SU1244727A1 - Device for checking semiconductor internal memory - Google Patents
Device for checking semiconductor internal memory Download PDFInfo
- Publication number
- SU1244727A1 SU1244727A1 SU843832291A SU3832291A SU1244727A1 SU 1244727 A1 SU1244727 A1 SU 1244727A1 SU 843832291 A SU843832291 A SU 843832291A SU 3832291 A SU3832291 A SU 3832291A SU 1244727 A1 SU1244727 A1 SU 1244727A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- output
- input
- counter
- address
- unit
- Prior art date
Links
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть, использовано дл функционального контрол микросхем оперативных запоминающих устройств. Целью изобретени вл етс повышение достоверности контрол . Устройство содержит генератор тактовых сигналов, счетчик адреса, счетчик циклов, счетчик под- циклов, блоки сравнени , блок пуска- останова, элемент ИЛИ-НЕ и элементы НЕРАВНОЗНАЧНОСТЬ. В устройстве реализуютс четыре подцикла контрол , образующие полный цикл: запись тестовой последовательности в пам ть, ее считывание из пам ти, запись инвертированной тестовой последовательности в пам ть, считывание последней из пам ти, 3 ил. с (Л С Н fe 4;а 4 1С The invention relates to computing and can be used for the functional control of operational memory chips. The aim of the invention is to increase the reliability of the control. The device contains a clock signal generator, an address counter, a cycle counter, a sub-cycle counter, comparison blocks, a start-stop unit, an OR-NOT element, and UNIMNATIBILITY elements. The device implements four control sub-cycles that form a complete cycle: writing the test sequence to the memory, reading it from the memory, writing the inverted test sequence to the memory, reading the last memory, 3 slug. c (L C H fe 4; a 4 1C
Description
Изобретение относитс к вычисли- тельной технике и может быть исполь--зовано дл функционального контрол микросхем оперативных запоминающих устройств (ОЗУ),The invention relates to computing technology and can be used for the functional control of operational memory chips (RAM),
. Цель изобретени - :повышенйе. дос- .товерности контрол .. The purpose of the invention is: elevation. accessibility control.
На фиг. 1 представлена функциональна схема устройства; на фиг. 2 и-З - диаграммы, по сн ющие работу устройства дл контрол , например, двухадресной оперативной пам ти.FIG. 1 shows a functional diagram of the device; in fig. Figures 2 and 3 are diagrams explaining the operation of the device for monitoring, for example, two-address RAM.
Устройство содержит генератор 1 тактовых сигналов, счетчик 2 адреса, счетчик 3 подциклов, счетчик 4 циклов , элемент ИЛИ-НЕ 5, первый 6 и второй 7 блоки сравнени , блок 8 индикации , элементы 9, -9, НЕРАВНОЗНАЧНОСТЬ и блок 10 пуска - останова (п - разр дность счетчика 2). На фиг. 1 показана провер ема пам ть 11; на фиг. 2 - диаграммы сигналов 12 на выходе младщего разр да счетчика 2, сигналов 13 на, выходе младшего разр да счетчика 4 , сигналов 14 на выходе первого элемента 9, HEPABHOBHAi НОСТЬ, сигналов -15 на выходе старшего разр да счетчика 2, сигналов 16 на выходе старшего разр да счетчика 4 циклов, сигналов 17 на выходе второго элемента 9у НЕРАВНОЗНАЧНОСТЬ , сигналов 8 на втором входе блока 6 сравнени ; на фиг. 3 - диаграммы сигналов 19 и 20 соответст венно на втором и первом входах блока 6 сравнени , тестова последова-. тельность сигналов 21 записи.на выходе блока 6 сравнени , диаграммы сигналов 22 с выхода младшего разр да счетчика 3, диаграмма 23 полного цикла контрол ; на фиг,. 3 и 4 обозна чены оси времени t.The device contains a generator of 1 clock signals, a counter 2 addresses, a counter of 3 sub cycles, a counter of 4 cycles, an OR-NOT 5 element, the first 6 and second 7 comparison blocks, the indication block 8, the elements 9, -9, UNABILITY and the start-stop block 10 (n - counter size 2). FIG. 1 shows a verifiable memory 11; in fig. 2 - diagrams of signals 12 at the output of the lower bit of the counter 2, signals 13 at the output of the lower bit of the counter 4, signals 14 at the output of the first element 9, HEPABHOBHAi BUSES, signals -15 at the output of the higher bit of the counter 2, signals 16 at the output the most significant bit of the counter is 4 cycles, signals 17 at the output of the second element 9u INCOMPENSITY, signals 8 at the second input of the comparison unit 6; in fig. 3 - diagrams of signals 19 and 20, respectively, at the second and first inputs of comparison unit 6, test sequence. the accuracy of the recording signals 21. at the output of the comparator unit 6, the diagrams of the signals 22 from the low-order output of the counter 3, the diagram 23 of the complete control cycle; in fig. 3 and 4 denote time axis t.
