SE502139C2

SE502139C2 - Elektriskt styrbar filteranordning

Info

Publication number: SE502139C2
Application number: SE9203701A
Authority: SE
Inventors: Bjoern Olle Nilsson; Pierre-Jean Rigole
Original assignee: Ellemtel Utvecklings Ab
Priority date: 1992-12-09
Filing date: 1992-12-09
Publication date: 1995-08-28
Also published as: SE9203701D0; CA2110880A1; JP3878224B2; US5438637A; SE9203701L; JPH06296063A; JP2006189893A; EP0601989A1; CA2110880C

Description

502 139 10 15 20 25 30 35 2 US-A-4 008 947 visar en elektrooptisk switch eller modula- tor där ett gitter kan skapas genom att en spänning slås på. Emellertid är detta gitter ej avstämbart och man kan ej erhålla någon ändring av periodiciteten. Så kallade DFB-, och DBR-lasrar utnyttjar vanligen en optisk filterstruktur i vågledarutförande där gittret exempelvis är etsat i en gränsyta mellan två dielektrika nära vågledaren såsom ovan nämnts. Härvid verkar gittret som en Braggreflektor då gitterperioden uppgår till Å/2. Om man emellertid vill avstämma gittret krävs en förändring av det effektiva brytningsindexet för vågledarmoden vilket ger upphov till en rad problem. Likaledes är det förenat med stora svårig- heter att reglera styrkan hos gittret. Emellertid skulle en styrkereglering av gittret kunna uppnås genom utnyttjande av en periodisk variation av brytningsindex (real och/eller imaginärdel) inducerad på elektrisk väg genom en periodisk elektrodkonfiguration istället för ett etsat gitter.

Brytningsindex kan exempelvis påverkas genom elektrooptisk effekt eller laddningsbärarinjektion. Emellertid, såsom ovan nämnts, ger elektroderna i sig upphov till en gitter- verkan vilken speciellt är så stor att den överstiger den gitterverkan som kan styras elektriskt och det är omöjligt att helt eliminera gitterverkan eller "stänga av" gittret.

REDOGÖRELSE FÖR UPPFINNINGEN Målet med föreliggande uppfinning är att ange en elektriskt styrbar filteranordning i enlighet med ingressen till patentkrav 1 som såväl är avstämbar som att det är möjligt att reglera gittrets styrka liksom att gittret skall vara "avstängbart" eller där gitterverkan väsentligen kan elimineras. Uppfinningen har vidare som mål att ange en anordning som är förhållandevis enkel och' billig att framställa. Dessutom har uppfinningen som mål att ange en anordning med stor flexibilitet och många variationsmöjlig- heter. Ett ytterligare mål med uppfinningen är att ange en 10 15 20 25 30 35 502 139 3 anordning vilken kan vara utformad att gälla för optiska vågor men även för andra vågor såsom exempelvis mikrovågor.

En anordning genom vilken såväl dessa som andra mål uppnås anges genom de i den kännetecknande delen av patentkrav 1 angivna kännetecknen.

Föredragna utföringsformer anges genom de i underkraven angivna särdragen.

FIGURBESKRIVNING Uppfinningen skall i det följande närmare beskrivas under hänvisning till bifogade figurer i förklarande och icke på något vis begränsande syfte, där Fig. 1 schematiskt illustrerar en filteranordning om- fattande en vågledare och ett elektrodelement, Fig. 2a schematiskt illustrerar en anordning' enligt fig. 1 i elektrooptiskt utförande bildande ett passivt filter, Fig. 2b schematiskt visar en anordning enligt fig. 2a sett från ovan, Fig. 3a schematiskt illustrerar en anordning bildande ett aktivt filter eller laser i tvärsnitt, Fig. 3b visar anordningen enligt fig. 3a i längdsnitt, Fig. 4 schematiskt illustrerar ett utförande omfattan- de två vågledare och bildande en gitterassiste- rad riktkopplare, Fig. 4a visar ett förenklat tvärsnitt av fig. 4, 10 15 20 25 30 35 502 139 4 Fig. 4b visar schematiskt en gruppvis arrangerad elektrodstrukturkoppling för en gitterassiste- rad riktkopplare, Fig. 5 visar ett alternativt utförande av en gitteras- sisterad riktkopplare, Fig. Sa illustrerar schematiskt ett exempel på matning av anordningen i Fig. 5, Fig. 6a visar schematiskt ett exempel på uppdelad elektrodstruktur med alternerande matning av på varandra följande elektrodelement, Fig. 6b visar ett exempel på uppdelad struktur med alternativt matad elektrodstruktur, Fig. 6c visar ett annat exempel på matning av uppdelad elektrodstruktur, Fig. 7 visar schematiskt ett exempel på varierande elektrodperiodicitet.

