[go: up one dir, main page]

SU1254579A1 - Two-step amplifier - Google Patents

Two-step amplifier

Info

Publication number
SU1254579A1
SU1254579A1 SU853891165A SU3891165A SU1254579A1 SU 1254579 A1 SU1254579 A1 SU 1254579A1 SU 853891165 A SU853891165 A SU 853891165A SU 3891165 A SU3891165 A SU 3891165A SU 1254579 A1 SU1254579 A1 SU 1254579A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
current
amplifier
emitter
transistor
Prior art date
Application number
SU853891165A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владимир Яковлевич Грошев
Original Assignee
Научно-исследовательский институт электронной интроскопии при Томском политехническом институте им.С.М.Кирова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-исследовательский институт электронной интроскопии при Томском политехническом институте им.С.М.Кирова filed Critical Научно-исследовательский институт электронной интроскопии при Томском политехническом институте им.С.М.Кирова
Priority to SU853891165A priority Critical patent/SU1254579A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1254579A1 publication Critical patent/SU1254579A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к радиотехнике и увеличивает стабильность тока поко . Усилитель содержит эмит- терные повторители 1 и 2, шесть транзисторов (Т) 3-8, резисторы 9 и 10, генераторы И и 12 тока. Величина тока поко  в предлагаемом усилителе определ етс  лишь геометрическими размерами используемых Т и не зависит от его электрического режима.При 'ЭТОМ величина тока поко  усилител  может быть задана при его проектировании выбором соответствующего отношени  площадей эмиттеров Т. Достоинством усилител   вл етс  также существенное увеличение усилени  по току, достигаемое без потреблени  дополнительной мощности. 1 ил.The invention relates to radio engineering and increases the stability of the quiescent current. The amplifier contains emitter followers 1 and 2, six transistors (T) 3–8, resistors 9 and 10, and And 12 current generators. The magnitude of the quiescent current in the proposed amplifier is determined only by the geometrical dimensions of the used T and does not depend on its electrical mode. current achieved without consuming additional power. 1 il.

