SE423752B - Optiskt sensorelement - Google Patents
Optiskt sensorelementInfo
- Publication number
- SE423752B SE423752B SE8006797A SE8006797A SE423752B SE 423752 B SE423752 B SE 423752B SE 8006797 A SE8006797 A SE 8006797A SE 8006797 A SE8006797 A SE 8006797A SE 423752 B SE423752 B SE 423752B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- layer
- optical sensor
- sensor element
- element according
- luminescent
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 16
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 6
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 claims description 3
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 45
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 30
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 238000001748 luminescence spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 2
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000012136 culture method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000000504 luminescence detection Methods 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000009103 reabsorption Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L11/00—Measuring steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by means not provided for in group G01L7/00 or G01L9/00
- G01L11/02—Measuring steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by means not provided for in group G01L7/00 or G01L9/00 by optical means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K11/00—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00
- G01K11/20—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using thermoluminescent materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/24—Measuring force or stress, in general by measuring variations of optical properties of material when it is stressed, e.g. by photoelastic stress analysis using infrared, visible light, ultraviolet
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
15 20 25- S0 35 8006797-*8 2 För ett material såsom Galls har rapporterats, att luminiscensspektmm ändrats efter wräzmebehandling, Denna. ändring beror av bildandet av nya rekombinations- vä@ genom förändring av materialet nära ytan. Vid mätdon, i vilka spektral- analys äger ram, kan detta fenomen inverka på. mätdonets- långtidsstabilitet.
I de fall där i mätsysteznet utnyttjas någon form av analys av emissionsdynamiska egenskaper är det önskvärt, att sensormaterialet uppvisar ezgonentiella tids- förlopp vid luminiscensökrning och -avlclingningx Om detta är fallet kan systemet enkelt utformas så, att relation mellan mätstorhet och mätsigxial blir oberoende av exoitationsintensiteten, varigenom kompensering för instabiliteter i fiber- optik kan erhållas, och man kan kompensera för drift i lysdiod. I Gais blir dessa tidsförlopp vanligen icke-erponentiella, beroende på ytrekombinationens inverkan. I flertalet II-VI-material med hög lumirdscensintensitet har i litte- raturen rapporterats ett icke-eiponentiellt tidsberoende, vanligen orsakat av s k fällor i materialet.
Föreliggande uppfinning anvisar en halvledarstwlxtur, som undanröjer ovan disku- terade problem vid temperatur- och tryckmätrfing, med fiberoptiska fotoluminiscens- sensorer. Det optiska sensor-elementet enligt uppfinningen kännetecknas därav, att det i sensorn ingående luminiscerande materialet omges av material med låg absorption för exoitations- och luminiscensljuset. Strukturen består alltså av ett skikt av halvledar-material, vari absorption och rekombination sker och som är omgivet av material med låg absorption för exoitations- och luminisoensvåg- längderna. Tillverkning av en sådan struktur kan ske med lämplig kristallodlings- metod., Det material som omger det aktiva skiktet väljes lämpligen med en gitter- konstant, som så nära som möjligt sammanfaller med det aktiva skiktets gitter- konstant, varigenom rekombinationen i gänsytonma mellan de olika materialen begränsas .
Fiberoptiska givare för mätning av storheter som temperatur och tryck kan så- ledes baseras på ändringar i fotolumizxiscensspektznm hos halvledarmaterial, or- sakade av variation hos dessa yttre parametrar. Se exempelvis svensk patent- ansökan 7908582-0, 7908914-0 och 8000558-0. Betydande tekniska fördelar kan erhållas med sådana givarsystem om sensormaterial med reproducerbara egenskaper vad gäller spektrums form kan framställas. I system där det emitterade ljuset alstras genom band-band-rekombinationer (figur 4) är antalet rekombizmations- processer per tídsenllet, vid vilka ljus emitteras, proportionellt mot majori- tetsbärarkoncentrationen, dvs i fallet P-typ av halvledare mot acceptorkoncentra- tionen, N A. Eftersom dessa "strålande" rekombinationsprooesser konkurrerar med rekombinationsprooesser, vid vilka laddningsbäraznas överskottsenergi ej avges 10 15 25 30 35 8006797-8 i form av ljus Nicke-strålande" processer), blir materialets kvanteffektivitet fßj, beroende av N . (Figur 6). Kurvans detaljerade utseende bestäms av de "icke- strålande" rekombinationsprocessema, vilka bestämmas bl a av materialdefekter och yttillstånd. Det luminiscerande materialet kan med fördel realiseras som ett epitaktiskt skikt av GaAs, framställt t ex genom vätskefasepitaxi. I sådana skikt bestämmas laddningsbärarnas totala livslängd bl a genom rea-kombination i skiktets g-ränsytor.
