SE446681B - Polyitisk kristallbandpassfiltersektion - Google Patents
Polyitisk kristallbandpassfiltersektionInfo
- Publication number
- SE446681B SE446681B SE8005619A SE8005619A SE446681B SE 446681 B SE446681 B SE 446681B SE 8005619 A SE8005619 A SE 8005619A SE 8005619 A SE8005619 A SE 8005619A SE 446681 B SE446681 B SE 446681B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- electrodes
- crystal
- filter
- bandpass filter
- section according
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 56
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 17
- 230000004044 response Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 2
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 2
- 101150004219 MCR1 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000220010 Rhode Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003012 network analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/542—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material including passive elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
446 681
för praktiska tillämpningar till följd av problem med
impedansomvandlarna och överbryggningselementen orsakade
av ineffektiv energilagring eller lågt godhetstal, Q, hos
praktiska induktanser. Exempelvis försämras funktionen vä-
sentligt till följd av de Q-värden som aktuella komponen-
ter uppvisar.
Föreliggande uppfinning hänför sig allmänt till ett
filter av Rhodes-typ, i vilket en unik transformation ut-
nyttjas för att eliminera problem i samband med överbrygg-
nings- och inverterarinduktanser. Vid ett typiskt filter
av Rhodes-typ visar datoranalyser att för överbryggnings-
och inverterarinduktanserna krävs Q-värden överstigande
200 för erhållande av acceptabel funktion. Till följd av
storleks- och viktbegränsningar är det opraktiskt att ut-
nyttja induktanser av denna storleksordning. Vidare kommer
egenresonansfrekvensen hos induktanserna att vara av stor-
leksordningen 8 - 12 MHz, vilket är oacceptabelt lågt.
Problemen med dessa induktanser löses medelst före-
liggande uppfinning genom utnyttjandet av en unik trans-
formation för att eliminera de störande elementen. Enligt
uppfinningen inkluderas de externa inverterarna i kristal-
len genom att överbryggningsinduktanserna utbytes mot kapa-
citanser.
Föreliggande uppfinning hänför sig till en polylitisk
kristallbandpassfiltersektion med transmissionsnollpunkter,
innefattande åtminstone ett filterelement med första och
andra på inbördes avstånd belägna elektroder, anordnade
på en yta därav, och tredje och fjärde på inbördes avstånd
belägna elektroder, anordnade på motsatt yta av nämnda
element, vilken karakteriseras av att den dessutom inne-
fattar en överbryggande kapacitans kopplad mellan nämnda
första och fjärde elektroder och en shuntkapacitans, som
förbinder nämnda andra och tredje elektroder med en refiaæns-
446 681
potential, och att nämnda andra och tredje elektroder
är sammankopplade, varvid nämnda första och fjärde
elektroder utgör dfilterelementets ingângs- resp. ut-
gångsanslutningar.
övriga kännetecken för uppfinningen framgår av
patentkraven.
Uppfinningen beskrives närmare nedan under hän-
visning till ritningarna, på vilka samma beteckningar av-
ser motsvarande komponenter.
Pig. 1 visar schematiskt ett monolitiskt kristall-
filterelement eller -enhet av dubbelresonatortyp.
Fig. 2_är en med filterenheten i fig. 1 ekvivalent
bandpasstegkrets.
Fig. 3 är en mot filterenheten enligt fig. 2 svaran-
de lågpasstegprototyp.
Fig. 4 är ett schema över det resulterande bandpass-
nätet av Rhodes-typ efter genomförande av lågpass-bandpass-
transformation.
Fig. 5 är kurvor visande frekvens- och gruppfördröj-
ningssvaret hos nätet enligt fig. 4.
Fig. 6 visar en nätverksomvandling av stegprototypen
i figl 3 eller en av de monolitiska kristallfilterenheterna
1 fig. 4,
Fig. 7, 8, 9 och 10 är kretsscheman illustrerande
de steg som krävs vid transformering av nätverket i fig. 6
446 681
4
till en ekvivalent krets med inverterarna inkluderade i den
monolitiska enheten.
sig. 11 illustrerar det omvanalade natet i tig. s,
vilket har utförts för att kunna bilda ett överbryggat T-nät.
Fig. 12 är det mot fig. ll svarande överbryggade
T-nätet efter det att de kapacitiva inverterarna har inklude-
rats i den monolitiska enheten.
Fig. 13 är ett kretsschema över det slutliga omvand-
lade polylitiska kristallbandpassfilternätet.
Fig. 14 är kurvor visande amplitudsvaret hos band-
passfiltret enligt fig. 13 för både oändliga och ändliga
Q-värden, samt ur jämförelsesynpunkt även svaret hos den
"-ursprungliga modellen enligt fig. 4 med praktiska Q-värden.
Fig. 15 är kurvor visande ändringen i bandpass-
fluktuation för en ändring hos en rörlig induktans, L, och
en kapacitans, C, på ÉZO ppm.
Fig. 16 är ett schema över det fysiska utförandet
av de monolitiska kristallfilterelementen för erhållande av
en krets enligt fig. 13.
Det är sedan länge känt att utnyttja kvartskristall-
resonatorer som filter. Det finns många olika typer av filter
som utnyttjar piezoelektriska anordningar, i vilka tvâ eller
flera elektrodpar är anordnade på samma kvartsplatta på den
ena eller båda sidorna av denna. Genom påläggande av en
potentialskillnad över elektroderna exiteras kvartsen till en
mekanisk resonansmod.
Det monolitiska kristallfiltret är speciellt använd-
bart i filtertillämpningar på grund av låg kostnad, små
dimensioner och låg vikt. Eftersom den är passiv, kräver
den vidare ej någon effekt och ger mycket selektiva filter-
funktioner. Dubbelresonatorer eller filter med delade
elektroder utnyttjar en första eller ett ingångspar av
elektroder, monterade på motsatta ytor hos kristallskivan
för bildande av en primär eller ingângsresonator. En andra
resonator bildas av två ytterligare elektroder, vilka är
belägna på avstånd från den första uppsättningen elektroder
och monterade på motsatta ytor hos samma kristallskiva.
