RU2516197C2 - Infrared radiation source - Google Patents
Infrared radiation source Download PDFInfo
- Publication number
- RU2516197C2 RU2516197C2 RU2009119448/28A RU2009119448A RU2516197C2 RU 2516197 C2 RU2516197 C2 RU 2516197C2 RU 2009119448/28 A RU2009119448/28 A RU 2009119448/28A RU 2009119448 A RU2009119448 A RU 2009119448A RU 2516197 C2 RU2516197 C2 RU 2516197C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- source
- radiation
- energy converter
- primary energy
- active region
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 103
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 11
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000004476 mid-IR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- VONWDASPFIQPDY-UHFFFAOYSA-N dimethyl methylphosphonate Chemical compound COP(C)(=O)OC VONWDASPFIQPDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JXDXDSKXFRTAPA-UHFFFAOYSA-N calcium;barium(2+);oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[Ca+2].[Ti+4].[Ba+2] JXDXDSKXFRTAPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L lithium sulfate Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-]S([O-])(=O)=O INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- YACKEPLHDIMKIO-UHFFFAOYSA-N methylphosphonic acid Chemical compound CP(O)(O)=O YACKEPLHDIMKIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 3-aminoazetidine-1-carboxylate;hydrochloride Chemical compound Cl.CC(C)(C)OC(=O)N1CC(N)C1 RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Lenses (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники, а более конкретно к источникам инфракрасного (ИК) излучения и может найти применение в спектрометрах, в системах обнаружения и связи и в качестве калибровочных (тестовых)излучателей.The invention relates to the field of semiconductor optoelectronics, and more specifically to sources of infrared (IR) radiation and can find application in spectrometers, in detection and communication systems and as calibration (test) emitters.
Традиционный подход в создании источника в средней ИК-области состоит в том, что область инжекции и рекомбинации расположены в единой р-n или гетеро-р-n структуре. Так, известен полупроводниковый источник ИК-излучения (см. Zh.I. Alferov, III-V Review, Vol.11 (1998), No 1, рр.26-31), содержащий активную область из материала A3B5 с заданной шириной запрещенной зоны и р-n переход, излучающий в ближней ИК-области спектра.The traditional approach to creating a source in the mid-IR region is that the injection and recombination regions are located in a single pn or hetero pn structure. Thus, a semiconductor source of infrared radiation is known (see Zh.I. Alferov, III-V Review, Vol. 11 (1998), No. 1, pp. 26-31), containing an active region of material A 3 B 5 with a given band gap and pn junction emitting in the near infrared region of the spectrum.
Известный источник ИК-излучения может работать при повышенных температурах. Недостатком известного источника является отсутствие возможности работы в средней ИК-области спектра, где находятся основные (фундаментальные) полосы поглощения веществ и где эффективность проведения анализа спектров особенно высока.A known source of infrared radiation can operate at elevated temperatures. A disadvantage of the known source is the inability to operate in the mid-IR region of the spectrum, where the main (fundamental) absorption bands of substances are located and where the efficiency of the analysis of the spectra is especially high.
Известен полупроводниковый источник ИК-излучения (см. J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco et al. - "Quantum cascade laser". - Science, 1994, 264, pp.553-556), содержащий многослойную активную область из материалов A3B5, в котором электроны осуществляют квантово-каскадные переходы. В отличие от традиционных лазеров с межзонными переходами, излучательные переходы в таких лазерах осуществляются не между дырочными и электронными состояниями, а между электронными состояниями в подзонах внутри зоны проводимости квантовых ям. Вследствие этого свободный электрон, инжектированный в структуру, не исчезает при излучательном переходе и может принять участие в последующих переходах, если будет осуществлена его инжекция в лежащих ниже активных областях (их количество обычно варьируется от 25 до 40), расположенных «каскадом». Межподзонная рекомбинация создает ряд преимуществ по сравнению с межзонной рекомбинацией в традиционных лазерах. Прежде всего, этот касается механизма рассеяния, который в случае межподзонных переходов осуществляется за счет взаимодействия с продольными оптическими (LO) фононами и потому слабо зависит от температуры в сравнении с Оже-рекомбинацией. В известном источнике область инжекции отделена от области рекомбинации эти области, т.