RU2747157C1 - Antenna - Google Patents
Antenna Download PDFInfo
- Publication number
- RU2747157C1 RU2747157C1 RU2020103767A RU2020103767A RU2747157C1 RU 2747157 C1 RU2747157 C1 RU 2747157C1 RU 2020103767 A RU2020103767 A RU 2020103767A RU 2020103767 A RU2020103767 A RU 2020103767A RU 2747157 C1 RU2747157 C1 RU 2747157C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- aperture
- signal
- ground
- antenna
- metal
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
Landscapes
- Waveguide Aerials (AREA)
Abstract
Description
Данное изобретение относится к области радиотехники, в частности к сверхширокополосным пассивным антеннам СВЧ диапазона, и может найти применение в системах связи, в задачах метрологии, в задачах радиодефектоскопии, в задачах радиомониторинга, в задачах электромагнитной совместимости (ЭМС), в задачах защиты информации, при этом стабильно сохранять электрические характеристики при сильных механических вибрациях и на фоне акустических шумов.This invention relates to the field of radio engineering, in particular to ultra-wideband passive antennas of the microwave range, and can be used in communication systems, in metrology problems, in radio defectoscopy problems, in radio monitoring problems, in problems of electromagnetic compatibility (EMC), in problems of information protection, when this stably maintains the electrical characteristics in the presence of strong mechanical vibrations and against the background of acoustic noise.
Известна сверхширокополосная антенна (патент США №5278575, кл. МКИ H01Q 9/28, НКИ 343/795,1994 г.), выполненная на основе печатной антиподальной щелевой линии (АПЩЛ), содержащую апертурный отрезок АПЩЛ без перекрытия секторного типа, который состоит из двух одинаковых апертурной сигнальной металлической пластины (АСМП) и апертурной земляной металлической пластины (АЗМП) и отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием. В излучающей части антенны АСМП и АЗМП, апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, выполнены экспоненциально сужающимися по внутренней боковой кромке от области нулевого перекрытия АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ в направлении области максимального раскрыва апертуры. Сигнальный полосковый проводник запитывающего отрезка полосковой линии передачи одним торцом гальванически подключен к внутренней боковой кромке АСМП в области нулевого перекрытия АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ, а земляная пластина сигнального полоскового проводника гальванически соединена с торцевой кромкой АЗМП в области нулевого перекрытия АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием.Known ultra-wideband antenna (US patent No. 5278575, class MKI H01Q 9/28, NKI 343/795, 1994), made on the basis of a printed antipodal slot line (APShL), containing an aperture section of APShL without overlapping sector type, which consists of two identical aperture signal metal plate (AFMP) and aperture earthen metal plate (AMMP) and a segment of APShL with zero overlap. In the radiating part of the antenna, the AFMP and AMMP, the APShL aperture section without overlap, are made exponentially tapering along the inner side edge from the region of zero overlap, the APSL and AMPA of the APSHL aperture section in the direction of the region of the maximum aperture opening. The signal strip conductor of the supply section of the strip transmission line is galvanically connected with one end to the inner side edge of the ASMP in the area of zero overlap of the ASMP and AMMP of the aperture section of the APSChL, and the earthen plate of the signal strip conductor is galvanically connected to the end edge of the ASMP of the AMP in the area of the apical overlap. with zero overlap.
Недостатками данного технического решения являются: ограничение широкополосности в низкочастотной части диапазона без увеличения максимального раскрыва апертуры (расширение в низкочастотную часть диапазона возможно за счет увеличения максимального размера апертуры), невысокий коэффициент усиления антенны, низкий уровень кросполязационной развязки, значительный уровень обратного излучения.The disadvantages of this technical solution are: limitation of the broadband in the low-frequency part of the range without increasing the maximum aperture opening (expansion into the low-frequency part of the range is possible by increasing the maximum aperture size), low antenna gain, low cross-polarization isolation, a significant level of back radiation.
Наиболее близким техническим решением - прототипом является пассивная сверхширокополосная антенна (патент РФ №2298268 С1, кл. МПК H01Q 9/00, 2006), выполненная на основе АПЩЛ, расположенной на диэлектрической подложке. Антенна состоит из апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия секторного типа и выполнена из двух одинаковых АСМП и АЗМП и отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием. В излучающей части антенны АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия выполнены экспоненциально сужающимися по внутренней боковой кромке от области нулевого перекрытия АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ в направлении области максимального раскрыва апертуры. Сигнальный полосковый проводник запитывающего отрезка полосковой линии передачи одним торцом гальванически подключен к внутренней боковой кромке АСМП в области нулевого перекрытия АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ, а земляная пластина сигнального полоскового проводника гальванически соединена с торцевой кромкой АЗМП в области нулевого перекрытия АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием. Апертурная сигнальная металлическая излучающая поверхность (АСМИП) и апертурная земляная металлическая излучающая поверхность (АЗМИП) установлены в области апертуры антенны перпендикулярно плоскости диэлектрической подложки и расположены вдоль внутренних боковых кромок АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, соответственно, от области нулевого перекрытия АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ в направлении максимального раскрыва апертуры антенны и по всей длине внутренних боковых кромок гальванически соединены с АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ, соответственно.The closest technical solution - the prototype is a passive ultra-wideband antenna (RF patent No. 2298268 C1, class IPC
Недостатками известного технического решения являются: невозможность расширения рабочего диапазона частот в низкочастотную область без существенного увеличения поперечных и продольных размеров апертуры; значительный уровень обратного излучения; значительная неравномерность характеристики согласования в среднечастотной части рабочего диапазона частот; отсутствие защиты антенны от внешних вибрационных воздействий, шумовых акустических помех и акустических полей, наличие которых вызывает микрофонный эффект и акустоэлектрические преобразования на металлических элементах антенны и как следствие ухудшение характеристик антенны - возникновение модуляции диаграммы направленности, возникновение паразитной амплитудной модуляции излучаемого или принимаемого сигнала.The disadvantages of the known technical solution are: the impossibility of expanding the operating frequency range into the low-frequency region without a significant increase in the transverse and longitudinal dimensions of the aperture; significant level of back radiation; significant unevenness of the matching characteristics in the mid-frequency part of the operating frequency range; lack of antenna protection from external vibration influences, noise acoustic interference and acoustic fields, the presence of which causes the microphone effect and acoustoelectric transformations on the metal elements of the antenna and, as a consequence, deterioration of the antenna characteristics - the occurrence of radiation pattern modulation, the occurrence of parasitic amplitude modulation of the emitted or received signal.
Технической задачей данного изобретения является создание антенны: с расширенным диапазоном рабочих частот в низкочастотную область без изменения поперечных и продольных размеров апертуры; с улучшенной характеристикой согласования во всем рабочем диапазоне частот, и в частности в средневолновой части рабочего диапазона частот; с уменьшенным уровнем обратного излучения; с высоким уровнем кросполяризационной развязки; с защитой антенны от внешних виброакустических воздействий - внешних акустических помех и акустических полей, т.е. устранение микрофонного эффекта и акусто-электрических преобразований в антенне, что соответствует устранению паразитной модуляции диаграммы направленности и амплитудной модуляции излученного или принимаемого электромагнитного сигнала и одновременно с защитой от внешних механических и климатических воздействий.The technical objective of this invention is to create an antenna: with an extended range of operating frequencies in the low-frequency region without changing the transverse and longitudinal dimensions of the aperture; with improved matching performance over the entire operating frequency range, and in particular in the mid-wave part of the operating frequency range; with reduced back-radiation; with a high level of cross-polarization isolation; with antenna protection from external vibroacoustic influences - external acoustic interference and acoustic fields, i.e. elimination of the microphone effect and acousto-electrical transformations in the antenna, which corresponds to the elimination of parasitic modulation of the radiation pattern and amplitude modulation of the emitted or received electromagnetic signal and simultaneously with protection from external mechanical and climatic influences.
Поставленная задача решается тем, что в антенне, содержащей АПЩЛ, размещенную на диэлектрической подложке, состоящую из отрезка АПЩЛ без перекрытия и отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием, и запитывающий отрезок полосковой линии передачи, при этом апертура антенны образована отрезком АПЩЛ без перекрытия секторного типа, при этом продольная ось АПЩЛ является продольной осью антенны, одинаковые АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия выполнены суживающимися по внутренней боковой кромки от области нулевого перекрытия в направлении области максимального раскрыва апертуры, при этом одинаковые АСМИП и АЗМИП установлены в области апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия и расположены перпендикулярно плоскости диэлектрической подложки вдоль внутренних боковых кромок АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, соответственно, от области нулевого перекрытия АСМП и АЗМП в направлении области максимального раскрыва апертуры, при этом сигнальный полосковый проводник запитывающего отрезка полосковой линии передачи размещен на одной поверхности диэлектрической подложки с АСМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия и одной торцевой кромкой гальванически подключен к внутренней боковой кромке АСМП в области нулевого перекрытия АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием, а металлическая земляная плоскость запитывающего отрезка полосковой линии передачи размещена на одной поверхности диэлектрической подложки с АЗМП и в области нулевого перекрытия, АСМП с АЗМП отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием, гальванически соединена одной торцевой кромкой с торцевой кромкой апертурной земляной металлической пластины, при этом другая торцевая кромка сигнального полоскового проводника запитывающего отрезка полосковой линии передачи подключена к центральному проводнику коаксиального соединителя, причем АСМИП и АЗМПИ в области нулевого перекрытия апертурного отрезка АПЩЛ гальванически соединены с АСМП и АЗМП соответственно, причем длина АСМИП и АЗМИП на отрезке от области нулевого перекрытия до области максимального раскрыва апертуры или меньше, или равна, или больше длины внутренней боковой кромки АСМП и АЗМП отрезка АПЩЛ без перекрытия, соответственно, при этом введены одинаковые дополнительная сигнальная металлическая излучающая поверхность (ДСМИП) и дополнительная земляная металлическая излучающая поверхность (ДЗМИП), которые расположены со стороны внешней боковой кромки АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, соответственно, и перпендикулярно им, при этом одной торцевой кромкой ДСМИП и ДЗМИП подключены в области максимального раскрыва апертуры, по меньшей мере, одной введенной апертурной перемычкой к торцевой кромке АСМИП и АЗМИП, соответственно, причем максимальная длина ДСМИП и ДЗМИП меньше, или равна или больше длины внешней боковой кромки АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, а ширина ДСМИП и ДЗМИП в области максимального раскрыва апертуры больше, или равна, или меньше ширины АСМИП и АЗМИП, причем введены сигнальная импедансная нагрузка (СИЛ) и земляная импедансная нагрузка (ЗИН), которые выполнены в виде планарной металлической пластины и, по меньшей мере, через один сигнальный контактный элемент (СКЭ) и, по меньшей мере, один земляной контактный элемент (ЗКЭ) подключены в области апертуры антенны к АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, соответственно, компенсатор, который выполнен из двух одинаковых планарных металлических пластин, расположенных на одной поверхности диэлектрической подложки с сигнальным полосковым проводником запитывающего отрезка полосковой линии передачи, при этом одна и другая пластины компенсатора установлены симметрично с одной и другой стороны сигнального полоскового проводника запитывающего отрезка полосковой линии передачи, соответственно, в области подключения его к центральному проводнику коаксиального соединителя.The problem posed is solved by the fact that in an antenna containing an APSHL, placed on a dielectric substrate, consisting of an APSHL segment without overlapping and a APSHL segment with zero overlap, and a feeding section of a strip transmission line, while the antenna aperture is formed by an APSHL segment without a sector-type overlap, when the longitudinal axis of the APSCHL is the longitudinal axis of the antenna, the same ASMP and AMMP of the APSCHL aperture segment without overlap are made tapering along the inner side edge from the area of zero overlap in the direction of the area of maximum aperture opening, while the same ASMIP and ASMIP are installed in the area of the aperture segment of the APSCHL without overlapping and are located perpendicular to the plane of the dielectric substrate along the inner side edges of the AFMP and AMMP of the aperture segment of the AFMP without overlapping, respectively, from the region of zero overlap of the AFMP and AMMP in the direction of the region of the maximum aperture aperture, while the signal strip conductor of the power supply a strip of a strip transmission line is placed on one surface of a dielectric substrate with an AFMP of the aperture section of the APSCHL without overlapping and one end edge is galvanically connected to the inner side edge of the AFMP in the area of zero overlap of the AFMP and AMMP of the aperture section of the APSCHL with zero overlap, and will fill the metal strip of the ground plane transmission is placed on one surface of a dielectric substrate with AMMP and in the area of zero overlap, AFMP with AMMP of the APShL section with zero overlap, is galvanically connected by one end edge to the end edge of the aperture earth metal plate, while the other end edge of the signal strip conductor of the supply transmission line of the strip line connected to the central conductor of the coaxial connector, and ASMIP and AZMPI in the area of zero overlap of the aperture section of the APShL are galvanically connected to the ASMP and AMMP, respectively, and the length of the ASMIP and AZMIP in the segment from the area and zero overlap up to the area of maximum aperture aperture or less, or equal to, or more than the length of the inner side edge of the AFMP and AMMP of the APShL segment without overlap, respectively, with the same additional signal metal emitting surface (DSMIP) and an additional earth metal emitting surface (DZMIP) ), which are located on the side of the outer side edge of the AFMP and AMMP of the aperture section of the APSCHL without overlap, respectively, and perpendicular to them, while one end edge of the DSMIP and the DSMIP are connected in the region of the maximum aperture opening by at least one introduced aperture bridge to the end edge ASMIP and ASMIP, respectively, and the maximum length of the ASMP and DZMIP is less than, or equal to or greater than the length of the outer side edge of the ASMP and ASMP of the aperture segment of the APSC without overlap, and the width of the ASMP and DZMIP in the region of the maximum aperture opening is greater than, or equal to, or less than the width of the ASMP and AZMIP, and the signal i impedance load (SIL) and ground impedance load (ZIN), which are made in the form of a planar metal plate and through at least one signal contact element (SLE) and at least one earth contact element (EZE) are connected to the area of the antenna aperture to the AFMP and AMMP of the aperture section of the APShL without overlapping, respectively, the compensator, which is made of two identical planar metal plates located on one surface of the dielectric substrate with the signal strip conductor of the supply section of the strip transmission line, with one and the other compensator plates installed symmetrically on one and the other side of the signal strip conductor of the supply section of the strip transmission line, respectively, in the area of its connection to the central conductor of the coaxial connector.
В основу антенны положена печатная АПЩЛ, например описанная (Заргано Г.Ф., Лерер А.М., Лялин В.П., Синявский Г.П. Линии передачи сложных сечений, г. Ростор-на-Дону, Изд. Ростовского университета, 1984 г., стр. 179-185); (LANGLEY J D SET: "Balansced antipodal Vivaldi antenna for wide bandwidth phased arrays", IEE Proceeding: Microwaves, Antennas and Propagation, IEE Stevenage, Herts, Gb. vol/143, no. 2,18 April 1996(1996-04-18), pages 97-102); (FOURIKIS Ν ET AL: "Parametric study of the co-and crosspolarisation characteristics of tapered planar and antipodal slotline antennas" IEE Proceeding H. Microwaves, Antennas & Propagation, Institution of Electrical Enginineers. Stevenage, GB, vol. 140, no. 1, Februaryl 993 (1993-02-01), pages 17-22).The antenna is based on a printed APSCHL, for example, described (Zargano G.F., Lerer A.M., Lyalin V.P., Sinyavsky G.P. Transmission lines of complex sections, Rostor-on-Don, Publishing house of Rostov University , 1984, pp. 179-185); (LANGLEY JD SET: "Balansced antipodal Vivaldi antenna for wide bandwidth phased arrays", IEE Proceeding: Microwaves, Antennas and Propagation, IEE Stevenage, Herts, Gb. Vol / 143, no. 2.18 April 1996 (1996-04-18 ), pages 97-102); (FOURIKIS Ν ET AL: "Parametric study of the co-and crosspolarisation characteristics of tapered planar and antipodal slotline antennas" IEE Proceeding H. Microwaves, Antennas & Propagation, Institution of Electrical Enginineers. Stevenage, GB, vol. 140, no. 1 , Februaryl 993 (1993-02-01), pages 17-22).
