SE440644B - Forfarande for framstellning av ett icke-iriserande, transparent foremal samt enligt forfarandet framstellt foremal - Google Patents
Forfarande for framstellning av ett icke-iriserande, transparent foremal samt enligt forfarandet framstellt foremalInfo
- Publication number
- SE440644B SE440644B SE8302737A SE8302737A SE440644B SE 440644 B SE440644 B SE 440644B SE 8302737 A SE8302737 A SE 8302737A SE 8302737 A SE8302737 A SE 8302737A SE 440644 B SE440644 B SE 440644B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- refractive index
- intermediate layer
- electrically conductive
- conductive coating
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 80
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 99
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 28
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- -1 bromofluoromethane compound Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 239000012799 electrically-conductive coating Substances 0.000 claims 24
- 230000032900 absorption of visible light Effects 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 45
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 9
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 230000004456 color vision Effects 0.000 description 3
- QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N germane Chemical compound [GeH4] QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- VXKWYPOMXBVZSJ-UHFFFAOYSA-N tetramethyltin Chemical compound C[Sn](C)(C)C VXKWYPOMXBVZSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019646 color tone Nutrition 0.000 description 2
- 229910001610 cryolite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229910052986 germanium hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N aluminium triethoxide Chemical compound CCO[Al](OCC)OCC JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000006121 base glass Substances 0.000 description 1
- RJCQBQGAPKAMLL-UHFFFAOYSA-N bromotrifluoromethane Chemical compound FC(F)(F)Br RJCQBQGAPKAMLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010961 commercial manufacture process Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N dimethylsilane Chemical compound C[SiH2]C UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTUAUBOPWUPBCH-UHFFFAOYSA-N dimethylsilylidene(dimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)=[Si](C)C UTUAUBOPWUPBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 238000011158 quantitative evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- VIPCDVWYAADTGR-UHFFFAOYSA-N trimethyl(methylsilyl)silane Chemical compound C[SiH2][Si](C)(C)C VIPCDVWYAADTGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001755 vocal effect Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- XDWXRAYGALQIFG-UHFFFAOYSA-L zinc;propanoate Chemical compound [Zn+2].CCC([O-])=O.CCC([O-])=O XDWXRAYGALQIFG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
8302737-5 2 I vissa fall, dvs. nÀr glaset har mycket mörk fÀrgton (exem- pelvis en ljustransmissionsförmÄga av mindre Àn ca 25 %), döljes denna irisens och kan tolereras. Vid de flesta anvÀnd- ningar till vÀggar och fönster till byggnader Àr emellertid den irisenseffekt, som normalt Àr förenad med belÀggningar med mindre Àn ca O,75;1m,estetiskt oacceptabla för mÄnga mÀnniskor (se exempelvis US-patentet 3 710 074, Stewart).
Irisensfùrger Àr ett mycket allmÀnt fenomen för transparenta filmer i tjockleksomrÄdet ca 0,1 till llpm i synnerhet vid tjocklekar under ca 0,85/lm. Olyckligtvis Àr detta exakt det tjockleksomrÄde som Àr av praktisk betydelse för de flesta kommersiella anvÀndningar.d HalvledarbelÀggningar tunnare Àn ca 0,l;nn uppvisar icke interferensfÀrger, men sÄdana tunna belÀggningar har en mÀrkbart sÀmre reflektionsförmÄga för infrarött ljus och en tydligt minskad kapacitet att leda elektricitet.
BelÀggningar tjockare Àn ca l,um uppvisar icke heller synbar irisens vid dagsljusbelysning men sÄ tjocka belÀggningar Àr mycket dyrbarare att tillverka, eftersom större mÀngder be- lÀggningsmaterial erfordras, och den tidrymd som erfordras för avsÀttning av belÀggningen Àr i motsvarande mÄn lÀngre.
Vidare har filmer med tjocklek överstigande l;¿m en benÀgen- het att uppvisa grumlighet, som beror pÄ att ljus sprides frÄn ytoregelbundenheter som Àr större pÄ sÄdana filmer.
SÄdana filmer har Àven en större benÀgenhet att spricka under inverkan av vÀrmespÀnningar pÄ grund av skillnad ifrÄga om vÀrmeutvidgning.
SÄsom en följd av dessa tekniska och ekonomiska begrÀnsningar innefattar sÄ gott som all tidigare kommersiell tillverkning av sÄdana belagda glasföremùl filmer inom tjockleksomrÄdet ca 0,1 till O,3,um, som uppvisar uttalade irisensfÀrger.
SÄ gott som ingen anvÀndning av detta belagda glas för arki- tekturella ÀndamÄl förekommer för nÀrvarande, trots att det skulle vara kostnadseffektivt för att inbespara energi. SÄsom exempel kan vÀrmeförluster genom infraröd strÄlning genom 8302737-5 3 glasomrÀden i en upphettad byggnad uppgÄ till ungefÀr hÀlften av vÀrmeförlusterna genom obelagda fönster. NÀrvaron av irisensfÀrger pÄ dessa belagda glasprodukter Àr ett huvudskÀl till att man icke anvÀnder dessa belÀggningar.
Den första lyckade lösningen pÄ dessa problem anges i US-patenten 4 187 336 och 4 206 252. Dessa patent beskriver metoder och processer varigenom tunna, vanligen l/4-vÄglÀngd, belÀggningar med valda brytningsindex eller gradientbelÀgg- ningar med likartad optisk tjocklek belades pÄ glassubstrat och under den infrarödreflekterande tennoxiden. Det har emellertid blivit önskvÀrt att minska den totala tidrymd som erfordras för framstÀllning av sÄdana belÀggningar. Före- liggande uppfinning Àr baserad pÄ arbete inriktat pÄ att Ästadkomma en sÄdan minskning av belÀggningstiden.
SAMMANDRIĂG AV UPPFINNINGEN Det Ă€r ett Ă€ndamĂ„l med föreliggande uppfinning att Ă„stadkomma medel för att eliminera den synliga irisensen frĂ„n halv- ledande tunna filmbelĂ€ggningar pĂ„ glas, med bibehĂ„llande av dessas önskvĂ€rda egenskaper ifrĂ„ga om transparens inom det synliga omrĂ„det, infrarödreflektionsförmĂ„ga och elektrisk ledningsförmĂąga.
Ett annat ÀndamÄl med uppfinningen Àr att Ästadkomma de ovan- nÀmnda effekterna utan att öka kostnaden för tillverkningen vÀsentligt över kostnaden för anvÀndning av vanliga irise- rande, infrarödreflekterande filmer.
Ett annat ÀndamÄl med uppfinningen Àr att uppnÄ de ovan- nÀmnda problemlösningarna med ett förfarande, som Àr konti- nuerligt och helt kompatibelt med moderna tillverkningspro- cesser inom glasindustrin.
Ett ytterligare ÀndamÄl med uppfinningen Àr att uppnÄ alla de ovannÀmnda mÄlen med produkter, som Àr bestÀndiga och sta- bila mot ljus, kemikalier och mekanisk nötning. 8302737-5 4 Ett annat ÀndamÄl Àr att uppnÄ alla de ovannÀmnda mÄlen med anvÀndning av material, som Àr tillrÀckligt lÀttillgÀngliga och rikligt förekommande för att tillÄta omfattande anvÀnd- ning.
