RU2762383C1 - Ac rectifier with non-collinear magnetization - Google Patents
Ac rectifier with non-collinear magnetization Download PDFInfo
- Publication number
- RU2762383C1 RU2762383C1 RU2021119369A RU2021119369A RU2762383C1 RU 2762383 C1 RU2762383 C1 RU 2762383C1 RU 2021119369 A RU2021119369 A RU 2021119369A RU 2021119369 A RU2021119369 A RU 2021119369A RU 2762383 C1 RU2762383 C1 RU 2762383C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- magnetization
- layer
- ferromagnetic
- heterostructure
- plane
- Prior art date
Links
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000013598 vector Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 abstract 1
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019236 CoFeB Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
- H10D8/70—Tunnel-effect diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
- H01F10/3272—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn by use of anti-parallel coupled [APC] ferromagnetic layers, e.g. artificial ferrimagnets [AFI], artificial [AAF] or synthetic [SAF] anti-ferromagnets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3295—Spin-exchange coupled multilayers wherein the magnetic pinned or free layers are laminated without anti-parallel coupling within the pinned and free layers
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
- H02M7/02—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal
- H02M7/04—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal by static converters
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области спинтроники, а именно, к широкополосным выпрямителям переменного тока, выполненным на основе спинового диода в виде гетероструктуры с туннельным магнитным переходом.The invention relates to the field of spintronics, namely, to broadband AC rectifiers made on the basis of a spin diode in the form of a heterostructure with a tunnel magnetic junction.
Из уровня техники известен спиновый диод на базе гетероструктуры, содержащей последовательно расположенные первый ферромагнитный слой с намагниченностью, лежащей в его плоскости, туннельный немагнитный слой и второй ферромагнитный слой с намагниченностью, неколлинеарной намагниченности первого ферромагнитного слоя и расположенной под углом к вертикальной оси гетероструктуры, который может быть использован для выпрямления переменного тока (см. патент US8860159, кл. H01L29/82, опубл. 14.10.2014). Выпрямление в таком диоде реализуется за счет высокоамплитудной внеплоскостной прецессии намагниченности. Недостатками известного устройства является сложность практической реализации, поскольку для достижения упомянутой внеплоскостной прецессии намагниченности требуется либо наличие перпендикулярного плоскости диода магнитного поля, либо наличие перпендикулярной магнитной анизотропии в свободном слое. Причем величины таких перпендикулярного поля или анизотропии должны подбираться так, чтобы они были сопоставимы с полем размагничивания свободного ферромагнитного слоя. В результате в случае реализации внеплоскостной прецессии намагниченности за счет перпендикулярного поля требуется использовать поля с напряженностью порядка 4πMS, где MS – намагниченность насыщения свободного слоя, что для типичных ферромагнетиков можно оценить более чем в 1 Тл. Практическая сложность получения таких больших полей ограничивает возможность применения упомянутого выпрямителя. Для случая же достижения внеплоскостной прецессии намагниченности за счет перпендикулярной магнитной анизотропии в свободном слое требуется очень точный контроль толщины свободного слоя (с точностью превосходящей 0.1 нм), а также условий производства диода (температура и время отжига и т.п.). В результате существенно возрастает сложность и стоимость производства подобного устройства.A spin diode based on a heterostructure is known from the prior art, containing a first ferromagnetic layer in series with a magnetization lying in its plane, a tunnel non-magnetic layer and a second ferromagnetic layer with a magnetization, non-collinear magnetization of the first ferromagnetic layer and located at an angle to the vertical axis of the heterostructure, which can be used for rectifying alternating current (see patent US8860159, class H01L29 / 82, publ. 14.10.2014). Rectification in such a diode is realized due to high-amplitude out-of-plane magnetization precession. The disadvantages of the known device are the complexity of practical implementation, since to achieve the above-mentioned out-of-plane precession of magnetization requires either the presence of a magnetic field perpendicular to the plane of the diode, or the presence of perpendicular magnetic anisotropy in the free layer. Moreover, the values of such a perpendicular field or anisotropy should be selected so that they are comparable to the demagnetization field of a free ferromagnetic layer. As a result, in the case of out-of-plane magnetization precession due to the perpendicular field, it is necessary to use fields with an intensity of the order of 4πM S , where M S is the saturation magnetization of the free layer, which for typical ferromagnets can be estimated at more than 1 T. The practical difficulty of obtaining such large fields limits the applicability of the said rectifier. For the case of achieving out-of-plane magnetization precession due to the perpendicular magnetic anisotropy in the free layer, very precise control of the free layer thickness (with an accuracy exceeding 0.1 nm) is required, as well as the conditions of diode production (temperature and time of annealing, etc.). As a result, the complexity and cost of manufacturing such a device increases significantly.