е. создание возможности инжекции в одном материале, а возможность рекомбинации в средней ИК-области - в другом, обеспечило возможность свободы в выборе материала инжектора (р-n перехода). Благодаря этому удалось создать инжектор (р-n переход) в материале с большой шириной запрещенной зоны, что резко увеличило эффективность инжекции при повышенных температурах. При этом кажущаяся неэффективность, вызванная дополнительным фотопреобразованием квантов, сформированных в первой активной области в кванты и излучаемых затем в последующей оптически связанной активной области через процесс поглощения и рекомбинации hν1→hν2, перекрывается выигрышем в эффективности инжекции (h - постоянная Планка, h=6,626·10-34 Дж·с или h=4,135669212 10-13 эВ·c, ν2 - частота рекомбинационного излучения, с-1). Это привело к новому эффекту - возможности эффективной работы источника в средней ИК-области при повышенных температурах.A known semiconductor source of infrared radiation (see J. Faist, F. Capasso, DL Sivco et al. - "Quantum cascade laser". - Science, 1994, 264, pp.553-556) containing a multilayer active region of materials A 3 B 5 , in which the electrons carry out quantum cascade transitions. Unlike traditional lasers with interband transitions, radiative transitions in such lasers are not between hole and electronic states, but between electronic states in subbands inside the conduction band of quantum wells. As a result, the free electron injected into the structure does not disappear during the radiative transition and can take part in subsequent transitions if it is injected in the lower active regions (their number usually varies from 25 to 40) arranged in a cascade. Intersubband recombination offers several advantages over interband recombination in conventional lasers. First of all, this concerns the scattering mechanism, which in the case of interband subband transitions occurs due to interaction with longitudinal optical (LO) phonons and, therefore, weakly depends on temperature in comparison with Auger recombination. In a known source, the injection region is separated from the recombination region by these regions, i.e. creation of the possibility of injection in one material, and the possibility of recombination in the middle infrared region in another, provided the possibility of freedom in choosing the material of the injector (pn junction). Thanks to this, it was possible to create an injector (pn junction) in a material with a large band gap, which sharply increased the efficiency of injection at elevated temperatures. In this case, the apparent inefficiency caused by the additional photoconversion of quanta formed in the first active region into quanta and then emitted in the next optically coupled active region through the absorption and recombination process hν 1 → hν 2 is blocked by the gain in injection efficiency (h is the Planck constant, h = 6.626 · 10 -34 J · s or h = 4.135669212 10 -13 eV · s, ν 2 - frequency of recombination radiation, s -1 ). This led to a new effect - the possibility of effective source operation in the mid-IR region at elevated temperatures.
Недостатком известного источника излучения является низкая мощность излучения в области энергий hν2<0,12 эВ.A disadvantage of the known radiation source is the low radiation power in the energy region hν 2 <0.12 eV.
Действительно, в квантово-каскадных лазерах достигнута непрерывная генерация при комнатной температуре в диапазоне 5-10 мкм (см. M. Beck, D. Hofsteller, T. Aellen et al. - "Continuous - wave operation of a mid-infrared semiconductor laser at room temperature". - Science, 2002, 295, pp.301-305; A. Evans, J.S. Yu, S. Stivken et al. - "Continuous - wave operation of λ~4,8 µm quantum cascade lasers at room temperature". - Appl. Phys. Lett. - 2004, 85, pp.2166-2168; S. Blaser, D.A. Yarekha, L. Hvozdara et al. - "Room temperature Continuous - wave single mode quantum cascade lasersat λ~5,4 µm". - Appl. Phys. Lett. - 2005, 86, 0411109-041111), что недоступно для обычных диодных лазеров.Indeed, in quantum cascade lasers, continuous generation at room temperature in the range of 5-10 μm was achieved (see M. Beck, D. Hofsteller, T. Aellen et al. - "Continuous - wave operation of a mid-infrared semiconductor laser at room temperature ". - Science, 2002, 295, pp. 301-305; A. Evans, JS Yu, S. Stivken et al. -" Continuous - wave operation of λ ~ 4.8 μm quantum cascade lasers at room temperature " . - Appl. Phys. Lett. - 2004, 85, pp. 2166-2168; S. Blaser, DA Yarekha, L. Hvozdara et al. - "Room temperature Continuous - wave single mode quantum cascade lasersat λ ~ 5.4 μm ". - Appl. Phys. Lett. - 2005, 86, 0411109-041111), which is not available for conventional diode lasers.
Вместе с тем, полупроводниковые источники ИК-излучения, в которых электроны осуществляют квантово-каскадные переходы, не нашли пока широкого применения из-за сложности процесса производства таких источников и ряда технических особенностей, к которым относятся, например, узкая линия излучения, недостаточно высокая мощность в непрерывном режиме.At the same time, semiconductor sources of infrared radiation in which electrons carry out quantum cascade transitions have not yet been widely used because of the complexity of the production process of such sources and a number of technical features, which include, for example, a narrow emission line and insufficiently high power in continuous mode.