446 681
D
Beroende på det sätt på vilket dessa elektroder är saman-
kopplade och de diskreta reaktiva kretselementen som åstad-
kommer yttre förbindningar av olika elektroder erhålls
olika typer av filter med varierande karakteristikor. Vissa
av filtren är begränsade till bandpasskarakteristikor, medan
andra åstadkommer bandspärrning.
Det är allmän praxis vid konstruktion av bandpass-
filter att för att reducera komplexiteten specificera en
lågpassöverföringsfunktion som tillfredsställer önskade värden
och att sammanställa ett icke fysiskt lågpassprototypnät
från överföringsfunktionen. Detta nät kan sedan transforme-
ras till ett fysikt realiserbart bandpassnät innehållande
ikristallelement medelst en lämplig lågpass-bandpass-
transformation som är välkänd inom detta område.
I det amerikanska patentet 4 028 647 beskrivs ett
tvåpoligt monolitiskt bandpassfilter med ändliga dämpnings-
poler eller transmissionsnollpunkter belägna på den imagi-
nära axeln. Dessa sektioner utgör matematiska transforma-
tioner av klassiska Brune-sektioner och kan endast reali-
sera en minimifasfilterkonfiguration. Detta innebär, att man
för uppnâende av fördröjningsutjämning mäste tillägga en
fördröjningsutjämnare till nätet.
Det filter av icke-minimumfastyp som utvecklats av
J.D. Rhodes och diskuterats ovan ger såsom beskrivs i en
artikel med titeln "A Low Pass Prototype Network for
Microwave Linear Phase Filters" IEEE Transactions on
Microwave Theory and Techniques, MTT-18, p. 290-301,
juni 1970, optimerade amplitud- och fassvar vid funktioner
av lägreordning och utan utnyttjandet av extra utjämnare.
Fastän de teoretiska resultaten är enastående, kan praktiska
modeller för speciella tillämpningngsåsom användning i sam-
band med satelliter, ej realiseras på grund av att
funktionen allvarligt försämras till följd av Q-värdena hos
aktuella komponenter.
De konstruktionskrav som illustreras i tabell I är
representativa för dem som krävs för en 25 kHz datakanal i
en typisk satellit. Dessa kan inte uppnås med en praktisk
446 681
6
modell av ett filter av Rhodes-typ.
TABELL I
Mittfrekvens 23 MHz
0,5 dB BW 24,6 kHz 1” 1 kHz
10 dB BW 35 kHz Max.
30 dB BW 55 kHz Max.
Passbandpulsation 0,15 dB över fc f 10 kHz
Faslinearitet É 5,0° över fc 1 10 kHz
Införingsförlust 2,5 dB Max.
Problemen som orsakas av de verkliga komponenternas
Q-värden kan emellertid elimineras genom utnyttjande av en
lämplig transformation som eliminerar de störande elementen
och återställer funktionen till att i det närmaste motsvara-
den teoretiska. Denna transformation och syntes av filtret
utnyttjar kaskadsyntesteknik anpassad för monolitiska kristall-
filter av Dillon och Lind, såsom anges i en artikel med ti-
teln “Cascade Synthesis of Polylithic Crystal Filters
Containing Double Resonator Monolithic Crystal Filter (MCF)
Elements", IEEE Transactions on Circuits and Systems, CAS-23,
p. 146-154, mars 1976.
Dessa tidigare kända tekniker medgav emellertid ej
realiserandet av praktiska C-sektioner av Darlington-typ av
monolitiska kristallfilter. '
I fig. l visas en representation av ett monolitiskt
kristallfilterelement av dubbelresonatortyp. Första och andra
på inbördes avstånd belägna elektroder 12 och 16 är monterade
på en yta 15 hos kristallelementet 10, medan tredje och
fjärde på inbördes avstånd belägna elektroder 14 och 18 är
monterade på den motsatta ytan 17 hos kristallelementet 10
och mitt för de första och andra elektroderna 12 resp. 16.
Var och en av elektroderna 12, 14, 16 och 18 är förbunden med
en ledare 2, 4, 6 resp. 8. Kristallelementet 10 kan utgöras
af en piezoelektrisk kristallin substans, varvid ett lämpligt
exempel är kvarts.
44skea1-
7
Elektroderna 12, 14, 16 och 18 kan vara av vilken som
helst lämplig typ, såsom av guld, och ha formen av rektangulä-
ra plattor, påângade på kristallkroppen 10. Ett lämpligt
exempel på en kristallkropp är en AT-skuren kristall fastän
andra typer, såsom en BT-skuren kristall, även kan utnyttjas.
Med utnyttjande av metoden som beskrivs i det amerikanska
patentet 3 564 463 kan fackmannen justera dimensionerna, massan
och avståndet mellan resonatorerna eller elektroderna för
erhållande av ett kristallelement som, då det kopplas på
korrekt sätt med diskreta, yttre reaktiva element, ger den
önskade kopplingen i enlighet med den elektriska ekvivalenta
krets som visas inom de streckade linjerna 24 eller 26 i
fig. 13.
Fig. 2 illustrerar den ekvivalenta stegkretsen för
det monolitiska kristallfilterelementet enligt fig. 1. De två
serieresonanskretsarna formade av induktanserna L och kapaci-
tanserna C representerar de elektriska ekvivalenterna för
resonatorerna som bildas av elektrodparen l2 och 14 resp. 16
och 18 tillsammans med kristallelementet 10, om dessa resona-
torer ej var inbördes kopplade och ej samverkade. Den kapa-
citiva T-kretsen 20, som bildas av kondensatorerna Cm i tvär-
armarna och shuntkondensatorn -Cm i den vertikala armen, ut-
gör ett kopplingsnät, som representerar den elektriska ekvi-
valenten för den akustiska kopplingen och fasskiftningen
mellan resonatorn bildad av elektroderna 12 och 14 och re-
sonatorn bildad av elektroderna 16 och 18. T-sektionen 20
utgör den centrala immitansinverteraren (immitans står för
både impedans och admflrans) och kan även representeras såsom
ett T av induktanser. Kapacitansen C representerar den
elektriska ekvivalenten för den statgska eller mellanelektrod-
kapacitansen över varje resonator till följd av elektrodernas
begränsade yta. Den ekvivalenta elektriska kretsen för
kristallfiltret visas i fig. 2 och representerar en sektion
med bandpassfilterfunktion.