Det Àr ett ytterligare ÀndamÄl med uppfinningen att anvÀnda tunna filmer för att undertrycka irisenseffekter utan att tillgripa filmer av ljusabsorberande metallmaterial, sÄsom guld, aluminium, koppar, silver och liknande.
Ett huvudÀndamÄl med uppfinningen Àr att Ästadkomma de iri- sensfria konstruktionerna med högre belÀggningshastighet Àn som varit möjligt med fÀrgundertryckande skikt, som tidigare angivits i US-patentet 4 187 336.
Ett nÀrliggande ÀndamÄl Àr att Ästadkomma dessa konstruktio- ner med anvÀndning av mindre mÀngd rÄmaterial, eftersom tunnare belÀggningar anvÀndes.
Ett ytterligare ÀndamÄl Àr att tillÄta ett vittomfattande val av rÄmaterial för anvÀndning för tillverkning av de er- forderliga belÀggningarna genom att undvika de system som krÀver val av reaktionskomponenter, vilka Àr kombinerbara i samtidig belÀggning av blandade reaktionsprodukter för Ästad- kommande av instÀllbara eller variabla brytningsindexvÀrden.
Ett annat ÀndamÄl med uppfinningen Àr att Ästadkomma en glas- konstruktion, som innefattar ett kompoundmaterial, vari en yttre belÀggning framstÀlles av en infrarödreflekterande yta med-en tjocklek av ca O,7;¿m eller mindre och varvid en inre belÀggning bildar medel för att (a) minska grumlingen eller slöjbildningen pÄ det belagda glaset och samtidigt och obe- roende (b) minska irisensen hos glaskonstruktionen med hjÀlp av koherent addition av reflekterat ljus.
Ett ytterligare ÀndamÄl med uppfinningen Àr att Ästadkomma en glaskonstruktion med de icke-iriserande egenskaper som nÀmnes i det föregÄende, vilken konstruktion kÀnnetecknas av en steg- 8302737-5 5 vis, eller gradvis, förÀndring av belÀggningens sammansÀtt- ning mellan glas och luft.
Uppfinningen definieras nÀrmare i de bifogade patent- kraven.
Uppfinningen utnyttjar bildning av tvÄ eller fler mycket tunna skikt av transparent material mellan glaset och den halvledande filmen. Detta mellanskikt Àr mycket tunnare Àn de som tidigare angivits ha irisensundertryckande anvÀndbar- het. Dessa skikt bildar ett intermediÀrt, irisensundertryc- kande mellanskikt. Med lÀmpliga val av tjocklek och bryt- ningsindexvÀrden har det visat sig att irisensfÀrgerna kan göras alltför svaga för att de flesta mÀnskliga iakttagare skall kunna upptÀcka dem och med sÀkerhet alltför svaga för att störa omfattande kommersiell anvÀndning Àven för arki- tekturella tillÀmpningar. LÀmpliga material för dessa mellan- skikt anges Àven i det följande liksom processer för fram- stÀllning av dessa skikt.
I de utföringsformer av uppfinningen som beskrivas hÀri har mellanskiktet nÀrmare glasytan högre brytningsindex, under det att mellanskiktet lÀngre bort frÄn glasytan har lÀgre brytningsindex. Denna ordningsföljd för brytningsindex Àr den motsatta ordningen i förhÄllande till den som anvÀndes i de fÀrgundertryckande skikt, som tidigare angivits i US- -patentet 4 187 336. Genom omkastning av ordningsföljden har uppfinnaren gjort den överraskande iakttagelsen, att fÀrgundertryckning kan Ästadkommas med anvÀndning av tunnare skikt Àn de som erfordras för tidigare kÀnda konstruktioner.
Enligt en föredragen utföringsform av uppfinningen anvĂ€ndes tvĂ„ mellanskikt, vardera med en optisk tjocklek av approxima- tivt en tolftedel (l/l2) av en synlig vĂ„glĂ€ngd av ca 5000 Ă„ngström i vakuum. Det första mellanskiktet, det skikt som Ă€r nĂ€rmare glaset, har ett högt brytningsindex av ungefĂ€r samma vĂ€rde som den funktionella halvledarbelĂ€ggningen (exem- pelvis av tennoxid). Detta skikt som Ă€r nĂ€rmast glaset kan i 8302737-5 6 sjĂ€lva verket utgöras av tennoxid. NĂ€sta mellanskikt mellan det första mellanskiktet och den funktionella halvledarbelĂ€gg- ningen har ett lĂ„gt brytningsindex av ungefĂ€r lika med bryt- ningsindex för glas (n=l,5). Den totala optiska tjockleken av de tvĂ„ mellanskikten Ă€r sĂ„lunda ca en sjĂ€ttedel (l/6) av en synlig vĂ„glĂ€ngd. âOptisk tjocklek" Ă€r tjockleken av mate- rialet multiplicerat med dess brytningsindex.
De tidigare beskrivna konstruktionerna för fÀrgundertryckande krÀvde ett minimum av en fjÀrdedel (1/4) av en synlig vÄg- lÀngd och vissa krÀvde en halv (l/2) eller mer. Konstruk- tionen enligt uppfinningen ökar sÄlunda tillverkningshastig- heten med minst 50 % och minskar rÄmaterialförbrukningen med minst 33 %.
Enligt en annan utföringsform av uppfinningen Àr brytnings- index hos mellanskiktet nÀrmare glaset vÀsentligen högre Àn brytningsindex hos den funktionella halvledarbelÀggningen.
Den totala optiska tjockleken hos de tvÄ mellanskikten Àr dÀrför Àven mindre Àn ca en sjÀttedel (1/6) av en synlig vÄglÀngd.
Enligt ytterligare en annan utföringsform Àr brytningsindex hos mellanskiktet nÀrmare den funktionella belÀggningen vÀsentligen lÀgre Àn brytningsindex för glaset. Den totala optiska tjockleken hos de tvÄ mellanskikten Àr Àven mindre Àn ca en sjÀttedel (l/6) av en synlig vÄglÀngd.
Med âvĂ€sentligen högre" och "vĂ€sentligen lĂ€gre" i de före- gĂ„ende tvĂ„ styckena avses en avvikelse frĂ„n brytningsindex för halvledarbelĂ€ggningen, som gör det möjligt att variera den totala verkliga tjockleken hos belĂ€ggningen i respons till de olika brytningsindexvĂ€rdena. SĂ„lunda kan exempelvis "vĂ€sentligen samma" brytningsindex uppfattas sĂ„som plus eller minus 0,1 brytningsindexenhet, under det att avvikelser frĂ„n denna norm kan beskrivas sĂ„som vĂ€sentligen lĂ€gre eller vĂ€sent- ligen högre. 8302737-5 7 "Ca l/6 vĂ„glĂ€ngd" definierade en oregelbunden och varierande zon (bĂ€st exemplifierad med hĂ€nvisning till figur 2), som Ă€r vĂ€sentligen mindre Ă€n l/4 vĂ„glĂ€ngd ifrĂ„ga om tjocklek. I praktiken varierar den verkliga tjockleken hos mellanskikte- belĂ€ggningen lĂ€mpligen frĂ„n ca 30 till 60 nm beroende pĂ„ det system som anvĂ€ndes och det fĂ€rgindex som Ă€r acceptabelt.
Enligt en mindre föredragen utföringsform har bÄda mellan- skikten intermediÀra vÀrden ifrÄga om brytningsindex mellan brytningsindex för glaset och för den funktionella belÀgg- ningen. Den totala optiska tjockleken i detta fall Àr Ànnu mindre Àn ca en fjÀrdedel (1/4) av en synlig vÄglÀngd.