Технической проблемой является устранение указанных недостатков. Технический результат заключается в упрощении изготовления выпрямителя. Поставленная проблема решается, а технический результат достигается тем, что в выпрямителе переменного тока на базе гетероструктуры, содержащей последовательно расположенные первый ферромагнитный слой с намагниченностью mrl, туннельный немагнитный слой и второй ферромагнитный слой с намагниченностью mfl, неколлинеарной намагниченности mrl, гетероструктура выполнена таким образом, что указанные векторы намагниченности лежат в плоскости соответствующих слоёв, а выпрямление реализуется в нерезонансном режиме. Указанные векторы намагниченности mrl и mfl предпочтительно образуют угол не менее 5° и не более 175°, а соответствующая ширина полосы выпрямления составляет не менее 0.5 ГГц. По меньшей мере, один из ферромагнитных слоёв может выполнен составным из нескольких подслоёв различных ферромагнитных материалов. Намагниченность, по меньшей мере, одного из ферромагнитных слоёв может быть зафиксирована за счет обменного взаимодействия со слоем антиферромагнетика или ферромагнетика, за счёт магнитостатического взаимодействия с, по меньшей мере, одним дополнительным ферромагнитным слоем, посредством установки внешнего источника магнитного поля, путём формирования магнитной анизотропии в плоскости указанного слоя и/или путём формирования геометрической анизотропии указанного слоя.The technical problem is the elimination of these disadvantages. The technical result consists in simplifying the manufacture of the rectifier. The problem posed is solved, and the technical result is achieved by the fact that in an alternating current rectifier based on a heterostructure containing in series a first ferromagnetic layer with magnetization m rl , a tunnel non-magnetic layer and a second ferromagnetic layer with magnetization m fl , non-collinear magnetization m rl , the heterostructure is made as follows in such a way that the indicated magnetization vectors lie in the plane of the corresponding layers, and the rectification is realized in a nonresonant mode. Said magnetization vectors m rl and m fl preferably form an angle of not less than 5 ° and not more than 175 °, and the corresponding rectification bandwidth is not less than 0.5 GHz. At least one of the ferromagnetic layers can be made up of several sublayers of different ferromagnetic materials. The magnetization of at least one of the ferromagnetic layers can be fixed due to the exchange interaction with the antiferromagnet or ferromagnet layer, due to the magnetostatic interaction with at least one additional ferromagnetic layer, by installing an external source of the magnetic field, by the formation of magnetic anisotropy in plane of the specified layer and / or by forming the geometric anisotropy of the specified layer.
На фиг.1 схематически представлено взаимное расположение векторов намагниченности mfl и mrl на виде сверху;Figure 1 schematically shows the relative position of the magnetization vectors m fl and m rl in a top view;
на фиг.2, 3 - структура слоёв предлагаемого устройства в нескольких возможных реализациях (стрелками изображены намагниченности соответствующих слоёв);figure 2, 3 - the structure of the layers of the proposed device in several possible implementations (arrows show the magnetization of the corresponding layers);
на фиг.4 - характерный график зависимости величины выпрямленного напряжения от частоты исходного переменного тока.figure 4 is a characteristic graph of the dependence of the magnitude of the rectified voltage on the frequency of the original alternating current.