Fig. 3 är ett kretsschema över en icke fysisk proto-
typ av en lågpasstegrepresentation av den monolitiska
r
446 681
8
kristallfilteranordningen med dubbla resonatorer som visas
i fig. 2. Cirklarna är frekvenskonstanta reaktanser och den
monolitiska kristallfiltersektionen av lâgpasstyp är shuntad
av ett reaktivt element, -jX, som kan vara induktivt eller
kapacitivt och vilket alstrar ett par reella frekvenstrans-
missionsnollpunkter_eller resonanser. Utsignalen från nämnda
sektion kopplas till ett konstant K-lâgpassfilter eller
inverterarsektion 22. Kretsen enligt fig. 3 ger utomordent-
liga teoretiska resultat. Praktiska modeller för tillämpning
i t.ex. satelliter kan emellertid ej realiseras, eftersom
datoranalyser visar, att Q-värdet för överbryggningsinduk-
tansen, jB, resp. inverterarinduktansen, -jX, hos K-sektionen
imâste vara av storleksordningen 200 eller större för er-
hållande av acceptabel funktion. Till följd av storleks- och
viktbegränsningar är det opraktiskt att utnyttja induktanser
av denna storlek. Vidare är egenresonansfrekvensen hos in-
duktanserna av storleksordningen 8-12 MHz, vilket är oaccep-
tabelt lågt för dessa tillämpningar. Ett mycket allvarligt
problem med detta nät är vidare en snedställning av pass-
bandet på 0,8 dB, orsakad av de yttre inverterarna och mono-
litiska överbryggningselement, då Q-värden hos praktiska
element utnyttjas. Detta visas medelst kurva A i fig. 14 och
beror av resistansen som tillhör det induktiva Q-värdet,
som medför att funktionen hos inverteraren avviker allt för
mycket från idealet och resulterar i impedansmissanpassning
hos filtret¿p_ _
Problemen i samband med dessa induktanser övervinns
med utnyttjande av en unik transformation för att eliminera
de störande elementen. I grunden konstrueras filtret genom
införande av yttre inverterare i den monolitiska kristall-
resonatorn och genom att ändra överbryggningsínduktanserna
till kapacitanser. Det resulterande nätet undviker alla
induktanser och eliminerar oväntat och för första gången
samtliga problem som hör samman med kretsen enligt fig. 3.
En ytterligare fördel som erhålls vid utnyttjande
av överbryggningskondensator i stället för induktans är
446 681
9
att det medger införande av strökapacitanser i kristall-
resonatorn, medan en induktans endast skulle bilda en av-
stämd krets med strökapacitansen, vilket skulle försämra
de önskade arbetskarakteristikorna.
Varje monolitisk kristallfiltersektion har reali-
serade dämpningspoler eller transmissionsnollpunkter på den
reella axeln och utgör ett monolitiskt kristallfilterutförande
av den klassiska C-sektionen av Darlington-typ. Med dessa
sektioner kan ett praktiskt filter av icke-minimumfastyp
åstadkommas, exempelvis ett filter av Rhodes-typ.
Syntesen av nätet enligt fig. 3 sker medelst kaskad-
syntes. Detta representerar en nollpunktsavlägsnande typ av
,syntes, vid vilken samtliga element för en nollpunkts-
alstrande sektion avlägsnas från nätets ingångsadmittans vid
en tidpunkt. Filter av Rhodes-typ specificeras av en para-
meter A, vilken hänför sig till bandpassfluktuationer, fas-
linearitet och filterbranthet och, n, filtergrad. över-
föringsfunktionen för ett filter av Rhodes-typ av sjätte
graden och med A = l,0 är:
s = 5,120 - s,127p2 + 0,599 p4
12 5 1 2 3 4 s
, zo+zs,4ssp+ss,2o3p +so,69sp +14,9ssp +44,743p
+17,2o2p6
Detta ger två par ändliga transmissionsnollpunkter vid
p = i 1,074 (p =O'+ jGO, där O' representerar den reella axeln
och j a>representerar den imaginära axeln) och p = i 2,722 samt
ytterligare ett par i oändligheten. överföringsfunktionen är
frekvensnormaliserad för att uppvisa en förlust på 0,5 dB vid
cu= 1,0 rad/S. S11 erhålls från S12 på följande sätt:
2 2
S11 = 1 " S12 = S11(P)S11(”P) = 1 ' 512(P)S12("P)
och
Sll(p)Sll(-p) =
4
+117,92p6+399,1ep8+s76,77p1°+29s,9ipf2
6+399,szp8+576,77pl°+29s,91pl2
o,ooe7+o,56ip2+14,52sp
26,22-s1,94p2+46,9sp4+111,7sp
446 681
lo
varvid: d
2 4 6
sll(p) = o,oo47s+o,2oop +o,97sp +P
o,29s+1,4sop+3,3s3p2+4,s91p3+4,3s7p4+
+2,6o1p5+p6
Yll, nätets ingângsadmittanq erhålls nu från S11:
1 - S
Y11 = ---ÄÄ
1 + sll
och
Y11 =
0,z93+1,4sop+3,1s4p2+4,691p3+3,3a2p4+2,eo1p5
o,3oz+1,4sop+3,ss3p2+4,e91p3+s,332p4+2,so1p5+2p6
För att fortsätta med syntesen extraheras nu lågpass-
Kelementen. Med början vid nollpunkterna vid p = f 2,72l79 av-
lägsnas dessa medelst en C-sektion av Darlington-typ, vilken
har följande överföringsmatriszr
l 1 + apz bp
*p cp l+dp2
där
Y «ro> -6¿Y- «s¿>
e' 2 .
O [Y «So»«5¿Y
al:
446 681
11
b = 2
O; [Y (so) -oosr (sofl
C = 2Y2(oš)
Ci, Br «q¿> +
d = Y «:¿> +cS¿Y'
.Gjf [Y (so) -GOW 60)]
.och Y «S;) är ingångsadmittansen bestämd vid<5; och Y' «5;)
är derivatan av ingångsadmittansen bestämd vidCfl3.
