RU2696360C1 - Method for non-destructive quality control of super-large-scale integrated circuits based on critical voltage value - Google Patents
Method for non-destructive quality control of super-large-scale integrated circuits based on critical voltage value Download PDFInfo
- Publication number
- RU2696360C1 RU2696360C1 RU2018119425A RU2018119425A RU2696360C1 RU 2696360 C1 RU2696360 C1 RU 2696360C1 RU 2018119425 A RU2018119425 A RU 2018119425A RU 2018119425 A RU2018119425 A RU 2018119425A RU 2696360 C1 RU2696360 C1 RU 2696360C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- supply voltage
- ulic
- measured
- vlsi
- critical
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 title claims description 6
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 title claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 2
- 238000002405 diagnostic procedure Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 241000238876 Acari Species 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/30—Marginal testing, e.g. by varying supply voltage
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/303—Contactless testing of integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных микросхем (ИМС), и может быть использовано для разбраковки цифровых ИМС по критерию потенциальной ненадежности как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Существует большое количество методов неразрушающей диагностики цифровых ИМС, однако они разработаны для конкретных типов ИМС и трудно переносимы на ИМС других типов [1, 2, 3]. К тому же известные методы не учитывают особенности сверхбольших интегральных схем (СБИС) типа микроконтроллеров и микропроцессоров. К особенностям этих СБИС можно отнести наличие блоков, выполненных по разной технологии, наличие нескольких внутренних источников питания, стабилизаторов напряжения и т.п. Разрабатываемые производителями тесты, такие как JTAG (Joint Test Action Group; употребляется как ассоциация с аппаратным интерфейсом для программирования, тестирования и отладки печатных плат), позволяют осуществлять контроль работоспособности СБИС в определенных условиях, но не дают информацию о надежности. Разработка методов диагностики СБИС типа микроконтроллер является актуальной.The invention relates to microelectronics, and in particular to methods for ensuring the quality and reliability of integrated circuits (ICs), and can be used to sort digital ICs according to the criterion of potential unreliability both at the production stage and at the input control at manufacturers of electronic equipment. There are a large number of non-destructive diagnostic methods for digital ICs, however, they are developed for specific types of ICs and are difficult to transfer to other types of ICs [1, 2, 3]. In addition, well-known methods do not take into account the features of super-large integrated circuits (VLSI) such as microcontrollers and microprocessors. The features of these VLSIs include the presence of blocks made by different technologies, the presence of several internal power supplies, voltage stabilizers, etc. Tests developed by manufacturers, such as JTAG (Joint Test Action Group; used as an association with a hardware interface for programming, testing and debugging printed circuit boards), allow you to monitor the performance of VLSI in certain conditions, but do not provide information about reliability. Development of diagnostic methods for VLSI type microcontroller is relevant.
Известные методы определения потенциальной надежности или сравнения надежности ИМС, основанные на измерении критического напряжения питания (КНП), базируются на последовательном снижении напряжения питания с номинального до некоторого минимального значения, при котором ИМС еще сохраняют функционирование [1].Known methods for determining the potential reliability or comparing the reliability of ICs, based on measuring the critical supply voltage (KNI), are based on a sequential decrease in the supply voltage from nominal to a certain minimum value, at which the ICs still maintain functioning [1].
Известно применение прогнозирующего контроля на основе метода критического напряжения питания [2]. Метод заключается в понижении напряжения питания от номинального значения до того, когда произойдет первый сбой в работе электронного устройства при одновременном его контроле. За критическое напряжение питания принимается предыдущее значение напряжения, перед которым произошел первый сбой в работе. Многочисленные эксперименты на статистически значимых выборках электронных устройств показали, что такой параметр является информативным в отношении таких скрытых дефектов как токи утечки, нестабильность пороговых напряжений, задержка распространения сигналов. Метод пригоден для таких устройств как дешифраторы 74НС139, 74НС139, КМОП коммутатор, цифровые потенциометры.It is known the use of predictive control based on the method of critical supply voltage [2]. The method consists in lowering the supply voltage from the nominal value until when the first malfunction of the electronic device occurs while simultaneously monitoring it. For the critical supply voltage, the previous voltage value is taken, before which the first malfunction occurs. Numerous experiments on statistically significant samples of electronic devices have shown that such a parameter is informative with respect to latent defects such as leakage currents, instability of threshold voltages, and propagation delay of signals. The method is suitable for devices such as 74NS139, 74NS139 decoders, CMOS switch, digital potentiometers.