Approximativa formler för den optiska tjockleken hos mellan- skikten anges i det följande: Den optiska tjockleken hos mellanskiktet nĂ€rmare glaset Ă€r approximativt d = (1/720)cos-1 lĂŻrlz + r22 - r32)/2rlr27 l i enheter av en synlig vĂ„glĂ€ngd (O,5;Âżm), varvid Fresnel- -reflektionamplituderna anges med Il = (ĂJJ-ngj/(nl-'fngq (nl-nz)/(nl+n2) (nc-nzj/ (nc+n2) H H t» N I I uttryckt i brytningsindexvĂ€rden: ng = brytningsindex för glaset, nl = brytningsindex för mellanskiktet nĂ€rmare glaset, n2 = brytningsindex för mellanskiktet nĂ€rmare den funktionella halvledarbelĂ€ggningen och nc = brytningsindex för den funktionella halvledar- belĂ€ggningen.
Dessa formler förutsÀtter att den inversa kosinusfunktionen Àr uttryckt i grader.
Den optiska tjockleken hos mellanskiktet nĂ€rmare den funk- tionella halvledarbelĂ€ggningen anges approximativt med ;"Âżf-85Ă2737'5 8 _ .fl _ 2 -2 _ 2 dz - (1/720)cos ,,[Yr2 + r3 rl )/2r2r3].
De tvĂ„âskikttjocklekar, som förutsĂ€ges med dessa enkla form- ,~ler, Ă€r endast approximativa, eftersom de försummar sĂ„dana ;:effekter;som optisk dispersion, ytojĂ€mnhet, multipla reflek- tioner och den icke-linjĂ€ra naturen av fĂ€rgseendet. Nume- riska berĂ€kningar kan inkludera dessa effekter och sĂ„lunda ge merĂŻrealistiska förutsĂ€gelser av optimala belĂ€ggningstjock- lekar; .Den kvantitativa basen för dessa numeriska vĂ€rde- ringaraanges i~nĂ€sta sektion och vissa numeriska resultat anges i följande sektion.1 En förenande aspekt av dessa olika utföringsformer Ă€r att de alla utnyttjar en tunn halvledarbelĂ€ggning arrangerad kongruent med en andra belĂ€ggning, som bildar medel för att vĂ€sentligt minska irisering genom att innefatta minst tvĂą ytterligare grĂ€nsytbildande medel, med massan av den andra belĂ€ggningen, för reflektion och brytning av ljus pĂ„ sĂ„dant sĂ€tt, att detta mĂ€rkbart interfererar med eller pĂ„verkar observationen av iriseringsfĂ€rger.
METODER OCH ANTAGANDEN Det antages vara önskvÀrt, pÄ grund av fÀrgperceptionens subjektiva natur, att ge en diskussion av metoder och anta- ganden, som har anvÀnts för vÀrdering av föreliggande upp- finning. Det bör fastslÄs att tillÀmpningen av en stor del av den teori som diskuteras nedan Àr av retrospektiv art, eftersom informationen nödvÀndigtvis tillhandahÄlles-till- bakablickande, dvs. av en person med kÀnnedom om den beskriv- na uppfinningen.
För att.göra en lÀmplig kvantitativ vÀrdering av olika möj- liga konstruktioner, som undertrycker iriseringsfÀrger, berÀknades intensiteten av sÄdana fÀrger med anvÀndning av optiska data och fÀrgperceptionsdata. Vid denna diskussion antages filmskikten vara plana, med likformig tjocklek och likformigt brytningsindex i varje skikt. Brytningsindexför- 8302737-5 9 Àndringarna antages vara abrupta vid planens grÀnsytor mellan intill varandra liggande filmskikt. Verkliga brytningsindex- vÀrden anvÀndes, motsvarande försumbara absorptionsförluster i skikten. Reflektionskoefficienterna Àr vÀrderade för nor- malt infallande plana ljusvùgor.
Med anvÀndning av de ovan angivna antagandena och förutsÀtt- ningarna berÀknas amplituderna för reflektion och transmission frÄn varje grÀnsyta med Fresnel-formler. DÀrefter summeras dessa amplituder med beaktande av de fasskillnader, som ùstadkommes genom fortplantning genom de relevanta skikten.
Dessa resultat har visat sig vara ekvivalenta med Airy- -formeln (se exempelvis Optics of Thin Films av F. Knittl, Wiley and Sons, New York, 1976) för multipel reflektion och interferens i tunna filmer, nÀr dessa formler tillÀmpas pÄ samma fall som diskuteras hÀr.
Den berÀknade intensiteten för reflekterat ljus har obser- verats variera med vùglÀngden och förstÀrkes sÄlunda i vissa fÀrger mer Àn i andra. För berÀkning av den reflekterade fÀrg som ses av en iakttagare Àr det önskvÀrt att först specificera spektralfördelningen av det infallande ljuset.
För detta Ă€ndamĂ„l kan man anvĂ€nda âInternational Commission on Illumination Standard Illuminant C", som approximerar normal dagsljusbelysning. Spektralfördelningen av det reflek- terade ljuset Ă€r produkten av den berĂ€knade reflektions- koefficienten och spektrum för Illuminant C. FĂ€rgton och fĂ€rgmĂ€ttnad vid betraktande i reflektion av en mĂ€nsklig iakttagare berĂ€knas dĂ€refter frĂ„n detta reflekterade spektrum med anvĂ€ndning av de likformiga fĂ€rgskalorna, sĂ„som de som Ă€r tidigare kĂ€nda. En anvĂ€ndbar skala Ă€r den som anges av Hunter i Food Technology, vol. Zl, sid. 100-105, 1967. Denna skala har anvĂ€nts för hĂ€rledande av det samband som nu skall beskrivas.
Resultaten av berĂ€kningarna, för varje kombination av bryt- ningsindexvĂ€rden och tjockleksvĂ€rden hos skikten, Ă€r ett par tal, dvs. "a" och "b". "a" representerar röd (om positiv) 8302737-5 10 eller grön (om negativ) fĂ€rgton, under det att "b" beskriver en gul (om positiv) eller blĂ„ (om negativ) fĂ€rgton. Dessa fĂ€rgtonsresultat Ă€r anvĂ€ndbara vid kontroll av berĂ€kningarna mot observerbara fĂ€rger hos provstycken, inkluderande sĂ„dana enligt uppfinningen. Ett enda tal, âc", representerar âfĂ€rg- mĂ€ttnaden": c=(a2 + b2)l/2. Detta fĂ€rgmĂ€ttnadsindex, âc", Ă€r direkt relaterat till ögats förmĂ„ga att upptĂ€cka de besvĂ€rliga irisensfĂ€rgtonerna. NĂ€r mĂ€ttnadsindex Ă€r under ett visst vĂ€rde, kan man icke se nĂ„gon fĂ€rg i det reflekte- rade ljuset. Det numeriska vĂ€rdet av denna tröskelmĂ€ttnad för observerbarhet beror pĂ„ den speciella likformiga fĂ€rg- skala som anvĂ€ndes och pĂ„ betraktningsbetingelserna och graden av belysning (se exempelvis R.S. Hunter, The Measure- ment of Appearance, Wiley and Sons, New York, 1975, för en senare översikt över numeriska fĂ€rgskalor).
