RU2834264C1 - Method of producing tin-doped indium oxide without contamination with chloride ions - Google Patents
Method of producing tin-doped indium oxide without contamination with chloride ions Download PDFInfo
- Publication number
- RU2834264C1 RU2834264C1 RU2024127568A RU2024127568A RU2834264C1 RU 2834264 C1 RU2834264 C1 RU 2834264C1 RU 2024127568 A RU2024127568 A RU 2024127568A RU 2024127568 A RU2024127568 A RU 2024127568A RU 2834264 C1 RU2834264 C1 RU 2834264C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- tin
- indium
- oxide
- indium oxide
- acetate
- Prior art date
Links
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000011109 contamination Methods 0.000 title claims abstract description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 title abstract description 7
- YJGJRYWNNHUESM-UHFFFAOYSA-J triacetyloxystannyl acetate Chemical compound [Sn+4].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O YJGJRYWNNHUESM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims abstract description 15
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims abstract description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- RJMMFJHMVBOLGY-UHFFFAOYSA-N indium(3+) Chemical compound [In+3] RJMMFJHMVBOLGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 claims abstract description 3
- LKRFCKCBYVZXTC-UHFFFAOYSA-N dinitrooxyindiganyl nitrate Chemical compound [In+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O LKRFCKCBYVZXTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- SYRHIZPPCHMRIT-UHFFFAOYSA-N tin(4+) Chemical compound [Sn+4] SYRHIZPPCHMRIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003841 chloride salts Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- YQMWDQQWGKVOSQ-UHFFFAOYSA-N trinitrooxystannyl nitrate Chemical class [Sn+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YQMWDQQWGKVOSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229950005499 carbon tetrachloride Drugs 0.000 description 1
- -1 chloride anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001960 metal nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical class Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Abstract
Description
Изобретение относится к сфере общей химической технологии, для производства продуктов, состоящих из ITO (оксида индия олова), таких, как мишени магнетронного напыления, применяющиеся для нанесения тонких пленок при изготовлении солнечных батарей, жидкокристаллических экранов и других электронных устройств.The invention relates to the field of general chemical technology for the production of products consisting of ITO (indium tin oxide), such as magnetron sputtering targets used for the deposition of thin films in the manufacture of solar batteries, liquid crystal screens and other electronic devices.
Оксид индия-олова (или легированный оловом оксид индия) представляет собой твердый раствор оксидов индия(III) (In2O3) и олова (IV) (SnO2). Оптимальным является соотношение 90% In2O3, 10% SnO2 по весу. Это прозрачное (в видимом и ближнем ИК-диапазоне спектра) и бесцветное в тонких слоях вещество, в то время как более толстые пленки имеют серый или желтоватый оттенок (Журнал технической физики, 2014, том 84, вып. 10. Л.П. Амосова, М.В. Исаев, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия).Indium tin oxide (or tin-doped indium oxide) is a solid solution of indium(III) (In 2 O 3 ) and tin(IV) (SnO 2 ) oxides. The optimal ratio is 90% In 2 O 3 , 10% SnO 2 by weight. It is transparent (in the visible and near-IR spectral range) and colorless in thin layers, while thicker films have a gray or yellowish tint (Journal of Technical Physics, 2014, Vol. 84, Issue 10. L.P. Amosova, M.V. Isaev, St. Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics and Optics, St. Petersburg, Russia).
Порошок оксида индия, легированного оловом, представляет собой смешанный оксид с кубической кристаллической решеткой, он обладает высокой прозрачностью в видимом диапазоне и хорошей проводимостью.Indium tin oxide powder is a mixed oxide with cubic crystal lattice, it has high transparency in the visible range and good conductivity.
Текущий уровень развития технологий: общеизвестным, одним из наиболее используемых способов получения порошка оксида индия, легированного оловом, является осаждение гидроксида индия-олова с последующими промывкой и прокаливанием осадка, при котором гидроксид превращается в оксид индия-олова.Current level of technology development: a well-known, one of the most widely used methods for obtaining tin-doped indium oxide powder is the precipitation of indium tin hydroxide, followed by washing and calcination of the precipitate, which converts the hydroxide into indium tin oxide.