Излучающая часть антенны состоит из двух излучающих структур объединенных в одной апертуре и имеющих общую продольную ось: первая излучающая структура - АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ секторного типа без перекрытия; вторая излучающая структура - АСМИП и АЗМИП расположены в области апертуры вдоль внутренних боковых кромок АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия. Первая и вторая излучающие структуры, сигнальная с сигнальной и земляная с земляной, гальванически соединены в области нулевого перекрытия АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ соответственно.The radiating part of the antenna consists of two radiating structures combined in one aperture and having a common longitudinal axis: the first radiating structure - AFMP and AMMP of the aperture section of the APShL of the sector type without overlapping; the second emitting structure, ASMIP and ASMIP, are located in the aperture region along the inner side edges of the ASMP and AMMP of the aperture section of the APShL without overlapping. The first and second emitting structures, signal with signal and ground with ground, are galvanically connected in the area of zero overlap of the AFMP and AMMP of the aperture section of the APSCHL, respectively.
К внешним боковым кромкам первой излучающей структуры АСМП и АЗМП подключены СИН и ЗИН через СКЭ и ЗКЭ, а к торцевым кромкам второй излучающей структуры АСМИП и АЗМИП подключены ДСМИП и ДЗМИП через апертурные перемычки, соответственно.SIN and ZIN are connected to the outer side edges of the first emitting structure of the ASMP and AMMP through the SCE and ZKE, and to the end edges of the second emitting structure of the ASMIP and AZMIP, the DSMIP and DZMIP are connected through aperture bridges, respectively.
В области нулевого перекрытия АПЩЛ к гальваническому соединению двух излучающих структур АСМП и АСМИП подключается сигнальный полосковый проводник запитывающего отрезка полосковой линии передачи, а к гальваническому соединению АЗМП и АЗМИП подключается земляная плоскость. Возбуждающее устройство, с точки зрения электродинамики, представляет из себя согласованный сверхширокополосный модоимпедансный трансформатор, обеспечивающий возбуждение из одной точки одновременно двух излучающих структур, (например: Е.И. Нефедов, В.В. Козловсий, А.В. Згурский. Микрополосковые излучающие и резонансные устройства. - Киев: Тэхника, 1990, - 160 с.).In the area of zero overlap of the APSChL, the signal strip conductor of the supplying section of the strip transmission line is connected to the galvanic connection of the two emitting structures of the ASMP and ASMIP, and the ground plane is connected to the galvanic connection of the AMMP and AZMIP. The exciting device, from the point of view of electrodynamics, is a matched ultra-wideband mode-impedance transformer that provides excitation from one point simultaneously of two emitting structures, (for example: E.I. Nefedov, V.V. Kozlovsiy, A.V. Zgursky. Microstrip emitting and resonant devices. - Kiev: Tehnika, 1990, - 160 p.).
Излучающие структуры антенны, в зависимости от длины волны рабочего диапазона частот, можно условно разделить на три поддиапазона: низкочастотный, среднечастотный и высокочастотный. При таком условном разделении каждому поддиапазону частот можно поставить в соответствие свой электродинамический режим моделирования, адекватный определенному типу известных антенн.The radiating structures of the antenna, depending on the wavelength of the operating frequency range, can be conditionally divided into three sub-bands: low-frequency, mid-frequency and high-frequency. With this conditional division, each frequency sub-band can be assigned its own electrodynamic simulation mode, adequate to a certain type of known antennas.
Низкочастотный (длинноволновый) поддиапазон определяется длинами волн, когда ширина области максимального раскрыва апертуры много меньше длины волны этого поддиапазона. В этом режиме АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ представляют из себя плечи электрически укороченного печатного вибратора, с развернутыми под углом плечами и с подключенными СИН и ЗИН, которые в данном поддиапазоне длин волн, как правило, имеют емкостной характер. Такой вибратор аналогичен, например, уголковому вибратору А.А. Пистелькорса (например: А.Л. Драбкин, В.Л. Зузенко. Антенно-фидерные устройства. Изд. "Советское Радио", Москва, 1961 г., 861 с.).The low-frequency (long-wave) sub-band is determined by the wavelengths when the width of the region of the maximum aperture aperture is much less than the wavelength of this sub-band. In this mode, the AFMP and AFMP of the aperture section of the APShchL are the arms of an electrically shortened printed vibrator, with the shoulders turned at an angle and with the connected SIN and ZIN, which in this wavelength subrange, as a rule, have a capacitive nature. Such a vibrator is similar, for example, to the A.A. angle vibrator. Pistelkors (for example: AL Drabkin, VL Zuzenko. Antenna-feeder devices. Publishing house "Soviet Radio", Moscow, 1961, 861 p.).
Среднечастотный (переходной) поддиапазон определяется длинами волн, когда ширина области максимального раскрыва апертуры близка к длине волны этого поддиапазона. В этом режиме АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ с подключенными СИН и ЗИН можно рассматривать как аналог печатной логопериодической антенны (например: ΚIΜ-LU WOND. Compact and Broadband Microstrip Antennas. 2002, 327pp.)The mid-frequency (transition) sub-band is determined by the wavelengths when the width of the region of the maximum aperture aperture is close to the wavelength of this sub-band. In this mode, the AFMP and AMMP of the aperture section of the APShL with connected SIN and ZIN can be considered as an analogue of a printed log-periodic antenna (for example: ΚIΜ-LU WOND. Compact and Broadband Microstrip Antennas. 2002, 327pp.)
Высокочастотной (сверхвысокочастотный) поддиапазон определяется длинами волн, когда расстояние между АСМИП и АЗМИП в области максимального раскрыва апертуры соизмеримо с длиной волны и в направлении области нулевого перекрытия также соизмеримо с длиной волны этого поддиапазона. В этом режиме АСМИП и АЗМИП можно рассматривать как рупорную антенну с открытыми боковыми стенками (например: Constantine A. Balanis. Antenna Theori analysis and design. Arisona State University, 1997, 941pp.).The high-frequency (super-high-frequency) subband is determined by the wavelengths when the distance between ASMIS and ASMIS in the region of the maximum aperture opening is commensurate with the wavelength and in the direction of the zero overlap region is also commensurate with the wavelength of this subband. In this mode, ASMIP and ASMIP can be viewed as a horn antenna with open side walls (eg: Constantine A. Balanis. Antenna Theori analysis and design. Arisona State University, 1997, 941pp.).
Для первой излучающей структуры АСМП - АЗМП в области соединения запитывающего отрезка полосковой линии передачи с волной типа квази-ТЕМ формируется токовый режим возбуждения; для второй излучающей структуры АСМИП-АЗМИП формируется волновой (модовый) режим, а именно волна квази - ТЕМ трансформируется в волну волноводного типа Н10 АПЩЛ с нулевым перекрытием с последующей трансформацией в волноводную волну типа Н10, идентичную волне рупорных антенн.For the first emitting structure of AFMP - AMMP, in the area of connection of the supply section of the strip transmission line with a wave of the quasi-TEM type, a current excitation mode is formed; For the second emitting structure ASMIP-AZMIP, a wave (mode) mode is formed, namely, the quasi-TEM wave is transformed into a waveguide type H 10 APSChL with zero overlap, followed by transformation into a waveguide wave of type H 10 , identical to the wave of horn antennas.
Конструкция СИН и ЗИН, электродинамически представляют сосредоточенные емкости. Поэтому подключение СИН и ЗИН через СКЭ и ЗКЭ к АСМП и АЗМП эквивалентно электрическому удлинению АСМП и АЗМП, что обеспечивает расширение рабочего диапазона частот в низкочастотную область.The design of SIN and ZIN, electrodynamically represent lumped capacities. Therefore, the connection of the SIN and ZIN through the SCE and ZKE to the AFMP and AMMP is equivalent to the electrical lengthening of the AFMP and AMMP, which provides an extension of the operating frequency range to the low-frequency region.
Подключение ДСМИП и ДЗМИП через апертурные перемычки к АСМИП и АЗМИП обеспечивает плавный частотный переход от области среднечастотного (переходного) поддиапазона в область высокочастотного (сверхвысокочастотного) поддиапазона, что позволяет существенно улучшить характеристику согласования, а также уменьшить неравномерность характеристики согласования, убрать провалы в диаграмме направленности, уменьшить неравномерности диаграммы направленности, уменьшает величину кроссполяризационной составляющей электрического поля, уменьшает уровень боковых лепестков и уровень обратного излучения.Connecting DSMIP and DZMIP through aperture jumpers to ASMIP and AZMIP provides a smooth frequency transition from the mid-frequency (transient) sub-band to the high-frequency (microwave) sub-band, which makes it possible to significantly improve the matching characteristic, as well as reduce the unevenness of the matching characteristic, remove the dips in the directional diagram, to reduce irregularities in the directional pattern, reduces the value of the cross-polarization component of the electric field, reduces the level of side lobes and the level of back radiation.
Антенна может быть выполнена с расположением продольной линия геометрической симметрии АСМИП и АЗМИП и расположением продольной линия геометрической симметрии ДСМИП и ДЗМИП на одной плоскости, которая проходит через середину толщины диэлектрической подложки.The antenna can be made with the arrangement of the longitudinal line of geometric symmetry of the ASMIP and ASMIP and the arrangement of the longitudinal line of the geometric symmetry of the ASMIP and DZMIP on the same plane, which passes through the middle of the thickness of the dielectric substrate.
Антенна может быть выполнена с расположением АСМИП и АЗМИП одной боковой кромкой на одной и другой поверхности диэлектрической подложки вдоль внутренних боковых кромок АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, соответственно, при этом ДСМИП и Д ЗМИП расположены со стороны АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, соответственно, вдоль продольной оси антенны.The antenna can be made with the arrangement of ASMP and ASMIP with one side edge on one and the other surface of the dielectric substrate along the inner side edges of the ASMP and ASMP of the aperture segment of the ASMP without overlapping, respectively, while the ASMP and D ZMP are located on the side of ASMP and ASMP of the aperture segment of the ASMP without overlap, respectively, along the longitudinal axis of the antenna.
Антенна может быть выполнена с шириной АСМП и АЗМП от области нулевого перекрытия, апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, в направлении области максимального раскрыва апертуры, выполнена увеличивающейся, причем увеличение ширины вдоль продольной оси описывается линейной или нелинейной функцией.The antenna can be made with the width of the AFMP and AMMP from the area of zero overlap, the aperture section of the APShL without overlap, in the direction of the area of the maximum aperture aperture, is made increasing, and the increase in width along the longitudinal axis is described by a linear or nonlinear function.
Антенна может быть выполнена с одной боковой кромкой АСМИП и АЗМИП расположенных на одной и другой поверхности диэлектрической подложки вдоль внутренних боковых кромок АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия выполнены линейной формы, при этом ширина АСМИП и АЗМИП по другой боковой кромки, от области нулевого перекрытия в направлении области максимального раскрыва апертуры, выполнена увеличивающейся или уменьшающейся, причем увеличение или уменьшение ширины вдоль продольной оси описывается линейной или нелинейной функцией.The antenna can be made with one lateral edge of the ASMP and ASMIP located on one and the other surface of the dielectric substrate along the inner side edges of the ASMP and AMMP of the aperture section of the ASMP without overlapping, made of a linear shape, while the width of the ASMP and ASMIP along the other side edge, from the area of zero overlap in the direction of the region of maximum aperture opening, is made increasing or decreasing, and the increase or decrease in the width along the longitudinal axis is described by a linear or non-linear function.
Антенна может быть выполнена с шириной АСМИП и АЗМИП от области нулевого перекрытия, апертурного отрезка АПЩ Л без перекрытия, в направлении области максимального раскрыва апертуры, вдоль продольной оси выполнена постоянной.The antenna can be made with the width of ASMIP and ASMIP from the area of zero overlap, the aperture section of the APShL L without overlap, in the direction of the area of maximum aperture opening, along the longitudinal axis is made constant.
Максимальная ширина АСМИП и АЗМИП в области максимального раскрыва апертуры и функция, описывающая продольную форму поверхностей, вдоль продольной оси антенны, определяют: коэффициент усиления; верхнюю граничную частоту; уровень и величину неравномерности характеристики согласования в высокочастотной части диапазона рабочих частот, ширину главного лепестка диаграммы направленности; уровень боковых лепестков и уровень обратного излучения; уровень кросполяризационной составляющей электрического поля.The maximum width of the ASMIP and ASMIP in the region of the maximum aperture opening and the function describing the longitudinal shape of the surfaces along the longitudinal axis of the antenna determine: the gain; upper cutoff frequency; the level and value of the unevenness of the matching characteristics in the high-frequency part of the operating frequency range, the width of the main lobe of the directional pattern; sidelobe level and backscatter level; the level of the cross-polarization component of the electric field.
Выбор расположения АСМИП и АЗМИП относительно диэлектрической подложки определяется диапазоном частот.The choice of the location of ASMIP and ASMIP relative to the dielectric substrate is determined by the frequency range.
Антенна может быть выполнена с шириной ДСМИП и Д ЗМИП от области максимального раскрыва апертуры в направлении области нулевого перекрытия, апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, выполнена увеличивающейся или уменьшающейся, причем увеличение или уменьшение ширины вдоль продольной оси описывается линейной или нелинейной функцией.The antenna can be made with the width of the DSMIS and D ZMIP from the region of the maximum aperture aperture in the direction of the region of zero overlap, the aperture section of the APShL without overlap, is made increasing or decreasing, and the increase or decrease in the width along the longitudinal axis is described by a linear or nonlinear function.
Антенна может быть выполнена с шириной ДСМИП и Д ЗМИП от области максимального раскрыва апертуры в направлении области нулевого перекрытия, апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, вдоль продольной оси антенны постоянной.The antenna can be made with the width of the DSMIP and D ZMIP from the region of the maximum aperture opening in the direction of the zero overlap region, the APShL aperture segment without overlap, constant along the longitudinal axis of the antenna.
Антенна может быть выполнена с длиной ДСМИП и ДЗМИП вдоль внешней боковой кромки, АСМП и АЗМП меньше или равна длине диэлектрической подложке.The antenna can be made with the length of the DMSP and DZMIP along the outer side edge, the AFMP and AMP is less than or equal to the length of the dielectric substrate.
Выбор ширины и формы ДСМИП и ДЗМИП определяется эквивалентом емкости, которым они соответствуют.The choice of the width and shape of the DMSIP and DZMIP is determined by the equivalent capacity to which they correspond.
Антенна может быть выполнена с расположением ДСМИП и ДЗМИП параллельно или развернутыми под углом Ψ к одной и другой продольным боковым сторонам диэлектрической подложки, соответственно, при этом угол Ψ лежит в пределах 0°≤Ψ≤90°.The antenna can be made with the location of the DMSP and DZMIP parallel or deployed at an angle Ψ to one and the other longitudinal lateral sides of the dielectric substrate, respectively, while the angle Ψ lies in the range of 0 ° ≤Ψ≤90 °.
Длина, ширина (профиль по длине) и угол наклона ДСМИП и ДЗМИП определяются среднечастотным диапазоном рабочего диапазона частот антенны.The length, width (profile along the length) and the angle of inclination of the DMSIP and DZMIP are determined by the mid-frequency range of the antenna's operating frequency range.
Антенна может быть выполнена с сужением АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия по внутренней боковой кромке, от области нулевого перекрытия в направлении области максимального раскрыва апертуры, вдоль продольной оси антенны, описывается линейной или нелинейной функцией.The antenna can be made with a narrowing of the AFMP and AMMP of the aperture section of the APShL without overlapping along the inner side edge, from the region of zero overlap in the direction of the region of maximum aperture aperture, along the longitudinal axis of the antenna, is described by a linear or nonlinear function.
Выбор функции описывающей сужение по внутренней боковой кромке АСМП и АЗМП определяется нижней границей диапазона частот антенны и позволяет оптимизировать уровень согласования, неравномерность характеристики согласования, ширину диаграммы направленности и коэффициент усиления.The choice of the function describing the narrowing along the inner lateral edge of the AFMP and AMMP is determined by the lower boundary of the antenna frequency range and allows you to optimize the matching level, the unevenness of the matching characteristics, the beam width and the gain.
