[go: up one dir, main page]

SU1325963A1 - Радиоэлектронный блок - Google Patents

Радиоэлектронный блок Download PDF

Info

Publication number
SU1325963A1
SU1325963A1 SU853937803A SU3937803A SU1325963A1 SU 1325963 A1 SU1325963 A1 SU 1325963A1 SU 853937803 A SU853937803 A SU 853937803A SU 3937803 A SU3937803 A SU 3937803A SU 1325963 A1 SU1325963 A1 SU 1325963A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
capillary
layer
insert
coolers
partitions
Prior art date
Application number
SU853937803A
Other languages
English (en)
Inventor
Н.М. Лепехин
Е.С. Яценко
Л.В. Петрина
Original Assignee
Истринское Отделение Всесоюзного Электротехнического Института Им.В.И.Ленина
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Истринское Отделение Всесоюзного Электротехнического Института Им.В.И.Ленина filed Critical Истринское Отделение Всесоюзного Электротехнического Института Им.В.И.Ленина
Priority to SU853937803A priority Critical patent/SU1325963A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1325963A1 publication Critical patent/SU1325963A1/ru

Links

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к теплооб- менным устройствам. Цель изобретени - повышение надежности блока в работе и уменьшение его массогабар тных характеристик . Радиоэлектронный блок (РБ) содержит заполненный диэлектри- ч-ской жидкостью 2 герметичный корпус 1, конденсатор 3, собранные в столб тепловыдел ющие полупроводниковые приборы 4 с охладител ми 5, отделенными один от другого. РБ снабжен жесткими перегородками (П) 6 из электропроводного материала, на поверхности .1. f-- Я - 5J .. .13 И -П -Ю

