RU2617148C1 - Led testing method - Google Patents
Led testing method Download PDFInfo
- Publication number
- RU2617148C1 RU2617148C1 RU2016103222A RU2016103222A RU2617148C1 RU 2617148 C1 RU2617148 C1 RU 2617148C1 RU 2016103222 A RU2016103222 A RU 2016103222A RU 2016103222 A RU2016103222 A RU 2016103222A RU 2617148 C1 RU2617148 C1 RU 2617148C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- led
- value
- thermal resistance
- temperature
- defect
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для тестирования качества полупроводниковых приборов, в частности светодиодов, с целью выявления в них дефектов, обусловленных дефектностью структуры, качеством монтажа, неравномерностью растекания тока и другими факторами.The invention relates to semiconductor technology and can be used to test the quality of semiconductor devices, in particular LEDs, in order to identify defects in them due to defective structure, installation quality, uneven current spreading and other factors.
Одной из главных тенденций в разработке полупроводниковых приборов, в частности мощных светодиодов (СД), является повышение рабочих токов, увеличение размеров излучающих кристаллов и плотности их монтажа, усложнение геометрии контактов и других элементов конструкции. При этом особую актуальность приобретает сохранение надежности и ресурса работы приборов, а также выявление некачественных и потенциально ненадежных образцов указанных изделий.One of the main trends in the development of semiconductor devices, in particular high-power light emitting diodes (LEDs), is an increase in working currents, an increase in the size of emitting crystals and their mounting density, and the complexity of the geometry of contacts and other structural elements. At the same time, maintaining the reliability and service life of devices, as well as identifying low-quality and potentially unreliable samples of these products, is of particular relevance.
Известен способ тестирования СД на основе анализа спектральных характеристик излучения [RU 2521119].A known method of testing diabetes based on the analysis of the spectral characteristics of radiation [RU 2521119].
Согласно способу для каждой светодиодной структуры из партии изделий регистрируют спектр электролюминесценции, проводят построение зарегистрированного спектра в полулогарифмическом масштабе, разделяют коротковолновую область полученного спектра на участки, которые аппроксимируют определенной зависимостью, и выбирают аппроксимированные участки с максимальным и минимальным наклоном. Определяют максимальную и минимальную температуры светодиодной структуры на выбранных участках, вычисляют среднее значение разницы температур, которое выбирают в качестве критерия наличия дефектов светодиодной структуры. Проводят сравнение значения разницы температур для каждой светодиодной структуры с указанным критерием и, если значение разницы температур больше среднего, делают вывод о низком качестве структуры.According to the method, for each LED structure from the batch of products, the electroluminescence spectrum is recorded, the recorded spectrum is built on a semi-logarithmic scale, the short-wave region of the obtained spectrum is divided into sections that are approximated by a certain dependence, and approximated sections with a maximum and minimum slope are selected. The maximum and minimum temperatures of the LED structure in the selected areas are determined, and the average value of the temperature difference is calculated, which is selected as a criterion for the presence of defects in the LED structure. A comparison of the temperature difference value for each LED structure with the specified criterion is carried out and, if the temperature difference value is greater than average, a conclusion is made about the low quality of the structure.
Недостатком рассматриваемого способа является сильная зависимость полученных результатов от конкретного материала и структуры прибора, неоднозначность их интерпретации. Так, для широко используемых СД на основе InGaN/GaN, форма спектральной характеристики, включая наклон коротковолнового плеча, определяется рядом факторов. При этом выделение температурной составляющей, и на ее основе степени дефектности структуры СД, может сопровождаться существенными погрешностями.The disadvantage of this method is the strong dependence of the results on a particular material and structure of the device, the ambiguity of their interpretation. So, for the widely used InGaN / GaN-based LEDs, the shape of the spectral characteristic, including the slope of the short-wavelength shoulder, is determined by a number of factors. In this case, the allocation of the temperature component, and on its basis, the degree of defective structure of the SD, may be accompanied by significant errors.