Устройство работает следующим образом .The device works as follows.
При работе устройства провер ема оперативна полупроводникова пам ть 11 (фиг. 1) запоминает последовательно вводимую информацию в пор дке ее поступле1Ш и последовательно выдает информацию в пор дке, определ емом очередностью записи этой информации.When the device is operated, the verifiable on-line semiconductor memory 11 (Fig. 1) stores the sequentially entered information in the order it arrives and displays the information sequentially in the order determined by the order of recording this information.
Устройство реализует четыре под- цикла контрол , образующие малый цикоТ контрол - запись тестовой последовательности в пам ть; считыва- ,ние тестовой последовательности; запись инвертированной тестовой последовательности в пам ть; считывание инвертированной тестовой последовательности из пам ти.The device implements four sub-cycles of control, forming a small cycot of control — writing a test sequence to the memory; reading the test sequence; writing the inverted test sequence to memory; reading the inverted test sequence from memory.
Перед началом работы счетчики 2-4 наход тс в нулевом состо нии. По команде Пуск блок 10 запускает генератор 1, который начинает вьщавать тактовые импульсы на вход,блока 8 и счетН1з1Й вход счетчика 2 С установкой в I счетчика 2 начинаетс циклBefore operation, counters 2-4 are in the zero state. When the Start command is started, the block 10 starts the generator 1, which starts pulsing the clock to the input, the block 8 and the counting input of the counter 2 With the installation of counter 2 in I, the cycle starts
контрол тестом. Все счетчики 2-4 ра- ботают в режиме непрерывного-пересчета .control dough. All counters 2-4 work in continuous-recalculation mode.
Счетчик 2 формирует код адреса, по которому производитс обращение к чейке,провер емой пам ти, который поступает на первые входы соответствующих элементов 9 НЕРАВНОЗНАЧНОСТЬ, на вторые входы которых поступает код. с выхода счетчика 4. Переполне- ние счетчика 2 означает окончание одного подцикла.Counter 2 forms the address code at which the cell is being accessed, the memory to be scanned, which is fed to the first inputs of the corresponding elements 9 UNEQUAL VALUE, the second inputs of which receive the code. from the output of counter 4. Overflow of counter 2 means the end of one subcycle.
Импульсы переполнени счетчика 2 подсчитываютс счетчиком 3, импульсы переполнени которого подсчитываютс счетчиком 4. Переполнение счетчика 4 означает прохождение одного большого цикла контрол .The overflow pulses of counter 2 are counted by counter 3, the overflow pulses of which are counted by counter 4. Overflow of counter 4 means the passage of one large control cycle.
Младший разр д счетчика 3 формирует код, обеспечивающий реализацию режимов ЗАПИСЬ и СЧИТЫВАНИЕ (О - ЗАПИСЬ, 1 - СЧИТЫВАНИЕ) информации дл контролируемой пам ти.The lowest bit of counter 3 generates a code that provides the implementation of the RECORDING and READING modes (O - RECORDING, 1 - READING) information for the monitored memory.