По патенту №2365930 РФ, МПК G01R 31/26, публ. 28.08.2009, известен способ отбраковки полупроводниковых изделий, при котором измеряют КНП изделия при нормальной и повышенной температуре, не превышающей максимальную температуру кристалла ИМС, и осуществляют отбор ИМС из расчета относительной величины изменения КНП.According to the patent No. 2365930 of the Russian Federation, IPC G01R 31/26, publ. 08/28/2009, there is a known method of rejecting semiconductor products, in which measure the KNI of the product at normal and elevated temperatures not exceeding the maximum temperature of the crystal IC, and select the IC from the calculation of the relative magnitude of the change in KNI.
Но данный способ применим только для ИМС, состоящих из одного блока. Для диагностики современных СБИС (микроконтроллеров и микропроцессоров) методы, созданные для ИМС малой и средней степени интеграции, не подходят. Это связано с несколькими причинами. Так микроконтроллеры могут иметь встроенную систему питания, генерирующую для отдельных блоков СБИС напряжения питания, отличающегося от питания схемы. Также необходимо учитывать наличие защитных систем.But this method is applicable only for ICs consisting of one block. For the diagnosis of modern VLSI (microcontrollers and microprocessors) methods created for ICs of small and medium degree of integration are not suitable. There are several reasons for this. So microcontrollers can have a built-in power system that generates for individual VLSI units a supply voltage different from the supply circuit. It is also necessary to consider the presence of protective systems.
Техническая задача изобретения заключается в том, чтобы расширить функциональные возможности способа диагностики интегральных микросхем с возможностью неразрушающего контроля качества и надежности программируемых СБИС типа микроконтроллеры и микропроцессоры.The technical task of the invention is to expand the functionality of the method for the diagnosis of integrated circuits with the possibility of non-destructive quality control and reliability of programmable VLSI microcontrollers and microprocessors.
Поставленная задача решена заявляемым способом.The problem is solved by the claimed method.
Способ неразрушающего контроля качества сверхбольших интегральных схем по значению критического напряжения питания, при котором измеряют критическое напряжение питания при нормальной и повышенной температуре, отличающийся тем, что СБИС типа микроконтроллер или микропроцессор предварительно программируют тестирующей программой с возможностью раздельного диагностирования ядра СБИС, периферийных блоков, блока ввода-вывода информации, измеряют критическое напряжение питания выбранного блока, при минимальном значении которого выбранный блок сохраняет нормальное функционирование, путем подачи однократных тактирующих импульсов при пониженном напряжении питания, а вывод результата последующими тактами осуществляют через блок ввода/вывода при нормальном напряжении питания, для представительной выборки СБИС измеряют зависимость критического напряжения питания от температуры в диапазоне 10÷85°С в отношении выбранного блока, на зависимости выделяют информативную область, ограниченную прямой, соответствующей минимально допустимому рабочему напряжению в соответствии техническими условиями на конкретный тип СБИС, и кривой измеренной зависимости критического напряжения питания от температуры, и по площади этой информативной области оценивают надежность СБИС типа микроконтроллер или микропроцессор из выборки тем выше, чем больше указанная площадь.A method of non-destructive testing of the quality of ultra-large integrated circuits by the value of the critical supply voltage, at which the critical supply voltage is measured at normal and elevated temperatures, characterized in that the VLSI type microcontroller or microprocessor is pre-programmed with a testing program with the ability to separately diagnose VLSI core, peripheral blocks, input block -information output, measure the critical supply voltage of the selected unit, with a minimum value of which is selected This unit maintains its normal functioning by supplying single clock pulses at a reduced supply voltage, and the result is output by subsequent clock cycles through an input / output unit at a normal supply voltage. For a representative VLSI sample, the temperature dependence of the critical supply voltage is measured in the
Фиг. 1 поясняет исследование зависимости критического напряжения питания СБИС от температуры и выделение информативной области.FIG. 1 illustrates the study of the dependence of the critical VLSI power supply voltage on temperature and the allocation of an informative area.
Способ неразрушающего контроля качества СБИС, в частности, микроконтроллеров, по значению КНП поясняется и осуществляется следующим образом.The method of non-destructive quality control of VLSI, in particular, microcontrollers, according to the value of KNI is explained and carried out as follows.