Av det ovan diskuterade framgår, att det är önskvärt att ge det epitaktiska skiktet ett högt värde på. NA för att härigenom erhålla en hög kvanteffektivitet.
Det emitterade spektrumets utseende, karakteriserat av energivärdet hÛO, för (figur 7) är dock be- roende av dopningen NA på. det sätt som antydes i figur 8. Kur-van gäller i huvud- drag för de flesta dopämnen och halvledarmaterial. Detta innebär att dopkoncent- rationen NA bör ges ett lågt värde för att underlätta tillverkning av sensor- vilket spektrum har maximum, och halvvärdesbredden A material med reproducerbart luminíscensspektrum.
Genom att som ovan föreslagits utnyttja S-skiktsstrulcturer (figur 9) kan dock rekombinationen i det aktiva luminiscerande skiktets gränsytor avsevärt redu- ceras jämfört med 1-skiktsstrukturer eller homogent material, varigenom struk- turer med hög kvanteffektivitet men med lågt värde på. dopningen (NA) kan rea- liseras. Se ovan beträffande uppfinning-ens huvuddrag. Dessa strukturer ger också andra tekniska. fördelar, vilka diskuteras ovan och i det följande.
Vid den praktiska realiseringen av dessa strukturer har det dock visat sig, att ytterligare en faktor påverkar luminiscensspektrums form. Efter tillväxten av AlxGaLxAs-skiktet närmast substratet (skikt 1 i figur 9) flyttas denna smälta bort från substratet och en ny smälta, ej innehållande Al föres till substra- tet, varvid tillväxten av det aktiva skiktet (skikt 2 i figur 9) startar. Här- vid kan en del av den första smältan kvarstanna på substratet, vilket medför, att det aktiva skiktet kommer att innehålla Al. Problemet accentueras på grund av det höga värdet på fördelningskoefficienten för Al i detta system. A1-halten i det aktiva skiktet orsakar en förskjutning av luminiscenstoppen mot kortare våglängder. Dessa problem löses medelst en föredragen utföringsform av uppfin- ningen, och denna kännetecknas därav, att mellan det luminiscerande materialet och ett av de omgivande materialen med låg absorption för excitations- och luminiscensljuset anordnas ytterligare ett skikt. Genom överdraget av Al-haltig smälta får detta skikt ett bandgap, som är större än det luminiscerande mate- rialets . 10 15 20 25 50 55 8006797-8 Uppfinningen är illustrerad i bifogade figurer, av vilka fig 1 och 2 visar strukturer bestående av skikt av halvledarmaterial, vari absorption och re- kombination sker, och som är omgivet av material med låg absorption för excitaf- tions- och luminiscensvåglängderna. Fig 3 visar strukturen utförd i AlxGaLXAs.
Fíg 4 visar ett energinivådiagram för ett system, där tidskonstanten för lumi- niscensen och materialetskvanteffektivitet kan kontrolleras och varieras inom vida gränser. Bildande av ljus sker här genom band-band-rekombinationer. Pig 5 visar band-band-rekombinationer. Fig 6 visar sambandet acceptorkoncentration - kvanteffektivitet, och fig 7 visar sambandet fotonenergi - emitterad intensitet.
Fig 8 illustrerar beroendet av dopningen för lumíniscensspektrxzms karakteris- tiska parametrar. Fig 9 illustrerar tillväxtordningen av skikten. Fig 16 visar en zl-skiktsstruktur enligt den föredragna utföringsformen och fig 11 visar en närmare illustration av detta.