В режимах ЗАПИСЬ и СЧИТЫВАНИЕ счетчик 2 формирует идентичные последовательности адресов. Блок 6 формирует тестовуто последовательность им- - пульсов, поступающую как на информационный вход контролируемой пам ти 11 дл записи, так и на второй вход блока, на первый вход которого подаетс считываема из контролируемой пам ти информаци . Блок 7 служит дл поразр дного сравнени данных, счи- танных из провер емой пам ти по заданным последовательност м адресов, с данныки, которые были записаны по тем же адресам.In the RECORDING and READING modes, counter 2 forms identical address sequences. Unit 6 generates a test sequence of pulses, received both at the information input of the monitored memory 11 for recording and at the second input of the block, at the first input of which the information read from the monitored memory is fed. Block 7 is used to compare the data read from the scanned memory at specified address sequences to data written at the same addresses.
Обнаружение несовпадени кодов, записанных и считываемых из пам ти, свидетельствует о наличии неисправности (например, наличие посто нной 1 или О).The detection of a mismatch of codes recorded and read from the memory indicates the presence of a fault (for example, the presence of a constant 1 or 0).
При совпадении на прот жении все- го цикла контрол записанной и считанной информации осуществл етс следующий цикл записи и считывани . Такие; запись и считывание со сравнением вы вл ют взаимное вли ние между чейками контролируемой пам ти. Кроме того, возможно вы вление адресных цепей, наход щихс в состо нии посто нного О или I, и коротко- замкнутых адресных цепей. При неисправных цеп х в отдельных чейках данные будут записаны в другие чейки пам ти, что вы вл етс в последующем цикле считывани .If it coincides for the entire cycle of control of the recorded and read information, the next cycle of writing and reading is carried out. Such; writing and comparing reveals the mutual influence between the cells of the monitored memory. In addition, it is possible to detect address circuits that are in a constant O or I state, and short-circuited address circuits. In the case of faulty circuits in individual cells, the data will be written to other memory cells, which is revealed in the subsequent read cycle.
По результатам сравнени в блоке 7 записанной и считанной информации формируетс сигнал ГОДЕН-БРАК, который с выхода блока 7 поступает на блок 8, где фиксируетс отказ или сбой и формируетс сигнал ОСТАНОВА по которому устройство прекращает формирование тестовой последовательности .According to the results of the comparison, in block 7 of the recorded and read information, a GODEN-BRACK signal is generated, which from the output of block 7 goes to block 8, where a failure or failure is recorded and the STOP signal is generated at which the device stops forming a test sequence.
Таким образом, данное устройство производит тестовый контроль взаимосв зей между адресными цеп ми и разр дами чеек пам ти модифицированным динамическим тестом типа бегуща I или О.Thus, this device makes a test control of the interconnections between the address chains and the bits of the memory cells with a modified dynamic test such as running I or O.
Например, во врем первого малого цикла (фиг. 3-21) в первом подцикле, в первый адрес записываетс 1, а во все остальные адреса - О, Во врем второго подцикла записанна информаци считываетс . Во врем третьего подцикла происходит инверси записываемой информации, т.е. в первый адрес записываетс О, а в остальные адреса - Г. В четвертом подцикле происходит считьгоание записанной информации.For example, during the first small cycle (Fig. 3-21) in the first subcycle, 1 is written to the first address, O is written to all other addresses. During the second subcycle, the recorded information is read. During the third subcycle, the recorded information is inverted; O is written to the first address, and G. to the other addresses. In the fourth subcycle, a combination of the recorded information occurs.
Во втором малом цикле в его первом подцикле записываетс по второму адресу 1, а по остальным - О. Затем во втором подцикле считываетс информаци . В третьим подцикле во второй адрес записываетс О, а в остальные адреса - 1. оIn the second minor cycle, in its first subcycle it is recorded at the second address 1, and for the rest, O. Then the information in the second subcycle is read. In the third subcycle, O is written to the second address, and 1. to the other addresses.