Кроме того, рассматриваемый способ не позволяет выявить ряд конструктивных и технологических недостатков, в частности дефектов, обусловленных технологией монтажа кристалла СД на основание корпуса.In addition, the considered method does not allow to identify a number of structural and technological disadvantages, in particular defects, due to the technology of mounting the SD crystal on the base of the case.
Более чувствительными и эффективными методами тестирования СД с целью выявления в них дефектов являются методы диагностического контроля по тепловым параметрам, в частности, по величине теплового сопротивления СД.More sensitive and effective methods for testing diabetes with the aim of identifying defects in them are diagnostic monitoring methods by thermal parameters, in particular, by the value of thermal resistance of diabetes.
Тепловое сопротивление СД, определяющееся изменением температуры СД относительно окружающей среды за счет выделяющейся в нем мощности (ΔТ/ΔР), является важным показателем качества, от которого зависят допустимые нагрузки, а также надежность и ресурс работы СД. При этом тепловое сопротивление СД весьма чувствительно как к дефектам его внутренней структуры, так и к недостаткам, связанным с его конструкцией и технологией изготовления. Отклонение значения теплового сопротивления в большую сторону от среднестатистического значения для одного и того же типа изделий свидетельствует о скрытых дефектах СД (дефектах структуры, конструкции или монтажа).The thermal resistance of LEDs, determined by the change in temperature of LEDs relative to the environment due to the power released in it (ΔТ / ΔР), is an important quality indicator on which permissible loads depend, as well as the reliability and service life of LEDs. In this case, the thermal resistance of LEDs is very sensitive both to defects in its internal structure and to the disadvantages associated with its design and manufacturing technology. The deviation of the value of thermal resistance to a larger side from the average value for the same type of product indicates latent defects of diabetes (defects in structure, construction or installation).
Наиболее точно оценить тепловое сопротивление СД позволяют методы, основанные на исследовании динамики температурного отклика на скачкообразное изменение греющего тока, в ходе которых расчетно-экспериментальным путем получают кумулятивную структурную функцию (или дифференциальную структурную функцию), отображающую значение не только общего теплового сопротивления СД, но и теплового сопротивления отдельных элементов его конструкции (эквивалентной тепловой цепи) [см., например, Андреас Попп. "Учет тепловых параметров светодиодов для создания надежных осветительных систем. Журнал «Современная светотехника», 2015 г., №2, с. 16-19].The most accurate estimate of the thermal resistance of LEDs is made possible by methods based on the study of the dynamics of the temperature response to an abrupt change in the heating current, during which a cumulative structural function (or differential structural function) is obtained by calculation and experiment, reflecting the value of not only the total thermal resistance of the LED, but also thermal resistance of individual elements of its design (equivalent thermal circuit) [see, for example, Andreas Popp. "Accounting for the thermal parameters of LEDs to create reliable lighting systems. Journal of Modern Lighting Engineering, 2015, No. 2, pp. 16-19].
Известен способ тестирования светодиода [J. Hu, L. Yang, et al. MECHANISM AND THERMAL EFFECT OF DELAMINATION IN LIGHT - EMITTING DIODE PACKAGES. URL:https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00189481/document], который выбран в качестве ближайшего аналога.A known method of testing LED [J. Hu, L. Yang, et al. MECHANISM AND THERMAL EFFECT OF DELAMINATION IN LIGHT - EMITTING DIODE PACKAGES. URL: https: //hal.archives-ouvertes.fr/hal-00189481/document], which is selected as the closest analogue.