FÖREDRAGNA UfrFöRINGsFoRMER Det i fig. 1 visade förenklade exemplet på en elektrisk styrbar, en vågledare omfattande, filteranordning 10 med en elektrodkonfiguration som är så utformad att den omfattar en elektrodstruktur som omfattar ett elektrodelement C omfattande en första elektrod A respektive en andra elektrod B där vardera elektroder A respektive B omfattar ett antal elektrodfingrar an az, ... respektive bn kb, ... där fingrarna griper in mellan varandra. Elektrodstrukturen kan även omfatta flera elektrodelement eller ett stort antal, men i detta utföringsexempel betecknar C ett eller flera elektrodelement för enkelhetens skull. Om elektro- 10 15 20 25 30 35 502 '159 p 5 derna A, B har samma potential, eller i frånvaro av matning, fås en passiv gitterperiod A0 med en period på ungefärligen ÄB/4, där ÄB är den s.k. Braggvåglängden. Ett gitter med denna period har väsentligen ingen inverkan på vågutbredningen, gittret är avstängt. Om emellertid elektroderna A respektive B matas med olika spänning erhålles ett gitter med effektiv'gitterperiod,Adfungefärli- gen lika med ÄB/2, där ÄB representerar den s.k. Bragg- våglängden. I detta fall erhålles en kraftig reflektion och styrkan på denna kan styras elektriskt från utgångsvärdet (0) och uppåt. Följaktligen erhålles utan spänning ingen reflektion medan om en spänning lägges på fås Braggreflek- tion. I fig. 2a respektive 2b illustreras närmare hur en anordning kan vara utformad i s.k. elektrooptiskt utföran- de, d.v.s. baserad på elektrooptisk verkan genom ett elektrooptiskt substrat. I fig. 2a illustreras ett elektro- delement C omfattande en första elektrod A respektive en andra elektrod B där den första respektive den andra elektroden A, B omfattar ett antal elektrodfingrar al, av ... respektive bn th, ... där elektroderna A, B är anslutna till en spänningskälla V0 och där kretsen omfattande en brytare. Fig. 2a illustrerar elektrodstrukturen med underliggande optisk vågledare 2 och ett substrat 1 exempelvis av LiNbO,, men även andra material är möjliga.

I fig. 2b visas ett transversellt tvärsnitt av anordningen där ett substrat 1 (exempelvis LiNb0g med ett första brytningsindex n,i vilket löper en optisk vågledare 2 med ett brytningsindex nu varvid överst en elektrodstruktur i form av ett elektrodelement C, utgjort av> metall, är anordnad. Med det speciella utförandet, bildande ett passivt filter, kan brytningsindex nl vara ungefärligen lika med nzoch exempelvis uppgå till c:a 2,2 där skillna- den mellan nz- n, ungefärligen kan uppgå till 10* eller något mera. Vågledaren 2 kan ha en tjocklek som ligger på i storleksordningen 0,5-2 um och en bredd som uppgår till ungefärligen 5 um, men dessa värden är endast angivna i 1,502 139 10 15 20 25 30 35 6 exemplifierande syfte. Längden för anordningen kan ligga på i storleksordningen cm. Den optiska vågledaren 2 har ett brytningsindex nzsom något överstiger brytningsindex n,för substratet 1 och är exempelvis framställd genom Ti-in- diffusion eller protonutbyte av LiNb0fsubstratet på i sig känt sätt. Anordningen fungerar så att om brytaren (fig. 2a) är frånslagen föreligger ett gitter med perioden A0 vilket beskrivits i det föregående och som alltså ej på- verkar ljusvågor med våglängden 4 Am. Med tillslagen brytare induceras ett gitter med periodiciteten Am-vilket har en stark påverkan på en våg med våglängden Ä ungefär lika med 2 - Am. Beroende på hur elektroderna matas kan filtret avstämmas till ett antal olika, diskreta frekven- ser. Såsom exempel, med den fria våglängden Aoungefär lika med 1,5 um, fås Å ungefär lika med 1 um och Adfungefär lika med 0,5 um.

