RU2607110C1 - Substrate holder - Google Patents
Substrate holder Download PDFInfo
- Publication number
- RU2607110C1 RU2607110C1 RU2015119796A RU2015119796A RU2607110C1 RU 2607110 C1 RU2607110 C1 RU 2607110C1 RU 2015119796 A RU2015119796 A RU 2015119796A RU 2015119796 A RU2015119796 A RU 2015119796A RU 2607110 C1 RU2607110 C1 RU 2607110C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- holder
- substrate
- holder according
- width
- annular groove
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 10
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 150000002751 molybdenum Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИFIELD OF TECHNOLOGY
Изобретение относится к СВЧ технике и может быть использовано для изготовления держателей для подложек, на которых формируют методом плазменного парофазного химического осаждения пленки или покрытия различных материалов, в частности углеродные (алмазные) пленки или покрытия.The invention relates to microwave technology and can be used for the manufacture of holders for substrates on which a film or coating of various materials is formed by plasma vapor-phase chemical deposition, in particular carbon (diamond) films or coatings.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИBACKGROUND
Из RU 2403318 С2, опубл. 10.11.2010, известен держатель подложки, выполненный в виде диска из молибдена, нижняя поверхность которого находится в тепловом контакте с газовым теплообменником, причем газовый теплообменник находится в контакте с нижней поверхностью держателя по площади 30-90%, при этом держатель соединен с радиальным волноводом через тороидальную мембрану.From RU 2403318 C2, publ. 11/10/2010, a substrate holder is known in the form of a molybdenum disk, the lower surface of which is in thermal contact with a gas heat exchanger, the gas heat exchanger being in contact with the lower surface of the holder over an area of 30-90%, while the holder is connected to a radial waveguide through a toroidal membrane.
Однако известный держатель подложки ввиду периферийности контакта камеры теплообменника с коллектором реактора не позволяет эффективно отводить излишки тепла со всей поверхности держателя.However, the known substrate holder, due to the peripheral contact of the heat exchanger chamber with the reactor manifold, does not allow efficient removal of excess heat from the entire surface of the holder.
Наиболее близким аналогом заявленного изобретения является US 2014/0234556 А1, опубл. 21.08.2014. В наиболее близком аналоге раскрыт держатель подложки в виде диска из карбида тугоплавкого материала, в котором система подачи рабочей газовой смеси находится под подложкой. Нижняя поверхность подложки имеет дугообразные распорные элементы, которые позволяют газовой смеси распространяться по всей поверхности подложки. Под подложкой образуется дополнительный объем с газом, в котором можно варьировать соотношение подаваемых в реактор газов.The closest analogue of the claimed invention is US 2014/0234556 A1, publ. 08/21/2014. In the closest analogue, a substrate holder is disclosed in the form of a carbide disk of a refractory material, in which the working gas mixture supply system is located under the substrate. The bottom surface of the substrate has arcuate spacer elements that allow the gas mixture to spread over the entire surface of the substrate. An additional volume with gas is formed under the substrate, in which the ratio of the gases supplied to the reactor can be varied.
Таким образом, использование в такой системе подачи рабочей смеси газов основного технологического процесса (осаждение пленок алмаза из газовой фазы), обладающих различными коэффициентами теплопроводности, позволяет управлять температурой подложки вдоль ростовой поверхности. Однако для контроля температуры вдоль ростовой поверхности подложки необходимо измерение температуры как минимум в двух точках - в центральной части подложки и на ее периферии. Данное требование усложняет процесс автоматизации предложенного способа управления температурой подложки.Thus, the use of the main technological process (the deposition of diamond films from the gas phase) with different thermal conductivity coefficients in such a system for supplying a working mixture of gases allows one to control the temperature of the substrate along the growth surface. However, to control the temperature along the growth surface of the substrate, it is necessary to measure the temperature at least at two points - in the central part of the substrate and on its periphery. This requirement complicates the automation process of the proposed method for controlling the temperature of the substrate.
РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯSUMMARY OF THE INVENTION
Задача предлагаемого технического решения состоит в разработке держателя подложки с однородным распределением температурного поля по поверхности держателя, обеспечивающего получение на подложке алмазных пленок с высокой степенью однородности по толщине.The objective of the proposed technical solution is to develop a substrate holder with a uniform distribution of the temperature field over the surface of the holder, providing diamond films on the substrate with a high degree of uniformity in thickness.
Техническим результатом изобретения является повышение однородности распределения температурного поля по поверхности держателя, обеспечивающего однородность роста пленки по толщине.The technical result of the invention is to increase the uniformity of the distribution of the temperature field over the surface of the holder, ensuring uniformity of film growth in thickness.
Указанный технический результат достигается за счет того, что держатель подложки выполнен в форме диска из тугоплавкого высокотемпературного переходного металла, при этом верхняя поверхность держателя выполнена шлифованной, а нижняя поверхность держателя содержит кольцевые пазы, образованные концентрическими окружностями, при этом между кольцевыми пазами образованы внешний и средний теплоотводящие элементы в виде кольцевых выступов и центральный теплоотводящий элемент, представляющий собой выступ в виде круга.The specified technical result is achieved due to the fact that the substrate holder is made in the form of a disk made of a refractory high-temperature transition metal, while the upper surface of the holder is polished, and the lower surface of the holder contains annular grooves formed by concentric circles, while the outer and middle are formed between the annular grooves heat-removing elements in the form of annular protrusions and a central heat-removing element, which is a protrusion in the form of a circle.
Радиус центрального теплоотводящего элемента а=3-6 мм.The radius of the central heat sink element a = 3-6 mm.
Ширина внешнего и среднего теплоотводящих элементов d=0,5-1 мм.The width of the outer and middle heat sink elements d = 0.5-1 mm.
Ширина первого кольцевого паза b=(4-7)d.The width of the first annular groove b = (4-7) d.
Ширина второго кольцевого паза c=(9-11)d.The width of the second annular groove c = (9-11) d.
Ширина третьего кольцевого паза e=(20-25)d.The width of the third annular groove e = (20-25) d.
Глубина пазов составляет 0,5-1 мм.The depth of the grooves is 0.5-1 mm.
В качестве высокотемпературного переходного металла использован молибден, вольфрам, тантал.Molybdenum, tungsten, and tantalum were used as a high-temperature transition metal.
Диаметр держателя составляет 57-76 мм.The diameter of the holder is 57-76 mm.
Толщина держателя составляет 4-4,5 мм.The thickness of the holder is 4-4.5 mm.
Шлифованная поверхность держателя выполнена с характерной плоскостностью не более 5 мкм.The polished surface of the holder is made with a characteristic flatness of not more than 5 microns.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
Изобретение будет более понятным из описания, не имеющего ограничительного характера и приводимого со ссылками на прилагаемые чертежи, на которых изображено:The invention will be more clear from the description, which is not restrictive and given with reference to the accompanying drawings, which depict:
Фиг. 1 - продольный разрез держателя подложки;FIG. 1 is a longitudinal section of a substrate holder;
Фиг. 2 - вид снизу держателя подложки;FIG. 2 is a bottom view of a substrate holder;
Фиг. 3 - график распределения температуры по поверхности: а) подложки; б) алмазной пленки; в) держателя подложки.FIG. 3 is a graph of the temperature distribution over the surface of: a) the substrate; b) a diamond film; c) the holder of the substrate.
1 - держатель подложки;1 - substrate holder;
2 - подложка;2 - substrate;
3 - внешний теплоотводящий элемент;3 - external heat sink element;
4 - средний теплоотводящий элемент;4 - average heat sink element;
5 - центральный теплоотводящий элемент;5 - Central heat sink element;
6 - первый кольцевой паз;6 - the first annular groove;
7 - второй кольцевой паз;7 - the second annular groove;
8 - третий кольцевой паз;8 - the third annular groove;
9 - коллектор плазменного реактора;9 - collector of a plasma reactor;
10 - трубопровод для хладагента.10 - pipeline for the refrigerant.
ОСУЩЕСТВЛЕНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯDETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Согласно фиг. 1, 2 держатель (1) подложки (2) выполнен в форме диска из тугоплавкого высокотемпературного переходного металла, при этом верхняя поверхность держателя (1) выполнена шлифованной, а нижняя поверхность держателя (1) содержит кольцевые пазы (6, 7, 8), образованные концентрическими окружностями, при этом между кольцевыми пазами (6, 7, 8) образованы внешний (3) и средний (4) теплоотводящие элементы в виде кольцевых выступов и центральный (5) теплоотводящий элемент, представляющий собой выступ в виде круга.According to FIG. 1, 2, the holder (1) of the substrate (2) is made in the form of a disk of a refractory high-temperature transition metal, the upper surface of the holder (1) is polished, and the lower surface of the holder (1) contains annular grooves (6, 7, 8), formed by concentric circles, while between the annular grooves (6, 7, 8), external (3) and middle (4) heat-removing elements are formed in the form of annular protrusions and a central (5) heat-removing element, which is a protrusion in the form of a circle.
Радиус центрального (5) теплоотводящего элемента а=3-6 мм.The radius of the central (5) heat sink element a = 3-6 mm.
Ширина внешнего (3) и среднего (4) теплоотводящих элементов d=0,5-1 мм.The width of the external (3) and middle (4) heat-removing elements d = 0.5-1 mm.
Ширина первого (6) кольцевого паза b=(4-7)d.The width of the first (6) annular groove b = (4-7) d.
Ширина второго (7) кольцевого паза с=(9-11)d.The width of the second (7) annular groove c = (9-11) d.
Ширина третьего (8) кольцевого паза e=(20-25)d.The width of the third (8) annular groove e = (20-25) d.
Глубина пазов составляет 0,5-1 мм.The depth of the grooves is 0.5-1 mm.
В качестве высокотемпературного переходного металла использован молибден, вольфрам, тантал.Molybdenum, tungsten, and tantalum were used as a high-temperature transition metal.
Диаметр держателя (1) составляет 57-76 мм.The diameter of the holder (1) is 57-76 mm.
Толщина держателя (1) составляет 4-4,5 мм.The thickness of the holder (1) is 4-4.5 mm.
Шлифованная поверхность держателя выполнена с характерной плоскостностью не более 5 мкм.The polished surface of the holder is made with a characteristic flatness of not more than 5 microns.
Пример 1Example 1
Держатель (1) подложки (2) изготавливают в форме диска толщиной 4-4,5 мм и диаметром 57 мм из молибдена. Причем верхнюю поверхность держателя (1) обрабатывают до достижения плоскостности 1 мкм, а на нижней поверхности формируют три кольцевых паза (6, 7, 8) глубиной 0,5-1 мм, образованные концентрическими окружностями, при этом между кольцевыми пазами (6, 7, 8) образованы внешний (3) и средний (4) теплоотводящие элементы в виде кольцевых выступов и центральный (5) теплоотводящий элемент, представляющий собой выступ в виде круга. Радиус центрального (5) теплоотводящего элемента а=3-6 мм, ширина внешнего (3) и среднего (4) теплоотводящих элементов d=0,5-1 мм; ширина первого (6) кольцевого паза b=4d; ширина второго (7) кольцевого паза c=9d; ширина третьего (8) кольцевого паза e=20d. Держатель (1) устанавливают на коллектор (9) плазменного реактора, а затем на верхнюю поверхность держателя (1) помещают кремниевую подложку (2) с полированной поверхностью для применения в микроэлектронике. При включении системы в реактор подается газовая смесь, необходимая для нанесения пленки, а в центральной части реактора образуется плазма. В результате за счет плазменного парофазного осаждения на подложке (2) образуется алмазная пленка.The holder (1) of the substrate (2) is made in the form of a disk with a thickness of 4-4.5 mm and a diameter of 57 mm from molybdenum. Moreover, the upper surface of the holder (1) is processed until a flatness of 1 μm is achieved, and three circular grooves (6, 7, 8) of 0.5-1 mm deep are formed on the lower surface, formed by concentric circles, while between the ring grooves (6, 7 , 8) external (3) and middle (4) heat-removing elements are formed in the form of annular protrusions and a central (5) heat-removing element representing a protrusion in the form of a circle. The radius of the central (5) heat sink element a = 3-6 mm, the width of the outer (3) and middle (4) heat sink elements d = 0.5-1 mm; the width of the first (6) annular groove b = 4d; the width of the second (7) annular groove c = 9d; the width of the third (8) annular groove e = 20d. The holder (1) is mounted on the collector (9) of the plasma reactor, and then on the upper surface of the holder (1) is placed a silicon substrate (2) with a polished surface for use in microelectronics. When the system is turned on, the gas mixture necessary for film deposition is supplied to the reactor, and plasma is formed in the central part of the reactor. As a result, a diamond film is formed on the substrate (2) due to plasma vapor deposition.
