[go: up one dir, main page]

SU1282309A1 - High-frequency amplifier - Google Patents

High-frequency amplifier Download PDF

Info

Publication number
SU1282309A1
SU1282309A1 SU853840036A SU3840036A SU1282309A1 SU 1282309 A1 SU1282309 A1 SU 1282309A1 SU 853840036 A SU853840036 A SU 853840036A SU 3840036 A SU3840036 A SU 3840036A SU 1282309 A1 SU1282309 A1 SU 1282309A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
output
transistor
resistor
common
collector
Prior art date
Application number
SU853840036A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Геннадий Васильевич Уточкин
Original Assignee
Рязанский Радиотехнический Институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Рязанский Радиотехнический Институт filed Critical Рязанский Радиотехнический Институт
Priority to SU853840036A priority Critical patent/SU1282309A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1282309A1 publication Critical patent/SU1282309A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к радиотехнике . Цель изобретени  - расширение полосы пропускани , увеличение выходной мощности и снижение выходного сопротивлени  УВЧ. УВЧ содержит три транзистора (Т) 1-3, четыре конденсатора 4,8-10, резистивный делитель 5, общую шину 6, три резистора 7,11 и 13, шину 12 источника питани , вторичную обмотку 14 входного тр-ра и параллельную RC-цепочку 15. 1-й каскад на Т 1 выполнен по схеме с разделенной нагрузкой. Т 1 включен, по схеме с общим эмиттером, чем объ сн етс  высокий коэффициент .1-го каскада. Сигнал, поданный на базы Т 2 и 3, усиливаетс  и с коллектором подаетс  на вьпсод. Таким образом в схеме осуществл етс  параллельна  работа всех активных элементов на общую нагрузку. Т 2 и 3 включены по схеме с общим коллектором, выходна  проводимость которых имеет индуктивную реактивную составл югцую. Выходна  проводимость 1-го каскада на Т 1 имеет емкостную реактивную составл ющую. В результате выходна  и входна  реактивности взаимно компенсируютс , что приводит к расширению полосы пропускани  в сторону ВЧ. 1 ил. FT € (Л ю 00 to со о ;о The invention relates to radio engineering. The purpose of the invention is to expand the bandwidth, increase the output power and decrease the output resistance of the UHF. UHF contains three transistors (T) 1-3, four capacitors 4.8-10, resistive divider 5, common bus 6, three resistors 7.11 and 13, power supply bus 12, secondary input winding 14 and parallel RC - chain 15. The 1st stage on T 1 is made according to a circuit with a divided load. T 1 is switched on, according to the scheme with a common emitter, which explains the high coefficient of the 1st stage. The signal applied to bases T 2 and 3 is amplified and fed to the transmitter by the collector. Thus, in the circuit, all active elements operate on a common load in parallel. T 2 and 3 are included according to the scheme with a common collector, the output conductivity of which has an inductive reactive component of southeastern. The output conductance of the 1st stage on T 1 has a capacitive reactive component. As a result, the output and input reactivity cancel each other out, which leads to an increase in the passband towards the RF. 1 il. FT € (lu 00 to co o; o

Description

Изобретение относитс  к радиотехнике и может быть использовано дл  усилени  высоких частот в радиоприемных , радиопередающих и других устройствах .The invention relates to radio engineering and can be used to amplify high frequencies in radio receiving, radio transmitting and other devices.

Цель изобретени  - расширение полосы пропускани , увеличение выходно мощности и снижение выходного сопротивлени  усилител  высокой частоты.The purpose of the invention is to expand the bandwidth, increase the output power and decrease the output impedance of the high frequency amplifier.

На чертеже представлена принципиальна  электрическа  схема предложенного усилител  высокой частоты.The drawing shows a circuit diagram of the proposed high frequency amplifier.

Усилитель высокой частоты содер- кит первый, второй и третий транзисторы 1-3, первый конденсатор 4, ре- зистивный делитель 5, общую шину 6, ,первый резистор 7, второй, третий и четвертый конденсаторы 8-10, второй резистор 11, шину 12 источника питани , третий резистор 13,. вторичную обмотку 14 входного трансформатора и параллельную RC-цепочку 15.The high-frequency amplifier contains the first, second and third transistors 1-3, the first capacitor 4, the resistive divider 5, the common bus 6, the first resistor 7, the second, third and fourth capacitors 8-10, the second resistor 11, the bus 12 power sources, third resistor 13 ,. the secondary winding 14 of the input transformer and the parallel RC-chain 15.

Усилитель высокой частоты работает следующим образом.The high-frequency amplifier works as follows.

Входной сигнал с вторичной обмотки 14 выходного трансформатора подаетс  через первый и третий конденсаторы 4 и 9 на эмиттерный переход первого транзистора. При этом первична  обмотка входного трансформатора образует LC-контур. Коллектор первого транзистора 1 через второй конденсатор 8 соедин етс  с вьсход- ной шиной, а в цепи эмиттера включен первый резистор 7, часть усиленного сигнала с которого подаетс  на базу второго транзистора 2 и через третий конденсатор 9 на базу третьего транзистора 3.The input signal from the secondary winding 14 of the output transformer is fed through the first and third capacitors 4 and 9 to the emitter junction of the first transistor. In this case, the primary winding of the input transformer forms an LC circuit. The collector of the first transistor 1 is connected via the second capacitor 8 to the downstream bus, and the first resistor 7 is connected to the emitter circuit, part of the amplified signal is fed to the base of the second transistor 2 and through the third capacitor 9 to the base of the third transistor 3.