I fig. 3a visas ett exempel på filteranordningen i ladd- ningsbärarinjektionsutförande, bildande ett aktivt filter eller laser. För en filteranordning 20 i detta utförande kan elektrodstrukturen se ut på väsentligen samma sätt som i det föregående, beskrivna exemplet medan skillnaden ligger i den optiska vågledaren 2' som nu även har en elektronisk funktion på i sig känt sätt. Fig. 3a visar en filteranordning 20 i transversellt tvärsnitt ansluten till en spänningskälla V5. Förutom elektrodstrukturen C' (som kan utgöras av' ett eller flera elektrodelement vilket beskrives senare) är anordningen försedd med en undre elektrod D på i sig känt sätt. I figuren har substratet 1' ett brytningsindex ny som är ungefärligen lika stort som brytningsindex n4för ett isolerande eller semi-isolerande skikt 4' på i sig känt sätt. I anordningen ingående struktur bildar väsentligen en vanlig s.k. begravd hetero- struktur hos en halvledarlaser. Av betydelse är emellertid att avståndet mellan elektrodstrukturen C och det aktiva skiktet 2' är förhållandevis litet i det visade exemplet.

Det aktiva skiktet 2' har ett brytningsindex nr som är 10 1.5 20 25 30 35 502 '139 '- 7 större än brytningsindex ny för halvledande skikt 3', 3' beläget på ömse sidor om det aktiva skiktet 2', som i sin tur har ett brytningsindex som är större än brytningsindex n,. för substratet 1' respektive de isolerande eller semi- isolerande skikten 4' med brytningsindex m. I fig. 3b visas filteranordningen 20 enligt fig. 3a i longitudinellt snitt där de i elektroderna A, B ingående och alternerande elektrodfingrarna a,, b” az, b, har en effektiv gitterperiod Am. I det visade exemplet matas elektroder A (elektrod- fingrarna al, az, . . .) med en ström som är lägre än den med vilken elektroden B (elektrodfingrarna b,, bz, ...) matas.

Alternativt kan elektroden A (med tillhörande fingrar) lämnas fri. Spalterna 4' bildar isolerande spalter som exempelvis kan bestå av semi-isolerande eller halvledarma- terial eller oxid medan skikten 1', 2', 3' utgöres av halvledarmaterial, där injektionen sker i det aktiva skiktet 2'. Såsom exempel skulle med en våglängd X0 på ungefär 1,5 pm, Ä ungefärligen uppgår till 0,5 um och Ad, ungefärligen till 0,25 um. Totallängden för en filteranord- ning 20 enligt vad som här beskrivits kan uppgå till ungefärligen 0,1-1 mm. Siffervärden anges endast i ex- emplifierande syfte. Enligt ett utförande av uppfinningen (ej närmare beskrivet här) kan förutom en avstämning till olika diskreta frekvenser även en sk. kontinuerlig av- stämning genomföras, vilken består i en kontinuerlig variation av brytningsindex på i sig känt sätt.