Как правило, в качестве исходных солей используются коммерчески доступные хлориды индия(III) и олова(IV). При этом готовый продукт неизбежно загрязняется хлорид-анионами, т.к. они встраиваются в кристаллическую решетку осаждаемого гидроксида и не могут быть удалены при промывке.As a rule, commercially available indium(III) and tin(IV) chlorides are used as starting salts. In this case, the finished product is inevitably contaminated with chloride anions, since they are built into the crystal lattice of the precipitated hydroxide and cannot be removed by washing.
Известен способ получения оксида индия-олова без загрязнения хлоридами (Hydrothermal synthesis of indium tin oxide nanoparticles without chlorine contamination. Wang H., Xu G., Zhang J. et al. Bulletin of the Korean Chemical Society, (2014), 1999-2003, 35(7)), основанный на том, что используются нитраты индия(III) и олова(IV). Указанный способ, который принят за прототип, включает приготовление раствора из нитратов металлов, взятых в необходимом массовом соотношении для достижения степени легирования 3-12% после химических реакций; добавление аммиака до нейтральной реакции и прокаливание выпавшего гидроксида при температуре 1000-1400°С. Нитрат-анион полностью разлагается на газообразные составляющие при прокаливании и не загрязняет конечный продукт. Данный метод имеет следующие недостатки, синтез нитрата олова(IV) сложен, так как:A method for producing indium tin oxide without chloride contamination is known (Hydrothermal synthesis of indium tin oxide nanoparticles without chlorine contamination. Wang H., Xu G., Zhang J. et al. Bulletin of the Korean Chemical Society, (2014), 1999-2003, 35(7)), based on the fact that indium(III) and tin(IV) nitrates are used. This method, which is taken as a prototype, includes preparing a solution of metal nitrates taken in the required mass ratio to achieve an alloying degree of 3-12% after chemical reactions; adding ammonia until a neutral reaction and calcining the precipitated hydroxide at a temperature of 1000-1400°C. The nitrate anion completely decomposes into gaseous components upon calcination and does not contaminate the final product. This method has the following disadvantages, the synthesis of tin(IV) nitrate is complex, because:
1. требует низкой температуры синтеза (<10°С) и дорогостоящего мелкодисперсного олова;1. requires low synthesis temperature (<10°C) and expensive finely dispersed tin;
2. нитрат олова (IV) термодинамически не стабилен: не может быть выделен в сухом виде или сконцентрирован. А также не стабилен при хранении и не может быть заготовлен заблаговременно.2. Tin(IV) nitrate is thermodynamically unstable: it cannot be isolated in dry form or concentrated. It is also unstable during storage and cannot be prepared in advance.
Технической задачей и результатом предлагаемого способа является получение оксида индия, легированного оловом, без загрязнения хлорид-ионами.The technical task and result of the proposed method is to obtain indium oxide doped with tin without contamination by chloride ions.
Техническая задача достигается за счет того, что способ получения оксида индия, легированного оловом, без загрязнения хлоридами методом соосаждения, заключается в том, что готовят раствор солей металлов индия(III) и олова(IV), доводят его до pH 7 добавлением аммиака, выпавший осадок фильтруют, промывают и прокаливают согласно изобретению, для достижения степени легирования по массе оксида олова в оксиде индия 2-20% используют 4,5 водный нитрат индия(III) и безводный ацетат олова(IV) при массовом соотношении нитрат индия : ацетат олова, соответственно, 7,5:1 до 88:1, а прокаливание ведут при температуре 650-1400°С.The technical task is achieved due to the fact that the method for producing indium oxide doped with tin, without contamination with chlorides by the coprecipitation method, consists in preparing a solution of indium(III) and tin(IV) metal salts, bringing it to pH 7 by adding ammonia, filtering the precipitate that falls out, washing and calcining according to the invention, in order to achieve a degree of doping by weight of tin oxide in indium oxide of 2-20%, 4.5 aqueous indium(III) nitrate and anhydrous tin(IV) acetate are used at a weight ratio of indium nitrate: tin acetate, respectively, of 7.5:1 to 88:1, and calcination is carried out at a temperature of 650-1400°C.
