SU1245868A1 - Устройство дл измерени деформаций круглой металлической мембраны - Google Patents

Abstract

изобретение относитс  к тензометрии и используетс  нри измерении деформаций абсолютно гибких круглых металлических мембран. Цель изобретени  - повышение точности за счет взаимной компенсации приращений сопротивлений тензорезисторов от действи  вли ющих факторов. Устройство содержит тензорезисторы, включенные последовательно в одно плечо полумоста и размещенные на периферии мембраны соответственно в окружном и радиальном направлени х . Тензорезисторы включены последовательно в другое плечо полумоста и размещены в центре мембраны в окружном или радиальном направлении. Выходной сигнал с полумоста пропорционален деформации в центре мембраны и не зависит от действи  вли ющих факторов (температуры, давлени  агрессивной среды). 2 ил. & (Л N3 4 СЛ сх О5 00

Description

Изобретение относитс  к измерительной технике, а именно к тензометрическим датчикам деформаций, и может быть использовано при измерении деформаций гибких круглых мембран, работающих в услови х воздействи  вли юнлих факторов.

Цель изобретени  - повышение точности измерени  при воздействии вли ющих факторов за счет взаимной компенсации изменений сопротивлений тензорезисторов от вли юпгих факторов.

На иг. 1 представлена схема размещени  тензорезисторов на мембране; на фиг. 2 - схема включени  тензорезисторов в измерительный полумост.

Устройство дл  измерени  деформаций круглой мембраны содержит четыре тензо- резистора 1-4, размещаемые па поверхности мембраны 5. Тензорезисторы 1 и 2 размещают на периферии ме.мбраны 5 и ориентируют соответственно в окружном и радиальном направлени х, тензорезисторы 3 и 4 - в центре мембраны и ориентируют каждый либо в окружном, либо в радиальном направлении. Тензорезистор з 1 и 2, размещаемые на периферии мембраны 5, соединены последовательно и включены в одно плечо мостовой схемы, а тензорезисторы 3 и 4, размещаемые в центре мембраны 5, также соединены последовательно и вк;1ючены в другое плечо мостовой схемы.

Устройство дл  измерени  деформации круглой металлической мембраны работает следующим образом.

Под действием вли юи.|,их факторов, например температуры, агрессивной среды, вызывающей старение тензорезисторов, внегннего давлении и т.п.. все тензорезисторы 1-4 измен ют свое сопротивление в перво.м приближении на одну и ту же величину . Поскольку два тензорезистора 1 и 2 включены в одно плечо полумоста, а другие два тепзорезистора 3 и 4 - в другое плечо полумоста, то происход щие под действи

ем вли ющих факторов изменени  сопротивлени  тензорезисторов 1-4 взаимно компенсируютс . Под действием внешнего давлени , вызывающего измер емые деформации мембраны 5, суммарное приращение сопротивлени  тензорезисторов 3 и 4, размещенных в центре мембраны, оказываетс  превышающим почти в два раза суммарное прирапдение сопротивлени  тензорезисторов 1 и 2, размещенных на периферии, а их разность пр мо пропорциональна величине измер емой деформации в центре мембраны 5.

Использование предлагаемого устройст- ва дл  измерени  деформаций гибких мембран , например, в предохранительных клапанах энергетического оборудовани  позвол ет повысить точность измерени  и умепьи1ить веро тность ложного срабатывани  таких устройств, что позволит снизить простои орудовани , на котором установлены такие клапаны.

5

0

5

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Устройство дл  измерени  деформаций круглой металлической мембраны, содержащее четыре тензорезистора, два из которых предназначены дл  размепд.ени  на периферии .ме.мбраны соответственно в ок- и радиальном направлени х, а два других - дл  размещени  в центре мембраны либо в радиально.м направлении, отличающеес  тем, что, с целью повышени  точности измерени  при воздействии вли ющих факторов, тензорезисторы, размещаемые на периферии, соединены последовательно и включены в одно плечо полумос- тоиой схемы, а тензорезисторы, размещае- .мые в центре, также соединены последова- те;1ьно и включены в друг ое плечо полумостовой схемрзь

   ft«;

   измере теу ьную С)(ему Ф(хг. 2

   (Составитель Ы. Тимошенко

   ) Л. К 1норизТе.хред И. ЧсресКорректор В. Бут га

   H ;..i()Тираж 670Подписное

   ВНИИПИ Государетвеиного комитета СССР

   по делам изобретений и открытий

   13035, .1.осква, Ж,-35. Рауиюка  наб., д. 4/5

   Филиал ППП «Патент, г. Ужгород. у.г. Проектна . 4