Enligt ett alternativt utförande kan filteranordningen vara utformad i form av en gitterassisterad riktkopplare. I fig. 4 visas mycket schematiskt en filteranordning 30 omfattande en första respektive en andra vågledare 7, 8 och ett substrat 1” över vilket är anordnat en elektrodstruktur, här i form av ett elektrodelement C på väsentligen analogt sätt med vad som i det föregående beskrivits. I fig. 4a visas likaledes schematiskt ett transversellt snitt av 10 15 20 25 30 35 502 139 8 anordningen 30 med två olika vågledare 7, 8 med brytnings- index n, respektive n, på vilken en elektrodstruktur är anordnad och vilka är anordnade i ett substrat 1" med brytningsindex np. Genom att vågledarna 7, 8 är olika så har de, vid samma frekvens, olika utbredningskonstanter för vilka gäller k7(w) = 2 'rr/Å,(w) respektive k,(w) = 2 1r/Å,(w) och frekvensen uppgår till w/2n. Det genom de i elektrod- strukturen C ingående elektroderna A, B inducerade gittret med en effektiv gitterperiod Am ger upphov till koppling mellan vågledarna 7, 8 under förutsättning attlq(w) -]q(w) = kg där kg är vågtalet för vilket skall gälla att det uppgår till 1 2n/Adp I analogi med det föregående exemplet kan filtera- nordningen 30 styras via elektroderna A, B. Emellertid kan det i vissa fall vara nödvändigt att elektrodperiodiciteten Aøär väsentligt mindre än minsta önskade gitterperiodici- teten Am-för att undvika att koppling sker genom närvaro av elektrodstrukturen i sig. För att lösa detta problem kan emellertid elektroderna eller elektrodfingrarna samman- kopplas gruppvis såsom schematiskt illustreras i fig. 4b och så att en effektiv gitterperiod Aﬂ bildas mellan grupper av elektrodfingrar.

I fig. 5 visas ett alternativt utförande av en filteranord- ning 30' där varje elektrodfinger bildar en elektrod som matas, eller styres, separat.

Man utnyttjar här den större gitterperiod som krävs för koppling mellan de två vågledarna, vilken bestäms av skillnaden mellan de två vågledarnas vågutbredningskonstan- ter och som vanligen uppgår till en faktor 40-100 gånger gitterperioden för en DFB-laser. Det är då tänkbart att elektrodperioden utgör en bråkdel av gitterperioden och genom att varje elektrod eller elektrodfinger matas eller styres separat, kan ett "sinusformat gitter" erhållas vilket har såväl avstämbar frekvens som styrka. 10 15 20 25 30 35 502 "139" 9 Avstånden mellan möjliga frekvenser bestäms av förhållandet mellan elektrodperiod och gitterperiod, d.v.s. den period som kopplar vågledaren vid den medel-ljusfrekvens som användes. Elektrodperioden skall emellertid ej vara densamma som för en DFB-laser eftersom koppling mellan framåtgående respektive bakåtgående våg sker genom närvaro av elektrodstrukturen i sig.

I fig. Sa anger i- n, n = 0, i 1, spänning eller strömnivå och Am anger perioden för en sinusformad kurva.

Alternativt skulle exempelvis gittret kunna styras på så sätt att en fyrkants-våg erhålles.

I det följande beskrives hur elektrodstrukturen kan vara uppdelad longitudinellt så att den omfattar ett flertal elektrodelement Cl, C2, C3, C4, ... där de olika elektrode- lementen kan vara anordnade respektive matas på olika sätt så att man exempelvis kan åstadkomma en filteranordning som är avstämbar till ett diskret antal våglängder. I fig. 6a illustreras ett exempel med ett antal elektrodelement Cl, C2, ... vardera omfattande en första respektive en andra elektrod A,, 3,; A2, H2; A3, 3,; A4, 3,; vardera första respektive andra elektrod omfattande elektrodfingrar au, an, au, au respektive bn, bn, bn, bu o.s.v. analogt för övriga elektrodelement.

I det i fig. 6a visade exemplet är de första elektroderna IM, An, ... alternerande betecknade med +, - o.s.v. medan den motsvarande andra elektroderna B” Bz, ... är försedda med motstående tecken. I vissa fall matas elektrodelementen på ett alternerande sätt med en period som vi här kallar elektrodelementperiod och som här uppgår till 2. Plus (+) skall i det följande innebära att en elektrod matas med en spänning (en ström) som är högre än den betecknad med minus, som alltså antingen kan vara lägre än den betecknad med plus (+) eller innebära att ingen matning sker. Med polariteter såsom visats i fig. 6a erhålles en effektiv gitterperiod som ungefärligen uppgår till Aw x 7/8 eller .502 139 10 15 20 25 30 35 10 Adfx 9/8, d.v.s. båda perioderna erhålles. Beroende på hur elektroderna matas erhålles olika effektiv gitterperiod.

En typisk DFB-laser omfattar exempelvis mer än 1000 gitterperioder vilket gör att man får ett mycket stort antal variationsmöjligheter; minsta relativa avstämningen uppgår till c:a 1/antalet perioder.