Известен источник ИК-излучения (см. патент US №6876006, МПК H01L 25/075; H01L 33/00, опубликован 05.04.2005), совпадающий с заявляемым техническим решением по наибольшему числу существенных признаков и принятый за прототип. Источник-прототип включает первичный преобразователь энергии с токоподводящими контактами и электрически не связанную с ней активную область с оптической толщиной в направлении вывода излучения, не превышающую значения обратной величины среднего коэффициента поглощения активной области в рабочем диапазоне энергий квантов. Активная область выполнена из пластины, содержащей полупроводниковый материал A3B5 и/или его твердые растворы с прямой структурой энергетических зон, имеющий поглощение в рабочем диапазоне длин волн. Первичный преобразователь выполнен из полупроводника, содержащего р-n переход.A known source of infrared radiation (see US patent No. 6876006, IPC H01L 25/075; H01L 33/00, published 05.04.2005), coinciding with the claimed technical solution for the largest number of essential features and adopted for the prototype. The prototype source includes a primary energy converter with current-carrying contacts and an electrically unrelated active region with an optical thickness in the direction of radiation output that does not exceed the reciprocal of the average absorption coefficient of the active region in the working range of quantum energies. The active region is made of a plate containing A 3 B 5 semiconductor material and / or its solid solutions with a direct structure of energy zones, having absorption in the working wavelength range. The primary converter is made of a semiconductor containing a pn junction.
Недостатком известного источника ИК-излучения является низкая мощность излучения в области энергий hν2<0,12 эВ.A disadvantage of the known source of infrared radiation is the low radiation power in the energy region hν 2 <0.12 eV.
Задачей заявляемого изобретения является разработка такого источника инфракрасного излучения, который бы имел повышенную мощность излучения в области энергий hν2<0,12 эВ.The task of the invention is the development of such a source of infrared radiation, which would have an increased radiation power in the energy region hν 2 <0.12 eV.
Поставленная задача решается тем, что источник инфракрасного излучения включает первичный преобразователь энергии с токоподводящими контактами и активную область с оптической толщиной в направлении вывода излучения, не превышающей двойного значения обратной величины среднего коэффициента поглощения активной области в диапазоне энергий квантов излучения источника. Активная область выполнена по меньшей мере из одной непроводящей жидкости или газа, имеющих полосы поглощения излучения источника, первичный преобразователь энергии выполнен из пьезоэлектрика. Активная область и первичный преобразователь энергии помещены в герметичный корпус, по меньшей мере часть которого прозрачна для излучения источника.The problem is solved in that the source of infrared radiation includes a primary energy converter with current-conducting contacts and an active region with an optical thickness in the direction of radiation output that does not exceed a double value of the reciprocal of the average absorption coefficient of the active region in the energy range of the radiation quanta of the source. The active region is made of at least one non-conductive liquid or gas having absorption bands of the radiation of the source, the primary energy converter is made of a piezoelectric. The active region and the primary energy converter are placed in a sealed enclosure, at least part of which is transparent to the radiation of the source.
Корпус источника может быть выполнен из материала, прозрачного для излучения источника.The source housing may be made of a material transparent to the radiation of the source.
По меньшей мере часть внутренней поверхности корпуса, противолежащая прозрачной для излучения части корпуса, может быть выполнена отражающей излучение источника. Отражающая излучение источника часть внутренней поверхности корпуса при этом может быть выполнена криволинейной с центром кривизны, расположенным со стороны, противоположной прозрачной части корпуса, и иметь площадь, по меньшей мере двукратно превосходящую площадь проекции на нее первичного преобразователя энергии.At least a portion of the inner surface of the casing opposite the transparent part of the casing, which is transparent to radiation, can be made to reflect the radiation of the source. The part of the inner surface of the casing reflecting the radiation of the source can be made curved with the center of curvature located on the side opposite to the transparent part of the casing, and have an area at least twice that of the projection of the primary energy converter onto it.
Токоподводящие контакты первичного преобразователя энергии могут быть выполнены отражающими излучение источника.The current-carrying contacts of the primary energy converter can be made reflecting the radiation of the source.
Поверхность преобразователя, не закрытая токоподводящими контактами, может быть выполнена отражающей излучение источника.The surface of the converter, not covered by current-carrying contacts, can be made reflecting the radiation of the source.