В простейшем варианте (фиг.2) предлагаемый выпрямитель представляет собой гетероструктуру, образованную следующими последовательно расположенными слоями:In the simplest version (figure 2), the proposed rectifier is a heterostructure formed by the following sequentially located layers:
1 - подложка,1 - substrate,
2 - нижний электрод, включающий в себя дополнительные технические слои (на чертежах не показаны);2 - the lower electrode, which includes additional technical layers (not shown in the drawings);
3 - фиксирующий слой;3 - fixing layer;
4 - первый ферромагнитный слой с намагниченностью mrl;4 - the first ferromagnetic layer with magnetization m rl ;
5 - туннельный немагнитный слой;5 - tunnel non-magnetic layer;
6 - второй ферромагнитный слой с намагниченностью mfl;6 - second ferromagnetic layer with magnetization m fl ;
7 - верхний электрод, включающий в себя дополнительные технические слои (на чертежах не показаны).7 - the upper electrode, which includes additional technical layers (not shown in the drawings).
Фиксирующий слой 3 за счет обменного и/или магнитостатического взаимодействия фиксирует намагниченность mrl первого ферромагнитного слоя 4 и может быть полностью выполнен из одного антиферромагнетика (фиг.2), например, PtMn и IrMn с различной пропорцией между элементами. В другом варианте данный слой может состоять из нескольких подслоев (фиг.3): антиферромагнитного подслоя 8 из PtMn или IrMn с различной пропорцией между элементами, ферромагнитного подслоя 9 из CoFe или CoFeB с различной пропорцией между элементами и рутениевого (Ru) подслоя 10.The
Если слой 3 отсутствует, то фиксация намагниченности слоя 4 может быть достигнута за счёт магнитостатического взаимодействия с, по меньшей мере, одним дополнительным ферромагнитным слоем, посредством установки внешнего источника магнитного поля, путём формирования магнитной анизотропии в плоскости указанного слоя и/или путём формирования геометрической анизотропии указанного слоя (например, гетероструктура может иметь не круглую, а эллиптическую форму слоев).If
Туннельный немагнитный слой 5 традиционно изготавливают из оксида магния (MgO), однако допускается также изготовление этого слоя из оксида алюминия.The tunnel
Первый 4 и второй 6 ферромагнитные слои могут быть выполнен из типичных ферромагнетиков, таких как NiFe, CoFe и CoFeB, при этом пропорция между элементами в упомянутых сплавах может быть различной. Фиксация намагниченности в слое 6 как правило может быть достигнута за счет формирования геометрической анизотропии указанного слоя (например структура может иметь не круглую, а эллиптическую форму слоев). В общем случае фиксация намагниченности в слое 6 также может быть достигнута за счёт магнитостатического взаимодействия с, по меньшей мере, одним дополнительным ферромагнитным слоем, посредством установки внешнего источника магнитного поля и/или путём формирования магнитной анизотропии в плоскости указанного слоя. Слой 6 может быть выполнен составным из нескольких подслоев 11 и 12 различных ферромагнитных материалов (фиг.3). В общем случае слой 4 также может быть выполнен составным из нескольких подслоев различных ферромагнитных материалов.The first 4 and second 6 ferromagnetic layers can be made of typical ferromagnets such as NiFe, CoFe and CoFeB, while the proportion between the elements in the mentioned alloys can be different. The fixation of magnetization in
Векторы намагниченности mrl и mfl неколлинеарны (предпочтительно образуют угол не менее 5° и не более 175°) и лежат в плоскости соответствующих слоёв 4 и 6. В таких условиях за счёт наличия ненулевого угла между намагниченностями слоёв 4 и 6 всегда существует действующий на намагниченность ненулевой вращающий момент, создаваемый эффектом переноса спина, что приводит к реализации нерезонансного режим работы диода с соответствующей шириной полосы выпрямления не менее 0.5 ГГц.The magnetization vectors m rl and m fl are noncollinear (preferably they form an angle of at least 5 ° and no more than 175 °) and lie in the plane of the