I fig. 6b visas ett alternativt utförande av matning av elektrodelement där elektrodelementen matas på samma sätt i grupper om 2, d.v.s om två första elektroder i ett elektrodelement matas på ett och samma sätt följs de av två på annat sätt matade första elektroder o.s.v. (Am-ungefär- ligen 15/16 eller d.v.s. och 17/16).

I fig. 6c illustreras ett ytterligare utföringsexempel över hur elektrodelementen respektive elektroderna kan matas. I det här visade exemplet matas varje elektrodelement på ett och samma sätt. I de i figurerna 6a-6c visade exemplen är elektrodelementen så anordnade i förhållande till varandra att elektrodperiodiciteten hela tiden blir konstant. Det är emellertid även möjligt att variera elektrodperiodiciteten, vilket illustreras i fig. 7. Exempelvis skulle här av- ståndet mellan två elektrodfingrar au, bn tillhörande olika elektrodelement C1; C2 kunna vara hälften av avståndet mellan i ett elektrodelement ingående elektrodfingrar eller AJZ. Genom detta utförande upphör väsentligen den dubbel- tydlighet som beskrivits ovan (under hänvisning till fig. 6a) men å andra sidan begränsas antalet våglängder som kan avstämmas.

Genom föreliggande uppfinning är det således möjligt att såväl stämma av som reglera styrkan hos ett filter och kan sägas ge upphov till en elektrisk syntetisering av olika spatiala frekvenser. Uppfinning kan finna sin tillämpning inom en lång rad olika områden exempelvis såsom modulerbart filter för stora WDM och för signalbehandling eller som avstämbar laser för WDM.

Uppfinningen skall givetvis inte begränsas till beskrivna utföringsformer utan kan fritt varieras på en rad sätt inom 502 ”139 z ll ramen för patentkraven vad avser såväl elektrodstruktur och kombinationer av elektrodelement respektive matning av dessa, ingående material, antal avstämbara våglängder man.

Claims

10 15 20 25 30 35 502 139 'lå Eatentkrav

1. Elektriskt styrbar filteranordning (10; 20; 30; 30') innefattande en ett filter för vågor vid en given våglängd (Ä) inducerande elektrodstruktur (C) med åtminstone en första elektrod (A) och en andra elektrod (B) vilka uppvisar en fingerstruktur där elektrodernas (A, B) fingrar (au au ..., an; bn bh ..., bg är motriktade och åt- minstone till en del griper in mellan varandra och är anordnade på ett förutbestämt periodiskt avstånd från varandra, samt medel för elektrisk matning av elektroderna (A, B), k ä n n e_t e c k n a d d ä r a v, att elektro- derna (A, B) kan matas elektriskt så att filteranordningen (10; 20; 30; 30') kan anta ett första tillstånd där två intilliggande fingrar (al, az, ..., an; bl, b,, ..., t5) med huvudsakligen samma potential är belägna på ett första avstånd (A9 som förhåller sig till den givna våglängden (Ä) så att ingen filterverkan erhålles i filteranordningen (10: 20; 30; 30'), samt ett andra tillstånd där två intil- liggande fingrar (au av ..., a¿ bn by ..., bJ med huvud- sakligen samma elektriska potential är belägna på ett andra avstånd (Am) som utgör en multipel av det första avståndet (A9, varvid filterverkan erhålles i filteranordningen (10; 20; 30; 30').

2. Anordning enligt patentkrav 1, k ä n n e t e c k - n a d d ä r a v, att för en given elektrodkonfiguration det andra avståndet (Am) kan bringas att anta olika värden genom variation av den elektriska matningen.

3. Anordning enligt patentkrav' 1 eller 2, k ä n n e - t e c k n a d d ä r a v, att Am ungefärligen uppgår till -v 10 15 20 25 30 35 502 (159 Ao - 2 så att filtret verkar som en Bragg-reflektor för vågor med våglängden A z 2 - Am.

4. Anordning enligt patentkrav' 1 eller 2, k ä n n e - t e c k n a d d ä r a v, att det första avståndet (A0) ungefärligen uppgår till något av värdena Am/4, Aw/8, Am/3 eller Am/ó.