В третьем малом цикле в его первом подцикле происходит запись в третий адрес, а в остальные - О. В. третьем подцикле записываетс вIn the third minor cycle, in its first subcycle, it writes to the third address, and to the others, O.V., the third subcycle, writes to
Ui tlUi tl
третий адрес О, а в остальныеthe third address is Oh and the rest
I I
Во втором и четвертом подциклах записанна информаци считываетс .In the second and fourth subcycles, the recorded information is read.
В четвертом малом цикле в первом подцикле происходит запись 1 в -, четвертый адрес, а в оста;льные - О. В третьем подцикле в четвертый адрес записываетс О, а в остальные - 1. По окончании четвертого поддик-.In the fourth minor cycle, in the first subcycle there is a record of 1 in -, the fourth address, and in the rest; o. In the third subcycle, O is written in the fourth, and in the others - 1. At the end of the fourth sub-loop.
, ,
. .
10ten
1515
2020
2525
30thirty
3535
4040
4545
5050
5555
ла заканчиваетс полньпЧ цикл контрол .la ends the full control cycle.
Таким образом, в данном частном случае цикл контрол включает четыре малых цикла, причем в первых двух подциклах происходит проверка динами- -ческим тестом типа бегутца 1, а в третьих и четвертых подциКлах имеет место тест бегущий О (фиг. 3-21, и 22); Thus, in this particular case, the control cycle includes four small cycles, and in the first two subcycles there is a test of the runner type test 1, and in the third and fourth subcycles, the test run O takes place (Fig. 3-21, and 22 );
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843832291A SU1244727A1 (en) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | Device for checking semiconductor internal memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843832291A SU1244727A1 (en) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | Device for checking semiconductor internal memory |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1244727A1 true SU1244727A1 (en) | 1986-07-15 |
Family
ID=21154203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU843832291A SU1244727A1 (en) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | Device for checking semiconductor internal memory |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1244727A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5046047A (en) * | 1989-02-10 | 1991-09-03 | Plessey Overseas Limited | Circuit arrangement for verifying data stored in a random access memory |
-
1984
- 1984-12-25 SU SU843832291A patent/SU1244727A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 622174, кл. G II С 29/00, 1978. Авторское свидетельство СССР № 407398, кл. G 1 С 29/00, 1972. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5046047A (en) * | 1989-02-10 | 1991-09-03 | Plessey Overseas Limited | Circuit arrangement for verifying data stored in a random access memory |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5561671A (en) | Self-diagnostic device for semiconductor memories | |
US5761213A (en) | Method and apparatus to determine erroneous value in memory cells using data compression | |
EP1396863A1 (en) | Semiconductor memory device and method for testing semiconductor memory device | |
SU1244727A1 (en) | Device for checking semiconductor internal memory | |
EP0220577A2 (en) | Memory array | |
JPH11283397A (en) | Semiconductor memory and its test method | |
SU1200347A1 (en) | Device for checking address circuits of memory block | |
SU1249588A1 (en) | Device for checking integrated circuits of internal memory | |
SU1228109A1 (en) | Device for checking logic units | |
SU1024924A1 (en) | Device for checking logic units | |
SU1345264A1 (en) | Device for checking solid-state storage | |
SU1481862A1 (en) | Memory block check unit | |
SU1290418A1 (en) | Dynamic storage with self-checking | |
SU484521A1 (en) | Device for detecting errors in digital machines | |
SU1432528A2 (en) | Apparatus for monitoring the functioning of logical modules | |
SU1485313A1 (en) | Memory block check unit | |
SU1405059A1 (en) | Device for checking digital units | |
RU1830548C (en) | Device for checking of constant memory blocks | |
SU1244677A1 (en) | Device for monitoring parameters | |
SU1161991A1 (en) | Device for diagnostic checking of memory | |
SU1536444A1 (en) | Device for checking multidigital memory units | |
SU1547034A1 (en) | Device for checking reprogrammed read-0nly memory units | |
SU1254488A1 (en) | Device for monitoring and diagnostic checking of digital units | |
SU1203596A1 (en) | Storage | |
SU1547033A1 (en) | Device for monitoring memory units |