Функция линейного расширения по внутренней боковой кромке, от области максимального раскрыва апертуры к области нулевого перекрытия, обеспечивает работу антенны с импульсными и сверхширокополосными сигналами.The linear expansion function along the inner side edge, from the area of maximum aperture aperture to the area of zero overlap, allows the antenna to operate with pulsed and ultra-wideband signals.
Антенна может быть выполнена с АСМП, апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, с формой внешней боковой кромки, противоположной внутренней боковой кромке, параллельной продольной оси антенны.The antenna can be made with an ASMP, an aperture section of the APSCHL without overlapping, with the shape of the outer side edge opposite to the inner side edge, parallel to the longitudinal axis of the antenna.
Антенна может быть выполнена с формой АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, по внешней боковой кромке, противоположной внутренней боковой кромке, относительно продольной оси антенны, в направлении от области максимального раскрыва апертуры к области нулевого перекрытия, расширяющейся или сужающейся, причем расширение или сужение описывается линейной или нелинейной функцией.The antenna can be made with the shape of the AFMP and AMMP of the aperture section of the APShL without overlapping, along the outer side edge opposite the inner side edge, relative to the longitudinal axis of the antenna, in the direction from the region of maximum aperture opening to the region of zero overlap, expanding or narrowing, and the expansion or narrowing described by a linear or non-linear function.
Выбор функции, описывающей металлические пластины АСМП и АЗМП по внешней боковой кромке линейной, параллельной продольной оси антенны, или функции описывающей сужение или расширение - определяет диапазон частот в низкочастотной части рабочего диапазона частот. Оптимальный выбор формы внутренней и внешней боковой кромки АСМП и АЗМП позволяет оптимизировать низкочастотную часть диапазона, характеристику согласования, диаграмму направленности, уровень боковых лепестков, уровень обратного излучения и величину кросполяризационной составляющей электрического поля.The choice of a function that describes the metal plates of the AFMP and AMMP along the outer side edge of a linear parallel to the longitudinal axis of the antenna, or a function that describes the narrowing or expansion - determines the frequency range in the low-frequency part of the operating frequency range. The optimal choice of the shape of the inner and outer side edges of AFMP and AMMP allows you to optimize the low-frequency part of the range, the matching characteristic, the radiation pattern, the level of side lobes, the level of backward radiation, and the magnitude of the cross-polarization component of the electric field.
Антенна может быть выполнена с диэлектрической подложкой АПЩЛ прямоугольной формы, при этом продольные боковые стороны диэлектрической подложки расположены параллельно продольной оси антенны.The antenna can be made with a rectangular dielectric substrate APShL, while the longitudinal sides of the dielectric substrate are parallel to the longitudinal axis of the antenna.
Антенна может быть выполнена с боковыми сторонами диэлектрической подложки АПЩЛ, воль продольной оси антенны в направлении от области максимального раскрыва апертуры к области нулевого перекрытия, выполнены расширяющейся или сужающейся формы, причем расширение или сужение диэлектрической подложки описывается линейной или нелинейной функцией.The antenna can be made with the sides of the dielectric substrate APShL, along the longitudinal axis of the antenna in the direction from the region of maximum aperture aperture to the region of zero overlap, made of an expanding or narrowing shape, and the expansion or contraction of the dielectric substrate is described by a linear or nonlinear function.
Ширина диэлектрической подложки в области максимального раскрыва апертурного, отрезка АПЩЛ без перекрытия, может быть равна или больше максимального раскрыва апертурыThe width of the dielectric substrate in the region of the maximum aperture opening, the APShL segment without overlapping, can be equal to or greater than the maximum aperture opening
Выбор формы диэлектрической подложки определяется геометрическими формами АСМП и АЗМП, расположением СИН и ЗИН, а также геометрическими формами и расположением ДАСИП и ДЗМИП.The choice of the shape of the dielectric substrate is determined by the geometric shapes of the AFMP and AMMP, the location of the SIN and ZIN, as well as the geometric shapes and location of the DASIP and DZMIP.
Нелинейный закон сужения и расширения продольной формы АСМИП и АЗМИП; продольной формы ДСМИП и ДЗМИП; сужение по внутренней боковой кромке АСМП и АЗМП, сужение или расширение по внешней боковой кромке АСМП и АЗМП; сужение или расширение по внешней боковой стороне диэлектрической подложки, могут быть описаны, например, нелинейной функцией вида y=ax±m/n или, например, функцией вида у=aebx+cdx, где: а, b, с, d - коэффициенты, задаются действительным числом; m, n - целые положительные взаимно простые числа, причем m≠n и n>m; х - координата, соответствует продольной оси антенны.Nonlinear law of narrowing and expansion of the longitudinal form of ASMIP and AZMIP; longitudinal form DSMIP and DZMIP; narrowing along the inner lateral edge of the ASP and AZMP, narrowing or widening along the outer lateral edge of the ASP and AZMP; narrowing or expansion along the outer side of the dielectric substrate can be described, for example, by a nonlinear function of the form y = ax ± m / n or, for example, by a function of the form y = ae bx + c dx , where: a, b, c, d - coefficients are given by a real number; m, n are positive coprime integers, with m ≠ n and n>m; x - coordinate, corresponds to the longitudinal axis of the antenna.
Выбор вида функции нелинейного закона, описывающего сужение или расширение: - продольной формы и ширины АСМИП и АЗМИП; - ширина ДСМИП и ДЗМИП; - сужение по внутренней боковой кромке АСМП и АЗМП; - сужение или расширение по внешней боковой кромке АСМП и АЗМП - сужение или расширение по внешней боковой кромке диэлектрической подложки, позволяет: оптимизировать поперечные и продольный размеры апертуры в заданном частотном диапазоне; улучшить уровень согласования; увеличить коэффициент усиления; минимизировать уровень боковых лепестков и уровень обратного излучения; уменьшить уровень кросполяризационной составляющей.The choice of the type of function of the nonlinear law describing the narrowing or expansion: - the longitudinal shape and width of ASMIP and ASMIP; - width of DSMIP and DZMIP; - narrowing along the inner lateral edge of the AFMP and AMMP; - narrowing or widening along the outer lateral edge of the AFMP and AMMP - narrowing or expanding along the outer lateral edge of the dielectric substrate, allows: to optimize the transverse and longitudinal dimensions of the aperture in a given frequency range; improve the level of agreement; increase the gain; minimize sidelobe and backscatter levels; reduce the level of the cross-polarization component.
Антенна может быть выполнена с расположением металлической планарной пластины СИН и ЗИН на свободных поверхностях диэлектрической подложки апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, причем металлическая пластина СИН расположена на одной поверхности диэлектрической подложки с АЗМП под поверхностью АСМП, а металлическая пластина ЗИН расположена на одной поверхности диэлектрической подложки с АСМП под поверхностью АЗМП, при этом СКЭ и ЗИН установлены перпендикулярно поверхности диэлектрической подложки.The antenna can be made with the arrangement of the SIN and ZIN metal planar plate on the free surfaces of the dielectric substrate of the APShL aperture section without overlapping, and the SIN metal plate is located on one surface of the dielectric substrate with the AMP under the AFMP surface, and the ZIN metal plate is located on one surface of the dielectric substrate with AFMP under the surface of the AMF, while the SCE and ZIN are installed perpendicular to the surface of the dielectric substrate.
Антенна может быть выполнена с металлической планарной пластиной СИН и ЗИН в сторону уменьшения в форме подобной форме АСМП и АЗМП соответственно, или в форме правильной геометрической фигуры.The antenna can be made with a metal planar plate SIN and ZIN in the direction of decreasing in the form of a similar form of AFMP and AMP, respectively, or in the form of a regular geometric figure.
Выполнение СИН и ЗИН в виде металлической планарной пластины с расположением СИН под АСМП и ЗИН под АЗМП, позволяет располагать СКЭ и ЗКЭ как по краю области, так и в любом месте поверхности области СИН и ЗИН, формируя тем самым для АСМП и АЗМП разные функции импедансного удлинения. Например, соединение внешней боковой кромки АСМП и АЗМП с соответствующей СИН и ЗИН - увеличивает геометрическую площадь АСМП и АЗМП и длину их внешних боковых кромок, а соединение по поверхности - соответствует подключению импедансной нагрузки, что позволяет уменьшить нижнюю граничную частоту антенны без увеличения геометрических размеров апертуры при высоком уровне согласования и низкой неравномерности характеристики согласования.Execution of the SIN and ZIN in the form of a metal planar plate with the location of the SIN under the AFMP and ZIN under the AFMP, allows placing the ESC and ZEC both along the edge of the region and anywhere on the surface of the SIN and ZIN region, thereby forming different impedance functions for the AFMP and AFMP. lengthening. For example, the connection of the outer side edge of the AFMP and AMMP with the corresponding SIN and ZIN increases the geometric area of the AMMP and AMMP and the length of their outer lateral edges, and the connection along the surface corresponds to the connection of the impedance load, which makes it possible to reduce the lower cutoff frequency of the antenna without increasing the geometric dimensions of the aperture with a high level of matching and low unevenness of the matching characteristics.
Металлическая планарная область СИН и ЗИН может быть выполнена в форме правильной геометрической фигуры, например, прямоугольной формы, в форме эллипса илиThe metal planar area of the SIN and ZIN can be made in the form of a regular geometric figure, for example, a rectangular shape, an ellipse, or
Антенна может быть выполнена с расположением планарной металлической пластины СИН и ЗИН между внешними боковыми кромками АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия и ДСМИП и ДЗМИП, соответственно, и перпендикулярно АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, при этом СКЭ и ЗКЭ установлены параллельно поверхности диэлектрической подложки.The antenna can be made with the arrangement of a planar metal plate SIN and ZIN between the outer side edges of the AFMP and AFMP of the aperture section of the APSCHL without overlapping and DSMIP and DZMIP, respectively, and perpendicular to the ASMP and AFMP of the aperture segment of the APSCHL without overlapping, while the SCE and the surface dielectric substrate.
СКЭ и ЗКЭ соответственно СИН и ЗИН может быть выполнен: по меньшей мере, из одного металлического проводника; в виде металлической ленты, при этом максимальная длина металлической ленты меньше или равна длине СИН и ЗИН; в виде сосредоточенной индуктивности или емкости или в виде полупроводникового элемента, с регулируемой электрическим путем емкостью.SKE and ZKE, respectively, SIN and ZIN can be made: from at least one metal conductor; in the form of a metal tape, while the maximum length of the metal tape is less than or equal to the length of the SIN and ZIN; in the form of a lumped inductance or capacitance, or in the form of a semiconductor element, with an electrically adjustable capacity.
В обоих вариантах выполнения и расположения металлической пластины СИН и ЗИН могут быть выполнены например: - одинаковыми по импедансу и одинаково подключены СКЭ и ЗКЭ в одинаковых точках на поверхности АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, соответственно; - различными по импедансу и могут быть подключены в одинаковых или разных точках поверхности АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, соответственно.In both versions of the execution and arrangement of the metal plate, the SIN and ZIN can be made for example: - the same in impedance and the SCE and ZKE are connected in the same way at the same points on the surface of the AFMP and AFMP of the aperture section of the APShL without overlap, respectively; - different in impedance and can be connected at the same or different points of the surface of the AFMP and AFMP of the aperture section of the APSChL without overlapping, respectively.
Соединение внешней боковой кромки металлической пластины СИН и ЗИМ, расположенных на соответствующей поверхности диэлектрической подложки, с внешней боковой кромкой соответствующей АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, позволяет увеличить геометрические размеры АСМП и АЗМП без увеличения геометрических размеров апертуры, и тем самым существенно расширить рабочий диапазон частот антенны в низкочастотную область с высоким уровнем согласования и незначительной неравномерностью характеристики согласования.The connection of the outer side edge of the SIN and ZIM metal plate, located on the corresponding surface of the dielectric substrate, with the outer side edge of the corresponding AFMP and AFMP of the aperture segment of the APShL without overlapping, allows increasing the geometric dimensions of the AFMP and AFMP without increasing the geometric dimensions of the aperture, and thereby significantly expanding the working the frequency range of the antenna in the low-frequency region with a high level of matching and a slight unevenness of the matching characteristics.
Для варианта расположения контактного элемента со стороны внешней боковой кромки металлических пластин апертурного отрезка АПЩЛ СКЭ и ЗКЭ может быть выполнен, например, в виде сосредоточенных индуктивности или емкости или в виде последовательного или параллельного контура или на основе полупроводникового элемента с регулируемой электрическим путем емкостью.For the variant of the location of the contact element on the side of the outer lateral edge of the metal plates of the aperture section, the APShL SCE and ZKE can be made, for example, in the form of lumped inductance or capacitance or in the form of a series or parallel circuit or on the basis of a semiconductor element with an electrically adjustable capacity.
Выбор импеданса СИН и ЗИН, точек подключения к АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, тип и количество СКЭ и ЗКЭ определяется по результатам электродинамического моделирования в низкочастотном части диапазона.The choice of the impedance of the SIN and ZIN, the points of connection to the ASMP and AMMP of the aperture section of the APSC without overlapping, the type and number of SCE and SCE is determined by the results of electrodynamic modeling in the low-frequency part of the range.
Конструктивно СКЭ и ЗКЭ, установленные с краю диэлектрической подложки, могут быть выполнены, например, в виде ленточного проводника с длиной, например, меньшей или равной длине внешней боковой кромки СИН и ЗИН или выполнены в виде штырей. При выполнении соединения по поверхности через диэлекгрическую подложку - СКЭ и ЗКЭ выполнен только в виде металлических штырей.Structurally, SCE and ZKE installed at the edge of the dielectric substrate can be made, for example, in the form of a tape conductor with a length, for example, less than or equal to the length of the outer side edge of the SIN and ZIN, or made in the form of pins. When making a connection over the surface through a dielectric substrate, the SCE and ZKE are made only in the form of metal pins.
Антенна может быть выполнена с гальваническим соединением одной и другой металлических пластин компенсатора, по меньшей мере, одной металлической перемычкой с земляной плоскостью запитывающего отрезка полосковой линии передачи.The antenna can be made with galvanic connection of one and the other metal plates of the compensator, at least one metal bridge with the ground plane of the feeding section of the strip transmission line.
Металлические перемычки компенсаторов могут быть выполнены, например, в виде металлических проводников расположенных в отверстиях диэлектрической подложке.The metal bridges of the compensators can be made, for example, in the form of metal conductors located in the holes of the dielectric substrate.
Антенна может быть выполнена с установкой двух одинаковых нагрузок компенсатора, которые выполнены в виде прямоугольных пластин из высокочастотного радиопоглощающего материала и установлены на металлическую поверхность одной и другой пластин компенсатора, соответственно.The antenna can be made with the installation of two identical compensator loads, which are made in the form of rectangular plates of high-frequency radio-absorbing material and are installed on the metal surface of one and the other compensator plates, respectively.
Гальваническое соединение металлических пластин компенсатора с земляной плоскостью отрезка полосковой линии передачи устраняет подповерхностные волны запитывающего отрезка полосковой линии передачи и тем самым уменьшает уровень обратного излучения антенны.The galvanic connection of the metal plates of the compensator with the ground plane of the strip transmission line section eliminates subsurface waves of the supply strip transmission line section and thereby reduces the level of the antenna's return radiation.
Установка на каждую металлическую пластину компенсатора пластины из высокочастотного радиопоглощающего материала позволяет устранить поверхностные волны отрезка полосковой линии передачи и тем самым уменьшить потери на излучение, улучшить согласование с коаксиальным соединителем, уменьшить уровень обратного излучения, а также уменьшить затекание поверхностного электрического тока на внешний экран коаксиального соединителя и соответственно канализирующего коаксиального кабеля и тем самым уменьшить уровень паразитного излучения с земляного проводника коаксиального кабеля и уменьшить уровень обратного излучения антенны.Installing a plate made of a high-frequency radio-absorbing material on each metal plate of the compensator eliminates surface waves of a section of a strip transmission line and thereby reduces radiation losses, improves matching with the coaxial connector, reduces the level of back radiation, and also reduces the flow of surface electric current to the outer shield of the coaxial connector. and, accordingly, the channeling coaxial cable and thereby reduce the level of spurious radiation from the ground conductor of the coaxial cable and reduce the level of return radiation of the antenna.