För faststÀllande av en basis för jÀmförelse av konstruk- tioner genomfördes en första serie av berÀkningar för simule- ring av ett enkelt halvledarskikt pÄ glas. Brytningsindex för halvledarskiktet antogs vara 2,0, vilket Àr ett vÀrde som approximerar tennoxid- eller indiumoxidfilmer, vilka bÄda kan vara funktionella halvledarfilmer som anvÀndes enligt uppfinningen. VÀrdet 1,52 anvÀndes för glassubstratet, detta Àr ett vÀrde som Àr typiskt för kommersiellt fönsterglas.
De berÀknade fÀrgmÀttnadsvÀrdena Àr avsatta pÄ figur 1 sÄsom en funktion av halvledarfilmens tjocklek. FÀrgmÀttnaden visar sig vara hög för reflektioner frÄn filmer med tjocklek inom omrùdet 0,1 till 0,5 pm. För filmer tjockare Àn 0,5 pm minskar fÀrgmÀttnaden med ökande tjocklek. Dessa resultat Àr i överensstÀmmelse med kvalitativa observationer pÄ verkliga filmer. De uttalade oscillationerna beror pÄ den varierande kÀnsligheten hos ögat för olika spektralvÄglÀngder. Var och en av topparna motsvarar en viss fÀrg, sÄsom markerats pÄ kurvan (R=rött, Y=gult, G=grönt, B=blÄtt).
Med anvÀndning av dessa resultat faststÀlldes det minsta observerbara vÀrdet för fÀrgmÀttnad med följande experiment: Tennoxidfilmer med kontinuerligt varierande tjocklek, upp 8302737-5 ll till ca l,5;un, avsattes pÄ glasplattor genom oxidation av tetrametyltennùnga. Tjockleksprofilen faststÀlldes med en temperaturvariation frÄn ca 450°C till 500°C tvÀrs över glas- ytan. Tjockleksprofilen uppmÀttes dÀrefter genom observa- tion av interferensrÀnderna under monokromatiskt ljus. Vid observation under diffust dagsljus uppvisade filmerna inter- ferensfÀrger pÄ de korrekta positioner som visas pÄ figur l.
De delar av filmerna som hade tjocklekar av större Àn O,85;¿m uppvisade ingen observerbar interferensfÀrg i diffust dags- ljus. Den gröna topp som berÀknats ligga vid en tjocklek av 0,88 pm kunde icke ses. TröskelvÀrdet för observerbarhet Àr dÀrför över 8 för dessa fÀrgenheter. Likaledes kunde det berÀknade blÄ toppvÀrdet vid 0,03/Lm icke ses, varför trös- keln Àr över ll fÀrgenheter, det berÀknade vÀrdet för denna topp. En svag röd topp vid O,8lWum kunde emellertid ses under goda observationsbetingelser, exempelvis med anvÀndning av en bakgrund av svart sammet och inga fÀrgade föremÄl i synfÀltet som reflekterades, sÄ att tröskelvÀrdet Àr under 13 fÀrgenheter som berÀknas för denna fÀrg. FrÄn dessa undersökningar kunde man sluta att tröskeln för observation av reflekterad fÀrg Àr mellan ll och 13 fÀrgenheter pÄ denna skala, varför ett vÀrde av l2 enheter har valts för att representera tröskeln för observerbarhet av reflekterad fÀrg under observationsbetingelser i dagsljus. Med andra ord upptrÀder en fÀrgmÀttnad av mer Àn 12 enheter sÄsom en synlig fÀrgad irisens, under det att en fÀrgmÀttnad av mindre Àn l2 enheter ses sÄsom neutral.
Det antages att det kommer att finnas ringa motstÄnd mot kommersialisering av produkter med fÀrgmÀttnadsvÀrden av 13 eller lÀgre. Det Àr emellertid vÀsentligt föredraget att vÀrdet Àr 12 eller lÀgre och, sÄsom framgÄr utförligare av det följande, synes det icke finnas nÄgot praktiskt skÀl varför de mest fördelaktiga produkterna enligt uppfinningen, exempelvis sÄdana som utmÀrkes av helt fÀrgfria ytor, dvs. under ca 8, icke kan tillverkas ekonomiskt. I sjÀlva verket kan fÀrgmÀttnadsvÀrden under 5 erhÄllas med tillÀmpning av uppfinningen. 8302737-5 12 Ett vÀrde av 12 eller mindre anger en reflektion, som icke, förvrÀnger fÀrgen hos ett reflekterat föremÄl pÄ ett obser-, verbart sÀtt. Detta tröskelvÀrde av 12 enheter antages sÄsom en kvantitativ standard, med vilken man kan_vÀrdera förmÄga eller oförmÄga hos olika flerskiktskonstruktioner att under- trycka irisensfÀrgerna.
LĂMPLIGA MATERIAL En stor mĂ„ngfald transparenta material kan vĂ€ljas för fram- stĂ€llning av produkter, som uppfyller de förutnĂ€mnda krite- rierna genom bildning av anti-iriserande underbelĂ€ggnings- skikt. Olika metalloxider och -nitrider samt blandningar dĂ€rav har de korrekta optiska egenskaperna betrĂ€ffande trans- parens och brytningsindex. I tabell A anges vissa material som har höga brytningsindexvĂ€rden lĂ€mpade för framstĂ€llning av mellanskiktet nĂ€rmare glaset. 'Tabell B anger vissa mate- rial som har lĂ„ga brytningsindexvĂ€rden och Ă€r lĂ€mpade för bildning av mellanskiktet nĂ€rmare den funktionella halv- ledarbelĂ€ggningen. FilmbrytningsindexvĂ€rden varierar nĂ„got med avsĂ€ttningsmetoden och betingelserna som anvĂ€ndes.
Tabell A BelĂ€ggningsmaterial med högt brytningsindex Material Formel BrytningsindeĆĄ Tennoxid Sn02 2,0 Kiselnitrid Si3N4 2,0 Kiselmonoxid SiO ca 2 Zinkoxid ZnO 2,0 Indiumoxid In203 2,0 Nioboxid Nb205 2,1 Tantaloxid Ta2O5 2,1 Hafniumoxid HfO2 2,1 Zirkoniumoxid ZrO2 2,1 Ceriumoxid Ce02 2,2 Zinksulfid ZnS 2,3 Titanoxid TiO2 2,5 8302737-5 13 Tabell B BelĂ€ggningsmaterial med lĂ„gt brytningsindex §atgrial Formel Brytningsindex Kiseldioxid - SiO2 1,46 Silikonpolymer [1CH3)2SiQ]n 1,4 Magnesiumfluorid MgF2 1,38 Kryolit _ Na3AlF6 1,33 NUMERISKA BERĂKNINGAR AV FĂRGUNDERTRYCKANDE Ett exempel pĂ„ intensiteten av reflekterade fĂ€rger, sĂ„som en funktion av totala mellanskiktstjockleken, och av den funk- tionella tennoxidbelĂ€ggningens tjocklek visas pĂ„ figur 2.
