SU1309278A1 - Формирователь импульсов - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к области цифровой электронной техники. Цель изобретени  - повышение надежности формировател .. Формирователь импульсов содержит конденсатор 1, МДП-транзистор 2 с провод щим каналом, МДП-транзисторы 3 и 4 с индуцированным каналом и инверторы 7 и 8. Введение МДП-транзисторов 5 и 6 и выполнение каждого из инверторов 7 и 8 в виде МДП.-транзистора 9 с провод щим каналом и МДП-транзистора 10 с индуцированным каналом уменьшают плош,адь конденсатора 1, максимальное напр жение на нем и обеспечивают более быстрый разр д этого конденсатора в интервалах между импульсами . 1 3. п. ф-лы, 1 ил. (Л со о со ю 00

Description

1

Изобретение относитс  к цифровой электронной технике и может быть использовано в качестве формировател  импульсных последовательностей в интегральных микросхемах на МДП-транзисторах.

Целью изобретени   вл етс  повыи1ение надежности устройства за счет уменьшени  площади интегрального конденсатора и уменьшени  максимального напр жени  на конденсаторе, а также за счет более быстрого разр да этого конденсатора в интервалах между импульсами.

Цель достигаетс  путем введени  в цепь зар да конденсатора дополнительного МДП- транзистора в диодном включении и введени  в цепь разр да конденсатора дополнительного МДП-транзистора, работающего в режиме ключа и управл емого входным сигналом устройства.

На чертеже приведена принципиальна  схема формировател  импульсов.

Устройство содержит конденсатор 1, МДЦ-транзистор 2 с встроенным каналом, первый 3, второй 4, третий 5 и четвертый 6 МДП-транзисторы с индуцированным каналом, первый 7 и второй 8 инверторы, каждый из которых состоит из последовательно соединенных МДП-транзистора 9 с встроенным каналом и МДП-транзистора 10 с индуцированным каналом, которые включены между шиной 11 питани  и общей шиной 12. Затвор МДП-транзистора 9 с встроенным каналом подключен к точке соединени  транзисторов 9 и 10, инверторов 7 и 8 и  вл етс  выходом 13 и 14 соответствующего инвертора, а затвор МДП-транзистора 10 с индуцированным каналом  вл етс  входом 15 и 16 соответствующего инвертора.

Входы 15 и 16 соответственно первого 7 и второго 8 инверторов, а также затвор третьего МДП-транзистора 5 с индуцированным каналом подключены к входной шине 17, а выход 13 первого инвертора 7 соединен с выходной шиной 18 и подключен к затвору МДП-транзистора 2 с встроенным каналом и стоку второго МДП-транзистора 4 с индуцированным каналом. Выход 14 второго инвертора 8 через четвертый МДП-тран- зистор б с индуцированным каналом, затвор которого соединен с выходо.м того же инвертора , подключен к первой обкладке конденсатора 1, к которой подключены также затворы первого 3 и второго 4 и сток третьего 5 МДП-транзисторов с индуцированным каналом. Сток первого, исток второго МДП- транзисторов с индуцированным каналом и исток МДП-транзистора 2 с встроенным каналом , сток которого подключен к шине 11 питани , объединены. Истоки первого 3 и третьего 5 МДП-транзисторов а также втора  обкладка конденсатора 1 соединены с общей щиной 12.

Устройство функционирует следующим образом.

309278

2

В исходном состо нии на входную шину 17 подан единичный сигнал. На выходах 13 и 14 первого 7 и второго 8 инверторов, а также на выходной шине 18 при этом нуле- , вые сигналы. Третий МДП-транзистор 5 с индуцированным каналом открыт ц конденсатор 1 разр жен, а первый 3 и второй 4 МДП-транзисторы закрыты.

Дл  формировани  единичного импульса на выходной шине 18 необходимо подать на

входную шину 17 нулевой сигнал на врем , превышающее длительность формируемого импульса и равное, например, периоду следовани .