Антенна может быть выполнена с сигнальным нагрузочным импедансным шлейфом (СНИШ), выполненным в виде планарной металлической пластины, который установлен на одной поверхности со стороны торцевой кромки АСМП отрезка АПЩ Л с нулевым перекрытием и одной торцевой кромкой сигнальным соединительным элементом (ССЭ) гальванической или электромагнитной связью подключен к торцевой кромке АСМП отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием.The antenna can be made with a signal load impedance loop (SNISH), made in the form of a planar metal plate, which is installed on one surface from the side of the end edge of the AFMP section of the APShL L with zero overlap and one end edge with a signal connecting element (SSE) by galvanic or electromagnetic coupling connected to the end edge of the ASMP of the APSCHL section with zero overlap.
ССЭ СНИШ гальванической связи может быть выполнен в виде металлической полоски, ширина которой меньше или равна длине торцевой кромки металлической пластины СНИШ со стороны подключения к АСМП апертурного отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием.SSE SNISh galvanic connection can be made in the form of a metal strip, the width of which is less than or equal to the length of the end edge of the metal plate SNISh from the side of the APSCL aperture section connected to the ASMP with zero overlap.
ССЭ СНИШ электромагнитной связи может быть выполнен в виде воздушного импедансного разделительного зазора, который в зависимости от формы и/или ширины зазора определяет уровень электромагнитной связи, которая может быть однородной или неоднородной, при этом коэффициент электромагнитной связи является величиной частотно зависимой.SSE SNISH electromagnetic coupling can be made in the form of an air impedance separation gap, which, depending on the shape and / or width of the gap, determines the level of electromagnetic coupling, which can be homogeneous or inhomogeneous, while the electromagnetic coupling coefficient is a frequency dependent value.
ССЭ СНИШ гальванической импедансной связи может быть выполнен в виде распределенного или сосредоточенного активного или реактивного элемента (резистивной пленки, емкости или индуктивности), при этом емкость может быть выполнена на полупроводниковом элементе с регулируемой электрическим путем емкостью. Реактивные элементы, например, могут быть соединены между собой в виде последовательного или параллельного контура.SSE SNISh galvanic impedance coupling can be made in the form of a distributed or lumped active or reactive element (resistive film, capacitance or inductance), while the capacitance can be made on a semiconductor element with an electrically adjustable capacity. Reactive elements, for example, can be interconnected in the form of a serial or parallel circuit.
Установка СНИШ и выбор ССЭ позволяет улучшить согласование, уменьшить неравномерность характеристики согласования в диапазоне частот, уменьшить уровень обратного излучения.Installation of SNISH and the choice of SSE allows improving the matching, reducing the unevenness of the matching characteristics in the frequency range, and reducing the level of backward radiation.
Антенна может быть выполнена с сигнальным импедансным контррефлектором (СИКР), выполненным в виде планарной металлической пластины, который установлен на одной плоскости диэлектрической подложки с АСМП отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием и разделен импедансным компенсационным зазором (ИКЗ) от торцевой кромки АСМП отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием или от другой торцевой кромки СНИШ.The antenna can be made with a signal impedance counterreflector (SIKR), made in the form of a planar metal plate, which is installed on the same plane of the dielectric substrate with the AFMP of the APShL segment with zero overlap and is separated by an impedance compensation gap (IKZ) from the end edge of the AFMP of the APShL segment with zero overlap or from another end edge of SNISH.
СИКР может располагаться непосредственно со стороны торцевой кромки АСМП апертурного отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием, а в случае установки СНИШ будет располагаться со стороны другой его торцевой кромки.SIKR can be located directly on the side of the end edge of the AFMP of the aperture section of the APSCHL with zero overlap, and in the case of installation of the SNISH it will be located on the side of its other end edge.
ИКЗ выполнен в виде разделительного зазора, который по ширине может быть выполнен: одинаковой ширины (однородный зазор) или переменной ширины (неоднородный зазор). Таким образом форма и площадь СИКР и ширина и форма зазора определяют величину активной и/или реактивной составляющей, сформированной со стороны торцевой кромки АСМП апертурного отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием, а в случае установки СНИШ со стороны другой его торцевой кромки.IKZ is made in the form of a dividing gap, which can be made in width: of the same width (uniform gap) or variable width (inhomogeneous gap). Thus, the shape and area of the SIKR and the width and shape of the gap determine the value of the active and / or reactive component formed from the side of the end edge of the AFMP of the aperture section of the APSChL with zero overlap, and in the case of installing the SNISH from the side of its other end edge.
Установка СИКР позволяет: уменьшить уровень обратного излучения антенны, уменьшить уровень боковых лепестков, улучшить согласование, уменьшить неравномерность характеристики согласования в низкочастотной и среднечастотной части диапазона рабочих частот.The installation of SIKR allows: to reduce the level of the antenna back radiation, to reduce the level of side lobes, to improve the matching, to reduce the unevenness of the matching characteristics in the low-frequency and mid-frequency parts of the operating frequency range.
Антенна может быть выполнена с металлической земляной пластиной запитывающего отрезка полосковой линии передачи или прямоугольной формы, или Г-образной формы, или Τ-образной формы, при этом ширина вертикальной ветви металлической земляной пластины Г-образной формы, или Τ-образной формы равна или больше расстояния между внешними боковыми кромками одного и другого металлических компенсаторов.The antenna can be made with a metal earthing plate of the feeding section of the strip transmission line or rectangular, or L-shaped, or Τ-shaped, while the width of the vertical branch of the metal ground plate L-shaped or Τ-shaped is equal or greater the distance between the outer side edges of one and the other metal expansion joints.
Антенна может быть выполнена с подключением земляной нагрузочный импедансный шлейф (ЗНИШ), выполненный в виде планарной металлической пластины, который установлен на одной поверхности со стороны другой торцевой кромки горизонтальной ветви металлической земляной пластины запитывающего отрезка полосковой линии передачи Г-образной формы или Τ-образной формы, и одной торцевой кромкой земляным соединительным элементом (ЗСЭ) гальванической связью или электромагнитной связью подключен к другой торцевой кромке ЗНИШ.The antenna can be made with the connection of a ground load impedance loop (ZNISH), made in the form of a planar metal plate, which is installed on one surface from the side of the other end edge of the horizontal branch of the metal ground plate of the supply section of the L-shaped or Τ-shaped strip transmission line , and one end edge by an earth connecting element (EZE) is galvanically or electromagnetically connected to the other end edge of the EZNISH.
ЗСЭ гальванической связи выполнен в виде металлической полоски, длина которой меньше или равна длине горизонтальной ветви металлической земляной пластины запитывающего отрезка полосковой линии передачи Г-образной формы или Τ-образной формы, со стороны подключения к АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием.The ZSE of the galvanic connection is made in the form of a metal strip, the length of which is less than or equal to the length of the horizontal branch of the metal earthen plate of the supply section of the L-shaped or V-shaped strip transmission line, from the side of the APSCL aperture section connected to the AMMP with zero overlap.
ЗСЭ электромагнитной связи может быть выполнен в виде импедансного разделительного зазора однородной или неоднородной формы.ZSE electromagnetic coupling can be made in the form of an impedance dividing gap of a uniform or non-uniform shape.
ЗСЭ гальванической импедансной связи выполнен в виде распределенного или сосредоточенного активного и/или реактивного элемента, или сосредоточенного полупроводникового элемента с изменяющейся электрическим путем емкость.The ZSE of the galvanic impedance coupling is made in the form of a distributed or lumped active and / or reactive element, or a lumped semiconductor element with an electrically variable capacitance.
Антенна может быть выполнена с апертурной сигнальной импедансной (АСИ) перемычкой и апертурный земляной импедансной (АЗИ) перемычкой, которые расположены на поверхности диэлектрической подложки с АСМП и с АЗМП, соответственно, в области апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия и соединяют гальванически АСМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия с САМИП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия с АЗМИП.The antenna can be made with an aperture signal impedance (ASI) jumper and an aperture ground impedance (AZI) jumper, which are located on the surface of the dielectric substrate with AFMP and AMMP, respectively, in the region of the aperture segment of the APSHL without overlapping and connect galvanically overlapping with SAMIP and AZMP of the aperture section of APSChL without overlapping with AZMIP.
АСИ перемычка и АЗИ перемычка могут быть выполнены: - по меньшей мере из одного металлического проводника; - в виде одной металлической полоски, при этом длина металлической полоски АСИ перемычки и АЗМ перемычки меньше или равна максимальной длине внешней боковой кромки АСМП или максимальной длине АСМИП в области апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия; - в виде распределенного или сосредоточенного активного и/или реактивного элемента, или в виде сосредоточенного полупроводникового элемента с изменяющейся электрическим путем емкостью.ASI jumper and ASI jumper can be made: - from at least one metal conductor; - in the form of one metal strip, while the length of the metal strip of the ASM of the bulkhead and the ASM of the bulkhead is less than or equal to the maximum length of the outer side edge of the ASMP or the maximum length of the ASMIP in the area of the aperture section of the APSC without overlapping; - in the form of a distributed or lumped active and / or reactive element, or in the form of a lumped semiconductor element with an electrically varying capacity.
АСИ перемычка и СЗИ перемычка расположены на поверхности диэлектрической подложки с АСМП и с АЗМП, соответственно, в области апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия.ASI jumper and SZI jumper are located on the surface of the dielectric substrate with AFMP and AMMP, respectively, in the region of the aperture segment of the AFMF without overlapping.
АСИ перемычка и СЗИ перемычка могут располагаться по отношению области нулевого перекрытия АСМП и АЗМП на одинаковом расстоянии или разном расстоянии.ASI jumper and SZI jumper can be located in relation to the area of zero overlap of AFMP and AMMP at the same distance or different distances.
Подключение АСМИП и АЗСМП с помощью АСИ и СЗИ перемычек к АСМП и АЗМП соответственно, позволяет опустить рабочую граничную частоту в низкочастотную область без изменения геометрических размеров апертуры антенны и обеспечить высокий уровень согласования.Connecting ASMIP and AZSMP with the help of ASI and SZI jumpers to ASMP and AMMP, respectively, allows lowering the operating cutoff frequency into the low-frequency region without changing the geometric dimensions of the antenna aperture and ensuring a high level of matching.
Антенна может быть выполнена с установкой апертурной диэлектрической вставки в области апертуры между АСМИП и АЗМИП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия.The antenna can be made with the installation of an aperture dielectric insert in the area of the aperture between ASMIP and ASMIP of the aperture section of the APShL without overlapping.
Апертурная диэлектрическая вставка может быть выполнена: - с относительной диэлектрической проницаемостью равной единице; - с относительной диэлектрической проницаемостью равной, или больше, или меньше относительной диэлектрической проницаемости диэлектрической подложки.The aperture dielectric insert can be made: - with a relative dielectric constant equal to unity; - with a relative permittivity equal to, or greater than, or less than the relative permittivity of the dielectric substrate.
Апертурная диэлектрическая вставка может быть выполнена в форме пластины, или в форме идентичной форме апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, при этом длина апертурной диэлектрической вставки может быть меньше, или равна, или больше длины проекции апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия на продольную ось антенны, а высота апертурной диэлектрической вставки меньше, или равна, или больше максимальной ширины АСМИП и АЗМИП.The aperture dielectric insert can be made in the form of a plate, or in the form of an identical shape of the aperture section of the APSHL without overlapping, while the length of the aperture dielectric insert can be less, or equal to, or more than the length of the projection of the aperture section of the APSHL without overlapping onto the longitudinal axis of the antenna, and the height the aperture dielectric insert is less than, or equal to, or greater than the maximum width of ASMIP and ASMIP.
Антенна может быть выполнена с двумя, одной и другой, одинаковыми симметрирующими диэлектрическими пластинами, которые установлены на одну и другую поверхность диэлектрической подложки, соответственно, причем относительная диэлектрическая проницаемость симметрирующих диэлектрических пластин равна, или меньше, или больше относительной диэлектрической проницаемости диэлектрической подложки, при этом толщина симметрирующих диэлектрических пластин меньше, или равна, или больше толщины диэлектрической подложки.The antenna can be made with two, one and the other, identical balancing dielectric plates, which are installed on one and the other surface of the dielectric substrate, respectively, and the relative dielectric constant of the balancing dielectric plates is equal to, or less than, or greater than the relative dielectric constant of the dielectric substrate, while the thickness of the balancing dielectric plates is less than, or equal to, or greater than the thickness of the dielectric substrate.
Одна и другая симметрирующие диэлектрические пластины, например, могут быть выполнены с продольным и поперечным размерами, идентичными продольному и поперечному размерам диэлектрической подложки или, например, идентичными размерам АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия и располагаться только на поверхности этих пластин и, например, с размерами равными размерам поверхности диэлектрической подложки апертурного отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием.One and the other balancing dielectric plates, for example, can be made with longitudinal and transverse dimensions identical to the longitudinal and transverse dimensions of the dielectric substrate, or, for example, identical to the dimensions of the AFMP and AMP of the aperture section of the APShL without overlapping and located only on the surface of these plates and, for example, with dimensions equal to the dimensions of the surface of the dielectric substrate of the aperture section of the APShL with zero overlap.
Установка двух одинаковых диэлектрических пластин, с относительной диэлектрической проницаемостью, например, равной относительной диэлектрической проницаемости диэлектрической подложки, на одну и другую поверхность диэлектрической подложки образуют симметричную однородно заполненную диэлектрическую структуру для АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ. Симметрия и однородное заполнение структуры апертурного отрезка АПЩЛ позволяет уменьшить неравномерность характеристики согласования, уменьшить уровень боковых лепестков, уменьшить уровень кросполяризационной составляющей электрического поля.Installation of two identical dielectric plates, with a relative permittivity, for example, equal to the relative permittivity of the dielectric substrate, on one and the other surface of the dielectric substrate form a symmetric uniformly filled dielectric structure for AFMP and AMMP of the aperture section of the APSL. The symmetry and homogeneous filling of the structure of the aperture section of the APSC allows to reduce the unevenness of the matching characteristics, reduce the level of side lobes, and reduce the level of the cross-polarization component of the electric field.
Установка диэлектрических пластин с относительной диэлектрической проницаемостью больше относительной диэлектрической проницаемости диэлектрической подложки формирует интегральную относительную диэлектрическую проницаемость структуры для АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ больше относительной диэлектрической проницаемости диэлектрической подложки, что позволяет расширить рабочий диапазон частот в низкочастотную область без изменения геометрических размеров апертуры.The installation of dielectric plates with a relative permittivity greater than the relative permittivity of the dielectric substrate forms the integral relative permittivity of the structure for the AFMP and AMMP of the aperture section of the APShL that is greater than the relative permittivity of the dielectric substrate, which makes it possible to expand the operating frequency range to the low-frequency region without changing the geometric dimensions of the aperture.
Установка диэлектрических пластин с относительной диэлектрической проницаемостью меньше относительной диэлектрической проницаемости диэлектрической подложки формирует интегральную относительную диэлектрическую проницаемость структуры для АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ меньше относительной диэлектрической проницаемости диэлектрической подложки, что позволяет уменьшить неравномерность характеристики согласования в низкочастотной области.Installation of dielectric plates with a relative permittivity less than the relative permittivity of the dielectric substrate forms the integral relative permittivity of the structure for the AFMP and AMMP of the aperture section of the APSL less than the relative permittivity of the dielectric substrate, which makes it possible to reduce the unevenness of the matching characteristic in the low-frequency region.
Антенна может быть выполнена с установкой диэлектрической под ложки, с расположенными на ней планарными и объемными элементами антенны, в радиопрозрачном противоударном диэлектрическом кожухе.The antenna can be made with the installation of a dielectric support, with planar and volumetric antenna elements located on it, in a radio-transparent shockproof dielectric casing.