Согласно данному способу через исследуемый СД пропускают ступенчато изменяющийся электрический греющий ток, под действием которого происходит нагрев СД. В процессе разогрева СД периодически на короткое время (до нескольких десятков микросекунд), отключают греющий ток и измеряют температурочувствительный параметр (ТЧП), характеризующий изменение температуры СД. В качестве указанного параметра используют прямое падение напряжения на р-n-переходе. Для определения теплового сопротивления на основе математической обработки изменения ТЧП в процессе разогрева, с помощью программного обеспечения прибора T3Ster, получают дифференциальную структурную функцию, позволяющую определить не только общее тепловое сопротивление СД, но и тепловое сопротивление отдельных участков его теплового тракта.According to this method, a stepwise changing electric heating current is passed through the LED under study, under the influence of which the LED is heated. In the process of heating the LED periodically for a short time (up to several tens of microseconds), turn off the heating current and measure the temperature-sensitive parameter (TCHP) characterizing the change in the temperature of the LED. As the specified parameter, a direct voltage drop is used at the pn junction. To determine the thermal resistance on the basis of mathematical processing of changes in the PST during the heating process, using the T3Ster software, a differential structural function is obtained that allows one to determine not only the total thermal resistance of the LED, but also the thermal resistance of individual sections of its heat path.
Указанную процедуру измерения теплового сопротивления проводят периодически в течение определенной наработки (например, 1000 часов) в предельном или номинальном рабочем режиме.The specified procedure for measuring thermal resistance is carried out periodically during a certain operating time (for example, 1000 hours) in the limit or nominal operating mode.
Если величина теплового сопротивления СД (или отдельных элементов его конструкции) в процессе его тестовой наработки превысит заданное значение, то делается вывод о его дефектности.If the value of the thermal resistance of the LED (or individual elements of its design) during its test run exceeds the set value, then it is concluded that it is defective.
Недостатком рассматриваемого способа является его ограниченная чувствительность. Ряд дефектов, таких как незначительные по размеру структурные дефекты, или дефекты монтажа, могут не проявиться в диапазоне разброса значений теплового сопротивления. Кроме того, рассматриваемый метод требует длительных тестовых испытаний (до сотен часов).The disadvantage of this method is its limited sensitivity. A number of defects, such as structural defects that are insignificant in size, or installation defects, may not appear in the range of variation of thermal resistance values. In addition, the method under consideration requires lengthy test tests (up to hundreds of hours).
Задачей заявляемого изобретения является повышение чувствительности способа тестирования и снижение временных затрат на проведение тестирования.The task of the invention is to increase the sensitivity of the testing method and reduce the time spent on testing.
Сущность заявляемого изобретения заключается в том, что в способе тестирования светодиода, включающем пропускание через светодиод ступенчато изменяющегося электрического тока, измерение температурочувствительного параметра, характеризующего изменение температуры светодиода под действием ступенчато изменяющегося электрического тока, определение теплового сопротивления светодиода путем обработки измеренных значений температурочувствительного параметра, при этом на основе значения теплового сопротивления светодиода судят о наличии дефекта в светодиоде, согласно изобретению определяют первое и второе значения теплового сопротивления светодиода при двух значениях пропускаемого через светодиод ступенчато изменяющегося электрического тока, имеющего соответственно относительно малую и относительно большую величину, о наличии дефекта в светодиоде судят по величине разности значений первого и второго тепловых сопротивлений, при этом в случае, когда величина указанной разности превышает заданное значение, делают вывод о наличии дефекта в светодиоде.The essence of the claimed invention lies in the fact that in the method of testing the LED, which includes passing a stepwise changing electric current through the LED, measuring a temperature-sensitive parameter characterizing a change in the temperature of the LED under the action of a stepwise changing electric current, determining the thermal resistance of the LED by processing the measured values of the temperature-sensitive parameter, while Based on the value of the thermal resistance of the LED, If there is a defect in the LED, according to the invention, the first and second values of the thermal resistance of the LED are determined for two values of a stepwise varying electric current transmitted through the LED having a relatively small and relatively large value, respectively, the presence of a defect in the LED is judged by the difference in the values of the first and second thermal resistances in this case, when the magnitude of the specified difference exceeds a predetermined value, it is concluded that there is a defect in the LED.