Description

13
которых выполнены с обеих сторон капилл рные каналы и по)1ой вставкой из диэлектрического материала. Охладители 5 - многослойные, при этом внешние слои (С) 10 и 11 выполнены из материала с крупнодисперсной структурой а внутренние С 13 - из материала с мелкодисперсной структурой. С 10, 11 армированы элементами 12 из элек
Изобретение относитс  к теплооб- менным устройствам, в частности к устройствам дл  охлаждени  тепловыдел ющих приборов, используемых преимущественно в полупроводниковой технике .
Целью изобретени   вл етс  повышение надежности блока в работе и уменьшение его массогабаритных характеристик .
На фиг.1 показан предлагаемый ра- диоэлектронньА блок; на фиг.2 - разрез А-А на фиг.1.
Радиоэлектронный блок содержит герметичный корпус 1, заполненный диэлектрической жидкостью 2, конденсатор 3 и собранные в столб тепловыдел ющие полупроводниковые приборы , чередующиес  с охладител ми 5, отделенными друг от друга жесткими перегородками 6 из электропроводного материала, на поверхности которых выполнены с обеих сторон капилл рные каналы 7. Дп  выхода паров охлаждающей диэлектрической жидкости 2 полой вставкой 8 из синтетического материала и перегородками б образованы окна 9..Охладители 5 содержат внешние слои 10 и 11 из материала с крупнодисперсной структурой, армированные элементами 12 из электропровоМного материала, в качестве которого может быть использована, например, медна  проволока, а также внутренний слой 13 из материала с мелкодисперсной структурой.
Блок работает следуювом образом.
При относительно низких электрических нагрузках охлаждение тепловы- дел юцих полупроводииковых приборов
.
тропроводного материала, ориентированными в разньк направлени х. В описании приведены соотношени  геометрических размеров охладител  и капилл рных каналов калугой П. Изобретение может быть использовано дл  охлаждени  тепловьщел кнцих приборов, примен емых преимущественно в полупроводниковой технике. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
А происходит за счет нагрева и испа- рени  непосредственно с поверхностей приборов А диэлектрической жидкости 2, котора  поступает к охлаждаемым поверхност м тепловыдел ющих приборов А по капилл рным каналам 7 на поверхности перегородки 6 из электропроводного материала и через многослойные охладители 5, слои которьлс выполнены из материала с капилл рно- пористой структурой. Под действием капилл рных сил в охладител х 5 возникает капилл рный напор, наибольогий там, где сильнее местные перегревы на контактирующих с охладител ми 5 поверхност х тепловыдел ющих приборов А, что устран ет местные перегревы структуры полупроводниковых приборов и обеспечивает равномерность, охлаждени  всей их последовательной цепочки. Это позвол ет производить расчет нагрузочной способности тепло- внпел ющих приборов А из средних условий охлаждени , а не из условий их наихудшего охлаждени . Смесь жидкости 2 удал етс  Из зоны нагрева через объем корпуса, ограниченного полой вставкой 8, через сегментные окна 9.
При повышенньре и им1 гульсных тепловых нагрузках внещние слои из матери- .. ала с крупнодисперсной структурой
охладителей 5, обращенные к тепловы- дел ицим поверхност м полупроводниковых приборов 4, осуществл ютс  и далее, с ростом тепловой.нагрузки, работают как проводники тепла к поверхност м раздела пар-жидкость, который образуетс  на внутреннем слое 13 Из материала с мелкодисперсной структурой. При этом жидкий тешгоно
ситель поступает к.поверхност м раз-- дела пар-жидкость по капилл рным каналам 7 и частично по капилл рам внешних слоев из материала с крупнодисперсной структурой, расположенных между перегородками 6 и внутренними али ми 13. Образующийс  при нагревании теплоносител  пар удал етс  из материала с крупнодисперсной структурой , имеющей контакт с поверхностью тепловыдел ющих приборов. Смесь нагретой диэлектрической жидкости 2 поступает в конденсатор 3 через сегментные окна 9.
Слой 13 не дает пару возможности пробитьс  во внешние крупнодисперсные , имеющие контакт с электропроводными перегородками 6. Поэтому внешние крупнодисперсные слои, кон-, тактирующие с перегородками 6, всегда смочены жидким теплоносителем, и гидродинамика жидкого теплоносител  по капилл рам вставки и самой капилл рно-пористой структуре охладителей 5 не нарушаетс .
Охлаждение тепловыдел ющих полупроводниковых приборов А при повьппен- ных и импульсных электрических нагрузках всегда сопровождаетс  значительными электродинамическими, усили ми в осевом направлении, с помощью которых осуществл етс  механическое прижатие элементов системы друг к другу . Эти же услови  действуют и на капилл рно-пористые слои охладителей 5. Поэтому дл  обеспечени  работоспособности блока оба крупнопористых сло  озитадителей 5 армированы электропроводным материалом, причем направление армировани  одного сло  не совпадает с направлением армировани  другого сло .
,.
Эффективность охлаждени  тепловыдел ющих приборов повьппаетс  за счет того, что устранена возможность осуществлени  кашш рно-пористой структуры охладителей, а также возможность их см ти  под действием значительных механических усилий и запаривани  при одновременном уменьшении переходного теплового сопротивлени  охлажда- х цих элементов.
Улучшение массогабаритных характеристик радиоэлектронного блока с тепловыдел ющей аппаратурой следует иэ уменьшени  удельной массы охладителей , выполненных из капилл рно-пористого материала.
Технико-экономическа  эффективность изобретени  основана к  том, что в полупроводниковых преобразовател х увеличение тока через полупроводниковые приборы из-за повыпигнн  эффективности охлаждени  позвол ет увеличить мощность преобразовател  или, при сохранении мощности, уменьд шить количество приборов в силовых блоках и улучшить массогабаритные характеристики блоков, что особенно важно при использовании полупроводниковых преобразователей, например, на
с летательных аппаратах. Кроме того, изобретение может быть использовано как при последовательном электрическом соединении тепловыдел ющих полупроводниковых приборов, так и при
Q монтаже любой из известных схем преобразовани  энергии в виде одного столба. При этом дл  электрического разделени  плеч преобразовательной схемы в соответствующих местах стол5 ба вместо вентилей с охлаждающими элементами устанавливаютс  диэлектрические полые вставки.

Claims (3)