Как показали исследования, для устранения указанных недостатков прототипа в предлагаемом способе, вместо нитрата олова(IV) применяют его ацетат, т.к. данная соль стабильна при хранении в безводном виде и не требует мелкодисперсного порошка олова. Для достижения степени легирования по массе оксида олова в оксиде индия 2-20% используют 4,5 водный нитрат индия(III) и безводный ацетат олова(IV) при массовом соотношении нитрат индия : ацетат олова, соответственно, 7,5:1 до 88:1.As studies have shown, to eliminate the above-mentioned disadvantages of the prototype in the proposed method, tin(IV) nitrate is replaced by its acetate, since this salt is stable when stored in anhydrous form and does not require finely dispersed tin powder. To achieve a doping degree by weight of tin oxide in indium oxide of 2-20%, 4.5 aqueous indium(III) nitrate and anhydrous tin(IV) acetate are used at a weight ratio of indium nitrate: tin acetate, respectively, of 7.5:1 to 88:1.
Ацетат олова (IV) - неорганическое соединение, соль олова и уксусной кислоты с формулой Sn(CH3COO)4. Это белые кристаллы, которые гидролизуются в воде. Также ацетат олова(IV) растворяется в бензоле, ацетоне, тетрахлорметане. Ацетат анион при прокаливании, также как и нитрат, разлагается на газообразные продукты и не загрязняет оксид индия-олова.Tin(IV) acetate is an inorganic compound, a salt of tin and acetic acid with the formula Sn( CH3COO ) 4 . These are white crystals that hydrolyze in water. Tin(IV) acetate also dissolves in benzene, acetone, and tetrachloromethane. The acetate anion, like the nitrate, decomposes into gaseous products upon calcination and does not contaminate indium tin oxide.
Нитрат индия(III) - неорганическое соединение, соль металла индия и азотной кислоты с формулой In(NO3)3, бесцветные расплывающиеся кристаллы, образует кристаллогидраты.Indium(III) nitrate is an inorganic compound, a salt of indium metal and nitric acid with the formula In(NO 3 ) 3 , colorless deliquescent crystals, forms crystal hydrates.
Способ осуществляется следующим образом.The method is carried out as follows.
Нитрат индия(III) и ацетат олова(IV) в необходимом массовом соотношении (наиболее часто 9:1Б), так, чтобы полученная смесь оксидов была в степени легирования от 2 до 20% по массе оксида олова в оксиде индия) растворяют в воде. Далее к раствору добавляется аммиак до pH 7. Выпавший осадок гидроксида фильтруют, промывают небольшим количеством воды и прокаливают при температуре от 650-1400°С с целью формирования оксида индия, легированного оловом. При этом нитрат ион и ацетат ион, содержащиеся в осадке, разлагаются на газообразные продукты, не загрязняя полученный оксид индия-олова.Indium(III) nitrate and tin(IV) acetate in the required mass ratio (most often 9:1B), so that the resulting mixture of oxides is in a doping degree of 2 to 20% by mass of tin oxide in indium oxide) are dissolved in water. Then ammonia is added to the solution to pH 7. The resulting hydroxide precipitate is filtered, washed with a small amount of water and calcined at a temperature of 650-1400 °C in order to form indium oxide doped with tin. In this case, the nitrate ion and acetate ion contained in the precipitate decompose into gaseous products without contaminating the resulting indium tin oxide.
