SU1250997A1 - Method of checking integrated circuits - Google Patents
Method of checking integrated circuits Download PDFInfo
- Publication number
- SU1250997A1 SU1250997A1 SU843795714A SU3795714A SU1250997A1 SU 1250997 A1 SU1250997 A1 SU 1250997A1 SU 843795714 A SU843795714 A SU 843795714A SU 3795714 A SU3795714 A SU 3795714A SU 1250997 A1 SU1250997 A1 SU 1250997A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- frequency
- integrated circuit
- controlled
- signals
- sequence
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 10
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 2
- 108010076504 Protein Sorting Signals Proteins 0.000 claims 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 241000283074 Equus asinus Species 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к конт- рольно-измерительной технике. Может быть использовано дл совмещенного по времени контрол интегральных микросхем на функционирование и по тепловым параметрам. Цель изобретени - расширение функциональных возможностей способа. По предлагаемому способу в процессе выходного и вход-, кого контрол интегральной микросхе- мы на предельной рабочей частоте измер ют значение потребл емого интегральной микросхемой тока. Эти измерени производ тс за врем , значительно меньшее посто нной вре (Л с: ГС ел о со со |The invention relates to a control and measuring technique. It can be used for time-controlled control of integrated circuits for operation and thermal parameters. The purpose of the invention is to expand the functionality of the method. According to the proposed method, in the course of the output and input control of the integrated microcircuit, the value of the current consumed by the integrated microcircuit is measured at the limiting operating frequency. These measurements are made in a time much shorter than the constant time (Л s: GS ate about with ω |
Description
мени t кристалл-корпус„ По мере нагрева кристалла поддерживаетс посто нный потребл емый ток путем снижени частоты переключени ,. Через фиксированное врем , соизмеримое с L ; измер ют частоту .генератора и сравнивают ее с заданным минимально допустимым значением,, полученным по результатам Статистической обработки В случае, если частота меньше допустимой , интегральна схема признаетс негоднойg Заданное значение результирующей частоты определ ют как минимальное значение результирующих частот, измеренных дл пред-t-case-crystal ti. As the crystal heats up, a constant current consumption is maintained by reducing the switching frequency,. At a fixed time, commensurate with L; The frequency of the generator is measured and compared to the specified minimum allowable value, obtained from the results of statistical processing. In the event that the frequency is less than the allowed one, the integrated circuit is considered unsuitable. The set value of the resulting frequency is determined as the minimum value of the resulting frequencies.
1one
Изобретение относитс к контрольно-измерительной технике и может быть использовано дл совмещенного по времени контрол интегральных микросхем на функционирование и по тепловым параметрам.The invention relates to instrumentation technology and can be used for time-controlled control of integrated circuits for operation and thermal parameters.
Цель изобретени - расшире}1ие функциональных возможностей способа, путем совмещени по времени функционального контрол и тепловых параметров интегральных микросхем.The purpose of the invention is to expand the functionality of the method by combining in time the functional control and the thermal parameters of the integrated circuits.
На фиг. 1 приведена схема, устройства , реализующего способ;на фиг.2 - зависимость результирующей частоты синхроимпульсов от времени, по сн юща способ.FIG. 1 shows a diagram of a device implementing the method; FIG. 2 shows the dependence of the resulting clock frequency on time, and explains the method.
Устройство (фиг. 1) ,цл контрол нтегральных микросхем 1 содержит сточник 2 напр жени , измерительный езистор 3, источник 4 питани , ключ 5, источник 6 опорного напр жени , аналоговый сумматор 7, первый 8 и второй 9 суммирующие резисторы, операционный усилитель 10, резистор 11 обратной св зи, инвертор 12, аналого- цифровой преобразователь 13, цифровой сумматор 14, первый 15 и второй 16 регистры, вычитающий блок 17 генератор 18 синхроимпульсов, измеритель 19 частоты, блок 20 функционального контрол и блок 21 управлени и синхронизации.The device (Fig. 1), the control of integrated microcircuits 1 contains source 2 voltage, measuring sensor 3, power source 4, switch 5, reference source 6, analog adder 7, first 8 and second 9 summing resistors, operational amplifier 10 , feedback resistor 11, inverter 12, analog-to-digital converter 13, digital adder 14, first 15 and second 16 registers, subtraction unit 17 clock generator 18, frequency meter 19, function control unit 20 and control and synchronization unit 21.
Сущность способа заключаетс в 1:шедующем.The essence of the method is 1: shedding.