Пример 2Example 2
Пример 2 аналогичен примеру 1, за исключением следующих отличий: диаметр держателя 76 мм; ширина первого (6) кольцевого паза b=7d; ширина второго (7) кольцевого паза с=11d; ширина третьего (8) кольцевого паза e=25d; плоскостность верхней поверхности держателя - 0,5 мкм.Example 2 is similar to example 1, with the following differences: holder diameter 76 mm; the width of the first (6) annular groove b = 7d; the width of the second (7) annular groove c = 11d; the width of the third (8) annular groove e = 25d; flatness of the upper surface of the holder is 0.5 μm.
Как показали эксперименты, распределение температуры по ростовой поверхности подложки с расстоянием от центра подложки имеет характер (температура подложки снижается от ее центра к краю), продемонстрированный на фиг. 3а (за центр подложки принято начало координат). Такое распределение температуры по ростовой поверхности подложки вызывает аналогичное распределение толщины выращенной алмазной пленки с расстоянием от центра подложки (Фиг. 3б). При применении заявленного держателя подложки, на нижней поверхности которого расположены теплоотводящие элементы, распределение температурного поля держателя имеет характер (температура держателя увеличивается от его центра к краю), продемонстрированный на Фиг. 3в. В результате температурное поле держателя компенсирует температурное поле подложки. Такая компенсация обеспечивает более равномерное распределение температуры на ростовой поверхности подложки, а следовательно, и равномерную толщину выращенной пленки по всей поверхности.As experiments showed, the temperature distribution along the growth surface of the substrate with a distance from the center of the substrate is of a nature (the temperature of the substrate decreases from its center to the edge), shown in FIG. 3a (the origin of coordinates is taken as the center of the substrate). Such a temperature distribution over the growth surface of the substrate causes a similar distribution of the thickness of the grown diamond film with a distance from the center of the substrate (Fig. 3b). When using the claimed substrate holder, on the lower surface of which heat-removing elements are located, the distribution of the temperature field of the holder has the character (the temperature of the holder increases from its center to the edge), shown in FIG. 3c. As a result, the temperature field of the holder compensates for the temperature field of the substrate. Such compensation provides a more uniform temperature distribution on the growth surface of the substrate, and consequently, a uniform thickness of the grown film over the entire surface.
Шлифованная верхняя поверхность держателя обеспечивает образование теплового контакта по всей поверхности между держателем и кремниевой подложкой, что обеспечивает повышение однородности распределения температурного поля по поверхности держателя, обеспечивающего однородность роста пленки по толщине.The polished upper surface of the holder provides the formation of thermal contact over the entire surface between the holder and the silicon substrate, which ensures an increase in the uniformity of the temperature field distribution over the surface of the holder, which ensures uniformity of film growth in thickness.
Таким образом, предлагаемое изобретение позволяет получить держатель подложки, позволяющий повысить однородность распределения температурного поля по поверхности держателя, обеспечивающего однородность роста пленки по толщине.Thus, the present invention allows to obtain a substrate holder, which allows to increase the uniformity of the distribution of the temperature field over the surface of the holder, ensuring uniformity of film growth in thickness.
Изобретение было раскрыто выше со ссылкой на конкретный вариант его осуществления. Для специалистов могут быть очевидны и иные варианты осуществления изобретения, не меняющие его сущности, как она раскрыта в настоящем описании. Соответственно, изобретение следует считать ограниченным по объему только нижеследующей формулой изобретения.The invention has been disclosed above with reference to a specific embodiment. Other specialists may be obvious to other embodiments of the invention, without changing its essence, as it is disclosed in the present description. Accordingly, the invention should be considered limited in scope only by the following claims.