Totala mellanskiktstjockleken anges under en punkt i figur 2 och den funktionella tennoxidtjockleken anges till vĂ€nster om denna. Om fĂ€rgmĂ€ttnadsindex Ă€r större Ă€n 12, antager vitt ljus efter reflektion den fĂ€rg som anges med bokstavskoden (R=rött, Y=gult, G=grönt och B=blĂ„tt). Om fĂ€rgmĂ€ttnadsindex Ă€r 12 eller lĂ€gre, Ă€r det belagda glaset fĂ€rglöst i den betydelsen att vitt ljus som reflekteras frĂ„n ytan fort- farande förefaller vitt; ingen bokstavskod anges pĂ„ figur 2 för dessa kombinationer av tjocklekar, för vilka iriserings- fĂ€rg effektivt undertryckes. Den speciella fĂ€rgkartan pĂ„ figur 2 Ă€r berĂ€knad vid antagande att mellanskiktet nĂ€rmare glaset har ett brytningsindex av 2,0 och mellanskiktet lĂ€ngre bort frĂ„n glaset har ett brytningsindex av 1,45 samt att den optiska tjockleken hos de tvĂą skikten kvarligger inom för- hĂ„llandet O,89:l,O, nĂ€r den totala mellanskiktstjockleken varieras inom figuren. (Ett slöj- eller grumlingsinhiberande skikt med brytningsindex 1,45 antages Ă€ven vara avsatt först pĂ„ glaset, med optisk tjocklek 0,14 i förhĂ„llande till det totala mellanskiktet. Detta slöj- eller grumlingsinhiberande skikt har emellertid endast en ringa effekt pĂ„ fĂ€rgunder- trycknadskonstruktionen, eftersom dess brytningsindex Ă€r sĂ„ nĂ€ra brytningsindex för basglaset. Tjockleken hos detta slöj- eller grumlingsinhiberande skikt Ă€r inkluderat i den totala mellanskiktstjockleken pĂ„ figur 2). 8302737-'5 14 Av fĂ€rgkartan pĂ„ figur 2 kan man t.ex. sluta sig till att en funktionell tennoxidbelĂ€ggning med tjockleken O,2,um kan göras fĂ€rglös genom anvĂ€ndning av en total mellanskiktstjocklek nĂ„gonstans mellan 0,034 och 0,055,um. PĂą liknande sĂ€tt varierar för en funktionell tennoxidbelĂ€ggning med tjockleken O,3;Âżm den effektiva mellanskiktstjockleken frĂ„n 0,050 till 0,064 pm. För en tennoxidtjocklek av 0,4 ,um ger det bredare intervallet 0,034 till 0,068;1m mellanskiktstjocklek fĂ€rg- undertryckning. Godtycklig mellanskiktstjocklek mellan 0,050 och 0,055;un undertrycker fĂ€rg för alla funktionella tennoxidtjocklekar större Ă€n 0,l4,ïŹm.
FĂRFARANDE FĂR FRAMSTĂLLNING AV FILMER Alla dessa filmer kan framstĂ€llas genom samtidig vakuumför- Ă„ngning av de lĂ€mpliga materialen för en lĂ€mplig blandning.
För belÀggning av stora omrÄden, exempelvis fönsterglas, Àr kemisk ùngavsÀttning (CVD) vid normalatmosfÀrstryck enklare och mindre dyrbar. CVD-metoden krÀver emellertid lÀmpliga flyktiga föreningar för beredning av varje material. De mest lÀmpliga kÀllorna för CVD Àr gaser vid rumstemperatur. Kisel och germanium kan avsÀttas med CVD frÄn sÄdana gaser som silan, SiH4, dimetylsilan (CH3)2SiH2 och german (GeH4).
VÀtskor som Àr tillrÀckligt flyktiga vid rumstemperatur Àr nÀstan lika lÀtthanterliga som gaser, tetrametyltenn Àr en sÄdan kÀlla för CVD av tennföreningar, under det att (C2H5)2SiH2 och SiCl4 Àr flyktiga vÀtskeformiga kÀllor för kisel. PÄ likartat sÀtt erbjuder trimetylaluminium och dimetylzink samt dessas högre alkylhomologer flyktiga kÀllor iför dessa metaller. Mindre lÀtthanterliga men fortfarande anvÀndbara kÀllor för CVD Àr fasta material eller vÀtskor, som Àr flyktiga_vid viss temperatur över rumstemperatur men fortfarande under den temperatur vid vilken de reagerar till bildning av avsatta filmer. Exempel pÄ den sistnÀmnda kate- gorin Àr acetylacetonater av aluminium, gallium, indium och zink (Àven benÀmnda 2,4-pentandionater), aluminiumalkoxider, sÄsom aluminiumisopropoxid och aluminiumetylat, samt zink- propionat. För magnesium Àr inga lÀmpliga föreningar kÀnda, 8302737-5 15 som Àr flyktiga under avsÀttningstemperaturen, varför CVD- -processer icke antages vara tillÀmpbara för framstÀllning av magnesiumfluoridfilmer.
Typiska betingelser under vilka metalloxidfilmer med gott resultat bildats genom kemisk ÄngavsÀttning Àr sammanstÀllda i tabell C. Typiskt nÀrvarar organometallÀngan i mÀngder av ca l % (av volymen) i luft. De filmer som bildas pÄ detta sÀtt uppvisar god vidhÀftning till bÄde glassubstratet och till efterföljande belÀggningsskikt av tennoxid eller indium- oxid. BrytningsindexvÀrdena för filmerna uppmÀtes lÀmpligen genom att man upptager det synliga reflektionsspektrum sÄsom en funktion av vÄglÀngden. LÀget och höjderna av maxima och minima i den reflekterade intensiteten kan relateras till brytningsindex för den avsatta filmen.
J! 8302737-5 16 Tabell C Vissa flyktiga oxiderbara organometallföreningar, som Àr lÀmpade för avsÀttning av metalloxidskikt, samt blandade metalloxidskikt med oxiderande gaser, sÄsom 02 eller N20 H 0 \o m ~4 m u1.> w nu w' l-' |-' l-l N F' U) F' vb F' UI l-' ON i-P \l I-' Ê Förening siH4 (cH3)2siH2 (c2H5)2siH2 (cH3)2siHsiH(cH3)2 GeH4 (cH3)3A1 A1(oc2H5)3 A1(oc3H7) 3 Al(c5H7o2)3 Ga(c5H7o2)3 In(C5H702)3 (CH3)2Zn Zn(c3n5o2)2 (CH3)4Sn Ta(oc4H9)5 Ti(oc3H7)4 Zr(0C4H9)4 Hf (oc 4119 ) 4 Förùngnings- temperatur ( C) gas vid 20 gas vid 20 20 20 gas vid 20 20 200-300 200-220 200-220 200-220 200-220 20 200-250 20 150-250 100-150 200-250 200-250 AvsÀttnings- temperatur ( C) 300-500 400-600 400-600 400-600 300-450 400-650 400-650 400f600 500-650 350-650 300-600 100-600 450-650 450-650 400-600 400-600 400-600 400-600 Metoder för belÀggning av hett glas med denna oorganiska belÀggning anges i US-patenten 4 187 336 och 4 265 974 och uppgifterna i dessa Àr avsedda att utgöra en del av förelig- gande beskrivning, liksom pÄ andra stÀllen i tidigare kÀnd litteratur.
De belÀggningar som pÄföres med de hÀri beskriv- na processerna kan pÄföras med anvÀndning av samma metoder med undantag av den nödvÀndiga regleringen av belÀggnings- tiden för Ästadkommande av de förhÄllandevis tunna belÀgg- ningar som anvÀndes enligt uppfinningen.