Description

СПSP

4 СЛ vj4 SL vj

iCO Изобретение относитс  к области радиотехники и предназначено дл  усилени  электрических сигналов по мощности. Цель изобретени  - увеличение стабильности тока поко . На чертеже представлена принципиальна  схема двухтактного усилител  (ДУ). ДУ содержит первый эмиттерный повторитель 1, второй эмиттерный повторитель 2, первый транзистор 3, второй транзистор 4, третий транзистор 5, четвертый транзистор 6, п тый транзистор 7, шестой транзистор 8, первьпй резистор 9, второй резистор 10,первый генератор 1 тока и второй генератор 12 тока. ДУ работает следующим образом, При условии равенства положительного и отрицательного напр жени  питани , что обычно имеет место на практике, напр жени  коллектор-эмиттер второго и третьего транзистора 4, 5, и первого и четвертого транзисторов 3, 6 имеют практически одинаковую величину - их разность равна пр мому падению на одном р-п-переходе . При столь малой разности напр жений эмиттер-коллектор согласованны транзисторов вли нием эффекта модул  ции ширины без используемых транзисторов можно пренебречь уже при напр жении питани  усилител , равном 6-10 В. Коллекторные напр жени  тран зисторов, образующих генераторы тока 11,12 практически одинаковы, так ка равны пр мому смещению базо-эмиттерных переходов транзисторов, которые могут быть выполнены из одного материала , напримеркремни . Следовательно , если коллекторные токи перв го и второго транзисторов 3, 4 равн , что определ етс  источниками то ка, задаюпщми режим транзисторов в первом и втором эмиттерных повторите I,2, то и выходные токи генераторо II,12 будут в точности равны 2 . Коллекторные токи третьего и четвер того транзисторов 5, 6 будут также равны TO. Использу  известное соотношение, характеризующее св зь между током , поко  и другими параметрами двухтак ного усилител , можно показать, что без учета сдвига между согласованны ми транзисторами Т. - - In m, qr где 1„ - ток поко ; К - посто нна  Больцмана; Т - абсолютна  температура; q - элементарный зар д; г - сопротивлени  первого и второго резисторов 9, 10; m - отношение площадей эмиттерных переходов первого и третьего транзисторов 3, 5 и второго и четвертого транзисторов 4, 6. Следовательно, величина тока поко  в предлагаемом ДУ определ етс  лишь геометрическими размерами используемых транзисторов и не зависит от его электрического режима. При этом величина тока поко  усилител  может быть задана при его проектировании выбором соответствующего отношени  площадей эмиттеров транзисторов. Достоинством усилител   вл етс  также осущественное увеличение усилени  по току, достигаемое без потреблени  дополнительной мощности, формула изобретени  Двухтактный усилитель, содержащий первый и второй эмиттерные повторители , выполненные на первом и втором транзисторах разного типа, третий и четвертый транзисторы разного типа, базы которых.подключены к выходам первого и второго эмиттерных повторителей соответственно, а коллекторы через первый и второй генераторы тока подключены к соответствующим шинам питани , п тый и шестой транзисторы разного типа, эмиттеры которых подключены к соответствующим шинам питани , .базы соединены с коллекторами третьего и четвертого транзисторов соответственно , а коллекторы - через первый и второй резисторы соответственно с нагрузкой , при этом первый, четвертый и п тый транзисторы - одного типа, о тличающийс  тем, что, с целью увеличени  стабильности тока поко , эмиттеры третьего и четвертого транзисторов соединены с коллекторами п того и шестого транзисторов соответственно, первый и второй генераторы тока выполнены управл емыми, причем входы управлени  соединены с коллекторами второго и первого транзисторов соответственно, а их базы объединены и  вл ютс  входом двухтактного усилител .iCO The invention relates to the field of radio engineering and is intended to amplify electrical power signals. The purpose of the invention is to increase the stability of the quiescent current. The drawing shows a schematic diagram of a push-pull amplifier (DU). The remote control contains the first emitter follower 1, the second emitter follower 2, the first transistor 3, the second transistor 4, the third transistor 5, the fourth transistor 6, the fifth transistor 7, the sixth transistor 8, the first resistor 9, the second resistor 10, the first current generator 1 and the second generator 12 current. The remote control works as follows. Provided that the positive and negative supply voltage is equal, which usually takes place in practice, the collector-emitter voltage of the second and third transistor 4, 5, and the first and fourth transistors 3, 6 have almost the same value - their difference equal to the direct fall on one pn-junction. With such a small voltage difference between the emitter-collector matched transistors, the effect of width modulation without using transistors can be neglected when the amplifier supply voltage is 6-10 V. The collector voltage of transistors forming current generators 11.12 are almost the same so they are equal to the forward bias of the base-emitter transitions of the transistors, which can be made of the same material, for example, the silicon. Therefore, if the collector currents of the first and second transistors 3, 4 are equal, which is determined by the sources, and with the mode of the transistors in the first and second emitter, repeat I, 2, then the output currents of generator II, 12 will be exactly equal to 2. The collector currents of the third and fourth transistors 5, 6 will also be equal to TO. Using the well-known relation characterizing the relationship between current, quiescence and other parameters of a two-way amplifier, it can be shown that without taking into account the shift between matched transistors T. - In m, qr where 1 is the quiescent current; K is the Boltzmann constant; T - absolute temperature; q is the elementary charge; g - resistances of the first and second resistors 9, 10; m is the ratio of the emitter junction areas of the first and third transistors 3, 5 and the second and fourth transistors 4, 6. Consequently, the magnitude of the quiescent current in the proposed remote control is determined only by the geometric dimensions of the used transistors and does not depend on its electrical mode. In this case, the quiescent current magnitude of the amplifier can be specified in its design by selecting the appropriate ratio of the areas of the emitters of the transistors. The advantage of the amplifier is also a real increase in the current gain achieved without consuming additional power, claims A push-pull amplifier containing the first and second emitter followers made on the first and second transistors of different types, the third and fourth transistors of different types, the bases of which are connected to the outputs of the first and second emitter followers, respectively, and the collectors through the first and second current generators are connected to the corresponding power buses, fifth and sixth tr Anzistors of different types, the emitters of which are connected to the respective power lines, are connected to the collectors of the third and fourth transistors, respectively, and the collectors through the first and second resistors, respectively, to the load, while the first, fourth and fifth transistors are of the same type as In order to increase the stability of the quiescent current, the emitters of the third and fourth transistors are connected to the collectors of the fifth and sixth transistors, respectively, the first and second current generators are controlled The control inputs are connected to the collectors of the second and first transistors, respectively, and their bases are combined and are the input of a push-pull amplifier.

