0.000 title claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 abstract description 5
- IDBFBDSKYCUNPW-UHFFFAOYSA-N lithium nitride Chemical compound [Li]N([Li])[Li] IDBFBDSKYCUNPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 208000037062 Polyps Diseases 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006396 nitration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к ускорительной технике. Цель изобретени - улучшение эксплуатационных характерИстик мишени. Сущность изобретени - зак тючаетс в создании на подложке однородного сло нитрида лити , обладающего хорошим сцеплением с подложкой , толщину которого можно мен ть и контролировать. Это обеспечиваетс термовакуумным напылением на подложку сло металлического лити требуемой толщины и последующего азотировани этого сло в .атмосфере азота при температуре 110-140 С и скорости натекани азота 1-100 см /мин. Изготовленные таким способом мишени однородны, имеют больш то вакуумную стойкость и устойчивость к полному облучению..
Description
Изобретение относитс к ускорительной технике, а именно к мишен м дл проведени исследований дерных реакций на пучках ускоренных ионов и может быть использовано при регистрации нейтронов с помощью ионизационньк камер или полупроводниковых детекторов .
Целью изобретени вл етс улучшение эксплуатационных характеристик мишени.
Сущность изобретени удобно проиллюстрировать на трех примерах реализации данного технического решени .
В первом случае весь процесс проводилс в вакуумном объеме. Напыление металлического лити прЬизводи- лось и;з танталовой ложечки-тигл , нагреваемой пропусканием через нее электрического тока 150 А. Подложка мишени, закрепленна на кольцевой
оправке из никел , помещалась в на- : греваемый столик образцов на рассто - НИИ ЮО мм от испарительной ложечки- тигл , в которую помещалась навеска металлического лити . В качестве подложки использовалась пленка из поли- п-ксш1илена толщиной 20 мкг/см . После достижени вакуума 5-10 мм рт.ст. включалс нагрев столика образцов до 130°С. При этой температуре . подложка прогревалась 1 ч (дл обёз- гаживани ). После зтого При той же температуре подложки (130 С), производилось распыление металлического лити и образование на подложке тонкого его сло . Затем через клапан- натекатель установки под ее колпак подавалс азот со скоростью натекани 50 .см /мин до давлени 100 мм рт.ст., которое наступало tie- рез, два часа. Необходима скорость
Сд
to
СП
СО
иатекани азота обеспечиваетс установлением экспериментально найденной величины зазора клапана-натекател . После этого нагрев столика образцов прекращали, и по достижении им комнатной температуры готовую мишень извлекали из-под колпака и помещали в эксикатор.
Во втором случае также проводилось распыление, металлического Лити , использовалась та же подложка. После нагрева столика образцов до и прогрева подложки дл обезгаживанн в течение 1 ч температуру подложки снижали до 11 (снижением нагрева столика) и при этой температуре рас- пьт ли металлически литий и производили его азотирование. Скорость нарекани азота устанавливали f Давление 100 мм.рт. ст. наступало через 20 ч.
В третьем случае выполн лись те же операции и в той же последовательности . После обезгаживани подложки при температуре -130° С в течение I ч температуру повышали до при этой температуре распыл ли литий и произ водили азотирование обраэовавшегбс - на подложке сло . Скорость напуска азота составл ла 100 Дайле- ние 100 мм рт. ст. наступало через 15 мин.
Описднным способом были изготовлены мишени в широком интервале толщин- I от 20 мкг/см до 2 мг/см.
Созданньй таким способом мишенный слой нитрида пити имеет высокую однородность , 4JO определ етс однород костью сло металлического лити ,- . обусловленную тем, .что этот слой наноситс термоаакуум ым распылением. Толщина сло нитрида лити при этом легко регулируетс изменением толщи- ны сло металлического лити вплоть до очень малых толщин. Обрадованный слой нитрида лит(1 сцеплей с подложкой за счет молекул рных си без
применени липкого сло , что обуславливает большую вакуумную стойкость и устойчивость к ионному облучению. Требовани к термостойкости и толщин подложки при этом минимальны из-за низкой температуры испарени металлического лити в вакууме, что обусловливает малые термические нагрузки на подложку во врем термовакуумного распылени сло металлического лити . Экспериментально установлено, что при температуре выше 140°С происходит разрушение мишенного сло в процессе азотировани по-иидимому , из-за возникающих механических на- . пр жений, обусловленных быстрым протеканием процесса азотировани , а при температурах, меньших ПО С, образуетс недостаточно пластичный мк- шенньй слой, которьй также легко разрушаетс . Эксперименты также показали , что при скорости натекани азота более 100 см /мин азотирование идет очень быстро, и образуетс недостаточно пластичньй слой, легко разруша й цийс (мишень осыпаетс ). При скоро ти натекани азота менее 1 см /мин врем изготовлени мишени очень увеличиваетс : при скорости натекани азота 10 см /мин врем азотировани составл ет 2 ч, но при скорости натекани , меньшей 1 см /мин, оно воз- растает до суток, что экономически нецелесообразно.
