Известны различные способы изготовлени селеновых выпр миIeлей . Дл получени выпр мл ющего контакта обычно на поверхностный слой селена наноситс сплав, содержащий кадмий, после чего производитс термическа обработка выпр мител . По другому способу перед нанесением катодного сплава на поверхность кристаллического селена наноситс тонкий слой кадми методом испарени в высоком вакууме.Various methods are known for making selenium strains. In order to obtain a rectifying contact, an alloy containing cadmium is usually deposited on the surface layer of selenium, after which the rectifier is heat treated. In another way, before applying the cathode alloy on the surface of crystalline selenium, a thin layer of cadmium is applied by evaporation under high vacuum.
Предлагаемый способ отличаетс от известных тем, что позвол ет повысить допустимую плотность тока выпр мител . Это достигаетс тем, что в поверхностный слой аморфного или кристаллического селена методом катодного распылени вводитс примесь кадми , с последующим нанесением верхнего электрода из сплава, содержащего кадмий, чистого кадми и других металлов.The proposed method differs from the known ones in that it allows an increase in the allowable current density of the rectifier. This is achieved by adding an admixture of cadmium into the surface layer of amorphous or crystalline selenium by cathode sputtering, followed by applying a cadmium-containing top electrode made of pure cadmium and other metals.
Сущность предлагаемого способа состоит в следующем. Перед нанесением верхнего электрода, на поверхность аморфного или кристаллического селена напыл етс тонкий слой кадми методом катодного распылени . Предлагаемый способ дает возможность получить селеновые элементы с рабочим напр жением 20-26 в при незначительном падении напр жени в пропускном направлении, что позвол ет повысить плотность тока выпр мител в 3-4 раза.The essence of the proposed method consists in the following. Before applying the top electrode, a thin layer of cadmium is sprayed onto the surface of amorphous or crystalline selenium using cathodic sputtering. The proposed method makes it possible to obtain selenium elements with a working voltage of 20-26 volts with a slight drop in voltage in the transmission direction, which makes it possible to increase the rectifier current density by a factor of 3-4.
Предмет изобоетени Subject of izobetheni
Способ изготовлени селеновых выпр мителей, отличающийс тем, что, с целью повыщени допустимой плотности тока, в поверхностный слой аморфного или кристаллического селена методом катодного распылени вводитс примесь кадми с последующим нанесением верхнего электрода из сплава, содержащего кадмий, чистого кадми или других металлов.A method of making selenium rectifiers, characterized in that, in order to increase the allowable current density, an admixture of cadmium is introduced into the surface layer of amorphous or crystalline selenium by cathode sputtering followed by applying an upper electrode made from an alloy containing cadmium, pure cadmium or other metals.