I :Big 1 visas en struktur bestående av ett halvledarmaterial, vari absorption och rekombination sker, omgivet av material med låg absorption för excitations- och luminiscensvåglängdema. Det material som här omger det aktiva skiktet 11 väljas lämpligen med en gitterkonstant, som så nära som möjligt sannnaxifaller med det aktiva skiktets gitterkonstant. Härigenom begränsas rekombinationen i gränsytorna mellan de olika materialen. I fig 1 och 2 visas de olika bandgapen Eg1Eg2Eg3 och d avser det aktiva skiktets tjocklek. Z är en längdfaktor.
Fig 5 visar strukturen utförd i AlxGaxqAs med x antagande olika värden i de olika skikten. Andra lämpliga system är GaAsxPLx, InxGa1_xAsyP1_y och andra ternära och lcvarternära III-V-halvledare. 12 i fig 5 är GaAs-substrat, och d avser fortfarande det aktiva skiktets tjocklek.
Genom utnyttjande av denna struktur kan en hög luminiscenseffektivitet erhållas även med relativt låga dopkoncentrationer (ned till 1015-1016 cmš med GaAs:Ge t ex). Detta har stor betydelse för tillverkning av reproducerbara luminiscens- probar i system, där spektralanalys utnyttjas.
Genom dopning av det aktiva skiktet dels med dopämnen, som ger grunda energi- nivåer, dels med dopämnen, som ger djupa störnivåer (rekombinationscentra) kan tidskonstanten för luminiscensen och materialets kvanteffektivitet kontrol- leras och varieras inom vida gränser, vilket visas nedan. Även utan avsiktlig dopning med rekombinationscentra blir tidskonstanten temperatur-beroende då konstanten B är temperaturberoende.
Fig 4 visar energinivådiagrammet för ett sådant system. Om återabsorption av 10 15 20 25 8006797~ 8 luminiscensen och rekombinationen i gränsytorna. försummas kan tidskonstanten 'Ü för luminiscensen skrivas 1 ,=¿-.=Gn-p¶,+B-p0 Ledningsband visas vid 120 och valensband vid 150. (vi förutsätter har att a<< Ln, vilket lätt kan realiseras maa t ex cats.) diffusionslängden för elektroner i det aktiva skilctet (fig 3) Här är Ln = pT = antalet tomma störnivåer çn = rekombinationskoefficient för elektroner (vid stör-nivån) B = koefficienten för elektron-hål-rekombination po = antal hål i valensbandet I ett P-typmaterial gäller att Pm = “Tr där Nm, är totalkoncentrationen av stör-nivåer.
Parametrarfrxa Cn och LB är uppmätta för många. halvledarmaterial och finns redo- visade i litteraturen.
För Gais gäller 1; ex famanae samband för Fe, cr (m > 250%) -E . _.å IT - f - e K'T n " Å där EA = 0,25 eV. (K är Boltzmanns konstant.) Ein ytterligare möjlighet är att elektronbestråla materialet, varigenom upp- komsten av rekombinationscentra med exceptionellt temperatur-beroende infång- ningstvärsnitt har rapporterats.
I det i fig 5 illustrerade materialet alstras det emitterade ljuset genom band- band-rekombinationer. Antalet rekombinationsprocesser per tidsenlxet, vid vilka ljus emitteras, är proportionellt mot majoritetsbärarkoncentrationen, dvs i fallet P-typ halvledare mot acceptorkoncentrationen NA. Eftersom dessa strå- lande rekombinationsprocesser konkurrerar med rekombinationsprocesser, vid vilka laddningsbärarxias överskottsenergi ej avges i form av ljus (Ecke-strå- lande" processer), blir materialets kvanteffektivitet fp beroende av NA (se figlzr 6). Kurvans detaljerade utseende bestäms av de "icke-strålande" rekombina- tionsprocesserna. 10 15 20 25 30 55 soo6797~s 6 Det emitterade spektrumets utseende karakteriseras av maxvärdet h \)0 och halvv-ärdesbredden Aš (figur 7). Dessa storheter är beroende av dopningen NÅ på det sätt som antydes i figur- 8. I figur 7 är y-azceln emitterad intensitet och x-axeln fotonenergi, och lnmvans maximum synes vid h Ü O.