Vid extraheting av denna sektion blir a-, b-, c- och
d-parametrarna:
a = l,28094 b = 0,9442l
c = 1,6576 d = 0,0l4225
från vilka värdena för den monolitiska kristallfiltersektionen
av lågpasstyp blir:
L = 'a =o,77z7e6
c
s = '° = o,139e2s
“ß Jrdoznll/z
_a1/2
xl = = o,ss27a
C
2
:<1 = 1 “'50 a = o,7s4737
2 l/2
GO a
Den återstående ingångsadmittansen, efter extraktion
av denna sektion, representeras av
446 681
12
_ A' Y (p) - c'
Y22 _ ______________
D' - B' (P)
där
A' = l + apz B' = p
c' = cp D' = 1 + dpz
Fortsättning:
o 3214 + 1 0736 + 1 3005 2 + 3
Yzz __: r I P r P P
0,193? + o,77osp + 1,4ssp2 + 1,3oosp3 + P4
vilket efter normalisering till lämpligt likströmsvärde blir:
Y22 = o,3z14 + 1,o73sp + 1,3oosp2 + P3
o,331a + 1,32o2p + 2,492ap2 + z,2zsop3 + 1,7131p4
Extraktion av nollpunkterna vid p = f l,0743 sker
pâ ett liknande sätt och ger följande elementvärden:
L2 = l,7876 B2 = -0,l9278
X2 =-0,847l K2 = l,0ll97
Den återstående ingångsaåmittansen blir åter efter
normalisering:
Y _ o,968e + o,744ap
33
1 + 1,so79p + 1,1s9sp2
vilket endast innehåller nollpunkterna i oändligheten. Dessa
avlägsnas'genom extraktion av en kombination av en serie-
induktans och en shuntkapacitans. De monolitiska kristallfil-
terelementen av lågpasstyp för denna sektion blir därvid:
L3 = L = 1,5s6s B3 = o
_L1/2
x3 _ _ 1,44sa K3 _ -x3 = 1,44ss
c
och den återstående ingångsadmittansen blir
Y44 = 0,9686
vilket är nätets avslutningsadmittans. Det slutliga lågpass-
446 681
13
nätet transformeras till det ursprungliga bandpassnätet
visat i fig. 4 efter tillämpning av lâgpass-bandpasstrans-
formation. Frekvens- och gruppfördröjningssvaret hos detta
nät visas i fig. 5 för oändliga Q-värden.
Kretsvärdena för det ursprungliga nätet enligt fig.
4 återfinns 1 tabell II nedan, varvid MCF står för mono-
litiskt kristallfilter (Monolithic Crystal Filter).
TABELL II
Rs = 50051 RL= 5l6,22(2 f0= 23,25 MHz BW0'5=24,5_kHz
MCF l MCF 2 MCF 3
Ll = ll,70388 mH L2 = ll,708938 mH L3 = 1l,70333 mH
.Cl = 4 mpF C2 = 4 mpF C3 = 4 mpF
Cm = 4,300l7pF Cm = 8,0l4llpF Cm = 4,09l396pF
1 2 3
Kretsvärden
L = 114 303456 H C = 0 409954 pF
Bl I ß' I
LB2 = 35,8953l8 /uH CB2 = l,305438 pF
LK = 7,39D8769/di CK = 6,340l33 pF
0 0
L" = 7,92l389 H C = 5,9l552 pF
“i /u Kl
LK2 = 7,48285/un CK2 = 6,2622 pF
L = 7 52842 C = 6 22429 pF
KB I /ÅH I
Fastän detta nät utfört såsom visats i fig. 4
teoretiskt får ett utmärkt svar, speciellt gruppfördröj-
ningssvar, är det behäftat med ett flertal allvarliga nack-
delar och kan ej realiseras 1 form av ett praktiskt nät.
Främst bland dessa problem är en snedställning av pass-
bandet på 0,8 dB orsakad av inverterarna och de mono-
litiska överbryggningselementen, då element med praktiska
446 681
14
Q-värden utnyttjas. Detta visas i fig. 14 och är ett resultat
av att resistansen samhörande med det induktiva Q-värdet
bringar funktionen hos inverteraren att avvika för mycket från
det ideala, vilket resulterar i impedansmissanpassning i
filtret. Ett annat huvudproblem är att överbryggningsinduk-
'tansvärdena är allt för höga för detta frekvensområde.
Praktiska komponenter inom detta frekvensområde har en egen-
resonansfrekvens på 8-12 MHz, vilket är väl under filtrets
mittfrekvens. För att övervinna dessa problem utförs en
transformation som resulterar i att immitansinverterarelemen-
ten, LK, CK, inkluderas i de monolitiska elementen och att de
monolitiska överbryggningsinduktanserna, LB, omvandlas till
~kapacitanser.
Transformationen börjar med impedansskalning av nätet,
så att alla yttre inverterare får samma elementvärden.
Impedansskalning är välkänd inom detta område, såsom
framgår av artikeln "Bandpass Crystal Filter by Transforma-
_tïon of Lowpass Laddar? IEEE Transaction on Circuit Theory,
CT-15, p. 492-494, december 1968, av A.C.J. Holt och R.L.
Gray. Inverterarna omvandlas sedan till den ekvivalenta
kapacitiva T-formen med negativa seriearmar och ett positivt
shuntben för att medge att de absorberas i det monolitiska
elementet. Det monolitiska elementet är, såsom framgår av fig.
3, väsentligen uppbyggt av två parallella inverterare,
¶Hnätet av jB-element och T-nätet av jX-element. Det är möj-
ligt att genom teckenändring hos samtliga element i var och
en av dessa parallella inverterare ersätta överbryggnings-
induktansen, LB i fig. 4, med en kapacitans. Detta har den
nettoeffekten, att fasförhållandet i varje inverterare
ändras med l80° med bibehållande av fasförhâllandet genom
filtret.
För absorbtion av inverterarna i det monolitiska
elementet är det nödvändigt att omvandla stegformen hos de
monolitiska elementen, såsom visas av det monolitiska
kristallfiltret i fig. 4, till det ekvivalenta nätverket,
såsom visas i fig. 6. Den horisontella armen i fig. 6
446 681
15
betecknas arm A och diagonalarmen betecknas arm B.