Предлагаемое устройство работает следующим образом. Электроды 2 и 7 подключают к источнику переменного тока, например к принимающей антенне, напрямую или через цепь согласования. При этом сигнал, который принимает антенна, может как излучаться специальным передатчиком, так и быть фоновым техногенным радиочастотным сигналом (Wi-Fi, GSM и т.п.). При прохождении переменного тока через рассматриваемый диод сопротивление диода начинает колебаться на частоте переменного тока. В результате на выходе выпрямителя на основе спинового диода появляется постоянная компонента напряжения. Полученное постоянное напряжение может быть использовано сразу для питания датчиков и прочих маломощных устройств или же для зарядки конденсаторов или аккумуляторных батарей, которые в дальнейшем будут использованы для питания. Стоит отметить, что для выпрямления сигнала возможно одновременное использование нескольких, подключенных параллельно и/или последовательно, спиновых диодов.The proposed device works as follows.
Благодаря использования ферромагнитных слоев, намагниченных в плоскости, снимаются высокие производственные требования на перпендикулярное поле и анизотропию, что значительно упрощает изготовление спинового диода. При этом за счет наличия угла между намагниченностями в плоскости предлагаемая система демонстрирует широкополосное выпрямление.Due to the use of ferromagnetic layers magnetized in the plane, the high production requirements for the perpendicular field and anisotropy are removed, which greatly simplifies the fabrication of the spin diode. In this case, due to the presence of an angle between the magnetizations in the plane, the proposed system demonstrates broadband rectification.
Claims (4)
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2021119369A RU2762383C1 (en) | 2021-07-01 | 2021-07-01 | Ac rectifier with non-collinear magnetization |
| PCT/RU2022/000194 WO2023277728A2 (en) | 2021-07-01 | 2022-06-22 | Ac rectifier with non-collinear magnetization |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2021119369A RU2762383C1 (en) | 2021-07-01 | 2021-07-01 | Ac rectifier with non-collinear magnetization |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2762383C1 true RU2762383C1 (en) | 2021-12-20 |
Family
ID=79175425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2021119369A RU2762383C1 (en) | 2021-07-01 | 2021-07-01 | Ac rectifier with non-collinear magnetization |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2762383C1 (en) |
| WO (1) | WO2023277728A2 (en) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5695864A (en) * | 1995-09-28 | 1997-12-09 | International Business Machines Corporation | Electronic device using magnetic components |
| US6829157B2 (en) * | 2001-12-05 | 2004-12-07 | Korea Institute Of Science And Technology | Method of controlling magnetization easy axis in ferromagnetic films using voltage, ultrahigh-density, low power, nonvolatile magnetic memory using the control method, and method of writing information on the magnetic memory |
| RU2415494C1 (en) * | 2010-02-16 | 2011-03-27 | Игорь Борисович Федоров | Nanoelectronic semiconductor rectifying diode |
| US8860159B2 (en) * | 2011-10-20 | 2014-10-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Spintronic electronic device and circuits |
| US20140362624A1 (en) * | 2012-01-17 | 2014-12-11 | Hitachi, Ltd. | Spin torque diode element, rectifier and power generation module |
| CN109994560A (en) * | 2019-04-24 | 2019-07-09 | 北京镓族科技有限公司 | Rectifier device based on strontium aluminate and gallium oxide heterostructure and preparation method thereof |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3492932B1 (en) * | 2017-11-30 | 2020-07-08 | INL - International Iberian Nanotechnology Laboratory | Frequency sensor |