Klirwran. i fig 8 gäller i huvuddrag för de flesta dopämnen och halvledarnmterial.
Detta innebär att dopkoncentrationen NA bör ges ett lågt värde för att under- lätta tillverkning av sensormaterial med reproducerbart lumixiiscensspektrzun.
En låg dopkoncentration innebär emellertid att kvanteffektiviteten blir låg i homogena material eller 1-skikts strukturer, p g a ytrekombination.
Genom att utnyttja š-skiktsstrukturer (figur 10) kan dock rekombination i det aktiva, luminiscerande skiktets gränsytor avsevärt reduceras i jämförelse med 1-skiktsstrukturer eller homogent material, varigenom strukturer med hög kvant- effektivitet men med lågt värde på. dopning NA kan realiseras. Dessa strukturer ger också andra tekniska fördelar, vilka diskuterats ovan.
I fig 9 illustreras hur efter tillväxten av A1xGa1_xAs-skiktet närmast substra- tet nr 1 denna smälta flyttas bort från substratet och en ny smälta, ej inne- hållande Al, föres till substratet, varvid tillväxten av det aktiva skiktet nr 2 startar. Härvid kan en del av den första smältan kvarstanna på substratet, vilket medför att det aktiva skiktet kommer att innehålla A1. Problemet accen- tueras p g a det höga värdet på fördelningskoeffioienten för Al i detta system.
Al-halten i det aktiva skiktet orsakar en 'förskjutning av luminiscenstoppen mot kortare våglängder. Aktivt skikt visas vid 11 och bandgapet vid E.
Det ovan diskuterade problemetmed Al-överdrag vid tillväxten kan lösas genom att använda -en zl-skiktsstruktur enligt fig10, vilket innebär ovan angivna föredragna utföringsform. Ytterligare ett skikt, nr 20 i fig10, växes efter det första Alxoahxls-skiktet. .Detta skikt (20) växes från en ons-smälta.
På grund av Al-överdraget får skiktet sammansättningen AlyGaLyAs, och har således ett bandgap, som är större än Gais. Därefter växes ytterligare ett skikt (30) från en GaAs-smälta. .Al-halten i detta skikt 'blir härvid försumbar.
Om nu dopningen i skiktet 30 ges ett högre värde än dopningen i skikt 20 och dessutom skikt 30 göres avsevärt tjockare, kommer huvuddelen av luminiscensen att uppstå genom "strålande" rekombinationer i skikt 50, trots att de alstrade minoritetsladdningsbärarna "stängs in" mellan skikt 10 och 40 p g a de avse- värt högre bandgapen hos dessa. Situationen illustreras ytterligare i fig 11 .
Strukturen enligt fig 10 innehåller en ytterligare begrä-nsningsyta, vid vilken "icke-strålande" rekombination kan äga rum. Eftersom y är litet är rekombinaf-
Claims (7)
1. Optiskt sensor-element av kristallint material för avkänning av fysikaliska storheter såsom temperatur och tryck, vilket exciteras optiskt och avger foto- luminiscens, som utgör ett mått på. den aktuella mätstorheten, k ä. n n e - t e c k n a t därav, att det i sensorn ingående luminiscerande materialet omges av material med låg absorption för excitations- och luminiscensljuset och att det omgivande materialets gitterkonstant nära ansluter sig till gitter- konstanten hos det luminiscerande skiktet.
2. Optiskt sensorelement enligt patentlcrav 1, k ä. n n e t e c k n a t därav, att det luminiscerande materialet (2) utgöres av en halvledare.
3. Optiskt sensorelement enligt patentlcrav 2, k ä n n e t e c k n a t därav, att ett eller båda de omgivande halvledarskikten har större bandgap (Eg1 , E83) än det nämnda centrala luminiscerande halvledarskiktet (E82).