Först införs shuntkapacitansen CB i nätet och place-
ras den parallellt med varje arm, såsom visas i fig. 7. I
arm A har nu, såsom framgår av fig. 7, den övre kapacitansen
Cl ett värde representerat av följande ekvation:
c = 2cB - c
l B
I arm B har kapacitansen C'm följande värde:
C'm = -Cm(Cm/2)
cm - cm/2
Därefter placeras kapacitansen som representerar
kapacitansen hos det konstanta K-elementet i serie med varje
arm och arrangemanget med parallella element konverteras
till ett serie-parallellarrangemang, såsom visas i fig. 8 för
arm B. I fig. 8 har elementen följande värden:
C' 2
Ll = Lm m ,
I _
C m CB
C2 = Cmcß och
Cà - CB
C3f=-C¿ - CB
Kapacitansen -CK kombineras sedan, såsom visas i fig.
8, på vanligt sätt med kapacitansen C3 och nätet âteromvand-
las sedan till parallell form, såsom visas i fig. 9. I fig. 9
har elementen följande värden:
446 681
16
I-v-fl- 2
_ c + c'
Lz - L1 2 3
I
C3
iík
där
cå = 'cacx
c3 - cK
C4 =a (Cå)2 och
cå + c2
c5 = Czcå
c2 + cå
För de såsom exempel givna värdena är
= ll,7038 mH
4 4mpF
C5 = -0,4099 pF
n.
II
Samma procedur genomgås sedan avseende arm A, såsom
visas i fig. 7.
Vid denna punkt införs en tillräcklig kapacitans,
Co, för att göra CS i fig. 9 positiv i båda armarna från den
återstående shuntkapacitansen CK hos inverteraren. Arm B om-
vandlas sedan till ett serie-parallellarrangemang ytterligare
en gång med-seriearmen uppdelad i tvâ kapacitanser, såsom vi-
sas i fig. 10. I fig. 10 har kretselementen följande värden:
C = C + C
6 s 0
c9 = Lac? ' CV L3Lm
L3 - Lm
nen clo = Cscs
. C9 ' Cs
446 681
11
Värdena för C7 och C8 bestäms av de standardtransformationer
som är välkända inom detta område. C9 väljs så att, då
L3, C7 och C9 återomvandlas till parallellform, det resulte-
rande rörliga L-värdet blir lika med A-armens värde, som er-
hålls i det monolitiska nätet som visas i fig. ll.
Det är möjligt att placera kapacitansen C10 i serie
med det monolitiska nätverket genom en transformation som
beskrivs av Weinberg i en artikel med titeln "Network
Analysis and Synthesisfi McGraw-Hill Book Company, p. 87-88,
1962. Denna transformation kräver en ideal transformator
för att förhindra kortslutning av en av seriearmarna i nät-
verket. Genom omvandling av det återstående nätverket till
ekvivalent obalanserad form kan transformatorn elimineras.
Därpå avlägsnas först en kapacitans lika med C12 i fig. ll
från båda armarna för åstadkomande av erforderlig kapaci-
tans hos det monolitiska elementet. Nätverket är sedan oba-
' lanserat till den ekvivalenta överbryggade T-formen.
Det resulterande nätverket visas i fig. 12, där:
cl3 = CÖ “ C12
2
cl4 = Cm C11 een
C' ' C11
c
15 f CK ' C12
Värdena på C11 och C12 bestäms även av standardtransforma-
tioner som är välkända inom denna teknik. Sedan samtliga
inverterare har absorberats och det monolitiska elementet
har impedansskalats för lämpliga rörliga L- och C-värden,
kan ett flertal av de monolitiska elementen sammankopplas
för åstadkommande av ett slutligt transformerat polylitiskt
bandpassfilter, såsom visas i fig. 13.
Kretsvärdena för det transformerade bandpassfiltret
i fig. 13 återfinns i tabell III nedan, varvid MCF åter
står för monolitiskt kristallfilter (Monolithic Crystal
Fi1ter):
446 681
18
Tabell III
RS = 75042- fo = 23,25 MHz
RL = s6s,9s11.$1. 3 BWO 5 = 24,5 knz
Mcr 1 ncF 2 MCF 3
LX = 9,923s7 mn LX = 9,954? mn LX = 13,11s2ss mn
1 2 3
cx = 4,73o379 mpr cx = 4,71316 mpr c = 3,471833 mpr
1 2 X3
c = 1,5198s pr c = 3,93638 pr fc = o,8o3662 pr
ol 02 03
0 cM = 6,1748 pr cM = 11,os737 pr c = 3,65o9269 pr
- M
1 2 3
cs = 17,6725 pr cs = 16,44e919 pr
1 ' 2
Kretskomgonentvärden
Ll2=-9,os1939/un cßl = o,3o1o1 pr cl = 3,5 pr
cB = o,4o129s7 PF cz = o,s73o34 pr
2
c3 = s,1766966 pr
Som bäst framgår av fig. 13, förekommer ingen kopp-
lingskapacitans mellan de monolitiska enheterna 24 och 26.
För den speciella mittfrekvensen, fo, och bandpasskraven på
nätet visat i fig. 13 reduceras värdet hos kapacitansen till
0, varför denna således ej visas. I allmänhet utnyttjas emel-
lertid en shuntkapacitans med lämpligt värde, som bestäms
medelst välkänd konstruktionsteknik, för att koppla det
monolitiska kristallfiltret 24 till filtret 26 för att eli-
minera varje strökapacitans.
Amplitudsvaret hos filtret i fig. 13 med både oänd-
ligt Q-värde, kurva C, och ändligt Q-värde;- kurva B, visas
i fig. 14. Ändliga Q-värden är 70.000 för resonatorer och
2.000 för samtliga kondensatorer i nätet och 50 för ingångs-
och utgângsimpedansanpassande induktanser, Ll. Ur jämförelse-
synpunkt visas även kurva A, vilken såsom angivits tidigare
446 681
19
utgör svaret för den ursprungliga modellen som visas i fig. 4
med praktiska Q-värden. Som framgår av figurerna och nämnda
data, som sumeras i tabell III, kommer med undantag för en
liten rundning av hörnen och införingsförlusten svaret hos
den transformerade modellen, kurva B, att vara nästan iden-
tiskt med den teoretiska modellen, kurva C. Datoranalyser
har även visat, att modellen är relativt okänslig för
komponent- och kristallfrekvenstoleranser. Fig. 15 visar,
att för en ändring av det rörliga L och C av storleksord-
ningen plus eller minus 20 ppm ökar endast passbandsfluktu-
ationen approximativt 0,04 dB. Till följd av att transforma-
tionen är exakt följer vidare ingen av de vanliga smal-
~bandsapproximationerna och de av dessa åtföljda onoggrann-
heterna.