ставительной выборки из партии годных микросхеме Устройство дл контрол интегральных микросхем 1 содержит источник 2 напр жени , источник 4 питани , ключ 5, источник 6 опорного напр жени , аналоговый сумматор 7, операционный усилитель 10, инвертор 12, аналого-цифровой преобразователь 13, цифровой сумматор 14, регистры 15, 16, вычитающий блок 17, генератор 18 синхроимпульсов, измеритель 19 частоты, блок 20 функцио- нального контрол , блок 21 управле- нн и синхронизации. 1 з.п. ф-лы 2 ил.device for controlling integrated circuits 1 contains a voltage source 2, a power source 4, a switch 5, a reference voltage source 6, an analog adder 7, an operational amplifier 10, an inverter 12, an analog-to-digital converter 13, a digital adder 14, registers 15, 16, subtraction unit 17, clock generator 18, frequency meter 19, function control unit 20, unit 21 controlled and synchronized. 1 hp f-ly 2 ill.
Одновременно с функциональным контролем интегральной микросхемы 1 осуществл ют ее контроль по тепловому сопротивлению кристалл-корпус.Simultaneously with the functional control of the integrated circuit 1, it is controlled by the thermal resistance of the crystal-housing.
Контроль тепловых параметров основан на зависимости потребл емого интегральной микросхемой 1 тока от -частоты ее переключени и от температуры кристалла. Эти зависимости про вл ютс в интегральных микросхемах с КМОП-структурой, которые в статическом режиме потребл ют ток в доли микроампера, тогда как в динамическом режиме на рабочей частоте токThe control of thermal parameters is based on the dependence of the current consumed by the integrated microcircuit 1 on the frequency of its switching and on the temperature of the crystal. These dependences manifest themselves in CMOS integrated circuits, which in a static mode consume current in fractions of a microampere, whereas in a dynamic mode at the operating frequency
потреблени достигает единиц и дес тков миллиампер, причем ток потреблени зависит от температуры кристал- ,ла (при увеличении температуры токconsumption reaches units and tens of milliamperes, and the current consumption depends on the crystal temperature, la (with increasing temperature the current
возрастает),increases)
Указанные особенности практически исключают внутренний разогрев микросхем в статическом режиме (например, при входном контроле статических параметров ), что не позвол ет контролировать тепловые характеристики микросхем при входном контроле статистических параметров.These features practically exclude internal heating of the microcircuits in a static mode (for example, at the input control of static parameters), which does not allow control of the thermal characteristics of the microcircuits at the input control of statistical parameters.
По предлагаемому способу контрол According to the proposed control method
в процессе выходного или входногоin the process of output or input
функционального контрол интегральной микросхемы 1 на предельной рабочей частоте f g (0,1-10 мГц) в момент начала функционального контрол в течение нескольких тактов переключ.ени (t близко к нулю), пока кpиcтaл интегральной микросхемы 1 не разог- релс (за врем значительно меньшее чем посто нна времени 7 кристалл- корпус,- составл юща примерно 50- 100 мс), измер ют значение потребл мого интегральной микросхемой 1 тока. Затем путем снижени частоты переключени по мере нагрева кристалла интегральной микросхемы 1 под держиваетс посто нным потребл емый ток.the functional control of the integrated circuit 1 at the limiting operating frequency fg (0.1-10 MHz) at the time of the start of the functional control during several switching cycles (t is close to zero), until the crystal of the integrated circuit 1 has not warmed up (over time less than the time constant 7 of the crystal-case (approximately 50-100 ms), the value of the consumed by the integrated circuit 1 current is measured. Then, by decreasing the switching frequency as the crystal of the integrated circuit 1 heats up, the current consumption is kept constant.
Через фиксированное врем t., прр дка Т измер етс частота переключени интегральной микросхемы 1, и по этой частоте суд т о тепловом сопротивлении кристалл-корпус, причем непосредственно величина теплового сопротивлени не определ етс .After a fixed time t., Right T, the switching frequency of the integrated circuit 1 is measured, and the crystal-case thermal resistance is judged from this frequency, and the thermal resistance value itself is not determined.
.Способ реализуетс с помощью уст ройства, показанного на фиг. 1.The method is implemented using the device shown in FIG. one.
Блок 20 контрол совместно с генратором 18 синхроимпульсов обеспечивает функциональный контроль интегральной микросхемы 1 путем подачи на ее входы последовательности тестовых (блок 20) и синхронизирующих (генератор 18) сигналов приема выходной последовательности сигналов, сравнени ее с эталонной и прин тие решени о годности интегральной микросхемы 1 (блок 20).The control unit 20 together with the generator 18 of clock pulses provides functional control of the integrated circuit 1 by sending test sequences (block 20) and synchronizing (generator 18) signals to the output sequence of signals to its inputs, comparing it with the reference one and making a decision about the validity of the integrated circuit 1 (block 20).