-
2021
- 2021-07-01 RU RU2021119369A patent/RU2762383C1/en active
-
2022
- 2022-06-22 WO PCT/RU2022/000194 patent/WO2023277728A2/en active Application Filing
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5695864A (en) * | 1995-09-28 | 1997-12-09 | International Business Machines Corporation | Electronic device using magnetic components |
| US6829157B2 (en) * | 2001-12-05 | 2004-12-07 | Korea Institute Of Science And Technology | Method of controlling magnetization easy axis in ferromagnetic films using voltage, ultrahigh-density, low power, nonvolatile magnetic memory using the control method, and method of writing information on the magnetic memory |
| RU2415494C1 (en) * | 2010-02-16 | 2011-03-27 | Игорь Борисович Федоров | Nanoelectronic semiconductor rectifying diode |
| US8860159B2 (en) * | 2011-10-20 | 2014-10-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Spintronic electronic device and circuits |
| US20140362624A1 (en) * | 2012-01-17 | 2014-12-11 | Hitachi, Ltd. | Spin torque diode element, rectifier and power generation module |
| CN109994560A (en) * | 2019-04-24 | 2019-07-09 | 北京镓族科技有限公司 | Rectifier device based on strontium aluminate and gallium oxide heterostructure and preparation method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023277728A3 (en) | 2023-03-02 |
| WO2023277728A2 (en) | 2023-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9383418B2 (en) | Integrated dual axis fluxgate sensor using double deposition of magnetic material | |
| US8131249B2 (en) | Frequency converter | |
| Suzuki et al. | Spin-torque diode effect and its application | |
| US7991377B2 (en) | Mixer and frequency converting apparatus | |
| KR101107155B1 (en) | Frequency conversion apparatus and frequency conversion method | |
| Goel et al. | Ferromagnetic resonance and control of magnetic anisotropy by epitaxial strain in the ferromagnetic semiconductor (G a 0.8, F e 0.2) Sb at room temperature | |
| US20080174308A1 (en) | Magnetic amplification device comprising a magnetic sensor with longitudinal sensitivity | |
| US20210044254A1 (en) | Single magnetic-layer microwave oscillator | |
| US8270206B2 (en) | Spin high-frequency mixer and method of manufacture thereof | |
| US11385269B2 (en) | Frequency sensor | |
| Goel et al. | In-plane to perpendicular magnetic anisotropy switching in heavily-Fe-doped ferromagnetic semiconductor (Ga, Fe) Sb with high Curie temperature | |
| US7808229B2 (en) | Magnetic device and frequency analyzer | |
| JP2007235119A (en) | Ferromagnetic wire | |
| Khudorozhkov et al. | Spin-torque diode frequency tuning via soft exchange pinning of both magnetic layers | |
| RU2762383C1 (en) | Ac rectifier with non-collinear magnetization | |
| US20140346514A1 (en) | Semiconductor device | |
| RU2762381C1 (en) | Ac rectifier based on inhomogeneous heterostructure | |
| US10522172B2 (en) | Oscillator and calculating device | |
| RU2731531C1 (en) | Vortex spin diode, as well as receiver and detector based thereon | |
| Gupta et al. | Dual band radio frequency detector based on the simultaneous excitation of free and reference layer in a magnetic tunnel junction | |
| RU2347296C1 (en) | Magnetically operated detector of shf radiation | |
| JP2020035832A (en) | AC generator | |
| US20230366955A1 (en) | System and method for suppressing low frequency magnetic noise in magneto-resistive sensors | |
| Rzeszut et al. | Towards mutual synchronization of serially connected Spin Torque Oscillators based on magnetic tunnel junctions | |
| US20190348869A1 (en) | Split-ring resonator with integrated magnetic tunnel junction for highly sensitive and efficient energy harvesting |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: PLEDGE FORMERLY AGREED ON 20220421 Effective date: 20220421 |