Радиопрозрачный противоударный диэлектрический кожух, может быть выполнен прямоугольной формы полностью закрывающий антенну с выведенным из кожуха коаксиальным соединителем. Кожух, например, может быть выполнен из листового диэлектрического материала, с относительной диэлектрической проницаемостью близкой к единице и с минимальным значением тангенса угла диэлектрических потерь во всем рабочем диапазоне частот, обеспечивая высокую механическую прочность конструкции, высокую эксплуатационную надежность, пассивность к внешним климатическим воздействиям, что позволяет использовать антенну как в помещениях так и на открытых площадках в любых климатических условиях без ухудшения электрических характеристик, а также возможность транспортировать любыми видами транспорта.The radio-transparent shockproof dielectric casing can be made of a rectangular shape, completely covering the antenna with a coaxial connector removed from the casing. The casing, for example, can be made of sheet dielectric material, with a relative permittivity close to unity and with a minimum value of the tangent of the dielectric loss angle in the entire operating frequency range, providing high mechanical strength of the structure, high operational reliability, passivity to external climatic influences, which allows you to use the antenna both indoors and outdoors in any climatic conditions without deteriorating electrical characteristics, as well as the ability to transport by any means of transport.
Антенна может быть выполнена с установкой между радиопрозрачным противоударным диэлектрическим кожухом и диэлектрической подложкой, с расположенными на ней планарными и объемными элементами антенны, по меньшей мере, одного демпфера, выполненного из упругого радиопрозрачного диэлектрического материала.The antenna can be made with the installation between the radio-transparent shockproof dielectric casing and the dielectric substrate, with planar and volumetric antenna elements located on it, at least one damper made of an elastic radio-transparent dielectric material.
Демпферы могут быть выполнены в виде пластин, которые установлены по всей внутренней поверхности кожуха. Возможно использование нескольких пластин демпфера с различным коэффициентом упругости каждая, при этом пластины устанавливаются одна на другую, обеспечивая тем самым повышенную виброакустическую защиту антенны от внешних источников.Dampers can be made in the form of plates, which are installed along the entire inner surface of the casing. It is possible to use several damper plates with a different coefficient of elasticity each, while the plates are installed one on top of the other, thereby providing increased vibroacoustic protection of the antenna from external sources.
Возможно выполнение демпфера, заполняющего все свободное пространство между антенной и диэлектрическим кожухом. В этом случае используются, например, вспененные диэлектрики на основе полиуретана.It is possible to make a damper that fills all the free space between the antenna and the dielectric casing. In this case, for example, foamed dielectrics based on polyurethane are used.
Демпферы обеспечивают защиту антенны от внешних вибраакустических воздействий, внешних акустических помех и акустических полей, что обеспечивает устранение микрофонного эффекта и акустоэлектрических преобразований в антенне, что соответствует устранению паразитной модуляции диаграммы направленности и паразитной амплитудной модуляции излученного или принятого электромагнитного сигнала.Dampers protect the antenna from external vibroacoustic influences, external acoustic interference and acoustic fields, which ensures the elimination of the microphone effect and acoustoelectric transformations in the antenna, which corresponds to the elimination of parasitic modulation of the radiation pattern and parasitic amplitude modulation of the emitted or received electromagnetic signal.
На фиг. 1 - схематически изображена конструкция антенны, выполненная на диэлектрической подложке, с размещенными на ней суживающимися по внутренней боковой кромки по экспоненциальному закону АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, АСМИП и АЗМИП выполнены расширяющимися по экспоненциальному закону, ДСМИП и ДЗМИП выполнены прямоугольной формы и длиной меньше длины внешней боковой кромки АСМП и АЗМП, ДСМИП и ДЗМИП установлены перпендикулярно и параллельно плоскости диэлектрической подложки и параллельно внешним боковым кромкам АСМП и АЗМП и торцами подключены апертурными перемычками в виде ленточного проводника к торцам АСМИП и АЗМИП, АСМП и АЗМП гальванически соединены с АСМИП и АЗМИП в области нулевого перекрытия апертурного отрезка АПЩЛ, продольная линия геометрической симметрии АСМИП и АСМИП и продольная линия геометрической симметрии ДСМИП и ДЗМИП расположены на одной плоскости, проходящей через середину толщины диэлектрической подложки, СИН и ЗИН выполнены в виде планарной металлической пластины, СКЭ и ЗКЭ выполнены в виде ленточного проводника и подключены в области апертуры к АСМП и АЗМП, одним концом отрезок полосковой линии передачи в области нулевого перекрытия гальванически соединен с АСМП, а другим концом в области металлических пластин компенсатора соединен с центральным проводником коаксиального соединителя, земляная плоскость отрезка полосковой линии передачи гальванически соединена, в области нулевого перекрытия апертурного отрезка АПЩЛ, одной торцевой кромкой с торцевой кромкой АЗМП;FIG. 1 - schematically shows the design of the antenna, made on a dielectric substrate, with the AFMP and AFMP of the aperture segment of the APSHL without overlapping, placed on it, tapering along the inner side edge according to the exponential law, ASMIP and AZMIP are made expanding according to the exponential law; less than the length of the outer side edge of the AFMP and AMMP, DSMIP and DZMIP are installed perpendicularly and parallel to the plane of the dielectric substrate and parallel to the outer lateral edges of the AFMP and AFMP and are connected by aperture jumpers in the form of a ribbon conductor to the ends of the ASMIP and AZMIP, the AFMP is galvanically connected by the AFMP and ASMP. ASMIP in the region of zero overlap of the aperture section of the APSHL, the longitudinal line of geometric symmetry of ASMIP and ASMIP and the longitudinal line of geometric symmetry of the DMSIP and DZMIP are located on the same plane passing through the middle of the thickness of the dielectric substrate, the SIN and ZIN are made in the form of a planar meta llic plate, SKE and ZKE are made in the form of a tape conductor and are connected in the aperture area to the AFMP and AMMP, one end of the strip transmission line segment in the zero overlap area is galvanically connected to the AFMP, and the other end in the area of the compensator metal plates is connected to the central conductor of the coaxial connector , the ground plane of the strip transmission line segment is galvanically connected, in the region of zero overlap of the aperture segment of the APSCHL, with one end edge with the AMMP end edge;
на фиг. 2 - схематически изображена конструкция антенны (фиг. 1), выполненная с расположением одной боковой кромкой АСМИП и АСМИП на поверхности диэлектрической подложки вдоль внутренних боковых кромок АСМП и АЗМП, ДСМИП и ДЗМИП выполнены в форме трапеции;in fig. 2 - schematically shows the design of the antenna (Fig. 1), made with the location of one side edge of the ASMIP and ASMIP on the surface of the dielectric substrate along the inner side edges of the ASMP and ASMP, DMSIP and DZMIP are made in the form of a trapezoid;
на фиг. 3 - схематически изображена конструкция антенны (фиг. 2), АСМИП и АСМИП выполнены постоянной ширины, длина металлической пластины СКЭ и ЗКЭ равна длине СИН и ЗИН, ДСМИП и ДЗМИП выполнены в форме треугольника;in fig. 3 - schematically shows the design of the antenna (Fig. 2), ASMIP and ASMIP are made of constant width, the length of the metal plate SKE and ZKE is equal to the length of the SIN and ZIN, DSMIP and DZMIP are made in the form of a triangle;
на фиг. 4 - схематически изображена конструкция антенны (фиг. 2), выполненная с АСМИП и АСМИП сужающимися по экспоненциальному закону от области нулевого перекрытия в направлении максимального раскрыва апертуры, апертурные сигнальная и земляная перемычки выполнены в виде одного проводника, СКЭ и ЗКЭ выполнены, например, из пяти узких проводников;in fig. 4 - schematically shows the design of the antenna (Fig. 2), made with ASMIP and ASMIP tapering exponentially from the zero overlap region in the direction of the maximum aperture opening, the signal and ground aperture jumpers are made in the form of one conductor, the SCE and the SCE are made, for example, of five narrow conductors;
на фиг. 5 - схематически изображена конструкция антенны (фиг. 1), с длиной ДСМИП и ДЗМИП, равной длине диэлектрической подложки отрезка АПЩЛ;in fig. 5 - schematically depicts the design of the antenna (Fig. 1), with the length of the DMSIP and DZMIP equal to the length of the dielectric substrate of the APShL segment;
на фиг. 6 - схематически изображена конструкция антенны (фиг. 3) с выполнением СИН и ЗИН в виде планарной области, расположенных на свободных поверхностях диэлектрической подложки апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, где металлическая область СИН расположена на одной поверхности диэлектрической подложки с АЗМП, а металлическая область ЗИН расположена на одной поверхности диэлектрической подложки с АСМП, СКЭ и ЗКЭ установлены на продольной боковой поверхности диэлектрической подложки параллельных продольной оси антенны;in fig. 6 - schematically shows the design of the antenna (Fig. 3) with the implementation of the SIN and ZIN in the form of a planar region located on the free surfaces of the dielectric substrate of the aperture segment of the APShL without overlapping, where the metal region of the SIN is located on one surface of the dielectric substrate with the AMMP, and the metal region of the ZIN located on one surface of the dielectric substrate with AFMP, SCE and ZKE are installed on the longitudinal side surface of the dielectric substrate parallel to the longitudinal axis of the antenna;
на фиг. 7 - схематически изображена проекция одной поверхности диэлектрической подложки на другую поверхность диэлектрической подложки антенны (фиг. 5), где сужение АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия по внутренней боковой кромки, от области нулевого перекрытия в направлении области максимального раскрыва апертуры, выполнено линейным, длина СИМ и ЗИМ равна длине внешней боковой кромки АСМП и АЗМП, соответственно;in fig. 7 - schematically shows the projection of one surface of the dielectric substrate onto the other surface of the dielectric substrate of the antenna (Fig. 5), where the narrowing of the AFMP and AMMP of the aperture segment of the APSHL without overlapping along the inner lateral edge, from the region of zero overlap in the direction of the region of the maximum aperture opening, is made linear, the length of the SIM and ZIM is equal to the length of the outer side edge of the ASMP and AMMP, respectively;
на фиг. 8 - схематически изображена проекция одной поверхности диэлектрической подложки на другую поверхность диэлектрической подложки антенны (фиг. 5), где профиль АСМИП и АЗМИП, вдоль внутренних боковых кромок АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, от области нулевого перекрытия в направлении области максимального раскрыва апертуры, выполнен линейным, СИН и ЗИН соединены СКЭ и ЗКЭ в области максимальной ширины АСМП и АЗМП, ДСМИП и ДЗМИП расположены под углом к внешней боковой кромки АСМП и АЗМИ;in fig. 8 - schematically shows the projection of one surface of the dielectric substrate onto the other surface of the dielectric substrate of the antenna (Fig. 5), where the profile of the ASMP and ASMP, along the inner side edges of the ASMP and AMMP of the aperture segment of the APSC without overlap, from the region of zero overlap in the direction of the region of the maximum aperture opening , made linear, SIN and ZIN are connected by SKE and ZKE in the area of maximum width of the AFMP and AFMP, DSMIP and DZMIP are located at an angle to the outer side edge of the AFMP and AZMI;
на фиг. 9 - схематически изображена антенны (фиг. 7), где сужение АСМП и АЗМП и профиль АСМИП и АЗМИП, вдоль внутренних боковых кромок АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия по внутренней боковой кромки от области нулевого перекрытия в направлении области максимального раскрыва апертуры, выполнены линейными, ДСМИП и ДЗМИП расположены под углом к внешней боковой кромки АСМП и АЗМИ;in fig. 9 - schematically depicts the antennas (Fig. 7), where the narrowing of the AFMP and AFMP and the profile of the AFMP and AMMP, along the inner side edges of the AFMP and AMMP of the AFMP aperture segment without overlapping along the inner lateral edge from the region of zero overlap in the direction of the region of the maximum aperture opening, are made linear, DSMIP and DZMIP are located at an angle to the outer side edge of the ASMP and AZMI;
на фиг. 10 - схематически изображена проекция одной поверхности диэлектрической подложки на другую поверхность диэлектрической подложки антенны (фиг. 5), где внешняя боковая кромка АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия, от области нулевого перекрытия в направлении максимального раскрыва апертуры, выполнена нелинейной, СИН и ЗИН подключены к внешней боковой кромке АСМП и АЗМП, например, четырьмя СКЭ и ЗКЭ, которые выполнены в виде проводника;in fig. 10 schematically shows the projection of one surface of the dielectric substrate onto the other surface of the dielectric substrate of the antenna (Fig. 5), where the outer side edge of the AFMP and AMMP of the aperture segment of the APShL without overlap, from the area of zero overlap in the direction of the maximum aperture opening, is nonlinear, SIN and ZIN connected to the outer side edge of the AFMP and AMMP, for example, four SKE and ZKE, which are made in the form of a conductor;
на фиг. 11 - схематически изображена антенны (фиг. 8), где профиль АСМИП и АЗМИП, вдоль внутренних боковых кромок АСМП и АЗМП апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия выполнен нелинейным, торцевая кромка АСМП и АЗМП выполнена нелинейной, при этом ширина АСМП и АЗМП, от области максимального раскрыва апертуры в направлении области нулевого перекрытия, выполнена суживающейся по нелинейному закону;in fig. 11 - schematically depicts the antennas (Fig. 8), where the profile of ASMP and ASMIP, along the inner side edges of the ASMP and ASMP of the aperture segment of the ASMP without overlap, is made nonlinear, the end edge of the ASMP and ASMP is made nonlinear, while the width of the ASMP and ASMP, from the area of maximum opening the aperture in the direction of the zero overlap region, is made tapering according to a nonlinear law;
на фиг. 12 - изображен вариант антенны (фиг. 10) с расположением АСМИП и АЗМИП под углом 90° к боковой кромке диэлектрической подложки;in fig. 12 - shows a variant of the antenna (Fig. 10) with the location of ASMIP and ASMIP at an angle of 90 ° to the lateral edge of the dielectric substrate;
на фиг. 13 - схематически изображена проекция одной поверхности диэлектрической подложки на другую поверхность диэлектрической подложки антенны (фиг. 6), где металлические пластины СИН и ЗИН соединены по поверхности с АСМП и АЗМП через СКЭ и ЗКЭ, выполненные в виде металлических проводников, например пяти, проходящих через диэлектрическую подложку;in fig. 13 - schematically shows the projection of one surface of the dielectric substrate onto the other surface of the dielectric substrate of the antenna (Fig. 6), where the metal plates of the SIN and ZIN are connected along the surface with the AFMP and the AMMP through the SCE and the ZKE, made in the form of metal conductors, for example, five, passing through dielectric substrate;
на фиг. 14 - схематически изображена проекция одной поверхности диэлектрической подложки на другую поверхность диэлектрической подложки антенны (фиг. 6), где длина АСМИП и АЗМИП меньше длины внутренней боковой кромки АСМП и АЗМП, а длина ДСМИП и ДЗМИП больше длины внешней боковой кромки АСМП и АЗМП, СКЭ и ЗКЭ расположены на боковой продольной кромке диэлектрической подложки;in fig. 14 - schematically shows the projection of one surface of the dielectric substrate onto the other surface of the dielectric substrate of the antenna (Fig. 6), where the length of the ASMP and ASMP is less than the length of the inner side edge of the ASMP and ASMP, and the length of the ASMP and DZMP is greater than the length of the outer lateral edge of the ASMP and ASMP, SKE and ZKE are located on the lateral longitudinal edge of the dielectric substrate;
на фиг. 15 - схематически изображена антенны (фиг. 13), где диэлектрическая подложка АПЩЛ, воль продольной оси антенны по боковым сторонам, в направлении от области максимального раскрыва апертуры к области нулевого перекрытия, выполнена линейно расширяющейся;in fig. 15 - schematically depicts antennas (Fig. 13), where the dielectric substrate APShL, along the longitudinal axis of the antenna along the lateral sides, in the direction from the region of the maximum aperture opening to the region of zero overlap, is made linearly expanding;
на фиг. 16 - схематически изображена антенны (фиг. 14), где диэлектрическая подложка АПЩЛ воль продольной оси антенны по боковым сторонам, в направлении от области максимального раскрыва апертуры к области нулевого перекрытия, выполнена линейно сужающейся;in fig. 16 - schematically depicts antennas (Fig. 14), where the dielectric substrate APShL along the longitudinal axis of the antenna along the lateral sides, in the direction from the region of the maximum aperture opening to the region of zero overlap, is made linearly tapering;
на фиг. 17 - схематически изображена проекция одной поверхности диэлектрической подложки на другую поверхность диэлектрической подложки антенны (фиг. 5), где одна и другая металлические пластины компенсатора гальванически соединены с земляной плоскостью запитывающего отрезка полосковой линии передачи, например, тремя металлическими проводниками в каждой, при этом СНИШ ССЭ, выполненный в виде прямоугольного ленточного проводника шириной, например, равной ширине СНИШ, гальванически соединен с торцевой кромкой АСМП;in fig. 17 - schematically shows the projection of one surface of the dielectric substrate onto the other surface of the dielectric substrate of the antenna (Fig. 5), where one and the other metal plates of the compensator are galvanically connected to the ground plane of the supply section of the strip transmission line, for example, by three metal conductors in each, with SNISH SSE, made in the form of a rectangular tape conductor with a width, for example, equal to the width of SNISH, is galvanically connected to the end edge of the ASP;
на фиг. 18 - схематически изображена антенны (фиг. 17), где ССЭ СНИШ выполнен в виде узкого ленточного проводника, шириной меньше ширины СНИШ;in fig. 18 - schematically depicts antennas (Fig. 17), where the SSE SNISH is made in the form of a narrow tape conductor, with a width less than the width of the SNISH;
на фиг. 19 - схематически изображена антенны (фиг. 17), где ССЭ СНИШ выполнен в виде воздушного зазора однородной формы, разделяющего СНИШ от торцевой кромки АСМП;in fig. 19 - schematically depicts antennas (Fig. 17), where SSE SNISh is made in the form of a uniform air gap separating SNISh from the end edge of the AMPS;