Блок 21 обеспечивает управление и синхронизацию работы блоков уст- ройства, в частности, подключа через ключ 5 источник 6 опорного напржени к источнику 4 питани , в котором источник 2 напр жени питани вырабатывает и за.дает через измери- тельный резистор 3 напр жение питат ни на интегральную микросхемз 1,Unit 21 provides control and synchronization of the operation of the device units, in particular, by connecting via key 5 the source 6 of the reference voltage to the source 4 of the power supply, in which the source 2 of the supply voltage generates and sets the voltage across the measuring resistor 3 on integrated circuits 1,
В начальный момент функционально го контрол измер ют потребл емый- интегральной микросхемой 1 на часто те ток следующим образом: из- мер ют напр жение на измерительном |резисторе 3 источника 4 питани с помощью сумматора 7, инвертора 12-и АЦП 13о В сумматоре 7 с помощью суммирующих резисторов 8 и 9 и операционного усилител 10 с резисторо 11 в цепи обратной св зи формируют на выходе сигнал, пропорциональный разности напр жений на выводах ре- зистора 3. Инвертор 12 инвертирует пол рность сигнала с резистора 3 дл обеспечени возможности вычитани At the initial moment of the functional control, the consumed by integrated circuit 1 is measured for the frequency as follows: measure the voltage on measuring resistor 3 of power supply 4 with the help of adder 7, inverter 12 and ADC 13o In adder 7 s using the summing resistors 8 and 9 and the operational amplifier 10 with the resistor 11 in the feedback circuit, the output signal is proportional to the voltage difference between the outputs of the resistor 3. The inverter 12 inverts the polarity of the signal from the resistor 3 to allow subtraction
его из напр жени , имеющегос на выхо- де источника 2..from the voltage at source 2
Получаемый на выходе АЦП 13 результирующий сигнал запоминают в регистрах 15 и 16 цифрового сумматора 14 и подают на входы вычитающего блока 17, который вырабатьшает сигнал управлени дл генератора 18. В начапьный момент сигнал на выходе вычитающего блока 17 равен нулю. Затем регистр 15 перевод т в режим хранени , а регистр 16 оставл ют в режиме приема информации из АЦП 13. По мере разогрева кристалла ток, потребл емый ин- .тегральной микросхемой 1, нарастает и на выходе цифрового сумматора 14 по вл етс код, соответствующий изменению потребл емого тока, который записываетс в регистр 15. Разность кодов, записанных в регистры 16 и 15, формируетс на выходе блока 17 и уменьшает частоту генератора 18 частоты пока сигнал с выхода, цифрового сумматора 14 не уменьшитс до нул . В результате осуществл етс автоматическое поддержание посто нного тока потреблени микросхемой 1 без изменени напр жени ее питани .The resulting signal from the A / D converter 13 is stored in registers 15 and 16 of the digital adder 14 and fed to the inputs of the subtracting unit 17, which produces a control signal for the generator 18. At the beginning moment, the output signal of the subtractive unit 17 is zero. Then the register 15 is transferred to the storage mode, and the register 16 is left in the mode of receiving information from the A / D converter 13. As the crystal warms up, the current consumed by the integrated microcircuit 1 increases, and at the output of the digital adder 14 the change in current consumption, which is recorded in register 15. The difference between the codes recorded in registers 16 and 15 is generated at the output of block 17 and reduces the frequency of frequency generator 18 until the output signal of digital adder 14 decreases to zero. As a result, the constant current consumption of the microcircuit 1 is automatically maintained without changing the voltage of its power supply.
Через фиксированное врем t (фиг« 2) измер ют частоту генератора 18 измерителем 19 частоты. Врем из- мерени (t,, ) задаетс блоком 21 задани управл ющих кодов и синхронизации .After a fixed time t (Fig. "2), the frequency of the generator 18 is measured by a frequency meter 19. The measurement time (t ,,) is specified by the control codes and synchronization task block 21.
Врем t,M выбираетс примерно равным по величине Г , чтобы не учитывать тепловую посто нную времени корпус-среда и чтобы обеспечить достаточную точность измерений, поскольку при измерении в начальньш момент времени ( ) кристалл не успевает нагретьс и частота не может быть измерена с необходимой точностью.The time t, M is chosen to be approximately equal in magnitude T to disregard the thermal constant of the body-to-medium time and to ensure sufficient accuracy of measurements, because when measured at the initial time () the crystal does not have time to heat up and the frequency cannot be measured with the required accuracy .
Измеренное измерителем 19 частоты значение результирующей частоты ( fpg.) синхроимпульсов генератора 18 сравнивают (фиг, 2) с заданным минимально допустимым значением частоты синхроимпульсов f , определенным предварительно дл каждого возможног значени t . Заданное минимально допустимое значение частоты определ ют по результатам статистической обработки результатов измерений f дл партии годных микросхем.The resultant frequency (fpg.) Measured by frequency meter 19 of the clock pulses of the generator 18 is compared (FIG. 2) with the specified minimum allowable clock frequency frequency f previously determined for each possible value of t. The specified minimum permissible frequency value is determined from the results of statistical processing of the measurement results f for a batch of valid chips.
