[go: up one dir, main page]

SU1083336A1 - Amplifier - Google Patents

Amplifier Download PDF

Info

Publication number
SU1083336A1
SU1083336A1 SU823431209A SU3431209A SU1083336A1 SU 1083336 A1 SU1083336 A1 SU 1083336A1 SU 823431209 A SU823431209 A SU 823431209A SU 3431209 A SU3431209 A SU 3431209A SU 1083336 A1 SU1083336 A1 SU 1083336A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
emitter
capacitor
collector
resistor
Prior art date
Application number
SU823431209A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Геннадий Васильевич Уточкин
Original Assignee
Рязанский Радиотехнический Институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Рязанский Радиотехнический Институт filed Critical Рязанский Радиотехнический Институт
Priority to SU823431209A priority Critical patent/SU1083336A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1083336A1 publication Critical patent/SU1083336A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

УСИЛИТЕЛЬ, содержащий первый транзистор, база которого подключена к отводу делител  напр же ни , включенного параллельно источнику питани , коллектор, через кол- лекторную нагрузку соединенный с первой шиной источника питани  и Шд. Ч 5 ;. рез последовательно соединенные первьй конденсатор и первьш резисто а эмиттер через второй резистор с второй шиной источника питани , второй транзистор, база которого подключена к эмиттеру первого транзистора , эмиттер - к точке соединени  первого конденсатора и первого резистора, а коллектор - к первой шине источника питани , а также второй конденсатор, при этом первьш и второй транзисторы имеют од . ну структуру, отличающийс   тем, что, с целью повьш1еки  коэффициента усилени  в него введены входной трансформатор, первьй (П вьшод вторичной обмотки которого соединен с базой, а второй вывод с через второй конденсатор - с эмиттером первого транзистора. § 00 со оо 00 ОдThe AMPLIFIER, containing the first transistor, the base of which is connected to the tap of a divider of a voltage connected in parallel with the power source, is a collector, via a collector load connected to the first power supply bus and Shd. H 5; cutting the first capacitor and the first resistor in series the emitter through the second resistor with the second power supply bus, the second transistor, the base of which is connected to the emitter of the first transistor, the emitter to the connection point of the first capacitor and the first resistor, and the collector to the first power supply bus, as well as the second capacitor, with the first and second transistors having one. Well, a structure characterized in that, in order to increase the gain factor, an input transformer is inserted into it, the first one (the secondary winding of which is connected to the base, and the second output c through the second capacitor to the emitter of the first transistor. § 00 co oo 00 Od