Ф о р М у л
изобретени
Способ изготовлени мишени дл дерно-физических исследований, заключающийс в нанесении на подложку термовакуумным напылением сло метал- лического лити , о т л и ч а ю щ и й- ,с тем- что, с целью улучшени эксплуатационных характеристик мишени , после напьтени производ т азоти-. ,рование напыленного сло в атмосфере ; азота при температуре П0-140 С и скорости натекани азота 1-100 см /мин
Claims (1)
- Формула изобретенияСпособ изготовления мишени для ядерно-физических исследований, заключающийся в нанесении на подложку термовакуумным напылением слоя металлического лития, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью улучшения эксплуатационных характеристик мишени, после напыления производят азотирование напыленного слоя в атмосфере ’азота при температуре 110-140°С и •скорости натекания азота 1-100 см5/мин.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU884412302A SU1521259A1 (ru) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | Способ изготовлени мишени дл дерно-физических исследований |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU884412302A SU1521259A1 (ru) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | Способ изготовлени мишени дл дерно-физических исследований |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1521259A1 true SU1521259A1 (ru) | 1991-02-23 |
Family
ID=21369547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU884412302A SU1521259A1 (ru) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | Способ изготовлени мишени дл дерно-физических исследований |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1521259A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU199118U1 (ru) * | 2020-05-20 | 2020-08-17 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ") | Порошковая мишень для исследования свойств параметрического рентгеновского излучения релятивистских электронов |
-
1988
- 1988-03-23 SU SU884412302A patent/SU1521259A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Sher R. Floyd J.J. Triton-Induced Reactions. Physical .Review, V. 102, R 1, 1956, p. 242. Абрамович C.H., Гужовский Б.Я., Слепцов Г.Н. Тонкие мишени из металлического лити . ПТЭ, К 1, 1982, с. 218-221. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU199118U1 (ru) * | 2020-05-20 | 2020-08-17 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ") | Порошковая мишень для исследования свойств параметрического рентгеновского излучения релятивистских электронов |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69801291T2 (de) | Innenbeschichtung von Vakuumbehältern | |
| US5501911A (en) | Copper crystal film coated organic substrate | |
| SU1521259A1 (ru) | Способ изготовлени мишени дл дерно-физических исследований | |
| US4957771A (en) | Ion bombardment of insulator surfaces | |
| JPS619985A (ja) | 金属複合材の製造方法 | |
| JPS5874701A (ja) | 高分子薄膜の形成方法 | |
| JPS6350463A (ja) | イオンプレ−テイング方法とその装置 | |
| JPH0310706B2 (ru) | ||
| JPH01168857A (ja) | 窒化チタン膜の形成方法 | |
| US5523166A (en) | Process for forming thin film having excellent insulating property and metallic substrate coated with insulating material formed by said process | |
| JPH04346651A (ja) | メタライジング法 | |
| DE4441117C1 (de) | Verfahren zur Beschichtung von Substraten und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
| JP3031551B2 (ja) | ガスバリアー性蒸着フィルムの製造方法 | |
| RU2114209C1 (ru) | Способ нанесения покрытий в вакууме | |
| JPH02259063A (ja) | 金属膜生成方法 | |
| JPH03215664A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS6318053A (ja) | 有色薄膜の生成方法 | |
| JPS6017070A (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
| SU1767049A1 (ru) | Способ получени пленок теллура | |
| JPS61219028A (ja) | 液晶配向膜の形成方法 | |
| JPH01234559A (ja) | 被覆膜付鉄鋼部材およびその製造方法 | |
| JPH048507B2 (ru) | ||
| JPS5836671B2 (ja) | 表面処理方法 | |
| JPS5952526A (ja) | 金属酸化膜のスパツタリング方法 | |
| JPS6476606A (en) | Dielectric material |