-рез-cut
Если fpj контролируемой интегральной микросхемы меньше ,аэ. , считаю If fpj controlled integrated circuit is smaller, ae. I think
ее негодной, в противном случае - годной.its worthless, otherwise suitable.
Таким образом, путем компенсации увеличени тока потреблени интег- ральйЪй микросхемы в результате разогрева кристалла и уменьшени рабочей частоты синхроимпульсов определ ют результирующую частоту синхрбим- пульсов и, сравнива ее с заданной (дл годных интегральных микросхем), определ ют косвенно годность или не- . годность контролируемой интегрально, микросхемы 1 по тепловому сопротивлению кристалл-корпус, осл,тдес.твл Помимо контрол функционировани еще и одновременный контроль теплового сопротивлени кристалл-корпус, что расшир ет функциональные возможности способа по сравнению с инвестI-uM .Thus, by compensating for the increase in the current consumption of the integrated circuits, as a result of heating the crystal and decreasing the operating frequency of the sync pulses, the resulting frequency of the sync pulse has been determined and, comparing it with the set one (for suitable integrated circuits), it is determined indirectly or not. validity is controlled integrally, microcircuits 1 by thermal resistance of the crystal-case, donkey, tdes.tvl In addition to controlling the operation, there is also the simultaneous control of the thermal resistance of the crystal-case, which expands the functionality of the method compared to investI-uM.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843795714A SU1250997A1 (en) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | Method of checking integrated circuits |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843795714A SU1250997A1 (en) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | Method of checking integrated circuits |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1250997A1 true SU1250997A1 (en) | 1986-08-15 |
Family
ID=21140404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU843795714A SU1250997A1 (en) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | Method of checking integrated circuits |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1250997A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5233161A (en) * | 1991-10-31 | 1993-08-03 | Hughes Aircraft Company | Method for self regulating CMOS digital microcircuit burn-in without ovens |
US5294776A (en) * | 1989-06-30 | 1994-03-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of burning in a semiconductor device |
-
1984
- 1984-10-01 SU SU843795714A patent/SU1250997A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 873167, ют, G 01 R 31/26, 1981. Эйдукас Д.10. и др. Измерение параметров цифровых интегральных мик- робхем. М..: Радио и св зь, 1982, с. 249-256. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5294776A (en) * | 1989-06-30 | 1994-03-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of burning in a semiconductor device |
US5233161A (en) * | 1991-10-31 | 1993-08-03 | Hughes Aircraft Company | Method for self regulating CMOS digital microcircuit burn-in without ovens |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5712582A (en) | Test signal generator having timing calibration circuit | |
US5473259A (en) | Semiconductor device tester capable of simultaneously testing a plurality of integrated circuits at the same temperature | |
US5479103A (en) | Non-linear voltage measuring implementing capacitor charging time | |
GB2090666A (en) | Determining the state of discharge of an electric battery | |
WO1997017829B1 (en) | Variable voltage component tester | |
SU1250997A1 (en) | Method of checking integrated circuits | |
KR100198519B1 (en) | Delay time stabilization circuit | |
GB2316493A (en) | Delay time measuring method and pulse generator for measuring delay time for use in said measuring method | |
US4527907A (en) | Method and apparatus for measuring the settling time of an analog signal | |
RU2041511C1 (en) | Device for laser adjustment of resistors | |
SU1281926A1 (en) | Device for checking condition of thermoelectric temperature transducers | |
SU1739211A1 (en) | Temperature difference metering device | |
RU2003995C1 (en) | Device for measuring and checking parameters of voltage stabilizers | |
JPH05149977A (en) | Comparing apparatus for ac/dc difference of thermoelectric ac/dc converter | |
SU773451A1 (en) | Apparatus for measuring temperature | |
US5233307A (en) | Process and apparatus for the qualification of a capacitive system | |
SU1295346A1 (en) | Device for measuring harmonic coefficient of power amplifiers | |
SU1506297A1 (en) | Device for measuring temperature | |
SU1649474A1 (en) | Ic parameters tester | |
KR0184893B1 (en) | Resistance measuring circuit using dc constant current source | |
JPH06148264A (en) | Measuring method for leakage current | |
SU1283551A1 (en) | Device for measuring index of thermal lag of thermal converter | |
RU2046367C1 (en) | Method and apparatus to measure magnetic field induction | |
JPH05188123A (en) | Battery measuring apparatus | |
SU798650A1 (en) | Apparatus for measuring maximum permissible forward and reverce voltages of power semiconductor devices |