В ходе химических превращений по вышеуказанной методике, в соответствии с расчетом:During chemical transformations according to the above method, in accordance with the calculation:
In(NO3) + NH3 = In(OH)3; In(OH)3 = In2O3 In(NO 3 ) + NH 3 = In(OH) 3 ; In(OH) 3 = In 2 O 3
Sn(CH3COO)2 + NH3 = Sn (OH)4; Sn (OH)4= SnO2 Sn(CH 3 COO) 2 + NH 3 = Sn (OH) 4 ; Sn(OH) 4 = SnO2
было определено, что из 10 граммов 4 водного нитрата индия(III) при обработке по вышеуказанной методике получается 4,61 грамм оксида индия, а из 10 грамм безводного ацетата олова - 8,47 грамм оксида олова (IV), а количество солей нитрата индия и ацетата олова для приготовления раствора рассчитывается от необходимой массы оксида олова в оксиде индия. Отношение масс и подразумевается под степенью легирования.It was determined that 10 grams of 4-aqueous indium(III) nitrate, when processed using the above method, yield 4.61 grams of indium oxide, and 10 grams of anhydrous tin acetate yield 8.47 grams of tin(IV) oxide, and the amount of indium nitrate and tin acetate salts for preparing the solution is calculated from the required mass of tin oxide in indium oxide. The mass ratio is implied by the degree of alloying.
Пример 1: Получение оксида индия, легированного оловом, при степени легирования оловом 20 мас.%Example 1: Preparation of tin-doped indium oxide with a tin doping level of 20 wt.%
В 100 мл дистиллированной воды было растворено 17,3 г 4,5 водного нитрата индия для получения 8 г (80%) в пересчете на оксид индия и 2,3 г безводного ацетата олова для получения 2 г (20%) в пересчете на оксид олова. Был добавлен аммиак до достижения pH 7. Выпавший осадок был отфильтрован и промыт в 200 мл дистиллированной воды. Затем осадок был отфильтрован и помещен в муфельную печь, где прокаливался 1 час при 650°С. Выход составил 9,18 г, т.е. 92%. Рентгеновский энергодисперсионный анализ показал отсутствие хлорид-ионов.In 100 ml of distilled water, 17.3 g of 4.5 aqueous indium nitrate were dissolved to obtain 8 g (80%) in terms of indium oxide and 2.3 g of anhydrous tin acetate to obtain 2 g (20%) in terms of tin oxide. Ammonia was added until pH 7 was reached. The resulting precipitate was filtered and washed with 200 ml of distilled water. The precipitate was then filtered and placed in a muffle furnace, where it was calcined for 1 hour at 650°C. The yield was 9.18 g, i.e. 92%. Energy dispersive X-ray analysis showed the absence of chloride ions.
Пример 2: Получение оксида индия, легированного оловом, при степени легирования оловом 2 мас.%Example 2: Preparation of tin-doped indium oxide with a tin doping level of 2 wt.%
В 100 мл дистиллированной воды было растворено 21,2 г 4,5 водного нитрата индия для получения 9,8 г (98%) в пересчете на оксид индия и 0,24 г безводного ацетата олова для получения 0,2 г (2%) в пересчете на оксид олова. Был добавлен аммиак до достижения pH 7. Выпавший осадок был отфильтрован и промыт в 200 мл дистиллированной воды. Затем осадок был отфильтрован и помещен в муфельную печь, где прокаливался 1 час при 1400°С. Выход составил 8,59 г, т.е. 86%. Рентгеновский энергодисперсионный анализ показал отсутствие хлорид-ионов.In 100 ml of distilled water, 21.2 g of 4.5 aqueous indium nitrate were dissolved to obtain 9.8 g (98%) in terms of indium oxide and 0.24 g of anhydrous tin acetate to obtain 0.2 g (2%) in terms of tin oxide. Ammonia was added until pH 7 was reached. The resulting precipitate was filtered and washed with 200 ml of distilled water. The precipitate was then filtered and placed in a muffle furnace, where it was calcined for 1 hour at 1400°C. The yield was 8.59 g, i.e. 86%. Energy dispersive X-ray analysis showed the absence of chloride ions.
Таким образом, в результате применения предлагаемого способа получен оксид индия, легированный оловом, без загрязнения хлорид-ионами.Thus, as a result of using the proposed method, tin-doped indium oxide was obtained without contamination by chloride ions.