5. Anordning enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v, att den första (A) och den andra elektroden (B) separat matas med olika ström/- spänning.

6. Anordning enligt patentkrav 5, k ä n n e t e c k - n a d d ä r a v, att elektrodstrukturen (C) är sådan att den är longitudinellt uppdelad i och sammansatt av ett antal på varandra följande elektrodelement (Cl, CZ, ..., CJ, vardera omfattande en första och en andra elektrod.

7. Anordning enligt patentkrav 6, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v, att alla elektrodelement (Cl, C,, ..., C,) matas elektriskt på samma sätt.

8. Anordning enligt patentkrav 6, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v, att i elektrodstrukturen ingående elektrodele- ment (C,, ..., Cu) har alternerande polaritet så att på varandra följande första elektroder (A1, A2, ..., A,,) har olika polaritet liksom på varandra följande andra elektro- der har olika polaritet (Bl, Bz, . . ., Bn) .

9. Anordning enligt patentkrav 6, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v, att polariteten för i elektrodstrukturen in- gående elektrodelement är sådan att på två elektrodelement vilka matas på samma sätt (A1, A2; A5, A6, ...), följer två på ett annat sätt matade elektrodelement (A3, A4; A7, A8; ...) o.s.v. vidare. 502 139 i /V 10 15 20 25 30 35

10. Anordning enligt patentkrav 6, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v, att elektrodperiodiciteten är konstant.

11. Anordning enligt patentkrav 6, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v, att elektrodperiodiciteten eller elektrod- elementperiodiciteten varierar.

12. Anordning enligt patentkrav 10, k ä n n e t e c k - n a d d ä r a v, att elektrodperiodiciteten ej är densamma mellan på varandra följande elektrodelement som inom ett och samma element.

13. Anordning enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v, att den bildar ett optiskt filter.

14. Anordning enligt patentkrav 13, k ä n n e t e c k - 11 a d d ä r a v, att den bildar ett passivt optiskt filter (10).

15. Anordning enligt patentkrav 14, k ä n n e t e c k - n a d d ä r a v, att elektrodstrukturen är anordnad i anslutning till en vågledarstruktur omfattande en på/i ett elektrooptiskt substrat (1) anordnad optisk vågledare (2).

16. Anordning enligt patentkrav 13, k ä n n e t e c k - n a d d ä r a v, att den bildar ett aktivt optiskt filter (20).

17. Anordning enligt patentkrav 16, k ä n n e t e c k - n a d d ä r a v, att den omfattar en DFB-, eller en DBR- laser.

18. Anordning enligt något av patentkraven 16 eller 17, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v, att A0= Am/3. 10 15 20 25 30 35 f* 502 159

19. Anordning enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v, att den omfattar en vågledarstruktur omfattande två optiska vågledare (7, 8) med olika brytningsindex bildande en gítterassisterad riktkopplare (30) och att koppling mellan vågledare sker då skillnaden i vågtal, Ak (w) mellan vågledarna uppgår till 2 'If . Am

20. Anordning enligt patentkrav 19, k ä n n e t e c k - n a d d ä r a v, att en elektrod omfattar gemensamt.matade elektrodfingrar e.d.

21. Anordning enligt patentkrav 19, k ä n n e t e c k - n a d d ä r a v, att elektrodstrukturen omfattar separat matade elektrodfingrar e.d.

22. Anordning enligt patentkraven 19 eller 20, k ä n n e - t e c k n a d d ä r a v, att h : Am (h = 1, 2, ..., n) är så litet att elektrodstrukturen i sitt passiva tillstånd ej orsakar koppling.

23. Anordning enligt patentkrav 22, k ä n n e t e c k - n a d d ä r a v, att elektrodfingrarna kopplas gruppvis så att varje elektrodfinger i själva verket omfattar ett antal elektrodfingrar (an, an, au, au; an, an, ag, au; ...; bn, bn: hu: bur' bzu bzz: bzs: hu? ---)-

24. Anordning enligt något av föregående patentkrav, k ä n- n e t e c k n a d d ä r a v, att den bildar ett reflek- tionsfilter.

25. Anordning enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v, att den bildar ett transmissionsfilter.