4. Optiskt sensorelement enligt patentkrav 2, k ä n n e t e c k n a t därav, att de tre nämnda halvledarskikten har samma typ av majoritetsladdningsbärare.
5. Optiskt sensor-element enligt patentkrav 3, k ä n n e t e c k n a t därav, att halvledsrskikten är tillverkade av GaAsxPLx, InxGa1_xP1 _ 4 och/ eller andra ternära eller kvarter-nära III-V-halvledare och där x och y varierar från skikt till skikt för erhållande av nämnda önskade bandgaprelationer.
6. Optiskt sensorelement enligt patentkrav 2, k ä n n e t e c k n a. t därav, att det för mätningen luminiscerande halvledarskiktet är dopat med dopämnen, som t ex Si, Mg och Ge.
7. Optiskt sensorelement enligt patentkrav 6, k ä n n e t e c k n a t därav, att det luminiscerande halvledarskiktet är dopat dels med dopämnen, som ger
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE8006797A SE423752B (sv) | 1980-09-29 | 1980-09-29 | Optiskt sensorelement |
| CH4168/81A CH653770A5 (de) | 1980-09-29 | 1981-06-24 | Optisches sensorelement und optische ausruestung zur lumineszenzanalyse mit einem solchen sensorelement. |
| DE19813137389 DE3137389A1 (de) | 1980-09-29 | 1981-09-19 | Optisches sensorelement |
| JP15193381A JPS5790983A (en) | 1980-09-29 | 1981-09-25 | Optical sensor element |
| FR8118115A FR2491206B1 (fr) | 1980-09-29 | 1981-09-25 | Element de detection par voie optique |
| CA000386818A CA1188397A (en) | 1980-09-29 | 1981-09-28 | Optical sensor element |
| GB8129216A GB2087090B (en) | 1980-09-29 | 1981-09-28 | Optical sensor element |
| US06/625,619 US4539473A (en) | 1980-09-29 | 1984-06-28 | Optically excitable luminescent sensor elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE8006797A SE423752B (sv) | 1980-09-29 | 1980-09-29 | Optiskt sensorelement |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE8006797L SE8006797L (sv) | 1982-03-30 |
| SE423752B true SE423752B (sv) | 1982-05-24 |
Family
ID=20341838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE8006797A SE423752B (sv) | 1980-09-29 | 1980-09-29 | Optiskt sensorelement |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4539473A (sv) |
| JP (1) | JPS5790983A (sv) |
| CA (1) | CA1188397A (sv) |
| CH (1) | CH653770A5 (sv) |
| DE (1) | DE3137389A1 (sv) |
| FR (1) | FR2491206B1 (sv) |
| GB (1) | GB2087090B (sv) |
| SE (1) | SE423752B (sv) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4819658A (en) * | 1982-02-11 | 1989-04-11 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Method and apparatus for measuring the temperature profile of a surface |
| US5004913A (en) * | 1982-08-06 | 1991-04-02 | Marcos Kleinerman | Remote measurement of physical variables with fiber optic systems - methods, materials and devices |
| US5090818A (en) * | 1982-08-06 | 1992-02-25 | Kleinerman Marcos Y | Fiber optic systems for sensing temperature and other physical variables |
| US5222810A (en) * | 1982-08-06 | 1993-06-29 | Kleinerman Marcos Y | Fiber optic systems for sensing temperature and other physical variables |
| DE3247659A1 (de) * | 1982-12-23 | 1984-06-28 | Wolfgang Dr. 7000 Stuttgart Ruhrmann | Optischer sensor |
| DE3319526C2 (de) * | 1983-05-28 | 1994-10-20 | Max Planck Gesellschaft | Anordnung mit einem physikalischen Sensor |
| DE3326737A1 (de) * | 1983-07-25 | 1985-02-14 | Kraftwerk Union AG, 4330 Mülheim | Verfahren zur zerstoerungsfreien bestimmung des spaltgasdruckes in kernbrennstaeben |
| GB2156513B (en) * | 1984-03-28 | 1988-05-25 | Plessey Co Plc | Temperature measuring arrangements |