Таким образом, первый каскад на первом транзисторе 1 выполнен по схеме с разделенной нагрузкой: часть усиленного сигнала непосредственно с коллектора подаетс  на выходную шину , а друга  часть - на базы второго и третьего транзисторов 2 и 3 выходного каскада. Так как общим электродом между входом и выходом первого транзистора 1  вл етс  эмиттер, то он оказываетс  включенным по схеме с общим эмиттером (ОЭ), чем объ сн етс  высокий коэффициент усилени  первого каскада.Thus, the first stage of the first transistor 1 is made according to a split-load circuit: a part of the amplified signal is fed directly from the collector to the output bus, and the other part to the bases of the second and third transistors 2 and 3 of the output stage. Since the common electrode between the input and the output of the first transistor 1 is an emitter, it turns out to be connected according to the common emitter (OE) circuit, which explains the high gain of the first stage.

Сигнал, поданный на базы второго и третьего транзисторов 2 и 3, усиливаетс  и с , коллекторов подаетс  на выход, таким образом в схеме осуществл етс  параллельна  работаThe signal applied to the bases of the second and third transistors 2 and 3 is amplified and c, the collectors are fed to the output, thus the circuit operates in parallel

всех активных элементов на общую нагрузку .all active elements on the total load.

Эмиттеры второго и третьего транзисторов 2 и 3 через конденсаторThe emitters of the second and third transistors 2 and 3 through the capacitor

параллельной RC-цепочки 15 и четвер- тьй конденсатор 10, соответственно, соединены по высокой частоте с общей шиной. Тем не менее эти транзисторы оказываютс  включены по схеме с общим коллектором (ОК), так как входной сигнал действует между коллекторами и эмиттерами этих транзисторов и общими электродами между входами и выхо- ,дами  вл ютс  коллекторы. Выходна  проводимость транзисторов, включенных по схеме с ОК, имеет индуктивную реактивную составл ющую, причем в предложенной схеме параллельно ей включена выходна  проводимость первого каскада ОЭ на первом транзисторе 1, котора  имеет емкостную реактивную составл ющую. В результате выходна  и входна  реактивности взаимно компенсируютс , что приводит к расширению полосы пропускани  усилител  в ;торону высоких частот.parallel RC chains 15 and a fourth capacitor 10, respectively, are connected in high frequency to a common bus. However, these transistors are connected in a circuit with a common collector (OC), since the input signal acts between the collectors and emitters of these transistors and the common electrodes between the inputs and outputs are collectors. The output conductivity of transistors connected according to the OK circuit has an inductive reactive component, and in the proposed scheme, parallel to it, the output conductivity of the first cascade OE is connected to the first transistor 1, which has a capacitive reactive component. As a result, the output and input reactivity are mutually compensated, which leads to an increase in the bandwidth of the amplifier to a high frequency side.

Эквивалентна  проводимость |Усилител  высокой частоты может быть записана в следующем видеEquivalent conductivity | high frequency amplifier can be written as follows

f .Xiif .Xii

22ЭКЙ. Y + Y/222EKY. Y + Y / 2

5five

11 2 У11 2 U

. У +У/2. Y + Y / 2

У/гY / g

лl

yif + У/2yif + U / 2

00

5five

где У .г -параметры первого ,второго и третьего транзисторов 1-3 в случае их идентичности;where Y.g parameters of the first, second and third transistors 1-3 in the case of their identity;

У - суммарна  проводимость резисторов , подключенных к базам второго и третьего транзисторов 2 и 3.Y is the total conductivity of resistors connected to the bases of the second and third transistors 2 and 3.