SU853891165A 1985-04-26 1985-04-26 Two-step amplifier SU1254579A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853891165A SU1254579A1 (en) 1985-04-26 1985-04-26 Two-step amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853891165A SU1254579A1 (en) 1985-04-26 1985-04-26 Two-step amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1254579A1 true SU1254579A1 (en) 1986-08-30

Family

ID=21175618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853891165A SU1254579A1 (en) 1985-04-26 1985-04-26 Two-step amplifier

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1254579A1 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5510754A (en) * 1994-11-18 1996-04-23 National Semiconductor Corporation Fast slewing amplifier using dynamic current mirrors
US5512859A (en) * 1994-11-16 1996-04-30 National Semiconductor Corporation Amplifier stage having compensation for NPN, PNP beta mismatch and improved slew rate
US5515007A (en) * 1994-12-22 1996-05-07 National Semiconductor Corporation Triple buffered amplifier output stage
US5786731A (en) * 1996-03-29 1998-07-28 National Semiconductor Corporation Class AB complementary transistor output stage having large output swing and large output drive
US6078220A (en) * 1997-11-12 2000-06-20 National Semiconductor Corporation Complementary class AB current amplifier

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5512859A (en) * 1994-11-16 1996-04-30 National Semiconductor Corporation Amplifier stage having compensation for NPN, PNP beta mismatch and improved slew rate
US5510754A (en) * 1994-11-18 1996-04-23 National Semiconductor Corporation Fast slewing amplifier using dynamic current mirrors
US5515007A (en) * 1994-12-22 1996-05-07 National Semiconductor Corporation Triple buffered amplifier output stage
US5786731A (en) * 1996-03-29 1998-07-28 National Semiconductor Corporation Class AB complementary transistor output stage having large output swing and large output drive
US6078220A (en) * 1997-11-12 2000-06-20 National Semiconductor Corporation Complementary class AB current amplifier

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4462005A (en) Current mirror circuit
SE7908475L (en) ELECTRIC CIRCUIT FOR GENERATING A DIFFERENTIAL OUTPUT SIGNAL FROM AN INPUT SIGNAL
US4313082A (en) Positive temperature coefficient current source and applications
US4442400A (en) Voltage-to-current converting circuit
JPH02104113A (en) Voltage-current converter
SU1254579A1 (en) Two-step amplifier
US4254379A (en) Push-pull amplifier circuit
GB1408985A (en) Constant current circuits
GB1297867A (en)
KR890004771B1 (en) Differential amplifier
EP0260785A3 (en) Fast recovery amplifier
KR850006988A (en) Push-pull amplifier
JPS6119541Y2 (en)
SU1334362A1 (en) Differential amplifier
US4859966A (en) Current amplifier circuit and a current amplifying type differential current converter circuit
JPS5654117A (en) Schmitt circuit
SU819962A1 (en) Transistorized switch
JPS59125117U (en) transistor circuit
SU1138921A1 (en) Current amplifier
SU936378A1 (en) Power amplifier
SU1569942A1 (en) Differential amplifier
JPS5967018U (en) bias circuit
SU684717A1 (en) Amplifier
SU1283945A1 (en) Two-step amplifier
SU1679615A1 (en) Comparator