Claims (11)
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015119796A RU2607110C1 (en) | 2015-07-09 | 2015-07-09 | Substrate holder |
| PCT/RU2015/000749 WO2017007366A1 (en) | 2015-07-09 | 2015-11-09 | Substrate holder |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015119796A RU2607110C1 (en) | 2015-07-09 | 2015-07-09 | Substrate holder |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2607110C1 true RU2607110C1 (en) | 2017-01-10 |
Family
ID=57685895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015119796A RU2607110C1 (en) | 2015-07-09 | 2015-07-09 | Substrate holder |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2607110C1 (en) |
| WO (1) | WO2017007366A1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040187791A1 (en) * | 2003-03-13 | 2004-09-30 | Karl-Hermann Busse | Mobile transportable electrostatic substrate holder |
| RU2403318C2 (en) * | 2008-12-03 | 2010-11-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения" | Shf plasma reactor |
| RU2509175C2 (en) * | 2008-07-04 | 2014-03-10 | Абб Текнолоджи Аг | Method to apply coating for passivation of silicon plates |
| US20140234556A1 (en) * | 2010-12-23 | 2014-08-21 | Element Six Limited | Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture |
-
2015
- 2015-07-09 RU RU2015119796A patent/RU2607110C1/en not_active IP Right Cessation
- 2015-11-09 WO PCT/RU2015/000749 patent/WO2017007366A1/en active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040187791A1 (en) * | 2003-03-13 | 2004-09-30 | Karl-Hermann Busse | Mobile transportable electrostatic substrate holder |
| RU2509175C2 (en) * | 2008-07-04 | 2014-03-10 | Абб Текнолоджи Аг | Method to apply coating for passivation of silicon plates |
| RU2403318C2 (en) * | 2008-12-03 | 2010-11-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения" | Shf plasma reactor |
| US20140234556A1 (en) * | 2010-12-23 | 2014-08-21 | Element Six Limited | Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2017007366A1 (en) | 2017-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1956145B (en) | Semiconductor process chamber | |
| US7235139B2 (en) | Wafer carrier for growing GaN wafers | |
| US11021794B2 (en) | Graphite susceptor | |
| US20160273128A1 (en) | Epitaxial wafer growth apparatus | |
| TWI590363B (en) | Wafer tray | |
| CN105063746A (en) | System and method for varying wafer surface temperature by wafer carrier temperature biasing | |
| JP2007513255A (en) | Substrate heater assembly | |
| JP2004244298A (en) | Substrate holder for vapor-phase diamond synthesis and method of vapor-phase diamond synthesis | |
| JP5237390B2 (en) | Epitaxial barrel susceptor with improved film thickness uniformity | |
| CN106716607A (en) | Susceptor and pre-heat ring for thermal processing of substrates | |
| US11781212B2 (en) | Overlap susceptor and preheat ring | |
| EP4271852B1 (en) | Systems and methods for a preheat ring in a semiconductor wafer reactor | |
| JP2017109900A (en) | Epitaxial growth system, epitaxial growth method, and production method of semiconductor element | |
| CN106811737A (en) | A kind of base station component for preparing diamond | |
| JP2023507091A (en) | A semiconductor processing chuck with recesses near the perimeter of the wafer to reduce edge/center non-uniformity | |
| EP0519608A1 (en) | Substrate holder of thermally anisotropic material used for enhancing uniformity of grown epitaxial layers | |
| CN114959658A (en) | Heating device and chemical vapor deposition equipment | |
| TWI870476B (en) | Pedestal heater for spatial multi-wafer processing tool | |
| RU2607110C1 (en) | Substrate holder | |
| TW201314743A (en) | Thin film deposition system | |
| TW201306167A (en) | Substrate support apparatus and vapour-phase deposition apparatus | |
| JP2020191346A (en) | Susceptor and epitaxial growth device | |
| JP2024501866A (en) | Systems and methods for radiant heat caps in semiconductor wafer reactors | |
| RU2644216C2 (en) | Microwave plasma reactor for obtaining a homogeneous nanocrystalline diamond film | |
| JP2015026776A (en) | Epitaxial wafer manufacturing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180710 |