Parametrarna hos filtret som erhålls som ett resul-
tat av transformationen jämförde med den teoretiska modellen
med oändligt Q-värde och den ursprungliga modellen med
praktiskt Q-värde illustreras i tabell IV:
TABELL IV
SUMMERING AV RESULTAT
Ursprunglig
modell och
transformerad Ursprunglig Transformerad
modell modell modell
Parametrar oändligt Q-värde praktiskt Q-värde praktiskt Q-värde
0,5 dB BW 24,460 kHz 18,909 kHz 23,917 kHz '
10 dB “ W 52,503 kHz 32,735 kHz 32,675 kHz
30 dB BW _ 52,287 kHz 53,106 kHz 53,082 kHz
Fluktuation
:t 10 kHz 0,011 as 0,786 as 0,069 ds
Fasiinearitet i0,650° .t0,61a° ïo,630°
Införings-
förlust 0,0 dB 1,235 dB 0,577 dB
Fig. 16 visar de fysiska förbindningarna mellan varje
monolitiskt kristálfilterelement, som krävs för åstadkommande
av det nya bandpassfiltret som visas i fig. 13. Filternätet
visat i fig. 16 utgör endast en representativ utföringsform
av föreliggande uppfinning och andra utföranden utnyttjande
samma konstruktionsteknik är möjliga. I fig. 16 är vart och
446 681
20
ett av de monolitiska elementen 24, 26 och 28 försett med
elektroder 12, 14, 16 och 18. De monolitiska elementen 24 och
26 har vardera en överbryggningskapacitans, CB och CB ,
elektriskt inkopplad mellan elektroderna 12 1 och 18? där
CB = C13 i fig. 12. De har även en shuntkapacitans, CS och
CS , elektriskt inkopplad mellan referenspotentialen för
filtret och en förbindning mellan elektroderna 14 och 16, där
CS =2Cl0 i fig. 12. En energikälla 30 avger en insignal till
nätet via dess egen inre resistans 32, en impedansanpassande
ingângsinduktans Ll och ingångskapacitans Cl. Utsignalen
från det andra monolitiska kristallfilterelementet 22 kopp-
las via en shuntkapacitans C2 till det tredje monolitiska
åkristallfilterelementet 28. Utsignalen från filtret 28 kopp-
las via en.shuntkapacitans C3 till den impedansanpassande ut-
gångsinduktansen Ll och,belastningsresistansen RL.
Kapacitanserna Cl, C2 och C3 innefattar i praktiken
strökapacitansen vid ingången och utgången hos varje resona-
tor: Således innefattar exempelvis kapacitansen Cl i fig. 16
en inre ingångsströkapacitans CBl och en omedelbar parallell
yttre shuntkapacitans CKl. På samma sätt innefattar de andra
shuntkapacitanserna C2 och C3 i fig. 16 såväl som shuntkapaci-
tansen mellan de monolitiska kristallfiltren 24 och 26, som
ej är visad till följd av att den i detta speciella fall är
lika med 0, motsvarande strö- och yttre shuntkapacitanser
visade i fig. 4.
De negativa kapacitanserna, -CK, visade vid ingången
och utgången i fig. 12, har ersatts vid lämplig position av
induktanser, Ll, i fig. 13 och 16. Dessa induktanser för-
sämrar emellertid ej filtrets funktion, då resistansen sam-
hörande med dessas Q-värden absorberas i källan och belast-
ningen.
Ovan har således ett nytt och unikt bandpassfilter
beskrivits, vilket utnyttjar en unik transformation, som
oväntat elminerar problemen samhörande med överbryggande
och inverterande induktanser, som återfinns i teoretiska
filter av Rhodes-typ. I den unika transformerade kretsen ingår
446 681
21
de yttre inverterarna i den monolitiska kristallresonatorn
och ëverbryggningsinduktanserna har ändrats till kapacitan-
ser, vilket oväntat och framgângsrikzgör filtret enligt upp-
finningen speciellt användbart för tillämpningar som kräver
exakta bandpassfilter, såsom i satellitkomunikationsutrust-
ningar och liknande tillämpningar, på ett signifikant mer
praktiskt sätt och med lägre effektförbrukning än vad som
varit möjligt med tidigare kända anordningar. Dagens satellit-
system innefattar från 30 till 60 kanaler, innehållande ett
flertal filter med hög prestanda per kanal, vilka kräver av-
sevärd konstruktionstid och stringent produktionsstyrning.
Det häri beskrivna unika filtret är enkelt till sin uppbygg-
"nad och reducerar i hög grad kravet på stringent produktions-
kontroll. Andra fördelar och tekniska effekter som uppnås
medelst uppfinningen i jämförelse med känd teknik innefattar:
a) förenklad kretsuppbyggnad,
b) lägre kostnad för både komponenter och tillverk-
ning,
c) vikt- och storleksreduktion,
d) förenkling av konstruktion, tillverkning och
paketering, och
e) eliminering av krav på fördröjningsutjämnare.
Dessa fördelar och tekniska effekter uppnås speciellt till
följd av elimineringen av induktanser. Dessa nya egenskaper
och fördelar är speciellt användbara i rymdkdmmunikations-
tillämpningar, där solenergi utnyttjas, tillgängligt utrymme
är kritiskt och vikt- och storleksreduktioner är betydelse-
fulla.
Fastän uppfinningen har beskrivits i samband med en
föredragen utföringsform, är uppfinningen ej begränsad till
den speciella form som beskrivits. Tvärtom är avsikten att
täcka alla sådana alternativ, modifikationer och ekvivalenter
som faller inom uppfinningens ram, såsom denna definieras i
patentkraven.