SLĂJ- ELLER GRĂMLINGSPROBLEMET NĂ€r dessa belĂ€ggningar provades pĂ„ vanligt fönsterglas 8302737-5 17 ("soda-kalk" eller "mjukt" glas), uppvisade mĂ„nga av de er- hĂ„llna belĂ€ggningarna avsevĂ€rd slöjbildning eller ljussprid- ning. NĂ€r det skikt som först pĂ„föres pĂ„ mjukt glas Ă€r amorft och utgöres av SiO2, Si3N4 eller GeO2 eller blandningar dĂ€rav, Ă€r belĂ€ggningen fri frĂ„n slöja oberoende av vilka de efter- följande skikten Ă€r. Al2O3 ger Ă€ven klara belĂ€ggningar, förutsatt att detta Ă€mne pĂ„föres i amorf form, lĂ€mpligen under en temperatur av ca 55000. Om det ursprungliga skiktet innehĂ„ller stora andelar Ga2O3, ZnO, In203 eller SnO2, Ă€r slöjbildning sannolik.
Det första anti-iriserande skikt som avsĂ€ttas pĂ„ en fönster- glasyta Ă€r lĂ€mpligen amorft, snarare Ă€n kristallint, ifrĂ„ga om strukturen. DĂ€refter kan de pĂ„förda skikten vara av poly- kristallin form utan att orsaka nĂ„gon slöjbildning. Ă
SKĂ
DLIGGĂRANDE EXEMPEL PĂ
UPPFINNINGEN I denna beskrivning och pÄ ritningsfigurerna visas och beskri- ves en föredragen utföringsform av uppfinningen och föreslÄs olika alternativ och modifikationer dÀrav, men det Àr givet att dessa icke Àr avsedda att vara uttömmande och att andra förÀndringar och modifikationer kan göras inom ramen för uppfinningen. Dessa förslag Àr valda och inkluderade för ÄskÄdliggörande för att fackmÀn skall förstÄ uppfinningen bÀttre liksom dennas principer och vara i stÄnd att modifie- ra och förverkliga uppfinningen i olika former sÄsom passar bÀst med hÀnsyn till betingelserna i det speciella fallet.
Med de mycket tunna belÀggningarna enligt uppfinningen Àr det svÄrt att Ästadkomma precis plan avskÀrning av de olika mellanskiktskomponenterna. Till följd dÀrav Àr vid mÄnga utföringsformer av uppfinningen de erhÄllna belÀggningarna mycket lika en stegvis belÀggning eller gradientbelÀggning med koncentration av material med högre brytningsindex nÀrmare glaset. I samband med uppfinningen kan dÀrför sÄdana med gradient och stegvis uppbyggda mellanskiktssystem, vilka Àr omvÀndningen (vad betrÀffar brytningsindexgradienten) av de 8302737-5 18 som anges i de tidigare US-patenten 4 187 336 och 4 206 252, uppfattas sÄsom mekaniska och optiska ekvivalenter med det tvÄ-mellanskikt-komponentsystem som beskrives hÀri.
Kiseldioxid-silikonterminologin i följande exempel anvÀndes för att beskriva vissa tunna skikt endast pÄ grund av att analys med ESCA~(elektronspridning för kemisk analys)-metoder och Anger-analysmetoder visar nÀrvaron av kol i belÀggningen.
Detta anger att vissa av de kisel-kolbindningar som antages nÀrvara under belÀggningsprocessen kvarstannar i belÀggningen.
NÀrvaron av kolet antages emellertid icke vara funktionellt betydelsefullt. En kiseldioxidbelÀggning med lÀmpligt bryt- ningsindex och lÀmplig tjocklek Àr den optiska och mekaniska ekvivalenten till de belÀggningar som beskrives hÀri sÄsom kiseiaioxia-s iiikonbelÀggningar . i Det bör Àven observeras att den fluorhaltiga gas, som anvÀn- des vid beredning av tennoxidmellanskiktsbelÀggning, icke anvÀndes för att ge elektrisk ledningsförmÄga Ät belÀggningen, eftersom denna funktion vanligen icke erfordras för de huvud- sakligen arkitekturella anvÀndningar, för vilka produkten Àr avsedd. Icke desto mindre har det visat sig att avsÀttnings- hastigheten för tennoxiden Àr vÀsentligt högre, nÀr gas av Freon-typ anvÀndes.
RITNINGSFIGURERNA Figur l Àr ett diagram som ÄskÄdliggör variationen av berÀk- nad fÀrgintensitet för olika fÀrger med halvledarfilmens tjocklek.
Figur 2 visar grafiskt irisenskaraktÀren eller avsaknaden dÀrav för olika belÀggningstjocklekar av tennoxid (sÄsom ett mellanskikt nÀrmare glaset) i ett sÄdant system som beskrives i exempel 2.
Figur 3 ÄskÄdliggör ett fönster 36 utfört av en halvledarfilm 26, glas 22 och tvÄ mellanbelÀggningar enligt följande: 8302737-5 19 BelÀggning 30 med tjockleken 0,018;unnÊd ett högt brytnings- index av ca 2,0. BelÀggning 32 har tjockleken 0,028/Lm och har ett lÄgt brytningsindex av ca 1,45. BelÀggning 30 be- redes av godtyckligt av de material som anges i tabell A.
BelÀggning 32 beredes av nÄgot av de material som anges i tabell B.
Exempel 1.
Genom upphettning av pyrexglas (brytningsindex ca 1,47) till ca 600°C och förbiledning av reaktionskomponentgasblandning över detta belades glaset med följande skikt: a) Ett skikt av tennoxid med en tjocklek av ca 18 nm pÄfördes med anvÀndning av en blandning innehÄllande 1,5 % tetrametyltenn, 3,0 % bromotrifluormetan och resten torr luft under ca en sekund. b) DÀrefter avsattes ca 28 nm av ett kise1dioxid-silikon- blandningsskikt (brytningsindex ca 1,45) med anvÀndning av en gasblandning innehÄllande 0,4 % tetrametyldisilan och resten torr luft under ca fem sekunder. c) Slutligen avsattes ett fluordopat tennoxidskikt med en tjocklek av ca 200 nm med anvÀndning av samma gasblandning som vid avsÀttning a) men med en tidsexponering av ca lO sekunder.
Det pÄ detta sÀtt beredda provstycket hade ett vÀsentligen fÀrglöst utseende i reflekterat och transmitterat ljus.
Exemgel 2.
Förfarandet enligt exempel 1 genomfördes pÄ ett provstycke av soda-kalkfloatglas med det ytterligare steget att man först belÀgger glaset med ett tunt skikt (ca 10 nm tjocklek) av en kiseldioxid-tetrametyldisilan i luft under ca en sekund.
Resultat likartade med exempel 1 erhÄlles. NÀr detta första skyddsskikt utelÀmnas, har soda-kalkglasprover belagda enligt exempel 1 ett grumlat utseende. 8302737-5 20 Figur 2 visar vidare hur variationer ifrÄga om tennoxidtjock- leken pÄverkar de optiska egenskaperna hos mellanskiktet.
Den typ av profil som visas pÄ figur 2 Àr typisk för mellan- skiktssystem enligt uppfinningen.
Exempel 3 och 4.
