SU1358002A1 - Элемент пам ти - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам, и может быть использовано дл  хранени  информации в аналого-цифровых преобразовател х. Целью изобретени   вл етс  упрощение элемента пам ти. Поставленна  цель достигаетс  тем, что контакт Джозефсона 5 магнитно св зан с обмоткой 4, элемент содержит также накопительные обмотки 2, 3, подключенные параллельно контакту Джозефсона 5. Элемент пам ти обладает повышенными быстродействием и точностью и содержит меньшее количество обмоток и контактов Джозефсона . 2 ил. 4 П 00 СП 00 Фиг. / О о f стр. ю

Description

Изобретение относитс  к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам и может быть использовано дл  хранени  информации в аналого-цифровых преобразовател х.

Целью изобретени   вл етс  упрощение элемента пам ти.

На фиг. 1 приведена электрическа  схема предлагаемого устройства; на фиг. 2 - вариант конструктивного выполнени .

Элемент пам ти содержит информационную обмотку 1, накопительные обмотки 2 и 3, обмотку 4 смещени  (катушки 1-4) и контакт Джозефсона 5.

Предлагаемое устройство работает следующим образом.

Входной аналоговый ток / подаетс  в катушку 2 за счет взаимной индуктивности

Л4 2, ,

где К.св - коэффициент св зи.

В катушке 4 возникает магнитный поток

Ф /Bx M2,4 /Bx - cfl .4Так как катушки 3 и 4 составл ют замкнутый сверхпровод щий контур, то этот магнитный поток компенсируетс  возникающим циркулирующим током

Ч ФЛ/-4 + 1зН/вх- KcsX

/(L4 + L3)(1)

при условии, что критический ток джозеф- соновского контакта подавл етс  током стро- бирующего импульса /„р, протекающим в катушке 1. Величина циркулирующего тока /ц в катушке 3  вл етс  запоминаемой величиной. Запоминание осуществл етс  после уменьшени  до нул  тока /„р. Цели после этого ток I, не измен етс , то не мен етс  и распределение токов в схеме. Если ток /вх измен етс , например, на Л/з, то, очевидно, что в катушке 3 по-прежнему сохран етс  ток /д, а в катушке 4 ток измен етс  на величину

Ы М /Ка-л/и/Т.

При использовании элемента дл  аналого-цифрового преобразовани  катушка 3 индуктивно или гальванически св зываетс  с одним джозефсоновским элементом (например , сквидом) или несколькими.

При указанном исполнении предлагаемого элемента (фиг. 2) необходимо учесть показанную паразитную индуктивность Ln (в предельном случае индуктивность Ь„ равна индуктивности одного из электродов джозефсоновского туннельного контакта). Рассчитывают /ц с учетом L. Изменение

тока 4х на величину Д/вх после уменьшени  до нул  тока /„р ведет к изменению тока в катушке 4 на величину

л г л/ «л-

вх Кс8 --Li,I,

(Ln+Lз) (2)

Относительное изменение тока в катуш- ке 3 равно

где L,U/-LZ (3)

(l+/;; )(/4+-i4-) ./Lb. При заданных п-разр дной точности и l необходимо, чтобы

0

0

/4

(4)

(/4-f 1Х2 -1)

Дл  и требуетс  , что вполне осуществимо конструктивнот В приведенном варианте конструкции

шина ввода тока 1„у имеет дополнительную индуктивную обратную св зь с катушкой 3. Она компенсирует паразитный магнитный поток, вносимый в малый контур с катуш- с кой 3 из-за протекани  тока 1„у в катушке Ln. Пренебрега  величиной /,„ и учитыва  (1), определ ют коэффициент усилени  устройства

Ку-(1,(5)

Коэффициент усилени  практически при любых разумных соотношени х /2//4 больше единицы

1

+Г+74

(6)

Предлагаемый элемент обладает повышенным быстродействием и точностью.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Элемент пам ти, содержащий обмотку смещени  и контакт Джозефсона, магнитно св занный с обмоткой смещени , выводы которой  вл ютс  входом и выходом установки режима работы элемента пам ти, отличающийс  тем, что, с целью упрощени , он содержит первую и вторую накопительные обмотки, одноименные выводы которых объединены и подключены к соответствующим выводам контакта Джозефсона, информационную обмотку, индуктивно св занную с первой накопительной обмоткой, выводы информационной обмотки  вл ютс  информационным входом элемента пам ти, выводы накопительных обмоток  вл ютс  выходами элемента пам ти.

   Lit

   IBX. ,

   Подлот- ка

   I от и.

   Фаг. 2