Claims (11)
- l. Polylitisk kristallbandpassfiltersektion med transmis- sionsnollpunkter, innefattande åtminstone ett filterelement med första och andra på inbördes avstånd belägna elektroder, anordnade påen1yta därav, och tredje och fjärde på inbördes avstånd belägna elektroder, anordnade på motsatt yta av nämn- da element, k ä n n e t e c k n a d av att den dessutom innefattar en överbryggande kapacitans (CBI, CB2) kopplad mel- lan nämnda första (12) och fjärde (18) elektroder och en shunt- kapacitans (C51), som förbinder nämnda andra (15) och tredje in (14) elektroder med en referenspotential, och att nämnda and- ra och tredje elektroder är sammankopplade, varvid nämnda första (12) och fjärde elektroder (18) utgör filterelementets' ingångs- resp. utgångsanslutningar. g
- 2. Bandpassfiltersektion enligt krav l,(k ä n n e- lt e c k n a d -av att kristallfilterelementet utgörs av en kvarumristall (24, 26, 28).
- 3. Bandpassfiltersektion enligt krav 2, k ä n n e- t e c k n a d av att nämnda kvartskristall är en AT-skuren kristall (24, 26, 28).
- 4. Bandpassfiltersektion enligt krav 3, k ä n n e- t e c k n a d av att nämnda elektroder (12, 14, l6, l8) ut- göres av guldskivor, som är påångade på nämnda kristallkropp ' (24, 26, 28).»
- 5. Bandpassfiltersektion enligt krav 4, k ä n n e- t e c k n a d av att nämdna första och tredje elektroder (12, 16) och nämnda andra och fjärde elektroder (14, 18) var- dera bildar ett elektrodpar belägna på varandra på motsatta ytor av nämnda kristall (24, 26, 28).
- 6. Bandpassfiltersektion enligt krav- l, k ä n n e- t e c k n a d av att den uppvisar reella och imaginära mate- matiska axlar och ett par realiserade transmissionsnollpunkter på den reella axeln. _
- 7. Bandpassfiltersektion enligt krav l, k ä n n e- t e c k n a d av att den dessutom innefattar shuntkapacitan- ser (Cl, C2) vid filterelementes ingång och utgång, vilka 446 681 23 innefattar varje inre ingångs- och utgângsströkapacitans.
- 8. Bandpassfiltersektion enligt något av krav l-7, k ä n n e t e c k n a d av att den innefattar tvâ filter- element, organ för koppling av nämnda fjärde elektrod hos nämnda första element (24) till nämnda första elektrod hos nämnda andra element (26), varigenom utsignalen från nämnda första element kopplas som insignal till nämnda andra element, ett tredje monolitiskt kristallfilterelement (28) med första och andra på inbördes avstånd belägna elektroder (l2, 16) an- ordnade på elementets ena yta och tredje och fjärde på in- -.hördes avstånd belägna elektroder (14, 18) anordnade på mot- satt yta av elementet, organ för att elektriskt förbinda nämnda fjärde elektrod (18) hos nämnda andra element (26) med nämnda första elektrod (12) hos nämnda tredje element (28), varigenom utsignalen från nämnda andra element kopplas som insignal till nämnda tredje element, och organ för att elektriskt förbinda nämnda tredje och fjärde elektroder (14, 18) i nämnda tredje element (28) med en referenspotential, varigenom en belastning (Rl) kan inkopplas elektriskt mellan nämnda andra elektrod (16) hos nämnda tredje element (28) och en referens potential, varvid ett bandpassfilter erhålles.
- 9. Bandpassfiltersektion enligt krav 8, k ä n n e- t e c k n a-d av att en shuntkapacitans (CZ) är inkopplad mellan nämnda fiärde elektrod (18) hos nämnda andra monolitiska kristallfilterelement (26) och referenspotentialen.
- 10. Éandpassfiltersektflmienligt krav 8, k ä n n e t e c k- n a d av att en shuntkapacitans (CZ) är inkopplad mellan nämnda andra elektrod (l6) hos nämnda tredje monolitiska kri- stallelement (28) och referenspotentialen.
- ll. Bandpassfiltersektion enligt krav 8, k ä n n e- t e c k n a d av att en C-sektion av Darlington-typ har ex- traherats från var och en av nämnda första och andra monoli- tiska kristallfilterelement (24, 26) under syntesen, varigenom ett filter av icke-minimumfastyp erhålles.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/968,302 US4246554A (en) | 1978-12-11 | 1978-12-11 | Inductorless monolithic crystal filter network |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE8005619L SE8005619L (sv) | 1980-08-08 |
SE446681B true SE446681B (sv) | 1986-09-29 |
Family
ID=25514037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE8005619A SE446681B (sv) | 1978-12-11 | 1980-08-08 | Polyitisk kristallbandpassfiltersektion |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4246554A (sv) |
EP (1) | EP0020729B1 (sv) |
JP (1) | JPS55501046A (sv) |
BE (1) | BE880538A (sv) |
CA (1) | CA1149477A (sv) |
DK (1) | DK155065C (sv) |
GB (1) | GB2048011B (sv) |
IT (1) | IT1164777B (sv) |
SE (1) | SE446681B (sv) |
WO (1) | WO1980001226A1 (sv) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4790914A (en) * | 1985-09-30 | 1988-12-13 | The Dow Chemical Company | Electrolysis process using concentric tube membrane electrolytic cell |
US4784735A (en) * | 1986-11-25 | 1988-11-15 | The Dow Chemical Company | Concentric tube membrane electrolytic cell with an internal recycle device |
US5030934A (en) * | 1989-07-05 | 1991-07-09 | Motorola, Inc. | Crystal notch filter comprising discrete quartz crystals coupled to a trimmable RC bridging network |
JP3040035B2 (ja) * | 1992-09-18 | 2000-05-08 | ローム株式会社 | 中間周波増幅回路を備えた受信機 |
US20050093652A1 (en) * | 2003-10-31 | 2005-05-05 | Qing Ma | Size scaling of film bulk acoustic resonator (FBAR) filters using impedance transformer (IT) or balun |
US8692629B2 (en) * | 2008-05-23 | 2014-04-08 | Cornell University | Generation of high-frequency, high-power electrical signals from low-frequency, low-power lattice network structures as sources |
