[go: up one dir, main page]

RU96113183A - MAGNETIC INVERTER - Google Patents

MAGNETIC INVERTER

Info

Publication number
RU96113183A
RU96113183A RU96113183/09A RU96113183A RU96113183A RU 96113183 A RU96113183 A RU 96113183A RU 96113183/09 A RU96113183/09 A RU 96113183/09A RU 96113183 A RU96113183 A RU 96113183A RU 96113183 A RU96113183 A RU 96113183A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
strip
layer
layers
thin
film
Prior art date
Application number
RU96113183/09A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2120142C1 (en
Inventor
С.И. Касаткин
А.М. Муравьев
Original Assignee
Институт проблем управления РАН
Filing date
Publication date
Application filed by Институт проблем управления РАН filed Critical Институт проблем управления РАН
Priority to RU96113183A priority Critical patent/RU2120142C1/en
Priority claimed from RU96113183A external-priority patent/RU2120142C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2120142C1 publication Critical patent/RU2120142C1/en
Publication of RU96113183A publication Critical patent/RU96113183A/en

Links

Claims (3)

1. Магнитный инвертор, отличающийся тем, что он содержит кремниевую подложку, на которой последовательно расположены первый изолирующий слой, по меньшей мере одна полоска с заостренными концами, содержащая два защитных слоя, разделенных по меньшей мере одной структурой, состоящей из двух расположенных один над другим тонкопленочных магниторезистивных слоев с осью легкого намагничивания, перпендикулярной длине полоски, и из расположенного между ними тонкопленочного слоя меди, второй изолирующий слой, первый проводниковый слой с проводником обратной связи, проходящим над полоской вдоль нее, третий изолирующий слой, второй проводниковый слой, проходящий над полоской, и третий защитный слой, при этом указанная полоска соединена первым концом с источником питания и вторым концом - с первым концом проводника, расположенного на первом изолирующем слое вне полоски и соединенного вторым концом с проводником обратной связи первого проводникового слоя, причем тонкопленочные магниторезистивные слои имеют разные величины поля магнитной анизотропии и отношение большего поля магнитной анизотропии к меньшему составляет не менее четырех.1. Magnetic inverter, characterized in that it contains a silicon substrate on which the first insulating layer, at least one strip with pointed ends, comprising two protective layers separated by at least one structure consisting of two located one above the other, are sequentially located thin-film magnetoresistive layers with an axis of easy magnetization perpendicular to the length of the strip, and from the thin-film layer of copper located between them, a second insulating layer, a first conductive layer with a conductive feedback feedback passing over the strip along it, the third insulating layer, the second conductive layer passing over the strip, and the third protective layer, while this strip is connected by the first end to the power source and the second end to the first end of the conductor located on the first insulating a layer outside the strip and connected by the second end to the feedback conductor of the first conductive layer, the thin-film magnetoresistive layers having different magnetic anisotropy fields and a larger field nitric anisotropy to a smaller one is at least four. 2. Магнитный инвертор по п. 1, отличающийся тем, что полоска содержит несколько аналогичных структур, разделенных между собой тонкопленочными слоями меди. 2. The magnetic inverter according to claim 1, characterized in that the strip contains several similar structures separated by thin-film layers of copper. 3. Магнитный инвертор по п. 1, отличающийся тем, что полоска содержит фиксирующий слой, расположенный между магниторезистивным и защитным слоями со стороны второго изолирующего слоя, причем оба магниторезистивных слоя имеют одинаковую анизотропию. 3. The magnetic inverter according to claim 1, characterized in that the strip contains a fixing layer located between the magnetoresistive and protective layers on the side of the second insulating layer, both magnetoresistive layers having the same anisotropy.
RU96113183A 1996-07-02 1996-07-02 Magnetic inverter RU2120142C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96113183A RU2120142C1 (en) 1996-07-02 1996-07-02 Magnetic inverter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96113183A RU2120142C1 (en) 1996-07-02 1996-07-02 Magnetic inverter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2120142C1 RU2120142C1 (en) 1998-10-10
RU96113183A true RU96113183A (en) 1998-10-20

Family

ID=20182603

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU96113183A RU2120142C1 (en) 1996-07-02 1996-07-02 Magnetic inverter

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2120142C1 (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9908179D0 (en) * 1999-04-09 1999-06-02 Univ Cambridge Tech Magnetic materials
GB9925213D0 (en) * 1999-10-25 1999-12-22 Univ Cambridge Tech Magnetic logic elements
RU2168774C1 (en) * 1999-11-16 2001-06-10 Институт проблем управления РАН Thin-film magnetic inverter
US7539046B2 (en) * 2007-01-31 2009-05-26 Northern Lights Semiconductor Corp. Integrated circuit with magnetic memory
RU2342738C1 (en) * 2007-05-28 2008-12-27 Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН Magnetoresistive threshold nanoelement
RU2377704C1 (en) * 2008-10-13 2009-12-27 Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН Magnetoresistive threshold nanoelement
RU2391747C1 (en) * 2009-03-20 2010-06-10 Учреждение Российской академии наук Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН High-frequency magnetosensitive nanoelement
RU2392697C1 (en) * 2009-04-29 2010-06-20 Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук Tunnel magnetoresistive element

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU577680A1 (en) * 1976-06-18 1977-10-25 Предприятие П/Я А-1001 Logical element
JPH03156752A (en) * 1989-11-14 1991-07-04 Mitsubishi Electric Corp magneto-optical recording medium

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100279544B1 (en) Planar magnetic elements
ATE369610T1 (en) LEAD CURRENT LIMITING SUPERCONDUCTING COIL
RU96114980A (en) CURRENT LIMIT DEVICE
ATE313848T1 (en) HIGH PERFORMANCE MAGNETORRESISTIVE SPIN VALVE ARRANGEMENT
JP7342623B2 (en) Thermoelectric conversion element and thermoelectric conversion device equipped with the same
JP2005515667A5 (en)
RU96113183A (en) MAGNETIC INVERTER
Ries et al. Coupling losses in finite length of superconducting cables and in long cables partially in magnetic field
JPH10136561A5 (en)
US5321310A (en) Apparatus and method for increasing electron flow
JPH0341705A (en) Device for propagating quentch within superconductive magnet
US4135127A (en) Direct current transformer
US20040060164A1 (en) High-performance substrate for magnetic isolator
RU2001118069A (en) Identification device
Sato et al. Transmisson-line low-pass filter for switching power supplies
RU2002108882A (en) Magnetoresistive sensor
KR980004395A (en) Magnetoresistive effect magnetic head and its manufacturing method
RU1251765C (en) Circulator based on concentrated reactive elements
SU1223305A1 (en) Source of rotary magnetic field for checking magnetic integrated circuits
JPH062250Y2 (en) Distributed constant inductor
JPS5816270B2 (en) Jiki Bubble Kudousouchi
JP2522612B2 (en) Thin film inductance element
RU94025911A (en) Magnetoresistive storage element
SU1129652A1 (en) Source of rotary magnetic field for bubble storage
RU99107699A (en) FREQUENCY MIXER