| US5167452A (en) * | 1988-02-17 | 1992-12-01 | Itt Corporation | Transmission method to determine and control the temperature of wafers or thin layers with special application to semiconductors |
| US5098199A (en) * | 1988-02-17 | 1992-03-24 | Itt Corporation | Reflectance method to determine and control the temperature of thin layers or wafers and their surfaces with special application to semiconductors |
| US4890933A (en) * | 1988-02-17 | 1990-01-02 | Itt Corporation | Transmission method to determine and control the temperature of wafers or thin layers with special application to semiconductors |
| US5966230A (en) * | 1990-05-29 | 1999-10-12 | Symbol Technologies, Inc. | Integrated scanner on a common substrate |
| US5625483A (en) * | 1990-05-29 | 1997-04-29 | Symbol Technologies, Inc. | Integrated light source and scanning element implemented on a semiconductor or electro-optical substrate |
| US5210428A (en) * | 1991-11-01 | 1993-05-11 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor device having shallow quantum well region |
| DE60224267T2 (de) * | 2002-08-14 | 2009-01-08 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Verfahren zur Bestimmung der Temperatur eines Systems |
| US6607300B1 (en) * | 2002-09-20 | 2003-08-19 | Marcos Y. Kleinerman | Methods and devices for sensing temperature and oxygen pressure with a single optical probe |
| JP4961439B2 (ja) * | 2009-01-22 | 2012-06-27 | 日立Ｇｅニュークリア・エナジー株式会社 | ジェットポンプ及び原子炉 |
| CN109946003B (zh) * | 2019-04-24 | 2023-10-31 | 深圳科尔新材料科技有限公司 | 传感器与传感器的控制方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL299169A (sv) * | 1962-10-30 | |||
| GB1508799A (en) * | 1974-09-26 | 1978-04-26 | Standard Telephones Cables Ltd | Light emissive semiconductor device |
| US3993506A (en) * | 1975-09-25 | 1976-11-23 | Varian Associates | Photovoltaic cell employing lattice matched quaternary passivating layer |
| FR2406896A1 (fr) * | 1977-10-18 | 1979-05-18 | Thomson Csf | Diode emettrice et receptrice en lumiere notamment pour telecommunications optiques |
| SE413555B (sv) * | 1978-09-15 | 1980-06-02 | Asea Ab | Fiberoptiskt metdon |
| FR2447612A1 (fr) * | 1979-01-26 | 1980-08-22 | Thomson Csf | Composant semi-conducteur a heterojonction |
| SE431259B (sv) * | 1979-10-10 | 1984-01-23 | Asea Ab | Fiberoptisk temperaturgivare baserad pa fotoluminiscens hos ett fast material |
| SE435427B (sv) * | 1979-10-29 | 1984-09-24 | Asea Ab | Anordning for metning av strom, genomflytande en eller flera ljusemitterande strukturer |
| SE420130B (sv) * | 1980-01-24 | 1981-09-14 | Asea Ab | Optiskt metdon for metning av kraft eller tryck |
| DE3016778A1 (de) * | 1980-04-30 | 1981-11-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Laser-diode |
| SE438048B (sv) * | 1980-06-16 | 1985-03-25 | Asea Ab | Fiberoptisk temperaturgivare baserad pa fotoluminiscens hos ett fast material, som er utsatt for den temperatur som skall metas |
| SE436800B (sv) * | 1980-11-06 | 1985-01-21 | Asea Ab | Optiskt sensorelement av fast material for avkenning av fysikaliska storheter, sasom tryck, vilket exciteras optiskt och avger fotoluminiscens |
-
1980
- 1980-09-29 SE SE8006797A patent/SE423752B/sv not_active IP Right Cessation
-
1981
- 1981-06-24 CH CH4168/81A patent/CH653770A5/de not_active IP Right Cessation
- 1981-09-19 DE DE19813137389 patent/DE3137389A1/de active Granted
- 1981-09-25 FR FR8118115A patent/FR2491206B1/fr not_active Expired
- 1981-09-25 JP JP15193381A patent/JPS5790983A/ja active Granted
- 1981-09-28 GB GB8129216A patent/GB2087090B/en not_active Expired