Надежность микроконтроллера будет определяться наиболее подверженным к критическому напряжению блоком. При помощи тестирующей программы можно исследовать отдельно различные функциональные блоки микроконтроллера (ядро, периферийные блоки АЦП, таймеры-счетчики, аналоговый компаратор и т.д.).The reliability of the microcontroller will be determined by the unit most susceptible to critical voltage. Using the testing program, it is possible to examine separately the various functional blocks of the microcontroller (core, ADC peripheral blocks, timer counters, analog comparator, etc.).
В исследуемый микроконтроллер загружается вычислительная операция. Согласно технической документации процессор выполняет ее за один такт тактирующего сигнала, и в течение этого же такта записывает результат в регистр. Последующими тактами из регистра информация выдается на порт ввода/вывода. Такты подаются однократно, процессы обработки внутренних команд и исполнение арифметико-логических операций происходят при пониженном напряжении питания, а вывод результата через блок ввода/вывода - при нормальном. Таким образом, методом КНП устанавливают, при каком минимальном напряжении питания ядро микроконтроллера может надежно функционировать.The computational operation is loaded into the microcontroller under study. According to the technical documentation, the processor performs it in one clock cycle of the clock signal, and during the same clock cycle writes the result to the register. Subsequent ticks from the register information is issued to the input / output port. Beats are given once, the processing of internal commands and the execution of arithmetic-logical operations occur at a reduced supply voltage, and the output through the input / output unit is normal. Thus, using the KNI method, it is established at what minimum supply voltage the microcontroller core can operate reliably.
Для получения большего числа информативных параметров на представительной выборке микроконтроллеров проводится измерение КНП блока с наименьшим КНП. КНП измеряют при разных температурах в пределах рабочих температур, например, от плюс 10°С до плюс 85°С, по крайней мере, в отношении ядра микроконтроллера и строится зависимость критического напряжения питания от температуры. На основании этого исследования определяют влияние температуры на КНП.To obtain a larger number of informative parameters on a representative sample of microcontrollers, the KNI of the unit with the smallest KNI is measured. KNI is measured at different temperatures within operating temperatures, for example, from plus 10 ° C to plus 85 ° C, at least in relation to the core of the microcontroller, and the dependence of the critical supply voltage on temperature is built. Based on this study, the effect of temperature on KNI is determined.
Для проверки и обоснования способа исследование зависимости КНП от температуры было выполнено в отношении шести образцов микроконтроллеров ATmega8a в диапазоне рабочих температур 10÷85°С. За КНП принимается значение напряжения, предшествующее значению напряжения, при котором произошел сбой в работе электронной схемы. Результаты измерения КНП для всех образцов представлены в таблице 1.To verify and justify the method, a study of the dependence of KNI on temperature was performed for six samples of ATmega8a microcontrollers in the operating temperature range of 10 ÷ 85 ° С. For KNI, the voltage value is preceded by the voltage value at which a failure in the operation of the electronic circuit occurred. The results of the measurement of KNI for all samples are presented in table 1.
За минимально допустимое напряжение питания принято значение, указанное в технических условиях на исследуемый микроконтроллер - 4,5 В. Эксперимент показал, что КНП ядра микроконтроллеров ATmega8a имеет прослеживаемую зависимость от температуры. На зависимости, как показано на фиг. 1 (отображает исследование образца №6), выделяют информативную область S, ограниченную прямой, соответствующей минимально допустимому рабочему напряжению в соответствии техническими условиями, и кривой измеренной зависимости КНП от температуры.For the minimum allowable supply voltage, the value specified in the technical conditions for the studied microcontroller is 4.5 V. The experiment showed that the KNI of the ATmega8a microcontroller core has a traceable temperature dependence. Depending, as shown in FIG. 1 (depicts the study of sample No. 6), an informative region S is bounded by a straight line corresponding to the minimum permissible operating voltage in accordance with the technical conditions, and a curve of the measured temperature dependence of the KNI.
Для оценки и разделения микроконтроллеров по надежности для каждого образца графическим способом находят площадь (в °С×В) информативной области S, ограниченной прямой, соответствующей напряжению 4,5 В, и кривой зависимости КНП от температуры в диапазоне от 10°С до 85°С. Значения площади информативной области для всех исследованных образцов представлены в таблице 2.To evaluate and separate microcontrollers by reliability, for each sample, the area (in ° C × V) of the informative region S, bounded by a straight line corresponding to a voltage of 4.5 V, and the temperature dependence of the KNI on the temperature in the range from 10 ° C to 85 ° WITH. The values of the area of the informative area for all studied samples are presented in table 2.