на фиг. 20 - схематически изображена антенны (фиг. 19), где ССЭ СНИШ выполнен в виде воздушного зазора неоднородной формы, СНИШ выполнен в виде неоднородного ленточного проводника;in fig. 20 - schematically depicts antennas (Fig. 19), where SSE SNISH is made in the form of an air gap of a non-uniform shape, SNISH is made in the form of a non-uniform tape conductor;
на фиг. 21 - схематически изображена антенны (фиг. 17), где внешние боковые кромки АСМП и АЗМП расположены под углом к одной и другой внешним боковым сторонам диэлектрической подложки, СИКР выполненный в форме прямоугольника, установлен на одной плоскости с АСМП и ССЭ выполнен в виде однородного импедансного зазора;in fig. 21 - schematically depicts antennas (Fig. 17), where the outer lateral edges of the AFMP and AMP are located at an angle to one and the other outer lateral sides of the dielectric substrate, the SIKR is made in the form of a rectangle, is installed on the same plane with the AFMP and the SSE is made in the form of a homogeneous impedance clearance;
на фиг. 22 - схематически изображена антенны (фиг. 21), где боковая кромка СИКР, со стороны торцевой кромки АСМП, выполнена неоднородной формирующая, таким образом, неоднородный импедансный зазор;in fig. 22 - schematically depicts antennas (Fig. 21), where the lateral edge of the SIKR, from the side of the end edge of the AFMP, is made inhomogeneous, thus forming an inhomogeneous impedance gap;
на фиг. 23 - схематически изображена антенны (фиг. 13) с металлической земляной пластиной запитывающего отрезка полосковой линии передачи выполненной Г-образной формы, где горизонтальная ветвь расположена со стороны боковой кромки диэлектрической подложки;in fig. 23 - schematically depicts antennas (Fig. 13) with a metal ground plate of the feeding section of the strip transmission line made L-shaped, where the horizontal branch is located on the side of the lateral edge of the dielectric substrate;
на фиг. 24 - схематически изображена антенны (фиг. 14) запитывающего отрезка полосковой линии передачи выполненной Г-образной формы, где горизонтальная ветвь расположена со стороны продольной оси антенны;in fig. 24 - schematically depicts the antenna (Fig. 14) of the feeding section of the strip transmission line made L-shaped, where the horizontal branch is located on the side of the longitudinal axis of the antenna;
на фиг. 25 - схематически изображена антенны (фиг. 13) с металлической земляной пластиной запитывающего отрезка полосковой линии передачи выполненной Τ-образной формы;in fig. 25 - schematically depicts antennas (Fig. 13) with a metal ground plate of the feeding section of the strip transmission line made Τ-shaped;
на фиг. 26 - схематически изображена антенны (фиг. 23) с гальваническим подключением к горизонтальной ветви металлической земляной пластины ЗНИШ через ЗСЭ, выполненным в виде металлической полоски;in fig. 26 - schematically depicts antennas (Fig. 23) with galvanic connection to the horizontal branch of the metal ground plate ZNISH through the ZSE, made in the form of a metal strip;
на фиг. 27 - схематически изображена антенны (фиг. 25) с гальваническим подключением к одной горизонтальной ветви металлической земляной пластины ЗНИШ через ЗСЭ, выполненный в виде металлической полоски и с электромагнитным подключением к другой горизонтальной ветви ЗНИШ через ЗСЭ, выполненный виде импедансного разделительного зазора неоднородной формы;in fig. 27 - schematically depicts antennas (Fig. 25) with galvanic connection to one horizontal branch of the metal ground plate ZNISH through the ZSE, made in the form of a metal strip and with an electromagnetic connection to another horizontal branch of the ZNISH through the ZSE, made in the form of an impedance dividing gap of an inhomogeneous shape;
на фиг. 28 - схематически изображена антенны (фиг. 24) с электромагнитным подключением к одной горизонтальной ветви металлической земляной пластины ЗНИШ через ЗСЭ, выполненный виде импедансного разделительного зазора неоднородной формы;in fig. 28 - schematically depicts antennas (Fig. 24) with electromagnetic connection to one horizontal branch of the metal ground plate ZNISH through the ZSE, made in the form of an impedance dividing gap of an inhomogeneous shape;
на фиг. 29 - схематически изображена антенны (фиг. 22), где СНИШ выполнен в виде неоднородного ленточного проводника и двумя ССЭ одной боковой кромкой гальванически соединен с торцевой кромкой АСМП, а другой боковой кромкой разделен неоднородным импедансным зазором от боковой кромки неоднородного СИКР, металлическая земляная пластина запитывающего отрезка полосковой линии передачи выполненной Τ-образной формы, с электромагнитным подключением к его одной горизонтальной ветви ЗНИШ через ЗСЭ, выполненный виде импедансного разделительного зазора неоднородной формы;in fig. 29 - schematically depicts an antenna (Fig. 22), where SNISH is made in the form of an inhomogeneous tape conductor and two SSEs with one side edge are galvanically connected to the end edge of the AFMP, and the other side edge is separated by an inhomogeneous impedance gap from the side edge of the inhomogeneous SIKR, a metal ground plate supplying a segment of a strip transmission line made Τ-shaped, with an electromagnetic connection to its one horizontal branch of the ZNISh through the ZSE, made in the form of an impedance dividing gap of an inhomogeneous shape;
на фиг. 30 - схематически изображены примеры возможного выполнения неоднородного СНИШ, ЗИНШ и ИКЗ и ЗСЭ в виде воздушного зазора неоднородного формы;in fig. 30 - schematically depicts examples of a possible implementation of a non-uniform SNISH, ZINSH and IKZ and ZSE in the form of an air gap of a non-uniform shape;
на фиг. 31 - схематически изображены примеры возможного выполнения неоднородного СИКР и формы неоднородного импедансного воздушного зазора;in fig. 31 schematically shows examples of a possible implementation of an inhomogeneous SICR and the shape of a non-uniform impedance air gap;
на фиг. 32 - схематически изображена конструкция антенны (фиг. 2) с установленными, например, одинаковыми пятью АСИ перемычками и АЗИ перемычками, выполненными в виде металлических проводников, гальванически соединяющими АСМП с АСМИП и АЗМП с СЗМИП, АСИ перемычка расположена на поверхности диэлектрической подложки с АСМП, а АЗИ перемычка расположена на поверхности диэлектрической подложки с АЗМП;in fig. 32 - schematically shows the design of the antenna (Fig. 2) with installed, for example, the same five ASI jumpers and AZI jumpers made in the form of metal conductors, galvanically connecting the ASMP with ASMP and AMMP with SZMIP, ASI jumper is located on the surface of the dielectric substrate with ASMP, and the AZI jumper is located on the surface of the dielectric substrate with AMF;
на фиг. 33 - схематически изображена конструкция антенны (фиг. 32) с выполнением АСИ перемычки и АЗИ перемычки в виде одной металлической полоски, гальванически соединяющей по всей длине АСМП с АСМИП и АЗМП с СЗМИП;in fig. 33 - schematically shows the design of the antenna (Fig. 32) with the implementation of ASI jumper and ASI jumper in the form of one metal strip, galvanically connecting the entire length of the AFMP with ASMIP and AMMP with SZMIP;
на фиг. 34 - схематически изображено продольное сечение антенны (фиг. 17) с установленной в области апертуры между АСМИП и АЗМИП отрезка АПЩЛ без перекрытия апертурной диэлектрической вставки, профиль которой вдоль продольной оси имеет клинообразную форму, АСИ перемычка и АЗИ перемычка выполнены в виде проводников;in fig. 34 - schematically shows a longitudinal section of the antenna (Fig. 17) with a section of APSHL installed in the area of the aperture between ASMIP and ASMIP without overlapping an aperture dielectric insert, the profile of which along the longitudinal axis has a wedge-shaped shape, ASI jumper and ASI jumper are made in the form of conductors;
на фиг. 35 - схематически изображена антенна (фиг. 34) с апертурной диэлектрической вставки, профиль которой вдоль продольной оси имеет прямоугольную форму, АСИ перемычка и АЗИ перемычка выполнены в виде полосы;in fig. 35 - schematically shows an antenna (Fig. 34) with an aperture dielectric insert, the profile of which along the longitudinal axis has a rectangular shape, ASI jumper and ASI jumper are made in the form of a strip;
на фиг. 36 - схематически изображено антенна (фиг. 34) с апертурной диэлектрической вставкой полностью заполняющей апертуру между АСМИП и АЗМИП;in fig. 36 - schematically shows an antenna (Fig. 34) with an aperture dielectric insert completely filling the aperture between ASMIP and ASMIP;
на фиг. 37 - схематически изображено поперечное сечение антенны (фиг. 2) расположенной в радиопрозрачном противоударном диэлектрическом кожухе;in fig. 37 is a schematic cross-sectional view of an antenna (Fig. 2) located in a radio-transparent shockproof dielectric casing;
на фиг. 38 - схематически изображено поперечное сечение антенны (фиг. 1) расположенной в радиопрозрачном противоударном диэлектрическом кожухе;in fig. 38 is a schematic cross-section of an antenna (Fig. 1) located in a radio-transparent shockproof dielectric casing;
на фиг. 39 - схематически изображено поперечное сечение антенны (фиг. 1) расположенной в радиопрозрачном противоударном диэлектрическом кожухе с установленными двумя симметрирующими диэлектрическими пластинами;in fig. 39 - schematically shows a cross-section of the antenna (Fig. 1) located in a radio-transparent shockproof dielectric casing with two balancing dielectric plates installed;
на фиг. 40 - схематически изображено поперечное сечение антенны (фиг. 2) расположенной в радиопрозрачном противоударном диэлектрическом кожухе с установленными двумя симметрирующими диэлектрическими пластинами;in fig. 40 is a schematic cross-sectional view of an antenna (Fig. 2) located in a radio-transparent shockproof dielectric casing with two balancing dielectric plates installed;
на фиг. 41 - схематически изображено поперечное сечение антенны (фиг. 1) расположенной в структуре пластинчатых радиопрозрачных диэлектрических демпферов, например, трех и установленной в радиопрозрачном противоударном диэлектрическом кожухе, где пластины диэлектрических демпферов расположены по внутренней поверхности диэлектрического кожуха;in fig. 41 schematically shows a cross-section of an antenna (Fig. 1) located in the structure of plate radio-transparent dielectric dampers, for example, three and installed in a radio-transparent shockproof dielectric casing, where the plates of dielectric dampers are located along the inner surface of the dielectric casing;
на фиг. 42 - схематически изображено продольное сечение антенны (фиг. 29) расположенной в структуре диэлектрических демпферов, полностью заполняющих объем диэлектрического кожуха;in fig. 42 - schematically shows a longitudinal section of the antenna (Fig. 29) located in the structure of dielectric dampers, completely filling the volume of the dielectric casing;
на фиг. 43 - схематически изображено поперечное сечение антенны (фиг. 42);in fig. 43 is a schematic cross-sectional view of the antenna (FIG. 42);
Антенна 1 (фиг. 1) содержит АПЩЛ, размещенную на диэлектрической подложке 2, состоящую из апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия 3 и отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием 4, и запитывающий отрезок полосковой линии передачи 5, при этом апертура антенны 1 образована отрезком АПЩЛ без перекрытия 3 секторного типа, продольная ось 6 которой является продольной осью антенны 1, одинаковые АСМП 7 и АЗМП 8 апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия 3 выполнены суживающимися по внутренней боковой кромке 9, например, по экспоненциальному закону от области нулевого перекрытия 10 в направлении области максимального раскрыва апертуры 11, при этом АСМИП 12 и АЗМИП 13 установлены в области апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия 3 и расположены перпендикулярно плоскости диэлектрической подложки 2 вдоль внутренних боковых кромок 9 АСМП 7 и АЗМП 8 отрезка АПЩЛ без перекрытия 3, соответственно, от области нулевого перекрытия 10 АСМП 7 и АЗМП 8 в направлении области максимального раскрыва апертуры 11 антенны 1,при этом, например, длина АСМИП 12 и АЗМИП 13 больше длины внутренней боковой кромки 9 АСМП 7 и АЗМП 8 апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия 3, соответственно, сигнальный полосковый проводник 14 запитывающего отрезка полосковой линии передачи 5 размещен на одной поверхности диэлектрической подложки 2 с АСМП 7 апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия 3 и одной торцевой кромкой 15 гальванически подключен к внутренней боковой кромке АСМП 7 в области нулевого перекрытия 10 АСМП 7 и АЗМП 8 отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием 4, а металлическая земляная плоскость 16 запитывающего отрезка полосковой линии передачи 5 размещена на одной поверхности диэлектрической подложки 2 с АЗМП 8 и в области нулевого перекрытия 10, АСМП 7 и АЗМП 8 отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием 4 гальванически соединена одной торцевой кромкой с торцевой кромкой 18 АЗМП 8, при этом другая торцевая кромка 17 сигнального полоскового проводника 14 запитывающего отрезка полосковой линии передачи 5 подключена к центральному проводнику коаксиального соединителя, АСМИП 12 и АЗМИП 13 в области нулевого перекрытия 10 апертурного отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием 4 гальванически соединены с АСМП 7 и АЗМП 8, соответственно, причем длина АСМИП 12 и АЗМИП 13 от области нулевого перекрытия 10 до области максимального раскрыва 11 апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия 4 больше длины внутренней боковой кромки 8 АСМП 6 и АЗМП 7 в области апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия 4, соответственно, при этом ДСМИП 19 и ДЗМИП 20 выполнены в виде ленточного проводника и расположены со стороны внешней боковой кромки АСМП 7 и АЗМП 8 отрезка АПЩЛ без перекрытия 4, соответственно, и перпендикулярно им, продольная линия геометрической симметрии АСМИП 12 и АЗМИП и продольная линия геометрической симметрии ДСМИП 19 и Д ЗМИП 20 расположены на одной плоскости, проходящей через середину толщины диэлектрической подложки 2, при этом торцевой кромкой 21 ДСМИП 19 и ДЗМИП 20 подключены в области максимального раскрыва апертуры 11, одной апертурной перемычкой 22 к торцевой кромке АСМИП 12 и АЗМИП 13, соответственно, причем длина ДСМИП 19 и ДЗМИП 20, например, меньше длины внешней боковой кромки 23 АСМП 7 и АЗМП 8 апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия 4, а ширина ДСМИП 19 и ДЗМИП 20, например, равна ширине АСМИП 12 и АЗМИП 13 в области максимального раскрыва апертуры 11, при этом СИН 24 и ЗИН 25 выполнены в виде планарной металлической пластины и, например, через один СКЭ 26 и ЗКЭ 27 выполненные в виде ленточного проводника подключены в области апертуры антенны к АСМП 7 и АЗМП 8 отрезка АПЩЛ без перекрытия 4, соответственно, причем компенсатор 28 сигнального полоскового проводника 14 выполнен из двух одинаковых планарных металлических пластин, которые расположены на одной поверхности диэлектрической подложки 2 с сигнальным полосковым проводником 14 запитывающего отрезка полосковой линии передачи 5, при этом одна и другая пластины компенсатора 28 установлены симметрично с одной и другой стороны сигнального полоскового проводника 14 запитывающего отрезка полосковой линии передачи 5, соответственно, в области подключения его к центральному проводнику коаксиального соединителя.Antenna 1 (Fig. 1) contains an APShL placed on a dielectric substrate 2, consisting of an APShL aperture section without overlap 3 and an APSHL section with zero overlap 4, and a feeding section of a strip transmission line 5, while the aperture of antenna 1 is formed by an APSHL section without overlap 3 of the sector type, the longitudinal axis 6 of which is the longitudinal axis of the antenna 1, the same AFMP 7 and AMMP 8 of the aperture section of the APShL without overlap 3 are made tapering along the inner side edge 9, for example, according to the exponential law from the area of zero overlap 10 in the direction of the area of maximum aperture opening 11, while ASMIP 12 and AZMIP 13 are installed in the area of the aperture section of the APSHL without overlap 3 and are located perpendicular to the plane of the dielectric substrate 2 along the inner side edges 9 of the ASMP 7 and AMMP 8 of the section of the APSHL without overlap 3, respectively, from the area of zero overlap 10 ASMP 7 and AMP 8 in the direction of the region of maximum aperture 11 of the antenna 1 , while, for example, the length of ASMIP 12 and AZMIP 13 is greater than the length of the inner side edge 9 of the ASMP 7 and AMMP 8 of the aperture section of the APSC without overlap 3, respectively, the signal strip conductor 14 of the supply section of the strip transmission line 5 is placed on one surface of the dielectric substrate 2 with ASMP 7 of the APSCHL aperture section without overlap 3 and one end edge 15 is galvanically connected to the inner side edge of the ASMP 7 in the area of zero overlap 10 ASMP 7 and AMMP 8 of the APSCHL section with zero overlap 4, and the metal ground plane 16 of the supply section of the strip transmission line 5 is located on one surface of the dielectric substrate 2 with AMMP 8 and in the region of zero overlap 10, ASMP 7 and AMMP 8 of the APShL segment with zero overlap 4 is galvanically connected by one end edge to the end edge 18 of the AMMP 8, while the other end edge 17 of the signal strip conductor 14 is supplying section of the strip transmission line 5 is connected to the central conductor of the coaxial connector, ASMIP 12 and AZMIP 13 in the area of zero overlap 10 of the aperture section of the APSHL with zero overlap 4 are galvanically connected to ASMP 7 and AZMP 8, respectively, and the length of ASMIP 12 and AZMIP 13 from the area of zero overlap 10 to the area of the maximum aperture 11 section APSCHL without overlap 4 is greater than the length of the inner side edge 8 of the ASMP 6 and AMMP 7 in the area of the aperture section of the APSCHL without overlap 4, respectively, while DSMIP 19 and DZMIP 20 are made in the form of a tape conductor and are located on the side of the outer lateral edge of ASMP 7 and AZMP 8 of the APSCHL segment without overlap 4, respectively, and perpendicular to them, the longitudinal line of geometric symmetry ASMIP 12 and AZMIP and the longitudinal line of geometric symmetry DSMIP 19 and D ZMIP 20 are located on the same plane passing through the middle of the thickness of the dielectric substrate 2, with the end edge 21 DSMIP 19 and DZMIP 20 are connected in the area of maximum aperture 11, one th aperture bridge 22 to the end edge of ASMIP 12 and AZMIP 13, respectively, and the length of DSMIP 19 and DZMIP 20, for example, is less than the length of the outer side edge 23 of ASMP 7 and AZMP 8 of the aperture section of APSHL without overlap 4, and the width of DSMIP 19 and DZMIP 20 , for example, is equal to the width of ASMIP 12 and AZMIP 13 in the area of maximum aperture 11, while the SIN 24 and ZIN 25 are made in the form of a planar metal plate and, for example, through one SKE 26 and ZKE 27 made in the form of a ribbon conductor are connected in the area of the aperture antennas to ASMP 7 and AMMP 8 of the APShL segment without overlapping 4, respectively, and the compensator 28 of the signal strip conductor 14 is made of two identical planar metal plates, which are located on one surface of the dielectric substrate 2 with the signal strip conductor 14 of the supply segment of the strip transmission line 5, while one and the other compensator plates 28 are installed symmetrically on one and the other side of the signal strip about the conductor 14 of the feeding section of the strip transmission line 5, respectively, in the area of its connection to the central conductor of the coaxial connector.