При этом выходна  шина 18 через от15 крытый МДП-транзистор 9 первого инвертора 7 быстро зар жаетс  до напр жени  источника питани , подключенного к шине 11 питани . Так формируетс  передний фронт выходного импульса.

Третий МДП-транзистор 5 с индуциро20 ванным каналом закрываетс , и конденсатор 1 начинает зар жатьс  через МДП-транзистор 9 инвертора 8 и четвертый МДП- транзистор 6 с индуцированным каналом до напр жени , равного напр жению на ши25 не 11 питани  за вычетом порогового напр жени  четвертого МДП-транзистора 6 с индуцированным каналом, поскольку его затвор соединен со стоком.

При достижении напр жени  на конденсаторе 1, равного пороговому напр жению

30 МДП-транзисторов с индуцированным каналом , первый .МДП-транзистор 3 с индуцированным каналом открываетс , и напр жение на его стоке начинает уменьшатьс . При дальнейшем увеличении напр жени  на конденсаторе 1 и уменьшении напр жени  на

35 истоке второго МДП-транзистора 4 с индуцированным каналом он открываетс , и начинаетс  формирование заднего фронта выходного импульса на выходной шине 18. Ток, протекающий через первый 3 и второй 4

Q МДП-транзисторы с индуцированным каналом , разр жает выходную шину 18 до низкого потенциала. МДП-транзистор 2 при этом подзапираетс , что обеспечивает увеличение крутизны заднего фронта формируемого импульса.

45 При поступлении на входную шину 17 сигнала высокого уровн  третий МДП-транзистор 5 с индуцированным каналом открываетс , и конденсатор 1 быстро разр жаетс , что обеспечивает надежное запирание первого 3 и второго 4 МДП-транзисторов с индуцированным каналом, необходимое дл  подготовки формировани  следующего импульса .

Введение четвертого МДП-транзистора 6 с индуцированным каналом в диодном вклю55 чении обеспечивает дополнительное сопротивление в цепи зар да конденсатора 1 и меньшее напр жение на конденсаторе, чем напр жение шины 11 питани . Благодар 

50

этому площадь конденсатора и его величина могут быть уменьшены, что ведет к дополнительному увеличению надежности устройства .

Claims (2)

1. Формирователь импульсов, содержащий конденсатор, МДП-транзистор с встроенным каналом, первый и второй МДП-тран- зисторы с индуцированным каналом и первый и второй инверторы, входы которых подключены к входной щине устройства, выход первого инвертора соединен с выходной щи- ной устройства и подключен к затвору МДП- транзистора с встроенным каналом и к стоку второго МДП-транзистора с индуцированным каналом, затвор которого соединен с затвором первого МДП-транзистора с индуцированным каналом и первой обкладкой конденсатора, втора  обкладка которого и исток первого МДП-транзистора с индуцированным каналом подключены к общей шине , исток МДП-транзистора с встроенным каналом, сток которого соединен с шиной

питани , объединен со стоком и истоком соответственно первого и второго МДП-тран- зисторов с индуцированным каналом, отличающийс  тем, что, с целью повышени  надежности , в устройство введены третий и

четвертый МДП-транзисторы с индуцированным каналом, которые включены между первой обкладкой конденсатора и соответственно общей шиной и выходом второго инвертора , а затворы указанных транзисторов

подключены соответственно к входной ши- не устройства и к выходу второго инвертора .

2. Формирователь по п. 1, отличающийс  тем, что первый и второй инверторы содержат МДП-транзистор с встроенным каналом и МДП-транзистор с индуцированным каналом , которые включены последовательно между питани  и общей шиной формировател , причем затвор МДП-транзистора с индуцированным каналом  вл етс 

входюм инвертора, а затвор МДП-транзистора с встроенным каналом, подключенный к точке соединени  транзисторов,  вл етс  выходом инвертора.