Titandioxid (brytningsindex ca 2,5) anvÀndes i stÀllet för mellanbelÀggningen av tennoxid i exempel 1 och 2. AvsÀtt- ning a) ersÀttes med följande: a) Ett skikt av titandioxid med en tjocklek av ca 8 nm avsÀttes frÄn en gasblandning innehÄllande 0,2 % titaniso- propoxidÄnga i torr kvÀve sÄsom bÀrargas under fem sekunder.
Resultat för exempel 3 och 4 likvÀrdiga med de vid exempel l resp. 2 erhölls.
Exempel 5.
Kiselnitrid (brytningsindex ca 2,0) anvÀndes i stÀllet för mellanbelÀggningen av tennoxid enligt exempel l. AvsÀtt- ningen a) ersÀttes med följande: a) Ett skikt av kiselnitrid med en tjocklek av ca 18 nm avsÀttes frÄn en gasblandning innehÄllande 0,2 % silan, l,5 % hydrazin samt resten kvÀve under ca 20 sekunder.
Denna behandling upprepas med anvÀndning av soda-kalkglas, ett slöj- eller grumlingsfritt utseende erhÄlles Àven utan ett skyddsskikt av kiseldioxid-silikon.
Det bör observeras att patentkraven i det följande Àr avsedda att innefatta alla generiska och specifika sÀrdrag för upp- i finningen sÄsom denna beskrivits och alla uttryck för om- V fÄngst av uppfinningen som kan tÀnkas falla dÀremellan.
Claims (21)
1. l. Förfarande för framstÀllning av ett icke-iriserande, transparent föremÄl av den tYP^ som innefattar a) ett transparent substrat, b) en infrarödreflekterande eller elektriskt ledande belÀggning pÄ detta och c) ett iriseringsundertryckande mellanskikt mellan substratet och den infrarödreflekterande eller elektriskt ledande belÀggningen, varvid förfaran- det k À n n e t e c k n a s av att det sÄsom steg innefattar att man mellan den infrarödref- lekterande eller elektriskt ledande belÀggningen och det transparenta substratet Ästadkommer ett mellanskikt av tvÄ mellanskiktskomponenter genom att l) nÀrmast substratet pÄföra en belÀggning av en första mellanskiktskomponent av material med förhÄllandevis högt brytningsindex, 2) pÄ materialet med förhÄllandevis högt bryt ningsindex pÄföra en överbelÀggning av en andra mellanskiktskomponent av material med förhÄllandevis lÄgt brytningsindex och 3) avsluta tillvÀxten av mellanskiktskomponenter- na vid sÄdan tjocklek att de kombinerade mel- ' lanskiktskomponenterna bildar ett iriserings~ undertryckande medel samt den totala optiska tjockleken hos mellanskiktskomponenterna Àr ca l/6 av en 500 nm konstruktionsvÄglÀngd.
2. Förfarande enligt patentkrav l, k À n n e t e c k - n a t dÀrav, att den infrarödreflekterande eller elektriskt ledande belÀggningen och den första mellanskiktskomponenten har i huvudsak samma brytningsindex.
3. Förfarande enligt patentkrav 2, k À n n e t e c k ~ n a t dÀrav, att den infrarödreflekterande eller elektriskt 8302737-5 22 ledande belÀggningen och den första mellanskiktskomponenten bÄda utgöres av tennoxidbaserade belÀggningar.
4. Förfarande enligt nÄgot av föregÄende patentkrav, k À n n e t e c k n a t dÀrav, att den första mellanskikts- komponenten har ett brytningsindex, som Àr vÀsentligen högre Àn brytningsindex för den infrarödreflekterande eller elekt- riskt ledande belÀggningen.
5. Förfarande enligt nÄgot av patentkraven l-3, k À n - n e t e c k n a t dÀrav, att den första mellanskiktskomponen- ten har ett brytningsindex, som Àr vÀsentligen lÀgre Àn bryt- ningsindex för den infrarödreflekterande eller elektriskt ledande belÀggningen.
6. Förfarande enligt nÄgot av patentkraven l-3, k À n - n e t e c k n a t dÀrav, att mellanskiktskomponenterna har brytningsindexvÀrden, som ligger mellan brytningsindex för substratet och för den infrarödreflekterande eller elektriskt ledande belÀggningen.
7. Förfarande enligt nĂ„got av föregĂ„ende patentkrav, k Ă€ n n e t e c k n a t dĂ€rav, att den optiska tjockleken dl hos mellanskiktskomponenten nĂ€rmast substratet Ă€r ca fl/720) cos_l Zlrlz + r22 - r32)/2rlr2/ vari den optiska tjockleken dz av mellanskiktskcmponenten nĂ€rmare det infrarödreflekterande skiktet Ă€r ca (l/720) cos_l Ă
ĂŻrzz + r32 - rlz)/2r2r3] för en konstruktionsvĂ„glĂ€ngd av 500 nm, och varvid rl = (nl-ng)/(nl+ng) 2 = (â1'â2V(n1+â2) r3 = (nc-nz)/(nc+n2) och varvid Il g brytningsindex för substratet, 830273745 23 n = brytningsindex för mellanskiktskomponenten nĂ€rmast substratet, n2 = brytningsindex för mellanskiktskomponenten nĂ€rmast den infrarödreflekterande eller elekt- riskt ledande belĂ€ggningen och n = brytningsindex för den infrarödreflekterande eller elektriskt ledande belĂ€ggningen.
8. Förfarande enligt nÄgot av föregÄende patentkrav, k À n n e t e c k n a t dÀrav, att brytningsindexvÀrdena och de optiska tjockleksvÀrdena för substratet, mellanskiktskompo- nenten och den infrarödreflekterande eller elektriskt ledande belÀggningen vÀljes sÄ att de ger ett fÀrgmÀttnadsvÀrde under ca l2.
9. Förfarande enligt nÄgot av patentkraven l-7, k À n - n e t e c k n a t dÀrav, att brytningsindexvÀrdena och de optiska tjockleksvÀrdena för substratet, mellanskiktskompo- nenterna och den infrarödreflekterande eller elektriskt ledande belÀggningen vÀljes sÄ att de ger ett fÀrgmÀttnads- vÀrde under ca 8.
10. Förfarande enligt nÄgot av föregÄende patentkrav, varvid en av de iriseringsundertryckande mellanskiktskompo- nenterna Àr ett skikt av tennoxid med en maximitjocklek av ca l/6 av en vÄglÀngd, k À n n e t e c k n a t dÀrav, att det sÄsom steg'innefattar att man bereder en mellanskiktskomponent av tennoxid genom reaktion av en blandning innehÄllande en mycket ringa mÀngd fluorhaltig gas, en organotennförening och syre, varvid den fluorhaltiga gasen verkar sÄsom ett medel för att öka avsÀttningshastigheten av tennoxiden.
11. ll. Förfarande enligt patentkrav 10, k À n n e t e c k - n a t dÀrav, att den fluorhaltiga gasen Àr en bromfluormetan- förening.
12. Icke-iriserande, transparent, skiktformigt föremÄl innefattande 8302737-5 24 a) ett transparent substrat, b) en infrarödreflekterande eller elektriskt ledande belÀggning och c) ett iriseringsundertryckande mellanskikt mellan substratet och den infrarödreflekterande eller elektriskt ledande belÀggningen, k À n n e - t e c k n a t dÀrav, att föremÄlet innefattar, mellan den infrarödreflekterande eller elektriskt ledande belÀggningen och det transparenta subst- ratet, ett iriseringsundertryckande mellanskikt bestÄende vÀsentligen av tvÄ komponenter: 1) en första mellanskiktskomponent av material med förhÄllandevis högt brytningsindex nÀrmast substratet, _ 2) över materialet med förhÄllandevis högt bryt- ningsindex en andra mellanskiktskomponent av material med förhÄllandevis lÄgt brytnings- index och 3) varvid de kombinerade mellanskiktskomponenter- na hos detta iriseringsundertryckande medel har en total optisk tjocklek av ca l/6 av en 500 nm konstruktionsvÄglÀngd.