В антенне 1 (фиг. 2) АСМИП 12и АЗМИП 13 одной боковой кромкой 29 расположена на поверхности диэлектрической подложки 2 вдоль внутренних боковых кромок 9, при этом ДСМИП 19 и ДЗМИП 20 выполнены, например, в форме трапеции.In the antenna 1 (Fig. 2) ASMIP 12 and
В антенне 1 (фиг. 3) АСМИП 12 и АСМИП 13 выполнены постоянной ширины, ДСМИП 19 и ДЗМИП 20 выполнены в форме треугольника.In antenna 1 (Fig. 3) ASMIP 12 and
В антенне 1 (фиг. 4) АСМИП 12 и АЗМИП 13 выполнены сужающимися по экспоненциальному закону от области нулевого перекрытия 10 в направлении области максимального раскрыва апертуры 11, апертурные перемычки 22 выполнены в виде, например, одного проводника, СКЭ 26 и ЗКЭ 27 выполнены в виде, например, из пяти проводников.In antenna 1 (Fig. 4) ASMIP 12 and
В антенне 1 (фиг. 5) ДСМИП 19 и ДЗМИП 20 выполнены с длиной равной длине диэлектрической подложки 2 отрезка АПЩЛ.In antenna 1 (Fig. 5) DSMIP 19 and
В антенне 1 (фиг. 6) СИН 24 и ЗИН 25 выполнены в виде планарной пластины, расположенные на свободных поверхностях диэлектрической подложки 2 отрезка АПЩЛ без перекрытия 3, где металлическая пластина СИН 24 расположена на одной поверхности диэлектрической подложки 2 с АЗМП 8, а металлическая пластина ЗИН 25 расположена на одной поверхности диэлектрической подложки 2 с АСМП 7, СКЭ 26 и ЗКЭ 27 установлен на боковой поверхности диэлектрической подложки 2.In antenna 1 (Fig. 6), the
В антенне 1 (фиг. 7) сужение АСМП 7 и АЗМП 8 апертурного отрезка АПЩЛ без перекрытия 3 по внутренней боковой кромки 9, от области нулевого перекрытия 10 в направлении области максимального раскрыва 11 апертуры, выполнено линейным, длина СИМ 24 и ЗИМ 25 равна длине внешней боковой кромки 23 АСМП 7 и АЗМП 8.In antenna 1 (Fig. 7), the narrowing of the
В антенне 1 (фиг. 8) профиль АСМИП 12 и АЗМИП 13 вдоль внутренних боковых кромок 9 АСМП 7 и АЗМП 8 отрезка АПЩЛ без перекрытия 3, от области нулевого перекрытия 10 в направлении области максимального раскрыва 11 апертуры, выполнен линейным, СИН 24 и ЗИН 25 соединены СКЭ 26 и ЗКЭ 27, выполненными в виде металлического проводника в области максимальной ширины АСМП 7 и АЗМП 8, АСМИП 12 и АЗМИП 13 расположены под углом к внешней боковой кромки 23 АСМП 7 и АЗМИ 8.In antenna 1 (Fig. 8), the profile of
В антенне 1 (фиг. 9) сужение АСМП 7 и АЗМП 8 и профиль АСМИП 12 и АЗМИП 13 вдоль внутренних боковых кромок 9 АСМП 7 и АЗМП 8 отрезка АПЩЛ без перекрытия 3 по внутренней боковой кромки 9 от области нулевого перекрытия 10 в направлении области максимального раскрыва 11 апертуры, выполнено линейным, АСМИП 12 и АЗМИП 13 расположены под острым углом к внешней боковой кромки 23 АСМП 7 и АЗМИ 8.In antenna 1 (Fig. 9), the narrowing of
В антенне 1 (фиг. 10) внешняя боковая кромка 23 АСМП 7 и АЗМП 8 отрезка АПЩЛ без перекрытия 3, от области нулевого перекрытия 10 в направлении области максимального раскрыва 11 апертуры, выполнена нелинейной, СИН 24 и ЗИН 25 подключены к внешней боковой кромке 23 АСМП 7 и АЗМП 8, например, четырьмя СКЭ 26 и ЗКЭ 27, которые выполнены в виде проводника.In antenna 1 (Fig. 10), the outer
В антенне 1 (фиг. 11) профиль АСМИП 12 и АЗМИП 13 вдоль внутренних боковых кромок 9 АСМП 7 и АЗМП 8 отрезка АПЩЛ без перекрытия 3 выполнен нелинейным, торцевая кромка АСМП 7 и АЗМП 8 выполнена нелинейной, при этом ширина АСМП 7 и АЗМП 8 от области максимального раскрыва 11 апертуры в направлении области нулевого перекрытия 10, выполнена суживающейся по нелинейному закону.In antenna 1 (Fig. 11), the profile of
В антенне 1 (фиг. 12) ДСМИП 12 и ДЗМИП 13 расположены под углом 90° к продольной боковой кромке диэлектрической подложки 2.In the antenna 1 (Fig. 12)
В антенне 1 (фиг. 13) металлические пластины СИН 24 и ЗИН 25 соединены по поверхности с АСМП 7 и АЗМП 8 через СКЭ 26 и ЗКЭ 27, которые выполнены в виде металлических проводников, например пяти, проходящих через диэлектрическую подложку 2.In antenna 1 (Fig. 13),
В антенне 1 (фиг. 14) длина АСМИП 12 и АЗМИП 13 меньше длины внутренней боковой кромки 9 АСМП 7 и АЗМП 8, а длина ДСМИП 19 и ДЗМИП 20 больше длины внешней боковой кромки 23 АСМП 7 и АЗМП 8, СКЭ и ЗКЭ выполнены в виде пластин и расположены на боковой кромке диэлектрической подложки 2.In antenna 1 (Fig. 14), the length of
В антенне 1 (фиг. 15) диэлектрическая подложка 2 АПЩЛ воль продольной оси 6 по боковым сторонам, в направлении от области максимального раскрыва 11 апертуры к области нулевого перекрытия 10 отрезка АПЩЛ без перекрытия 3, выполнена линейно расширяющейся.In the antenna 1 (Fig. 15), the
В антенне 1 (фиг. 16) диэлектрическая подложка 2 АПЩЛ воль продольной оси 6 по боковым сторонам, в направлении от области максимального раскрыва 11 апертуры к области нулевого перекрытия 10 отрезка АПЩЛ без перекрытия 3, выполнена линейно сужающейся.In antenna 1 (Fig. 16)
В антенне 1 (фиг. 17) одна и другая металлические пластины компенсатора 28 гальванически соединены, например тремя металлическими перемычками 30, с земляной плоскостью 16, выполненной в виде пластины прямоугольной формы, запитывающего отрезка полосковой линии передачи 5, СНИШ 31 ССЭ 32, выполнен в виде прямоугольного ленточного проводника шириной, например, равной ширине СНИШ 31, гальванически соединен с торцевой кромкой 33 АСМП 7.In the antenna 1 (Fig. 17), one and the other metal plates of the
В антенне 1 (фиг. 18) ССЭ 32 выполнен в виде узкого ленточного проводника, шириной меньше ширины СНИШ 31.In antenna 1 (Fig. 18)
В антенне 1 (фиг. 19) ССЭ 32 выполнен в виде воздушного зазора однородной формы (одинаковой ширины), разделяющего СНИШ 31 от торцевой кромки 33 АСМП 7.In the antenna 1 (Fig. 19)
В антенне 1 (фиг. 20) ССЭ 32 выполнен в виде воздушного зазора неоднородной формы (переменная ширина по длине зазора), разделяющего СНИШ 31, который выполнен в виде неоднородного ленточного проводника (переменная ширина по длине проводника), от торцевой кромки 33 АСМП 7.In antenna 1 (Fig. 20)
В антенне 1 (фиг. 21) внешние боковые кромки 23 АСМП 7 и АЗМП 8 расположены под углом к одной и другой внешним боковым сторонам диэлектрической подложки 2, СИКР 34, выполненный в форме прямоугольника, установлен на одной плоскости с АСМП 7 и разделен однородным ИКЗ 35 от торцевой кромки 33 АСМП 7.In antenna 1 (Fig. 21), the outer lateral edges 23 of the
В антенне 1 (фиг. 22) боковая кромка СИКР 34 со стороны торцевой кромки 33 АСМП 7 выполнена неоднородной, формируя неоднородный импедансный зазор.In the antenna 1 (Fig. 22), the side edge of the
В антенне 1 (фиг. 23) металлическая земляная пластина 16 запитывающего отрезка полосковой линии передачи 5 выполнена Г-образной формы, горизонтальная ветвь расположена со стороны боковой кромки диэлектрической подложки 2.In antenna 1 (Fig. 23), the
В антенне (фиг. 24) металлическая земляная пластина 16 запитывающего отрезка полосковой линии передачи 5 выполнена Г-образной формы, горизонтальная ветвь расположена со стороны продольной оси антенны 6.In the antenna (Fig. 24), the
В антенне (фиг. 25) металлическая земляная пластина 16 запитывающего отрезка полосковой линии передачи 5 выполнена Τ-образной формы.In the antenna (Fig. 25), the
В антенне (фиг. 26) металлическая земляная пластина 16 выполнена Г-образной формы, к горизонтальной ветви которой подключен, в форме металлической пластины, ЗНИШ 36 гальванически через ЗСЭ 37, который выполнен в виде металлической полоски.In the antenna (Fig. 26), the
В антенне (фиг. 27) металлическая земляная пластина 16 запитывающего отрезка полосковой линии передачи 5 выполнена Τ-образной формы, к одной горизонтальной ветви гальванически подключена пластины ЗНИШ 36 через ЗСЭ37, к другой горизонтальной ветви электромагнитно подключен ЗНИШ 36 через ЗСЭ 37, выполненный в виде импедансного разделительного зазора неоднородной формы.In the antenna (Fig. 27), the metal
В антенне (фиг. 28) металлическая земляная пластина 16 выполнена Г-образной формы, к горизонтальной ветви которой подключен, в форме металлической пластины, ЗНИШ 36 через ЗСЭ 37, который выполнен в виде импедансного разделительного зазора неоднородной формы.In the antenna (Fig. 28), the
В антенне 1 (фиг. 29) СНИШ 31, выполненный виде неоднородного ленточного проводника, двумя соединительными ССЭ 32 гальванически соединен с торцевой кромкой 33 АСМП 7 и разделен неоднородным ИКЗ 35 от боковой кромки неоднородного СИКР 34, металлическая земляная пластина 16 запитывающего отрезка полосковой линии передачи 5 выполнена Τ-образной формы, к одной горизонтальной ветви электромагнитно подключен ЗНИШ 36 через ЗСЭ 37, выполненный виде импедансного разделительного зазора неоднородной формы.In antenna 1 (Fig. 29) SNISH 31, made in the form of an inhomogeneous tape conductor, by two connecting
В антенне 1 (фиг. 30) - схематически изображены примеры возможного выполнения неоднородного СНИШ 31 и ССЭ 32, выполненного в виде воздушного зазора неоднородного формы.Antenna 1 (Fig. 30) schematically shows examples of a possible implementation of an
В антенне 1 (фиг. 31) - схематически изображены примеры возможного выполнения неоднородного СИКР 34 и возможные примеры выполнения формы неоднородного ИКЗ 35 установленного совместно с СНИШ 31.Antenna 1 (Fig. 31) schematically shows examples of a possible implementation of an
В антенне 1 (фиг. 32) идентично установлены, например, пять АСИ перемычки 38 и пять АЗИ перемычки 39, которые, например, выполнены в виде металлических проводников, гальванически соединяющие АСМП 7 с АСМИП 12 и АЗМП 8 с СЗМИП 13, АСМИП 12 и АЗМИП 13 одной боковой кромкой 29 расположена на поверхности диэлектрической подложки 2 вдоль внутренних боковых кромок 9, АСИ перемычка 38 расположена на поверхности диэлектрической подложки 2 с АСМП 7, а АЗИ перемычка 39 расположена на поверхности диэлектрической подложки 2 с АЗМП 8 с примером выполнения СНИШ 31 и СИКР 34.In antenna 1 (Fig. 32), for example, five
В антенне 1 (фиг. 33) изображена антенна (фиг. 32), где АСИ перемычка 38 и АЗИ перемычка 39 выполнены в виде металлической полоски гальванически соединяющей по всей длине АСМП 7 с АСМИП 12 и АЗМП 8 с СЗМИП 13.Antenna 1 (Fig. 33) shows an antenna (Fig. 32), where
В антенне 1 (фиг. 34) в области отрезка АПЩЛ без перекрытия 3 между АСМИП 12 и АЗМИП 13 установлена апертурная диэлектрической вставки 40, профиль которой имеет клинообразную форму, и АСИ перемычка 38 (36) и АЗИ перемычка 39, выполнены в виде металлических проводников (фиг. 32).In antenna 1 (Fig. 34) in the area of the APShL segment without
В антенне 1 (фиг. 35) в области отрезка АПЩЛ без перекрытия 3 между АСМИП 12 и АЗМИП 13 установлена апертурная диэлектрической вставки 40 (38), профиль которой имеет прямоугольную форму, и АСИ перемычка 38 и АЗИ перемычка 39, выполнены в виде металлического прямоугольника (фиг. 33).An aperture dielectric insert 40 (38), the profile of which has a rectangular shape, is installed in the antenna 1 (Fig. 35) in the region of the APSHL segment without
В антенне 1 (фиг. 36) в области отрезка АПЩЛ без перекрытия 3 между АСМИП 12 и АЗМИП 13 установлена апертурная диэлектрической вставки 40 полностью заполняющая апертуру.In antenna 1 (Fig. 36) in the region of the APShL segment without
Антенна 1 (фиг. 37) расположена в радиопрозрачном противоударном диэлектрическом кожухе 41 при выполнении АСМИП 12 и АЗИМП 13 как в антенне (фиг. 2).Antenna 1 (Fig. 37) is located in a radio-transparent shockproof
Антенна 1 (фиг. 38) расположена в радиопрозрачном противоударном диэлектрическом кожухе 41 при выполнении АСМИП 12 и АЗИМП 13 как в антенне (фиг. 1).Antenna 1 (Fig. 38) is located in a radio-transparent shockproof
Антенна 1 (фиг. 39) расположена в радиопрозрачном противоударном диэлектрическом кожухе 41 с симметрирующими диэлектрическими пластинами 42 антенна (фиг. 1).Antenna 1 (Fig. 39) is located in a radio-transparent shockproof
Антенна 1 (фиг. 40) расположена в радиопрозрачном противоударном диэлектрическом кожухе 41 с симметрирующими диэлектрическими пластинами 42 антенна (фиг. 2).Antenna 1 (Fig. 40) is located in a radio-transparent shockproof
Антенна 1 (фиг. 41) расположена в структуре пластинчатых диэлектрических демпферов 43 например, трех, установленных в радиопрозрачном противоударном диэлектрическом кожухе 41, где пластины диэлектрических демпферов 43 расположены по внутренней поверхности диэлектрического кожуха 41 антенны (фиг. 1) послойно.Antenna 1 (Fig. 41) is located in the structure of plate
Антенна 1 (фиг. 42) продольное сечение, где схематически изображено расположена в радиопрозрачном противоударном диэлектрическом кожухе 41 в структуре диэлектрических демпферов 43, полностью заполняющих объем диэлектрического кожуха 41.Antenna 1 (Fig. 42) is a longitudinal section, where it is schematically shown, is located in a radio-transparent shockproof
Антенна 1 (фиг. 43) схематически изображено поперечное сечение антенны (фиг. 42) расположения в радиопрозрачном противоударном диэлектрическом кожухе 41 в структуре диэлектрических демпферов 43, полностью заполняющих объем диэлектрического кожуха 41.Antenna 1 (Fig. 43) schematically shows a cross-section of an antenna (Fig. 42) located in a radio-transparent shockproof
Антенна 1 излучает (принимает) электромагнитные волны линейной поляризации, ориентация вектора напряженности электрического поля параллельна плоскости диэлектрической подложки 2.