Description

Изобретение относитс  к радиотехнике и может использоватьс  дл  усилени  сигналов промежуточных и высоких частот,. Известен усилитель, содержащий первый транзистор, эмиттер которого через первьй резистор соединен с шинрй питани , второй транзистор, база которого соединена с эмиттером первого транзистора, эмиттер через второй резистор - с шиной питани  и через конденсатор - с коллектором первого транзистора С ЗОднако усилитель имеет невысо кий коэффициент усилени  и большое выходное сопротивление. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому  вл етс  усилитель, содержащий первый транзистор , база которого подключена к отводу делител  напр жени , включенного параллельно источнику питани , коллектор, через коллекторную нагрузку соединенный с первой шиной источника питани  и через последова тельно соединенные первый конденсатор и первый резистор, а эмиттер че рез второй резистор - с второй шино источника питани , второй транзисто база которого подключена к эмиттеру первого трайзистора, эмиттер - к то ке соединени  первого конденсатора и первого резистора, а коллектор к первой шине- источника питани , а также второй конденсатор, включенный между вторым отводом делител  напр жени  и эмиттером второго тран зистора, при этом первый и второй транзисторы имеют одну структуру С2 Однако известное устройство имеет недостаточно высокий коэффициент усилени . Цель изобретени  - повьиоение коэ фициента усилени . Доставленна  цель достигаетс  тем, что в усилитель, содержащий первый транзистор, база которого подключена к отводу делител  напр жени , включенного параллельно истрчнику питани , коллектор, через коллекторную нагрузку соединенный с первой шиной источника питани  и через последовательно соединенные первый конденсатор и первый резистор , а эмиттер через второй резистор - с второй шиной источника пита ки , второй транзистор, база которо го подключена к эмиттеру первого транзистора, эмиттер - к точке сое62 динени  первого конденсатора и первого резистора, а коллектор - к первой шине источника питани , а также второй конденсатор, при этом первыйи второй транзисторы имеют одну структуру, введен входной трансформатор , первый вывод вторичной обмотки которого соединен с базой, а второй вывод Ерез второй конденсатор - с эмиттером первого транзистора . На чертеже представлена принципиальна  электрическа -схема усилител  . . Усилитель содержит первый и второй транзисторы 1 и 2, первый и второй конденсаторы 3 и 4, первый и второй резисторы 5 и 6, делитель 7 напр жени , коллекторную нагрузку 8, первичную и вторичную обмотки 9 и 10 входного трансформатора, первую и вторую шины 11 и 12 источника питани  и конденсатор 13. Усилитель работает следующим образом . Входной сигнал с контура, образованного первичной обмоткой 9 входного трансформатора и конденсатором 13, через вторичную обмотку 10 входного трансформатора и второй конденсатор подаетс  между базой и эмиттером первого транзистора 1. В цепи эмиттера первого транзистора 1 включен второй резистор 6, а в цепи коллектора - коллекторна  нагрузка 8, выполненна  в виде контура, состо щего из катушки индуктивности и конгденсатора . Ни один электрод первого транзистора 1 по переменному току не заземлен, ,а общим зажимом между входом и выходом  вл етс  эмиттер, поэтому первый транзистор 1 оказьша-. етс  включенным по схеме с ОЭ. Усиленный сигнал снимаетс  с участка коллектор - эмиттер первого транзистора 1 и через первый конденсатор 3 прикладьшаетс  между эмиттером и базой второго транзистора 2. R цепи эмиттера второго транзистора 2 включен первый резистор 5, а его коллектор соединен с первой шиной 11 источника питани . Усиленный сигнал снимаетс  с эмиттера второго транзистора 2, т.е. общим электродом между входом и выходом второго транзистора 2  вл етс  эмиттер, поэтому несмотр  на то, что коллектор второго транзистора 2 заземлен.The invention relates to radio engineering and can be used to amplify intermediate and high frequency signals. An amplifier containing a first transistor is known, the emitter of which is connected to the power supply bus through the first resistor, the second transistor whose base is connected to the emitter of the first transistor, the emitter via the second resistor to the power bus and through the capacitor to the collector of the first transistor C However, the amplifier has a low gain and large output impedance. The closest in technical essence to the present invention is an amplifier comprising a first transistor, the base of which is connected to a tap of a voltage divider connected in parallel to a power source, a collector, through a collector load connected to the first power supply bus and via a series-connected first capacitor and first resistor , and the emitter through the second resistor - from the second power supply bus, the second transist base of which is connected to the emitter of the first resistor, the emitter - to the connection point of the first capacitor and the first resistor, and the collector to the first power supply bus, as well as the second capacitor connected between the second tap of the voltage divider and the emitter of the second transistor, the first and second transistors have the same C2 structure. However, the known device does not have a high enough ratio gain The purpose of the invention is to increase the gain coefficient. The delivered target is achieved in that the amplifier containing the first transistor, the base of which is connected to the tap of a voltage divider connected in parallel to the power source, is a collector, through the collector load connected to the first power supply bus and through the series-connected first capacitor and first resistor, and the emitter through the second resistor - with the second bus power source, the second transistor, the base of which is connected to the emitter of the first transistor, the emitter - to the point of connection of the first capacitor and p resistor, and the collector - to the first power supply bus, as well as the second capacitor, the first and second transistors have one structure, an input transformer is introduced, the first output of the secondary winding of which is connected to the base, and the second Erez output is connected to the emitter of the first transistor . The drawing shows the principle electrical circuit amplifier. . The amplifier contains the first and second transistors 1 and 2, the first and second capacitors 3 and 4, the first and second resistors 5 and 6, the voltage divider 7, the collector load 8, the primary and secondary windings 9 and 10 of the input transformer, the first and second buses 11 and 12 power supplies and a capacitor 13. The amplifier operates as follows. The input signal from the circuit formed by the primary winding 9 of the input transformer and capacitor 13 is fed through the secondary winding 10 of the input transformer and the second capacitor between the base and the emitter of the first transistor 1. The second resistor 6 is connected to the emitter circuit of the first transistor 1 and the collector is connected to the collector circuit load 8, made in the form of a circuit consisting of an inductance coil and a capacitor. No electrode of the first transistor 1 is grounded in alternating current, and the common terminal between the input and the output is an emitter, therefore the first transistor 1 turns out to be -. It is included in the scheme with OE. The amplified signal is removed from the collector-emitter portion of the first transistor 1 and through the first capacitor 3 is applied between the emitter and the base of the second transistor 2. The emitter circuit of the second transistor 2 turns on the first resistor 5, and its collector is connected to the first power supply bus 11. The amplified signal is removed from the emitter of the second transistor 2, i.e. the common electrode between the input and the output of the second transistor 2 is the emitter, therefore, despite the fact that the collector of the second transistor 2 is grounded.

он оказываетс  включенным fio схемеit turns on the fio circuit

с од.from one

Таким образом, транзисторы 1 и 2 предлагаемого усилител  образуют схему ОЭ-ОЭ.Thus, the transistors 1 and 2 of the proposed amplifier form the OE-OE circuit.

В схеме ОЭ-ОЭ входной сигнал усиливают оба транзистора, а ее крутизна на пор док и более превышает крутизну схеьсл с 03, поэтому коэффицинт усилени  предлагаемой схемы в 10-15 раз на сравнительно низких и в 3-5 раз на сравнительно высоких частотах больше, чем известной.In the OE-OE scheme, the input signal is amplified by both transistors, and its steepness by an order of magnitude or more is greater than the steepness of the circuit from 03, therefore the gain of the proposed circuit is 10-15 times at relatively low and 3-5 times at relatively high frequencies more, than famous.