Заявляемый способ основан на исследовании динамики температурного отклика СД на ступенчатое изменение греющего тока (переходной тепловой характеристике).The inventive method is based on the study of the dynamics of the temperature response of LEDs to a stepwise change in the heating current (transient thermal characteristic).
Принципиально важным является то, что авторами предложен новый информативный параметр оценки качества СД, которым служит разность значений теплового сопротивления СД, определяемого при относительно малой и относительно большой величине греющего тока.It is fundamentally important that the authors proposed a new informative parameter for assessing the quality of LEDs, which is the difference in the values of thermal resistance of LEDs, which is determined at a relatively small and relatively large value of the heating current.
Если в СД отсутствуют дефекты (дефекты структуры, типа каналов утечки или конструктивные недостатки, например, такие, как неоптимальная топология контактов с точки зрения равномерного токорастекания или технологические нарушения контактов, монтажа и прочее), то условия распределения плотности тока, генерации тепла и его отвода слабо зависят от величины греющего тока, и значение теплового сопротивления СД имеет величину, близкую к постоянной.If there are no defects in the LED (structural defects, such as leakage channels or design flaws, for example, such as non-optimal contact topology from the point of view of uniform current flow or technological faults in contacts, installation, etc.), then the conditions for the distribution of current density, heat generation and its removal weakly depend on the magnitude of the heating current, and the value of the thermal resistance of the LED has a value close to constant.
Если же в СД указанные дефекты присутствуют, то с ростом греющего тока происходит значительный рост теплового сопротивления СД в целом и тепловых сопротивлений отдельных его элементов. Это обусловлено рядом факторов. Так, с ростом греющего тока нарастает неравномерность распределения его по площади СД и, соответственно, неравномерность локализации источников выделения тепла. С ростом температуры уменьшается внутренняя квантовая эффективность СД, что приводит к положительной тепловой обратной связи, в результате чего исходные области локализации греющей мощности будут еще больше нагреваться.If these defects are present in the LED, then with an increase in the heating current, the thermal resistance of the LED as a whole and the thermal resistances of its individual elements increase significantly. This is due to several factors. So, with an increase in the heating current, the unevenness of its distribution over the area of the LED increases and, accordingly, the uneven localization of heat sources. With increasing temperature, the internal quantum efficiency of LEDs decreases, which leads to positive thermal feedback, as a result of which the initial regions of localization of the heating power will become even more heated.
Как показали исследования авторов, разность между значениями первого и второго тепловых сопротивлений, полученных для одного и того же СД при малом и большом греющем токе, позволяет с высокой чувствительностью оценить качество СД без привязки к конкретному исходному материалу и типу дефектов.As the authors showed, the difference between the values of the first and second thermal resistances obtained for the same type of LED at low and high heating currents makes it possible to evaluate the quality of LEDs with high sensitivity without reference to the specific source material and type of defects.
Если указанная разность превышает заданное в качестве критерия сравнения значение, то это свидетельствует о наличии дефекта в СД.If the specified difference exceeds the value specified as a comparison criterion, then this indicates the presence of a defect in the diabetes.
При этом оценка качества СД с использованием указанного информативного параметра позволяет проводить тестирование СД при входном/выходном контроле без длительных временных затрат.At the same time, the quality assessment of diabetes using the specified informative parameter allows testing of diabetes with input / output control without long time expenditures.
Заданное значение разности тепловых сопротивлений при пропускании через СД малого и большого греющего тока (критерий сравнения) определяют предварительно для исследуемого типа (вида) СД опытным (на партии годных изделий) или расчетным путем.The set value of the difference in thermal resistances when passing small and large heating current (comparison criterion) through SD is determined previously for the type of SD under study by experimental (on a batch of suitable products) or by calculation.
На практике в качестве греющего тока с относительно большой величиной целесообразно использовать ток, близкий или соответствующий предельно допустимому для исследуемого типа СД, а в качестве тока с относительно малой величиной - ток, равный или менее 0,1 от величины предельно допустимого.In practice, it is advisable to use a current close to or corresponding to the maximum permissible for the type of LED under study as a heating current with a relatively large value, and a current equal to or less than 0.1 of the maximum permissible value as a current with a relatively small value.