В режиме излучения антенны 1 (фиг. 1) входной СВЧ сигнал через коаксиальный соединитель, подключенный к торцевой кромки сигнального полоскового проводник 14 запитывающего отрезка полосковой линии передачи 5, с волной типа квази - ТЕМ, поступает к торцевой кромке 15 АСМП 7 в области нулевого перекрытия 10 отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием 4.In the radiation mode of the antenna 1 (Fig. 1), the input microwave signal through the coaxial connector connected to the end edge of the
Гальваническое соединение АСМП 7 с АСМИП 12 и АЗМП 8 с АЗМИП 13 в области нулевого перекрытия 10 отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытием 4 обеспечивает единое возбуждение для двух излучающих структур: первой из лучающей структуры АСМП 7 - АЗМП 8; второй излучающей структуры АСМИП 12 - АЗМИП 13, которые в совокупности перекрывают весь диапазон частот антенны 1.Galvanic connection of
Для первой излучающей структуры АСМП 7 - АЗМП 8, которая в электродинамическом моделировании по конструкции аналогична уголковому вибратору А.А. Пистелькорса, при этом в области соединения сигнального полоскового проводника 14 с торцевой кромкой 15 АСМП 7 формируется токовый режим возбуждения, (например, уголковому вибратору А.А. Пистелькорса (например: А.Л. Драбкин, В.Л. Зузенко. Антенно-фидерные устройства. Изд. "Советское Радио", Москва, 1961 г., 861 с.).For the first emitting structure AFMP 7 -
Для второй излучающей структуры АСМИП 12 - АЗМИП 13, которая в электродинамической модели и по конструкции аналогична рупорной антенне с открытыми боковыми стенками, при этом в области соединения сигнального полоскового проводника 14 с торцевой кромкой 15 АСМП 7, при электродинамическом моделировании, происходит согласованная модо-импедансная трансформация волны квази - ТЕМ в волну волноводного типа Н10 АПЩЛ с нулевым перекрытием и с одновременной трансформацией импедансов. В области перехода с отрезка АПЩЛ с нулевым перекрытия 3 волна волноводного типа Н10 трансформируется в волну волноводного типа Н10 идентичную волне рупорных антенн. (Например: Compact Broadband Micro strip Antennas, KIN-LU WONG, A WILEY - INTERSCIENCEPUBLICATION, JOHN WILEY & SONS, INC, 2002, pp. 325; Janaswamy R, Snaubert D. H. Radio Science, vol. 21, №5, Sept-Oct 1966, p.p. 797-804).For the second emitting structure ASMIP 12 -
Два параметра АСМП 7 и АЗМП 8: ширина в области нулевого перекрытия отрезка АПЩЛ без перекрытия 3 и их длина по внутренней боковой кромки 9 в совокупности определяют геометрическую площадь АСМП 7 и АЗМП 8, которая функционально определяет частотный диапазон уголкового вибратор а А.А. Пистелькорса, ив данной конструкции определяет низкочастотную часть рабочего диапазона антенны 1.Two
Подключение СИН 24 и ЗИН 25 через СКЭ 26 ЗКЭ 27 АСМП 7 и АЗМП 8, в области отрезка АПЩЛ без перекрытия 3, возможно в двух конструктивных вариантах: - металлические планарные области СИН 24 и ЗИН 25 расположены перпендикулярно АСМП 7 и АЗМП 8 и подключены к внешним боковым кромкам, что эквивалентно подключению импедансной нагрузки; - металлические планарные области СИН 24 и ЗИН 25 расположены на свободных поверхностях диэлектрической подложки отрезка АПЩЛ без перекрытия 3, что конструктивно соответствует увеличению геометрической площади АСМП 7 и АЗМП, а электродинамически также эквивалентно подключению импедансной нагрузки. Таким образом, в зависимости от диапазона частот и требований к максимальному размеру апертуры 11 выбирается вид СИН 24 и ЗИН 25 и тип подключения СКЭ 26 ЗКЭ 27. Таким образом достигается смещение диапазона частот в низкочастотную часть рабочего диапазона антенны 1, либо без изменения максимального размера апертуры 11, либо оптимизация поперечных и продольных размеров апертуры, т.е. отрезка АПЩЛ без перекрытия 3.Connecting
Длина АСМИП 12 и АЗМИП 13 вдоль внутренних боковых кромок 9 АСМП 7 и АЗМП 8 и их ширина в области максимального раскрыва апертуры 11 отрезка АПЩЛ без перекрытия 3 определяют высокочастотную часть рабочего диапазона, а также определяет уровень согласования, коэффициент усиления.The length of
Ширина отрезка АПЩЛ без перекрытия 3 в области максимального раскрыва апертуры 11 для АСМП 7, АЗМП 8 и АСМИП 12, АЗМИП 13 является общей и определяет среднечастотную часть рабочего диапазона антенны 1, т.е. переход от одной излучающей структуры к другой.The width of the APShL segment without overlapping 3 in the region of the
ДСМИП 19 и ДЗМИП 20, подключенные гальванически апертурными перемычками 22 к торцевой кромке АСМИП 12 и АЗМИП 13, соответственно, обеспечивают плавный переход от низкочастотной области в высокочастотную область рабочего диапазона антенны.
Выбор функций описывающих: форму внутренней боковой кромки 9 АСМП 7 и АЗМП 8 и ширину в области нулевого перекрытия; длину и продольную форму по ширине АСМИП 12 и АЗМИП 13 соответствующие форме внутренних боковых кромок диэлектрической подложки 2, вдоль которых они расположены в области отрезка АПЩЛ без перекрытия 3, длину и продольную форму ширины ДСМИП 19 и Д ЗМИП 20, вид СИН 24, ЗИН 25 и способ подключения СКЭ 26, ЗКЭ 27 является многопараметрической электродинамической задачей.The choice of functions describing: the shape of the
В дополнение к перечисленным конструктивным элементам антенны 1, при электродинамическом моделировании необходимо учитывать величину относительной диэлектрической проницаемости подложки 2 и возможность установка апертурной диэлектрической вставки 40.In addition to the listed structural elements of the
Для улучшения согласования перехода с сигнального полоскового проводника 14 запитывающего отрезка полоской линии передачи 5 на коаксиальный соединитель используются компенсаторы 28, которые уменьшают возможность возбуждения высших типов поверхностных волн в области перехода с одного типа линии на другую. Использование металлических перемычек 30 компенсаторов 28 уменьшает возможность возбуждения высших типов подповерхностных волн в области перехода.To improve the matching of the transition from the
СНИШ 31 соединительным элементом 32 соединен с АСМП 7 либо непосредственно гальванически, либо через воздушный зазор, который в зависимости от формы обеспечивает однородную или неоднородную электромагнитную связь. Выбор вида соединительного элемента 32 и характер импеданса СНИШ 31 позволяет дополнительно подключать реактивность к АСМП 7 и тем самым осуществлять дополнительное согласование.
СИКР 34 разделен однородным или неоднородным ИКЗ 35 от торцевой кромки 33 АСМП 7 позволяет компенсировать обратную поверхностную волну и тем самым уменьшить уровень обратного излучения. Выбор формы ИКЗ 35 и расстояния от АСМП 7 или СНИШ 31 определяет величину импеданса, амплитуду и фазу отраженной волны.
ССЭ 32 СНИШ 31 может обеспечивать гальваническую, однородную или неоднородную вид электромагнитной связи. Выбор вида связи и характер импеданса СНИШ 31 позволяет в широких пределах дополнительно нагружать реактивностью АСМП 7.
Установка СИКР 34 позволяет компенсировать обратную волну, распространяющуюся от АСМП 7 в обратном направлении. Выбором расстояния от АСМП 7 до СИКР 34, формой и геометрическими размерами определяют в широких пределах характер импеданса САКР 34.
Сужение АСМП 7 и АЗМП 8 по внутренней боковой кромки 9 по линейному закону позволяет формировать линейную фаза-частотную характеристику антенны 1, что позволяет обеспечить работу с сверхширокополосными сигналами.Narrowing
Выбором закона нелинейного сужения или расширения АСМП 7 и АЗМП 8, АСМИП 12 и АЗМИП 13 и дополнительных согласующих элементов можно оптимизировать по заданному частотному диапазону: максимальный размер апертуры и продольный размер апертуры; уровень согласования и неравномерность характеристики согласования; коэффициент усиления; кросполяризационную развязку, ширину диаграммы направленности; уровень боковых лепестков; уровень обратного излучения.By choosing the law of nonlinear narrowing or expansion of
Claims (45)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020103767A RU2747157C1 (en) | 2020-07-08 | 2020-07-08 | Antenna |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020103767A RU2747157C1 (en) | 2020-07-08 | 2020-07-08 | Antenna |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2747157C1 true RU2747157C1 (en) | 2021-04-28 |
Family
ID=75850795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020103767A RU2747157C1 (en) | 2020-07-08 | 2020-07-08 | Antenna |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2747157C1 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5278575A (en) * | 1991-09-26 | 1994-01-11 | Hughes Aircraft Company | Broadband microstrip to slotline transition |
| RU2182392C1 (en) * | 2000-12-25 | 2002-05-10 | Орлов Александр Борисович | Antenna |
| RU2298268C1 (en) * | 2005-09-23 | 2007-04-27 | Евгений Анатольевич Никитин | Antenna |
-
2020
- 2020-07-08 RU RU2020103767A patent/RU2747157C1/en active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5278575A (en) * | 1991-09-26 | 1994-01-11 | Hughes Aircraft Company | Broadband microstrip to slotline transition |
| RU2182392C1 (en) * | 2000-12-25 | 2002-05-10 | Орлов Александр Борисович | Antenna |
| RU2298268C1 (en) * | 2005-09-23 | 2007-04-27 | Евгений Анатольевич Никитин | Antenna |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3850706B1 (en) | Electronically steerable holographic antenna with reconfigurable radiators for wideband frequency tuning | |
| JP6482456B2 (en) | Millimeter wave antenna and millimeter wave sensor using the same | |
| US10581158B2 (en) | Electronically beam-steerable, low-sidelobe composite right-left-handed (CRLH) metamaterial array antenna | |
| KR20000075673A (en) | Resonant antenna | |
| Gomez-Tornero et al. | Control of leaky-mode propagation and radiation properties in hybrid dielectric-waveguide printed-circuit technology: Experimental results | |
| CN112310639B (en) | Flat panel antenna including liquid crystal | |
| CA3096346C (en) | Array antenna apparatus and communication device | |
| Bahl et al. | Leaky-wave antennas using artificial dielectrics at millimeter wave frequencies | |
| Gupta et al. | Multiband multiple elliptical microstrip patch antenna with circular polarization | |
| RU2747157C1 (en) | Antenna | |
| Farahani et al. | Millimeter-Wave High-Gain Ridge Gap Beam Steerable Antenna for 5G wireless Networks | |
| Priyadarshan et al. | Beam forming network using 4× 4 narrowband butler matrix for tracking and localization applications | |
| WO2020198170A1 (en) | Apparatus and systems for beam controllable patch antenna | |
| Selvaraju et al. | Compact 4-element beam steerable printed adaptive array antenna for 5G application | |
| Shah et al. | Beam scanning of phased array antenna using phase modification method for satellite application | |
| Fu et al. | Miniaturized pattern reconfigurable HMSIW leaky wave antenna based on liquid crystal tuning technology in millimeter wave band | |
| KR20230073070A (en) | Method for verifying feeding network of phased array antenna | |
| Gregoire et al. | An electronically-steerable artificial-impedance-surface antenna | |
| RU2450395C2 (en) | Broadband antenna | |
| RU2298268C1 (en) | Antenna | |
| Coetzee et al. | Compensation for waveguide losses in the design of slot arrays | |
| Constantinides et al. | Leaky-wave antenna with beam steering capability based on a meandered metallic waveguide | |
| RU2775172C1 (en) | Ultra-wideband antenna array | |
| Nesterenko et al. | Combined Vibrator-Slot Radiators in Antenna Arrays | |
| RU2207670C1 (en) | Antenna |