  1. Формула изобретени . I
    0 1. Радиоэлектронный блок, содер- жащий герметичный корпус, заполненный диэлектрической жидкостью, размещенный в корпусе конденсатор, полупроводниковые приборы, каждый из ко5 торых установлен между двум  охладител ми с образованием столба, погруженные в диэлектрическую жидкость, отличающийс  тем, что, с целью повышени  надежности его в
    0 работе и уменьшени  массогабаритных
    характеристик, он снабжен полой встав- кой из диэлектрического материала, размещенной в корпусе, и перегородками из электропроводного материала с
    5 капилл рными каналами на их поверхности , столб чередующихс  между собой полупроводниковых приборов и охладителей расположен внутри полой вставки , а перегородки поэтажно установле0 иы между соседними охладител ми с возможностью их контакта с ними и пересечени  стенок полой вставки с образованием соосных окон, входы капилл рных каналов перегородки распо5 ложены на двух их противоположных концах, которые размещены с внеггаей стороны полой вставки, каждый охладитель выполнен трехслойным из материала с капилл рно-пористой структуррой , причем внутренний слой охладител  выполнен из материала с мелкодисперсной структурой, а смежные с ним внешние слои - иэ материала с крупнодисперс ой структурой, армированного элементами иэ теплоэлектро- проводного.материала.
  2. 2.Блок ПОП.1, отличающийс  тем, что элементы армировани  внешних слоев каждого охладител  ориентированы в разных направлени х ,
  3. 3.Блок non.t, отличающийс  тем, что геометрические размеры внутреннего сло  и внешних слоев каждого охладител  и капилл рных каналов каждой перегородки св заны следукщими соотношени ми: d -(0,005-0,5)dfc-, «/-к-(0,5-0,005)dn.;
    . 4-А
    cy;(0,1-0,01).i а(2-5)с/, i b(0,1- -1)ai c-(0,1-1,0)a,
    где диаметр пор сло  из материала с мелкодисперсной капилл рно-пористой структурой. Mi d,. - диаметр пор сло  из материала с крупнодисперсной капилл рно-пористой структурой, MJ OR- толщина сло  из материала с крупно- дисперсной капилл рно-пористой структурой , м; rf - толщина сло  из материала мелкодисперсной капилл рно-пористой структуры, Mj di, - диаметр тепловыдел ющей поверхности охлаждаемых приборов, Mj а - шаг между соседними каналами не поверхности вставки , м; Ь - ширина поперечного сечени  канала на поверхности вставки, м} с - высота поперечного сечени  канала на поверхности вставки, м.
    Редактор Г.Бельска 
    Составитель С.Дудкин Техред Л.Сердюкова
    Заказ 3436Тираж 316Подписное
    ВНИИПИ Государственного комитета СССР
    по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д; 4/5
    .Производственно-полиграфическое предпри тие, г.Ужгород, ул.Проектна ,4
    Фиг. 2
    Корректор И.Муска
SU853937803A 1985-05-23 1985-05-23 Радиоэлектронный блок SU1325963A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853937803A SU1325963A1 (ru) 1985-05-23 1985-05-23 Радиоэлектронный блок

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853937803A SU1325963A1 (ru) 1985-05-23 1985-05-23 Радиоэлектронный блок

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1325963A1 true SU1325963A1 (ru) 1991-08-07

Family

ID=21192072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853937803A SU1325963A1 (ru) 1985-05-23 1985-05-23 Радиоэлектронный блок

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1325963A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2605432C2 (ru) * 2014-04-29 2016-12-20 Акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" Устройство охлаждения многослойной керамической платы
RU2640574C2 (ru) * 2012-04-23 2018-01-10 Конинклейке Филипс Н.В. Интегральный электронный модуль с охлаждающей структурой

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 381850, кл. F 25 В 19/04, 1973. Исакеев А.И. и др. Эффективные способы охлаждени силовых полупроводниковых приборов. Л.: Энергоиздат, 1982, с.26. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2640574C2 (ru) * 2012-04-23 2018-01-10 Конинклейке Филипс Н.В. Интегральный электронный модуль с охлаждающей структурой
RU2605432C2 (ru) * 2014-04-29 2016-12-20 Акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" Устройство охлаждения многослойной керамической платы

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3573574A (en) Controlled rectifier mounting assembly
EP1336204B1 (en) Thermoelectric module with integrated heat exchanger and method of use
US3852806A (en) Nonwicked heat-pipe cooled power semiconductor device assembly having enhanced evaporated surface heat pipes
EP0219692B1 (en) Method for producing heat sink and heat sink thus produced
US6016007A (en) Power electronics cooling apparatus
US11489100B2 (en) Heat conversion apparatus
US3852805A (en) Heat-pipe cooled power semiconductor device assembly having integral semiconductor device evaporating surface unit
WO1994017649A1 (en) Mounting assembly for power semiconductors
KR20000069515A (ko) 열전 모듈 유니트
WO2008097557A2 (en) Carbon-based waterblock with attached heat-exchanger for cooling of electronic devices
CN106558563B (zh) 功率模块和具有其的车辆
JP2022531562A (ja) 熱変換装置
US3852803A (en) Heat sink cooled power semiconductor device assembly having liquid metal interface
US5003376A (en) Cooling of large high power semi-conductors
US3826957A (en) Double-sided heat-pipe cooled power semiconductor device assembly using compression rods
US5068491A (en) Bus bar for power supply with coolant flow passages
SU1325963A1 (ru) Радиоэлектронный блок
CN117476559A (zh) 具有嵌入式电力电子器件的电力电子组件
JP7638337B2 (ja) Sセルを組み込んだコールドプレート
US7004238B2 (en) Electrode design for electrohydrodynamic induction pumping thermal energy transfer system
US3852804A (en) Double-sided heat-pipe cooled power semiconductor device assembly
CN116053226A (zh) 一种基于3d双面异形均温板的功率器件散热结构
RU2075150C1 (ru) Электрическая машина
US3304207A (en) Thermoelectric generator
EP3411885B1 (en) Modular, high density, low inductance, media cooled resistor