Таким образом, техническим результатом, достигаемым при реализации изобретения, является повышение чувствительности способа тестирования и снижение временных затрат на проведение тестирования.Thus, the technical result achieved by the implementation of the invention is to increase the sensitivity of the testing method and reduce the time spent on testing.
На чертеже показан вид дифференциальных структурных функций, полученных для двух величин греющего тока - малого греющего тока (кривая 1) и большого греющего тока (кривая 2).The drawing shows a view of the differential structural functions obtained for two values of the heating current - a small heating current (curve 1) and a large heating current (curve 2).
Способ осуществляют следующим образом.The method is as follows.
Через исследуемый СД пропускают ступенчато изменяющийся греющий ток, имеющий относительно малую величину, составляющую 0,1 от предельно-допустимого тока для данного типа СД.A step-changing heating current is passed through the LED under study, having a relatively small value of 0.1 of the maximum permissible current for this type of LED.
В процессе разогрева СД периодически на короткое время, в течение которого температура СД не изменяется (десятки микросекунд), отключают греющий ток и при малом измерительном прямом токе измеряют ТЧП, характеризующий изменение температуры СД. В качестве указанного параметра используют прямое падение напряжения на р-n-переходе.In the process of heating the LED periodically for a short time, during which the temperature of the LED does not change (tens of microseconds), the heating current is turned off and, with a small measuring forward current, the PMI characterizing the change in the temperature of the LED is measured. As the specified parameter, a direct voltage drop is used at the pn junction.
Время тестирования СД для определения теплового сопротивления составляет относительно небольшую величину порядка нескольких десятков секунд.Testing time of LEDs for determining thermal resistance is a relatively small value of the order of several tens of seconds.
На основании математической обработки результатов измерения ТЧП - падения напряжения на р-n-переходе в процессе разогрева определяют первое тепловое сопротивление СД.Based on the mathematical processing of the results of the measurement of the PPI — the voltage drop at the pn junction during heating, the first thermal resistance of the LED is determined.
Измерения и обработку их результатов, в частности, осуществляют с использованием прибора T3Ster и его программного обеспечения, строящего кумулятивную (или дифференциальную) структурную функцию, из которой определяют значение теплового сопротивления на малом токе Rth1.Measurements and processing of their results, in particular, is carried out using the T3Ster instrument and its software, which builds a cumulative (or differential) structural function, from which the value of thermal resistance at low current R th1 is determined .
В общем случае дифференциальная структурная функция определяется как производная суммарной теплоемкости элементов теплового тракта СД по суммарному тепловому сопротивлению K(RΣ)=dCΣ/dRΣ и характеризует распределение тепловой емкости и теплового сопротивления для последовательных участков теплового тракта СД «переход - окружающая среда».In the general case, the differential structural function is defined as the derivative of the total heat capacity of the elements of the SD heat path with respect to the total heat resistance K (R Σ ) = dC Σ / dR Σ and characterizes the distribution of heat capacity and thermal resistance for successive sections of the heat path of the transition-to-environment LED .
Затем через исследуемый СД пропускают ступенчато изменяющийся греющий ток, имеющий относительно большую величину, соответствующую значению предельно допустимого тока для данного вида СД.Then, a stepwise changing heating current is passed through the LED under study, having a relatively large value corresponding to the value of the maximum permissible current for this type of LED.
Аналогичным образом измеряют ТЧП прямое падение напряжения на р-n-переходе, математической обработкой изменения ТЧП получают дифференциальную структурную функцию и из нее определяют значение теплового сопротивления на большом токе Rth2.In a similar manner, the direct voltage drop at the pn junction is measured by the PPI, the differential structural function is obtained by mathematical processing of the change in the PPI, and the value of the thermal resistance at high current R th2 is determined from it.