Кроме того, в усилителе коллекторную нагрузку протекает сумма высокочатотных выходных токов обоих транзисторов 1 и 2. т.е. осуществл етс  параллельна  работа транзисторов на общую нагрузку. ЭтоIn addition, in the amplifier the collector load flows the sum of high-frequency output currents of both transistors 1 and 2. i.e. parallel operation of the transistors on the total load. it

увеличивает выходную мощность и линейность а(;шлитудной характеристики в области больших выходных сигналов По причине параллельного включени  транзисторов к нагрузке (по высокой частоте) усилитель обладает и пониженным выходным сопротивлением . Пониженное выходное сопротивление расшир ет полосу пропускани  усилител  и увеличивает его нагрузочную способность.increases the output power and linearity a (; slit characteristics in the area of large output signals. Due to the parallel connection of transistors to the load (at high frequency), the amplifier also has a lower output impedance. The reduced output impedance expands the bandwidth of the amplifier and increases its load capacity.

Повьш1енна  устойчивость предлагаемого усилител  против самовозбуждени  достигаетс  особенност ми построени  схемы усилител , в результате чего в нем осуществл етс  мосто;ва  разв зка между входом и выходом (мостова  нейтрализаци  обратных проводимостей усилительных приборов)The increased resistance of the proposed amplifier against self-excitation is achieved by the features of the amplifier circuit, resulting in a bridge between the input and the output (neutralization of the reverse conductivities of the amplifying devices)

Claims (1)

УСИЛИТЕЛЬ, содержащий первый транзистор, база которого подключена к отводу делителя напряже- ' ния, включенного параллельно источнику питания, коллектор, через коллекторную нагрузку соединенный с ; первой тиной источника питания и через последовательно соединенные первый конденсатор и первый резистор а эмиттер через второй резистор с второй шиной источника питания, второй транзистор, база которого подключена к эмиттеру первого транзистора, эмиттер - к точке соединения первого конденсатора и первого резистора, а коллектор - к первой шине источника питания, а также второй конденсатор, при этом первый и второй транзисторы имеют одну структуру, отличающийс я тем, что, с целью повышения коэффициента усиления,в него введе- G ны входной трансформатор, первый вывод вторичной обмотки которого соединен с базой, а второй вывод через второй конденсатор - с эмиттером первого транзистора.AMPLIFIER, comprising a first transistor, the base of which is connected to a tap of a voltage divider connected in parallel with a power source, a collector connected to the collector through a load ; the first power source and through the first capacitor and the first resistor connected in series and the emitter through the second resistor to the second power supply bus, the second transistor, the base of which is connected to the emitter of the first transistor, the emitter to the junction of the first capacitor and the first resistor, and the collector to the first bus of the power source, as well as the second capacitor, while the first and second transistors have one structure, characterized in that, in order to increase the gain, G input is introduced into it sformator, a first terminal of the secondary winding is connected to the base and the second terminal via the second capacitor - to the emitter of the first transistor.
SU823431209A 1982-04-30 1982-04-30 Amplifier SU1083336A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823431209A SU1083336A1 (en) 1982-04-30 1982-04-30 Amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823431209A SU1083336A1 (en) 1982-04-30 1982-04-30 Amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1083336A1 true SU1083336A1 (en) 1984-03-30

Family

ID=21009434

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU823431209A SU1083336A1 (en) 1982-04-30 1982-04-30 Amplifier

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1083336A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Патент JP № 55-5284, кл. Н 03 F 1/34, Н 03 F 1/42, опублик. 5.2.80. 2. За вка DE № 2506889, KJt. -Н 03 F 1/14, опублик, 26.8.76 (прототип)., *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4994760A (en) Apparatus and method for combining output signals from parallelly coupled power field effect transistors in high frequency amplifiers
US3944937A (en) Broad-band signal transmitting device using transformer
US2691075A (en) Transistor amplifier with high undistorted output
US4212053A (en) D.C. to D.C. Converter utilizing resonant inductor to neutralize capacitive losses
SU1083336A1 (en) Amplifier
EP0671074A1 (en) Two-port wideband bipolar transistor amplifiers
US3835406A (en) Neutralized amplifier circuit
US5235288A (en) Amplifier stage for low-resistance ac voltage sources
US3097343A (en) Transistor distributed amplifier
US4319198A (en) Power amplifiers
US3066188A (en) Unbalanced autotransformer audio amplifier
US4764735A (en) Push-pull transformer feed-back amplifier
US4057717A (en) Transformer with active elements
SU1166270A1 (en) Broad-band amplifier
KR880010560A (en) amplifier
US4531101A (en) High-frequency amplifier with enhanced gain from use of the Miller effect capacitance
JPH04578Y2 (en)
SU1589369A1 (en) Amplitude-modulated signal detector
US4435686A (en) Extended cascode amplifier
US4347482A (en) Amplifier equipped with circuit for preventing electrostatic breakdown
SU1007186A1 (en) Push-pull amplifier
SU1363434A1 (en) Amplifier
SU1653127A1 (en) Wideband amplifier
JPH0233373Y2 (en)
SU1224960A1 (en) Broad-band amplifier