Claims (1)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2834264C1 true RU2834264C1 (en) | 2025-02-04 |
Family
ID=
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001303237A (en) * | 2000-04-25 | 2001-10-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | METHOD FOR MANUFACTURING In-Sn OXIDE POWDER AND ITO TARGET MATERIAL |
| CN102557115A (en) * | 2011-12-31 | 2012-07-11 | 西北稀有金属材料研究院 | Preparation method of spherical tin-doped indium oxide nanopowder |
| RU2785983C1 (en) * | 2022-05-30 | 2022-12-15 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук (ИОНХ РАН) | Method for production of thin films based on indium-tin oxide by micro-plotter printing |
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001303237A (en) * | 2000-04-25 | 2001-10-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | METHOD FOR MANUFACTURING In-Sn OXIDE POWDER AND ITO TARGET MATERIAL |
| CN102557115A (en) * | 2011-12-31 | 2012-07-11 | 西北稀有金属材料研究院 | Preparation method of spherical tin-doped indium oxide nanopowder |
| RU2785983C1 (en) * | 2022-05-30 | 2022-12-15 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук (ИОНХ РАН) | Method for production of thin films based on indium-tin oxide by micro-plotter printing |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Wang H.W. et al. Hydrothermal synthesis of indium tin oxide nanoparticles without chlorine contamination. Bulletin of the Korean Chemical Society, 2014, 35, N7, р. 1999-2003. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Rivenet et al. | One-dimensional inorganic arrangement in the bismuth oxalate hydroxide Bi (C2O4) OH | |
| Fehrmann et al. | Crystal structure and infrared and Raman spectra of potassium vanadium sulfate (KV (SO4) 2) | |
| RU2564339C2 (en) | Layered titanates, methods for production and use thereof | |
| RU2834264C1 (en) | Method of producing tin-doped indium oxide without contamination with chloride ions | |
| US3026175A (en) | Method for the preparation of tellurides and selenides | |
| JP2020111476A (en) | Method for producing visible light-responsive bismuth vanadate | |
| US3023079A (en) | Method for the preparation of selenides and tellurides | |
| Hadjiliadis et al. | Complexes of mercury (II) with thiamine | |
| Zhukov et al. | Heterophase synthesis of zirconium hydroxide from zirconium oxychloride | |
| JP6215170B2 (en) | Perovskite oxide and method for producing the same | |
| RU2441843C1 (en) | Method for production of antimony oxide (iii) of cubic modification from water solutions | |
| US3058802A (en) | Method for the preparation of inorganic selenides and tellurides | |
| Nefedova et al. | Study of the Composition of a Precipitate Formed from Solutions for the Synthesis of Cathodic Materials Containing Manganese and Citric Acid | |
| Podval’naya et al. | Composition and formation kinetics of sodium polyvanadates in vanadium (IV, V) solutions | |
| Mikhaylov et al. | Synthesis, crystal structure and characterization of alkali metal hydroxoantimonates | |
| RU2411185C1 (en) | Method for synthesis of monophase barium fluoride nanopowder doped with fluoride of rare-earth metal | |
| Goggin et al. | The oxyhalides of indium | |
| WO2006029493A1 (en) | Process of production of ammonium niobium oxalate, ammonium niobium oxalate and use of the same | |
| Barakat et al. | Determination some structural characteristic of the compound NiSnO3 | |
| Vernon | LXXIII.—Organic derivatives of tellurium. Part IV. Action of ammonia and the alkalis upon α-dimethyltelluronium di-iodide | |
| Besprozvannykh et al. | Sol-gel synthesis and leaching of potassium hollandites | |
| JPH05229900A (en) | Process for producing orthorhombic layered titanate plate-like crystals represented by HxMyTi2-yO4.nH2O | |
| CN1053635C (en) | Water-heating preparation method for fluoride and composite fluoride material under mild condition | |
| Donaldson et al. | 321. Basic tin (II) chloride | |
| Kostrikin et al. | Interaction of components in the NaOH-TiO2· H2O-H2O system at 25° C |