Оценивают величину разности ΔRth между первым и вторым тепловыми сопротивлениями СД, сравнивая соответствующие структурные функции.The difference ΔR th between the first and second thermal resistances of LEDs is estimated by comparing the corresponding structural functions.
Если величина указанной разности ΔRth превышает предварительно определенное заданное значение, делают вывод о наличии дефекта(дефектов) в тестируемом СД и его бракуют.If the value of the specified difference ΔR th exceeds a predetermined predetermined value, a conclusion is made about the presence of a defect (s) in the test LED and it is rejected.
Целесообразным является (см. чертеж) оценивать разность структурных функций ΔRth на участке (последнем), соответствующем суммарному тепловому сопротивлению СД от p-n-перехода до радиатора.It is advisable (see the drawing) to evaluate the difference of the structural functions ΔR th in the section (last) corresponding to the total thermal resistance of the LED from the pn junction to the radiator.
Интерпретируя полученные дифференциальные структурные функции, можно определить, относится ли выявленный дефект(дефекты) к структурным дефектам (к дефектам полупроводникового материала) или к дефектам конструкции и монтажа.Interpreting the obtained differential structural functions, it is possible to determine whether the detected defect (s) refers to structural defects (to defects in the semiconductor material) or to defects in construction and installation.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016103222A RU2617148C1 (en) | 2016-02-01 | 2016-02-01 | Led testing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016103222A RU2617148C1 (en) | 2016-02-01 | 2016-02-01 | Led testing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2617148C1 true RU2617148C1 (en) | 2017-04-21 |
Family
ID=58643371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016103222A RU2617148C1 (en) | 2016-02-01 | 2016-02-01 | Led testing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2617148C1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2772930C1 (en) * | 2021-08-06 | 2022-05-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Method for measuring the thermal resistance of the junction-to-body led |
| CN117250467A (en) * | 2023-11-16 | 2023-12-19 | 深圳市深鸿盛电子有限公司 | Silicon carbide diode fault diagnosis method and related device |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010060458A1 (en) * | 2008-11-04 | 2010-06-03 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Device and method for detecting a defective oled |
| US7888942B2 (en) * | 2007-11-23 | 2011-02-15 | Industrial Technology Research Institute | Devices and methods for LED life test |
| CN102193053A (en) * | 2010-03-08 | 2011-09-21 | 上海时代之光照明电器检测有限公司 | Method for measuring relation curve of forward voltage and junction temperature of LED (Light Emitting Diode) in lamp |
| CN102750897A (en) * | 2012-07-12 | 2012-10-24 | 合肥华耀电子工业有限公司 | Simple test circuit for LED (light emitting diode) display module |
| EP2645529A1 (en) * | 2012-03-29 | 2013-10-02 | DIN-Dietmar Nocker Facilitymanagement GmbH | Circuit assembly and method for testing a light emitting diode branch of a circuit assembly |
| CN103344902A (en) * | 2013-07-10 | 2013-10-09 | 上海大学 | LED transient thermal resistance measuring system |
| RU2541098C1 (en) * | 2013-10-04 | 2015-02-10 | Наталия Михайловна Шмидт | METHOD OF SCREENING HIGH-POWER InGaN/GaN LIGHT-EMITTING DIODES |
| US9057757B2 (en) * | 2011-08-21 | 2015-06-16 | Bruker Nano, Inc. | Testing of electroluminescent semiconductor wafers |
-
2016
- 2016-02-01 RU RU2016103222A patent/RU2617148C1/en active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7888942B2 (en) * | 2007-11-23 | 2011-02-15 | Industrial Technology Research Institute | Devices and methods for LED life test |
| WO2010060458A1 (en) * | 2008-11-04 | 2010-06-03 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Device and method for detecting a defective oled |