При выборе определенной величины - проводимости У можно получить реактивную составл ющую , e При этом активна  составл юща  выходного сопротивлени  составл ет величину 10 - 80 Ом. В частности можно выбрать такой режим схемы, что в полосе рабочих частот будет выполн тьс  условие согласовани  с волновым сопротивлением кабел  без каких-либо специальных согласуюпц х цепей.If you select a specific value - the conductivity Y, you can get a reactive component, e In this case, the active component of the output impedance is 10 - 80 Ohms. In particular, it is possible to choose such a mode of the circuit that in the operating frequency band the condition of matching with the cable impedance will be fulfilled without any special matching circuits.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Усилитель высокой частоты, содержащий первый и второй транзисторы одной структуры и третий транзистор другой структуры, причем база первого транзистора подключена к первому выводу первого конденсатора и соединена с отводом резистивного делител , первый вывод которого соединен с общей шиной,эмиттер первого транзистора соединен с базой второго транзистора и через первый резистор подключен к общей шине, коллекторы второго и третьего транзис торов соединены с первым выводом второго конденсатора , второй вывод которого  вл -. етс  выходом усилител  высокой частоты , между базами второго и третьегоA high-frequency amplifier containing the first and second transistors of one structure and the third transistor of another structure, with the base of the first transistor connected to the first terminal of the first capacitor and connected to the resistor splitter, the first terminal of which is connected to the common bus, the emitter of the first transistor and through the first resistor is connected to the common bus, the collectors of the second and third transistors are connected to the first output of the second capacitor, the second output of which is ow. output of the high frequency amplifier, between the bases of the second and third fOfO J5J5 чек к общей шине, а через второй резистор - к шине источника питани  при этом база третьего транзистора подключена к первому вьгеоду третьего резистора, отличающийс  тем, что, с целью расширени  полосы пропускани , увеличени  выходной мощ ности и снижени  выходного сопротивлени , между базой третьего транзистора и вторым выводом первого конденсатора включена вторична  обмотка входного трансформатора, база третье го транзистора подключена к второму выводу резистивного делител , коллек тор первого транзистора соединен с коллектором второго транзистора , второй вывод третьего резистора подключен к шине источника питани , между эмиттеромcheck to the common bus and through the second resistor to the power supply bus while the base of the third transistor is connected to the first pin of the third resistor, characterized in that in order to expand the passband, increase the output power and decrease the output resistance, between the base of the third transistor the secondary winding of the input transformer is connected to the second output of the first capacitor, the base of the third transistor is connected to the second output of the resistive divider, the collector of the first transistor is connected to the collector of the second transistor, the second output of the third resistor is connected to the power supply bus, between the emitter транзисторов включен третий конден- 20 второго транзистора и общей шипаралелльна  RC-цесатор , змиттер третьего транзистора через четвертый конденсатор подклюной включена почка.The third capacitor of the second transistor is connected to the transistors, and the common controller is connected to the RC controller, the third transistor emitter is connected to the kidney via the fourth capacitor. чек к общей шине, а через второй резистор - к шине источника питани , при этом база третьего транзистора подключена к первому вьгеоду третьего резистора, отличающийс  тем, что, с целью расширени  полосы пропускани , увеличени  выходной мощности и снижени  выходного сопротивлени , между базой третьего транзистора и вторым выводом первого конденсатора включена вторична  обмотка входного трансформатора, база третьего транзистора подключена к второму выводу резистивного делител , коллек- тор первого транзистора соединен с коллектором второго транзистора , второй вывод третьего резистора подключен к шине источника питани , между эмиттеромcheck to the common bus and through the second resistor to the power supply bus, while the base of the third transistor is connected to the first pin of the third resistor, characterized in that, in order to expand the passband, increase the output power and reduce the output resistance, between the base of the third transistor and the second output of the first capacitor is connected to the secondary winding of the input transformer, the base of the third transistor is connected to the second output of the resistive divider, the collector of the first transistor is connected to the collector W transistor, the second output of the third resistor is connected to the power supply bus, between the emitter ной включена почка.Noah included kidney.
SU853840036A 1985-01-07 1985-01-07 High-frequency amplifier SU1282309A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853840036A SU1282309A1 (en) 1985-01-07 1985-01-07 High-frequency amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853840036A SU1282309A1 (en) 1985-01-07 1985-01-07 High-frequency amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1282309A1 true SU1282309A1 (en) 1987-01-07

Family

ID=21157174

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853840036A SU1282309A1 (en) 1985-01-07 1985-01-07 High-frequency amplifier

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1282309A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент ClilA Р 3649925, кл. Н 03 F 3/18, опублик. 14.03.72. За вка DE Р 2107421, кл. Н 03 F 3/42, опублик. 24.08.82. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4025873A (en) Broadband, microwave, two-stage, stagger-tuned, field effect transistor amplifier
US4559503A (en) Amplifier for correcting group time delay of electrical signals and an intermediate frequency amplifier stage for radio equipment comprising an amplifier of this kind
GB1430618A (en) Circuit arrangement having a variable frequency response
US4461042A (en) Transistor balanced mixer
US3714597A (en) Broadband power amplifier with multiple stages connected by balun transformers
EP0166626A2 (en) Frequency conversion apparatus
US4187471A (en) Bias circuit
US3624536A (en) High-dynamic-range amplifier
US4725767A (en) Phase shifter
US4980654A (en) Transmission line transformer
EP0681367A1 (en) Circuit for compensating an amplifier
US4313221A (en) Mixer/oscillator circuit
SU1282309A1 (en) High-frequency amplifier
US4513250A (en) Signal cuber
JPS59193631A (en) Funable receiver input circuit
US4598256A (en) Tuned phase stable limiter amplifier
US3348160A (en) Isolator network for providing a plurality of output signals from a single signal source
US4590434A (en) High dynamic range amplifier with low noise and low distortion
US2790035A (en) Multiple band-pass amplifier
US5442323A (en) Broad-band power amplifier
US3112446A (en) Combination radio transmitter and receiver
US3392335A (en) Antenna multicoupler
US3641452A (en) Pi-coupled low-noise amplifier
US3482179A (en) Broadband stable power multiplier
US5049837A (en) Push-pull transformer coupled RF amplifier with response to DC