Надежность микроконтроллеров из выборки будет тем выше, чем больше площадь S информативной области на графике зависимости КНП от температуры. Такая оценка надежности объясняется следующим.The reliability of the microcontrollers from the sample will be the higher, the greater the area S of the informative area on the graph of the KNI versus temperature. This reliability assessment is explained as follows.
1. У основной массы МК площадь S имеет значение близкое к среднестатистическому значению по всей выборке.1. For the bulk MK, the area S has a value close to the average statistical value for the entire sample.
2. У менее стойких МК площадь S будет в диапазоне от нуля (так как будет стремиться к номинальному значению нормы по техническим условиям) до среднестатистического значения (образец №6 наиболее чувствителен к понижению напряжения, см. таблицу 1).2. For less stable MK, the area S will be in the range from zero (since it will tend to the nominal value of the norm according to the technical conditions) to the average statistical value (sample No. 6 is most sensitive to undervoltage, see table 1).
3. У более стойких МК площадь S будет выше среднестатистического значения (это МК №4 с большей надежностью).3. For more resistant MK, the area S will be higher than the average value (this is MK No. 4 with greater reliability).
Заявляемый способ позволяет количественно выражает стойкость блоков СБИС, в частности, микроконтроллера, к понижению питающего напряжения в диапазоне рабочих температур от 10°С до 85°С.The inventive method allows quantitatively expressing the resistance of the VLSI blocks, in particular, the microcontroller, to lower the supply voltage in the operating temperature range from 10 ° C to 85 ° C.
Исследование по методу КНП для осуществления неразрушающего контроля качества СБИС при разных температурах позволяет выявить наиболее чувствительные к низкому напряжению питания конструктивные блоки СБИС, в частности, блоки ядра и периферии микроконтроллера, и затем на основании полученных данных диагностировать и разделять электронные устройства по надежности.A study using the KNI method to perform non-destructive quality control of VLSI at different temperatures allows us to identify the most sensitive to low voltage supply VLSI structural units, in particular, the core and peripheral blocks of the microcontroller, and then, based on the data obtained, diagnose and separate electronic devices for reliability.
Список цитируемых документов:List of cited documents:
1. Горлов М.И. Диагностика в современной микроэлектронике / М.И. Горлов, В.А. Емельянов, Д.Ю. Смирнов / Минск.: Интегралполиграф, 2011. - 375 с.1. Gorlov M.I. Diagnostics in modern microelectronics / M.I. Gorlov, V.A. Emelyanov, D.Yu. Smirnov / Minsk .: Integralpolygraph, 2011 .-- 375 p.
2. Алмина Н.А. Контроль микроэлектронных устройств методом критических питающих напряжений / Н.А. Алмина, В.Ю. Гаврилов, Н.Н. Номоконова // Надежность и техническая диагностика, 2010. №1. - С. 115-120.2. Almina N.A. Control of microelectronic devices by the method of critical supply voltages / N.A. Almina, V.Yu. Gavrilov, N.N. Nomokonova // Reliability and technical diagnostics, 2010. No. 1. - S. 115-120.
3. Винокуров А.А. Диагностика интегральных схем по частотных характеристикам при различных напряжениях питания и температурах / А.А. Винокуров, М.И. Горлов, А.В. Арсентьев, Д.М. Жуков // Вестник ВГТУ, 2014. - №3-1. - С. 128-132.3. Vinokurov A.A. Diagnostics of integrated circuits by frequency characteristics at various supply voltages and temperatures / A.A. Vinokurov, M.I. Gorlov, A.V. Arsentiev, D.M. Zhukov // Bulletin of VSTU, 2014. - No. 3-1. - S. 128-132.