13. l3. FöremÄl enligt patentkrav 12, k À n n e t e c k - n a t dÀrav, att den infrarödreflekterande eller elektriskt ledande belÀggningen och de första mellanskiktskomponenterna har i huvudsak samma brytningsindex.
14. FöremÄl enligt patentkrav 12 eller 13, k À n n e - t e c k n a t dÀrav, att den infrarödreflekterande eller elektriskt ledande belÀggningen och den första mellanskikts- komponenten bÄda utgöres av tennoxidbaserade belÀggningar.
15. FöremÄl enligt nÄgot av patentkraven 12-14, k À n - n e t e c k n a t dÀrav, att den första mellanskiktskomponen- ten har ett brytningsindex, som Àr vÀsentligt högre Àn bryt- ningsindex för den infrarödreflekterande eller elektriskt ledande belÀggningen. 8302737-5 25
16. FöremÄl enligt nÄgot av patentkraven 12-14, k À n - n e t e c k n a t dÀrav, att den första mellanskiktskomponen- ten har ett brytningsindex, som Àr vÀsentligt lÀgre Àn bryt- ningsindex för den infrarödreflekterande eller elektriskt ledande belÀggningen.
17. FöremÄl enligt nÄgot av patentkraven 12-14, k À n - n e t e c k n a t dÀrav, att mellanskiktskomponenterna har brytningsindexvÀrden, som ligger mellan brytningsindex för substratet och för den infrarödreflekterande eller elektriskt ledande belÀggningen.
18. FöremĂ„l enligt nĂ„got av patentkraven 12-17, k Ă€ n - n e t e c k n a t dĂ€rav, att den optiska tjockleken dl hos mellanskiktskomponenten nĂ€rmast substratet Ă€r ca (i/vzo) C051 ïŹrlz + f; + rfvzrlrz] varvid den optiska tjockleken dl av mellanskiktet nĂ€rmast det infrarödreflekterande eller elektriskt ledande skiktet Ă€r ca (1/720) cos_l Ă
Tr22 + r33 - rlz)/2r2r37 för en konstruktionsvÄglÀngd av 500 nm, och varvid rl = (nl-ng)/(nl+ng) r2 = (nl-nz)/(nl+n2) r3 = (nc-nz)/(nc+n2) och varvid ng = brytningsindex för substratet, nl = brytningsindex för mellanskiktet nÀrmast substratet, n2 = brytningsindex för mellanskiktet nÀrmast den infrarödreflekterande eller elektriskt ledande belÀggningen och n = brytningsindex för den infrarödreflekterande eller elektriskt ledande belÀggningen.
19. FöremÄl enligt nÄgot av patentkraven 12-18, k À n - 8302737-5 26 n e t e c k n a t dÀrav, att brytningsindexvÀrdena och de optiska tjockleksvÀrdena för substratet, mellanskiktskomponen- terna och den infrarödreflekterande eller elektriskt ledande belÀggningen vÀljes sÄ att de ger ett fÀrgmÀttnadsvÀrde under ca l2.
20. FöremÄl enligt nÄgot av patentkraven l2-l8, k À n - n e t e c k n a t dÀrav, att brytningsindexvÀrdena och de optiska tjockleksvÀrdena för substratet, mellanskiktskomponen- terna och den infrarödreflekterande eller elektriskt ledande belÀggningen vÀljes sÄ att de ger ett fÀrgmÀttnadsvÀrde under ca 8.
21. FöremÄl enligt nÄgot av patentkraven 12-18, k À n ~ n e t e c k n a t dÀrav, att det Àr fritt frÄn metalliska komponenter eller fÀrgade komponenter, som fungerar primÀrt genom absorption av synligt ljus.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US30212681A | 1981-09-14 | 1981-09-14 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE8302737L SE8302737L (sv) | 1983-05-13 |
SE8302737D0 SE8302737D0 (sv) | 1983-05-13 |
SE440644B true SE440644B (sv) | 1985-08-12 |
Family
ID=23166368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE8302737A SE440644B (sv) | 1981-09-14 | 1983-05-13 | Forfarande for framstellning av ett icke-iriserande, transparent foremal samt enligt forfarandet framstellt foremal |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SE (1) | SE440644B (sv) |
-
1983
- 1983-05-13 SE SE8302737A patent/SE440644B/sv not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE8302737L (sv) | 1983-05-13 |
SE8302737D0 (sv) | 1983-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4419386A (en) | Non-iridescent glass structures | |
US4377613A (en) | Non-iridescent glass structures | |
US4187336A (en) | Non-iridescent glass structures | |
US4308316A (en) | Non-iridescent glass structures | |
US4206252A (en) | Deposition method for coating glass and the like | |
US4440822A (en) | Non-iridescent glass structures | |
GB2031756A (en) | Non-iridescent glass structures and processes for their production | |
US4971843A (en) | Non-iridescent infrared-reflecting coated glass | |
RU2120919C1 (ru) | ĐĄĐżĐŸŃĐŸĐ± ĐżĐŸĐ»ŃŃĐ”ĐœĐžŃ Đ·Đ”ŃĐșĐ°Đ» Đž Đ·Đ”ŃĐșĐ°Đ»ĐŸ | |
SE445449B (sv) | Forfarande och anordning for kontinuerlig beleggning av ett transparent substrat av glas eller liknande samt genom forfarandet erhallen transparent glasprodukt | |
US4965093A (en) | Chemical vapor deposition of bismuth oxide | |
GB2136316A (en) | Coated Glazing Materials | |
SE440644B (sv) | Forfarande for framstellning av ett icke-iriserande, transparent foremal samt enligt forfarandet framstellt foremal | |
CA1264996A (en) | Non-iridescent infrared-reflecting coated glass | |
JPS6339535B2 (sv) | ||
US4294193A (en) | Apparatus for vapor coating a moving glass substrate | |
CA1132012A (en) | Non-iridescent glass structures | |
FI72613B (fi) | Icke-iriserande glasstrukturer, foerfarande foer framstaellning av dessa och anvaendning av dessa. | |
SE434634B (sv) | Foremal innefattande minst en transparent, icke-iriserande glasskiva, forfarande for dess framstellning samt anvendning av detsamma i en byggnad | |
IE47982B1 (en) | Non-iridescent glass structures and processes for their production | |
NL7810509A (nl) | Niet-iriserende glasstructuren. | |
CA1147139A (en) | Deposition method | |
NO144139B (no) | Anordning dannet av minst en gjennomsiktig glassplate med et uorganisk belegg av et materiale som reflekterer infraroed straaling | |
DK154896B (da) | Struktur dannet af mindst en transparent glasplade med en uorganisk belaegning, som reflekterer infraroed straaling | |
US4954367A (en) | Vapor deposition of bis-tributyltin oxide |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NAL | Patent in force |
Ref document number: 8302737-5 Format of ref document f/p: F |
|
NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 8302737-5 Format of ref document f/p: F |