Первичный преобразователь энергии может иметь имеет вытянутую форму, причем его длинная сторона ориентирована в направлении прозрачной части корпуса.The primary energy converter may have an elongated shape, with its long side oriented in the direction of the transparent part of the housing.
В отличие от источника-прототипа, в заявляемом источнике материалом активной области является непроводящая жидкость или газ. Вместо инжекции электрических носителей в заявляемом источнике использован акустооптический эффект, а именно преобразование акустических колебаний, созданных первичным преобразователем энергии (пьезоэлектриком), в тепловую энергию газа или жидкости. При возбуждении газа или жидкости, т.е. при переходе в возбужденное состояние, последнее быстро релаксирует, причем значительная часть процесса релаксации осуществляется за счет испускания фотонов. Вероятность испускания фотонов имеет максимумы вблизи полос поглощения вещества. Так, например, для газа с химической формулой SF6, одна из основных полос поглощения находится в области 10 мкм, соответственно, область излучения также находится вблизи длины волны 10 мкм. Было установлено, что процесс излучательной релаксации в газе имеет большую вероятность, чем процесс рекомбинации электронов и дырок в полупроводнике с энергией ширины запрещенной зоны, соответствующей спектральной области 10 мкм и диапазону с большими, чем 10 мкм длинами волн. Последнее связано с тем, что в полупроводниках с энергией запрещенной зоны менее 0,12 эВ велика вероятность безызлучательных переходов (Оже-рекомбинация). В качестве непроводящей жидкости могут быть использованы этанол, четыреххлористый углерод, и др.. В качестве газа могут быть использованы гексафторид серы (SF6), триэтил фосфонат (ТЕР), дизопропил метилфосфонат (DIMP), диметил метилфосфонат (DMMP) и др., спектры поглощения которых можно найти, например, в работе Пушкарского с соавторами (Appl. Phys. Lett. 88, 044103, 2006).Unlike the source of the prototype, in the claimed source material of the active region is a non-conductive liquid or gas. Instead of injecting electrical carriers in the claimed source, an acousto-optic effect is used, namely, the conversion of acoustic vibrations created by a primary energy transducer (piezoelectric) into the thermal energy of a gas or liquid. When a gas or liquid is excited, i.e. upon transition to an excited state, the latter quickly relaxes, and a significant part of the relaxation process is due to the emission of photons. The probability of photon emission has maxima near the absorption bands of matter. So, for example, for a gas with the chemical formula SF 6 , one of the main absorption bands is in the region of 10 μm, respectively, the radiation region is also near the wavelength of 10 μm. It was found that the process of radiative relaxation in a gas is more likely than the process of recombination of electrons and holes in a semiconductor with an energy of the band gap corresponding to a spectral region of 10 μm and a range with longer than 10 μm wavelengths. The latter is due to the fact that in semiconductors with a band gap of less than 0.12 eV, nonradiative transitions are more likely (Auger recombination). Ethanol, carbon tetrachloride, etc. can be used as a non-conductive liquid. Sulfur hexafluoride (SF6), triethyl phosphonate (TEP), disopropyl methylphosphonate (DIMP), dimethyl methylphosphonate (DMMP), etc., spectra can be used as gas. the absorption of which can be found, for example, in the work of Pushkarsky et al. (Appl. Phys. Lett. 88, 044103, 2006).
Включение в состав источника инфракрасного излучения первичного преобразователя энергии с токоподводящими контактами необходимо для эффективного (электронного) управления источником. Все другие преобразователи, например, тепловые, являются крайне неудобными в эксплуатации и обладают большими постоянными времени, не позволяющими их использовать в современной аппаратуре. Электронные устройства, т.е. питающиеся от источников электрической энергии, на сегодняшнем этапе развития техники являются наиболее востребованными.The inclusion of a primary energy converter with current-conducting contacts in the composition of the infrared radiation source is necessary for effective (electronic) control of the source. All other converters, for example, thermal ones, are extremely inconvenient to operate and have large time constants that do not allow them to be used in modern equipment. Electronic devices i.e. powered by sources of electrical energy, at the present stage of development of technology are the most popular.
Выполнение активной области с оптической толщиной в направлении вывода излучения, не превышающей двойного значения обратной величины среднего коэффициента поглощения активной области в диапазоне энергий квантов излучения источника обеспечивает эффективный вывод излучения без поглощения большей части излучения, выходящего из активной области. При невыполнении этого условия большая часть излучения будет вновь поглощаться в активной области, и интенсивность выходящего излучения будет снижаться, приводя к непригодности источника.The implementation of the active region with an optical thickness in the direction of radiation output, not exceeding a double value of the reciprocal of the average absorption coefficient of the active region in the energy range of the radiation quanta of the source, provides effective radiation output without absorbing most of the radiation emerging from the active region. If this condition is not met, most of the radiation will be absorbed again in the active region, and the intensity of the output radiation will decrease, leading to the unsuitability of the source.