| CN102193053A (en) * | 2010-03-08 | 2011-09-21 | 上海时代之光照明电器检测有限公司 | Method for measuring relation curve of forward voltage and junction temperature of LED (Light Emitting Diode) in lamp |
| US9057757B2 (en) * | 2011-08-21 | 2015-06-16 | Bruker Nano, Inc. | Testing of electroluminescent semiconductor wafers |
| EP2645529A1 (en) * | 2012-03-29 | 2013-10-02 | DIN-Dietmar Nocker Facilitymanagement GmbH | Circuit assembly and method for testing a light emitting diode branch of a circuit assembly |
| CN102750897A (en) * | 2012-07-12 | 2012-10-24 | 合肥华耀电子工业有限公司 | Simple test circuit for LED (light emitting diode) display module |
| CN103344902A (en) * | 2013-07-10 | 2013-10-09 | 上海大学 | LED transient thermal resistance measuring system |
| RU2541098C1 (en) * | 2013-10-04 | 2015-02-10 | Наталия Михайловна Шмидт | METHOD OF SCREENING HIGH-POWER InGaN/GaN LIGHT-EMITTING DIODES |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2772930C1 (en) * | 2021-08-06 | 2022-05-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Method for measuring the thermal resistance of the junction-to-body led |
| CN117250467A (en) * | 2023-11-16 | 2023-12-19 | 深圳市深鸿盛电子有限公司 | Silicon carbide diode fault diagnosis method and related device |
| CN117250467B (en) * | 2023-11-16 | 2024-04-26 | 深圳市深鸿盛电子有限公司 | Silicon carbide diode fault diagnosis method and related device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI500941B (en) | Method of characterizing semiconductor device from conductive-probe measurements performed on wafer from which device is manufactured, apparatus and computer program product thereof | |
| JP6075257B2 (en) | Inspection method and inspection apparatus for silicon carbide semiconductor device | |
| US9557368B2 (en) | Method of measuring thermal electric characteristics of semiconductor device | |
| CN105676099B (en) | A kind of system and method judging LED component reliability based on electrology characteristic | |
| US10742166B2 (en) | Method for the electrical characterization of a photovoltaic cell | |
| Bastidas-Rodriguez et al. | Quantification of photovoltaic module degradation using model based indicators | |
| CN102955112B (en) | Method for pre-screening direct-current steady-state power aging of GaN-based device | |
| CN105223488A (en) | The semi-conductor discrete device package quality detection method of structure based function and system | |
| CN103809098A (en) | System and method for detecting reliability of IGBT power device | |
| CN103777098A (en) | Method for evaluating opto-coupler storage life based on low-frequency noise classification | |
| Cai et al. | Determining the thermal stress limit of LED lamps using highly accelerated decay testing | |
| CN119023099B (en) | Electric energy metering box with temperature monitoring function and monitoring method | |
| JP7237516B2 (en) | Deterioration estimation device, deterioration estimation system, deterioration estimation method, and computer program | |
| RU2617148C1 (en) | Led testing method | |
| CN115015723A (en) | State monitoring method and device of GaN power device, computer equipment and medium | |
| KR101195016B1 (en) | Reliability assessment method for flexible warming element | |
| JP2009069058A (en) | Transistor inspection method and inspection apparatus | |
| CN110379725B (en) | Electromigration test structure and method | |
| JP6191643B2 (en) | Electric wire covering deterioration detection apparatus and electric wire covering deterioration detection method | |
| Fan et al. | In-situ monitoring and anomaly detection for LED packages using a Mahalanobis distance approach | |
| US20140107961A1 (en) | Testing method and testing system for semiconductor element | |
| RU2523105C1 (en) | METHOD OF SCREENING HIGH-POWER InGaN/GaN LIGHT-EMITTING DIODES | |
| JP6348755B2 (en) | Method for testing semiconductor transistors | |
| JP6531646B2 (en) | Junction temperature identification device and junction temperature identification method | |
| RU2348941C1 (en) | Diagnostic method for semi-conducting items by voltage-current characteristics derivative |