4. Горлов М.И. Патент РФ №2365930. МПК G01R 31/26. Способ выделения ИС повышенной надежности / М.И. Горлов, Н.Н. Козьяков, Е.А. Золотарева; опубл. 28.08.2009.4. Gorlov M.I. RF patent No. 2365930. IPC G01R 31/26. The method of allocation of IP high reliability / M.I. Gorlov, N.N. Koziakov, E.A. Zolotareva; publ. 08/28/2009.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018119425A RU2696360C1 (en) | 2018-05-25 | 2018-05-25 | Method for non-destructive quality control of super-large-scale integrated circuits based on critical voltage value |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018119425A RU2696360C1 (en) | 2018-05-25 | 2018-05-25 | Method for non-destructive quality control of super-large-scale integrated circuits based on critical voltage value |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2696360C1 true RU2696360C1 (en) | 2019-08-01 |
Family
ID=67587098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018119425A RU2696360C1 (en) | 2018-05-25 | 2018-05-25 | Method for non-destructive quality control of super-large-scale integrated circuits based on critical voltage value |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2696360C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2852886C1 (en) * | 2025-04-25 | 2025-12-16 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Цифровые решения" | Method for built-in monitoring of operability of individual blocks of integrated circuit |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2018148C1 (en) * | 1990-08-13 | 1994-08-15 | Гаврилов Владимир Юрьевич | Method for checking semiconductor integrated circuits |
| RU2143704C1 (en) * | 1998-05-07 | 1999-12-27 | Воронежский государственный технический университет | Process of inspection of integrated circuits for defects |
| RU2365930C1 (en) * | 2008-04-16 | 2009-08-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Method of selecting highly reliable integrated circuits |
| US8677306B1 (en) * | 2012-10-11 | 2014-03-18 | Easic Corporation | Microcontroller controlled or direct mode controlled network-fabric on a structured ASIC |
| US20160274178A1 (en) * | 2015-03-16 | 2016-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method, device and computer program product for circuit testing |
-
2018
- 2018-05-25 RU RU2018119425A patent/RU2696360C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2018148C1 (en) * | 1990-08-13 | 1994-08-15 | Гаврилов Владимир Юрьевич | Method for checking semiconductor integrated circuits |
| RU2143704C1 (en) * | 1998-05-07 | 1999-12-27 | Воронежский государственный технический университет | Process of inspection of integrated circuits for defects |
| RU2365930C1 (en) * | 2008-04-16 | 2009-08-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Method of selecting highly reliable integrated circuits |
| US8677306B1 (en) * | 2012-10-11 | 2014-03-18 | Easic Corporation | Microcontroller controlled or direct mode controlled network-fabric on a structured ASIC |
| US20160274178A1 (en) * | 2015-03-16 | 2016-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method, device and computer program product for circuit testing |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2852886C1 (en) * | 2025-04-25 | 2025-12-16 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Цифровые решения" | Method for built-in monitoring of operability of individual blocks of integrated circuit |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6393594B1 (en) | Method and system for performing pseudo-random testing of an integrated circuit | |
| US6732311B1 (en) | On-chip debugger | |
| JP5373403B2 (en) | Method and apparatus for testing a data processing system | |
| US6564347B1 (en) | Method and apparatus for testing an integrated circuit using an on-chip logic analyzer unit | |
| US9213063B2 (en) | Reset generation circuit for scan mode exit | |
| US20120096314A1 (en) | Dynamic detection and identification of the functional state of multi-processor cores | |
| US9194914B2 (en) | Power supply monitor for detecting faults during scan testing | |
| KR100976371B1 (en) | Bidirectional probing of the software | |
| US8185772B2 (en) | Determining execution times of commands | |
| CN101713814B (en) | Flash chip detecting method based on boundary scan | |
| Cantoro et al. | About on-line functionally untestable fault identification in microprocessor cores for safety-critical applications | |
| RU2696360C1 (en) | Method for non-destructive quality control of super-large-scale integrated circuits based on critical voltage value | |
| US9946624B1 (en) | Systems and methods to capture data signals from a dynamic circuit | |
| US20140201583A1 (en) | System and Method For Non-Intrusive Random Failure Emulation Within an Integrated Circuit | |
| DeOrio et al. | Post-silicon bug diagnosis with inconsistent executions | |
| US7956617B1 (en) | Testing circuits for degradation without removal from host equipment | |
| CN105067994B (en) | System sequence logic error, error rate calculating and its application process on locating plate | |
| US5954832A (en) | Method and system for performing non-standard insitu burn-in testings | |
| JP2013242746A (en) | Failure detection system and method, and semiconductor device | |
| US20180277234A1 (en) | Failure prevention of bus monitor | |
| US8429615B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| Gao et al. | A new post-silicon debug approach based on suspect window | |
| CN112527710A (en) | JTAG data capturing and analyzing system | |
| KR101681153B1 (en) | Apparatus for monitoring circuit performance | |
| US20150082109A1 (en) | Detecting defects in a processor socket |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200526 |