- 1981-09-28 CA CA000386818A patent/CA1188397A/en not_active Expired
-
1984
- 1984-06-28 US US06/625,619 patent/US4539473A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2491206A1 (fr) | 1982-04-02 |
| CA1188397A (en) | 1985-06-04 |
| GB2087090B (en) | 1984-11-21 |
| GB2087090A (en) | 1982-05-19 |
| DE3137389C2 (sv) | 1990-09-06 |
| CH653770A5 (de) | 1986-01-15 |
| JPS5790983A (en) | 1982-06-05 |
| DE3137389A1 (de) | 1982-08-19 |
| US4539473A (en) | 1985-09-03 |
| SE8006797L (sv) | 1982-03-30 |
| JPH0429234B2 (sv) | 1992-05-18 |
| FR2491206B1 (fr) | 1985-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SE423752B (sv) | Optiskt sensorelement | |
| SE422111B (sv) | Fiberoptiskt kopplat metdon | |
| US3990100A (en) | Semiconductor device having an antireflective coating | |
| Zheng et al. | Empty state and filled state image of ZnGa acceptor in GaAs studied by scanning tunneling microscopy | |
| Pfister et al. | Atomic structure and luminescence excitation of GaAs/(AlAs) n (GaAs) m quantum wires with the scanning tunneling microscope | |
| Vavilov | Physics and applications of wide bandgap semiconductors | |
| Henry et al. | Ga-bound excitons in 3C-, 4H-, and 6H-SiC | |
| Saitoh et al. | Epitaxial Growth and Characterization of Pyrolytic‐Grown GaAs1− x P x for Electroluminescent Diodes | |
| Delice et al. | Investigation of traps distribution in GaS single crystals by thermally stimulated current measurements | |
| Singh et al. | Application of photoconductivity decay and photocurrent generation methods for determination of minority carrier lifetime in silicon | |
| GB2082389A (en) | Semiconductor photo detector | |
| Karlsson et al. | Electroluminescence and photoluminescence excitation study of asymmetric coupled Ga As∕ Al x Ga 1− x As V-groove quantum wires | |
| Neufeld et al. | Optimization of erbium-doped light-emitting diodes by p-type counterdoping | |
| Endale et al. | Effects of Temperature on Intra-Band Photoluminescence of Zinc Oxide (ZnO) Semiconductor | |
| Morari et al. | Spin-Coating and Aerosol Spray Pyrolysis Processed Zn1− xMgxO Films for UV Detector Applications. Nanomaterials 2022, 12, 3209 | |
| Huang et al. | Time-resolved photoluminescence study of isoelectronic In-doped GaN films grown by metalorganic vapor-phase epitaxy | |
| Grimmeiss et al. | Spectral dependence of photo‐ionization cross sections in GaP: Cu, O | |
| Jiang et al. | Photoluminescence of three phonon replicas of the bound exciton in undoped InGaP prepared by liquid phase epitaxy | |
| Zheng et al. | The hole diffusion length in epitaxial zinc selenide | |
| Sieber | EBIC and cathodoluminescence evaluation of III–V compounds | |
| Haverkort et al. | Photoluminescence Characterization of Wurtzite InP/AlxIn1-xP Nanowires | |
| SU928942A1 (ru) | Способ получени структур с @ - @ -переходом на основе полупроводников типа @ | |
| Brantov et al. | Silicon layers grown on siliconized carbon net: Producing and properties | |
| Sandhu et al. | Department of Electrical Engineering and Electronics UMIST, PO Box 88, Manchester M60 1QD RA Kubiak, WY Leong and EHC Parker | |
| Ottosson | Cu-doped GaP diodes with negative characteristics and superlinear intensity dependence of the photocurrent |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NAL | Patent in force |
Ref document number: 8006797-8 Format of ref document f/p: F |
|
| NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 8006797-8 Format of ref document f/p: F |