WO2012079038A2 (en) | 2010-12-10 | 2012-06-14 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method, system, and apparatus for resonator circuits and modulating resonators |
US9300038B2 (en) | 2010-12-10 | 2016-03-29 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method, system, and apparatus for resonator circuits and modulating resonators |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2248776A (en) * | 1938-07-28 | 1941-07-08 | Bell Telephone Labor Inc | Wave filter |
NL283486A (sv) * | 1961-09-22 | |||
US3437848A (en) * | 1964-09-24 | 1969-04-08 | Telefunken Patent | Piezoelectric plate filter |
US3564463A (en) * | 1966-04-11 | 1971-02-16 | Bell Telephone Labor Inc | Monolithic piezoelectric filter having mass loaded electrodes for resonation regions acoustically coupled together |
US3401275A (en) * | 1966-04-14 | 1968-09-10 | Clevite Corp | Composite resonator |
US3585537A (en) * | 1969-02-10 | 1971-06-15 | Bell Telephone Labor Inc | Electric wave filters |
GB1277614A (en) * | 1969-03-07 | 1972-06-14 | Standard Telephones Cables Ltd | An electromechanical resonator |
BE758421A (fr) * | 1969-11-06 | 1971-05-04 | Automatic Elect Lab | Filtre passe-bande a cristal polylithique, presentant des frequences polaires d'attenuation dans la bande d'arret inferieure |
US3613031A (en) * | 1969-12-15 | 1971-10-12 | Hughes Aircraft Co | Crystal ladder network having improved passband attenuation characteristic |
DE2001433C3 (de) * | 1970-01-07 | 1983-06-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka | Bandpaßfilter |
US3704443A (en) * | 1970-08-27 | 1972-11-28 | Us Navy | Hydrodynamic transducer |
US3716808A (en) * | 1971-05-20 | 1973-02-13 | Motorola Inc | Bandpass filter including monolithic crystal elements with resonating portions selected for symmetrical response |
US3704433A (en) * | 1971-05-27 | 1972-11-28 | Bell Telephone Labor Inc | Band-elimination filter |
US3723920A (en) * | 1971-06-24 | 1973-03-27 | Gte Automatic Electric Lab Inc | Crystal filter assembly |
JPS50142141A (sv) * | 1974-05-07 | 1975-11-15 | ||
US3947784A (en) * | 1974-09-19 | 1976-03-30 | Motorola, Inc. | Dual-coupled monolithic crystal element for modifying response of filter |
US4013982A (en) * | 1974-10-22 | 1977-03-22 | International Standard Electric Corporation | Piezoelectric crystal unit |
US3944951A (en) * | 1974-11-21 | 1976-03-16 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Monolithic crystal filter |
CA1041186A (en) * | 1976-04-28 | 1978-10-24 | Henry K. Yee | Monolithic crystal filters |
CA1101945A (en) * | 1977-04-15 | 1981-05-26 | Henry K. Yee | Single side band monolithic crystal filter |
-
1978
- 1978-12-11 US US05/968,302 patent/US4246554A/en not_active Expired - Lifetime
-
1979
- 1979-12-07 EP EP80900142A patent/EP0020729B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-12-07 WO PCT/US1979/001046 patent/WO1980001226A1/en active IP Right Grant
- 1979-12-07 GB GB8023455A patent/GB2048011B/en not_active Expired
- 1979-12-07 JP JP50020979A patent/JPS55501046A/ja active Pending
- 1979-12-11 IT IT51055/79A patent/IT1164777B/it active
- 1979-12-11 CA CA000341661A patent/CA1149477A/en not_active Expired
- 1979-12-11 BE BE0/198506A patent/BE880538A/fr not_active IP Right Cessation
-
1980
- 1980-08-08 SE SE8005619A patent/SE446681B/sv not_active IP Right Cessation
- 1980-08-11 DK DK345780A patent/DK155065C/da not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DK155065B (da) | 1989-01-30 |
EP0020729A4 (en) | 1981-05-15 |
EP0020729A1 (en) | 1981-01-07 |
EP0020729B1 (en) | 1990-09-26 |
JPS55501046A (sv) | 1980-11-27 |
SE8005619L (sv) | 1980-08-08 |
DK155065C (da) | 1989-07-03 |
GB2048011A (en) | 1980-12-03 |
CA1149477A (en) | 1983-07-05 |
BE880538A (fr) | 1980-06-11 |
WO1980001226A1 (en) | 1980-06-12 |
GB2048011B (en) | 1983-09-07 |
US4246554A (en) | 1981-01-20 |
IT1164777B (it) | 1987-04-15 |
DK345780A (da) | 1980-08-11 |
IT7951055A0 (it) | 1979-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9165101B2 (en) | Network synthesis design of microwave acoustic wave filters | |
US5430418A (en) | Power combiner/splitter | |
Temes et al. | First-order sensitivity and worst case analysis of doubly terminated reactance two-ports | |
US2788496A (en) | Active transducer | |
CN112953434A (zh) | 基于薄膜体声波谐振器的宽通带滤波器 | |
SE446681B (sv) | Polyitisk kristallbandpassfiltersektion | |
JPS6134288B2 (sv) | ||
CN106031035A (zh) | 可变滤波电路及无线通信装置 | |
CN104506158A (zh) | 一种模拟带通滤波器 | |
US4185250A (en) | Voice frequency RC active filter | |
EP0015719B1 (en) | Improvements in or relating to bandstop filters | |
US3571767A (en) | Electrical filter arrangement | |
US3560894A (en) | Bandpass filter | |
US3344368A (en) | Fettweis bandpass filter | |
US4571563A (en) | Integrated microwave filter and method of constructing same | |
CN204362009U (zh) | 一种模拟带通滤波器 | |
US4060776A (en) | Intermediate-band crystal filter with low-transient response | |
Meinguet et al. | On the realizability of ladder filters | |
JP2023525474A (ja) | 共振回路およびフィルタデバイス | |
CN106209016A (zh) | 一种椭圆带通滤波器简化方法 | |
CN221283163U (zh) | 一种滤波器及包括其的通信设备 | |
CN221961807U (zh) | 一种滤波器及包括其的射频模组 | |
US3456214A (en) | Capacitively coupled multisection crystal filter | |
US2216541A (en) | Wave filter | |
US2585841A (en) | Bridged t phase shifter |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 8005619-5 Effective date: 19940710 Format of ref document f/p: F |