Выполнение активной области по меньшей мере из одной непроводящей жидкости или газа, имеющих полосы поглощения в рабочем диапазоне длин волн, необходимо для создания среды, способной излучать в заданном спектральном диапазоне. Газ или жидкость, не имеющие полос поглощения в рабочем диапазоне длин волн, не могут создать в нем кванты требуемой энергии. Выполнение активной среды из других материалов, например, из полупроводника, неэффективно из-за безызлучательной Оже-рекомбинации.The implementation of the active region of at least one non-conductive liquid or gas having absorption bands in the operating wavelength range is necessary to create a medium capable of emitting in a given spectral range. A gas or liquid that does not have absorption bands in the operating wavelength range cannot create quanta of the required energy in it. The execution of the active medium from other materials, for example, from a semiconductor, is inefficient due to non-radiative Auger recombination.
Выполнение первичного преобразователя энергии из пьезоэлектрика обеспечивает возможность возбуждения активной области с помощью энергии, тип которой приемлем для газа или жидкости. Использование других видов возбуждения, например, с помощью протекания электрического тока затруднено, поскольку большинство газов и жидкостей являются диэлектриками (например, SF6). В качестве пьезоэлектрика могут быть использованы кварц, дегидрофосфат аммония (АДР), сульфат лития, сегнетова соль, сульфонодид сурьмы, пьезокерамика (титанат бария (ТБ-1), титанат бария кальция ТБК-3, группа цирконата - титаната свинца ЦТС-23).The implementation of the primary energy Converter from a piezoelectric provides the possibility of excitation of the active region using energy, the type of which is acceptable for gas or liquid. The use of other types of excitation, for example, by the flow of electric current is difficult, since most gases and liquids are dielectrics (for example, SF 6 ). As a piezoelectric material, quartz, ammonium dehydrogen phosphate (ADR), lithium sulfate, Rochelle salt, antimony sulfonodide, piezoceramics (barium titanate (TB-1), calcium barium titanate TBK-3, zirconate group - lead titanate TsTS-23) can be used.
Необходимость помещения в герметичный корпус активной области первичного преобразователя энергии с возможностью непосредственного контакта преобразователя и активной области обусловлена необходимостью получения максимально возможного коэффициента преобразования/максимального значения превышения температуры газа или жидкости над ее равновесным значением (Токр.), т.е. теплового контраста (ΔТ), который достигается только в замкнутом объеме при адиабатическом сжатии или расширении, когда пьезоэлектрический первичный преобразователь энергии непосредственно контактирует с газом или жидкостью.The need to place the active region of the primary energy converter in the sealed enclosure with the possibility of direct contact between the converter and the active region is due to the need to obtain the maximum possible conversion coefficient / maximum value of the temperature of the gas or liquid above its equilibrium value (T surround ), i.e. thermal contrast (ΔТ), which is achieved only in a closed volume during adiabatic compression or expansion, when the piezoelectric primary energy transducer is in direct contact with a gas or liquid.
Выполнение по меньшей мере части корпуса прозрачной для излучения источника необходимо для вывода излучения за пределы источника. Для получения максимальной мощности требуется использование механически прочных материалов корпуса, например металлов или их сплавов, которые, как правило, непрозрачны в оптическом диапазоне. В качестве окна можно использовать Si, CaF2, NaCl, MgF2 и т.д.The implementation of at least part of the housing transparent to the radiation source is necessary to output radiation outside the source. To obtain maximum power, the use of mechanically strong body materials, such as metals or their alloys, which, as a rule, are opaque in the optical range, is required. As a window, you can use Si, CaF 2 , NaCl, MgF 2 , etc.
Выполнение активной области из смеси газов или жидкостей позволяет решить задачу расширения спектрального диапазона излучения. Решение вышеуказанной задачи обеспечивается тем, что первичный преобразователь энергии воздействует на все газы или жидкости, находящиеся в активной области, и поэтому все вещества могут одновременно излучать кванты, характерные для каждого из веществ в отдельности. В некоторых случаях возможно взаимодействие энергетических уровней газов, перераспределение возбужденного состояния и концентрация возбуждения на определенных уровнях.The implementation of the active region from a mixture of gases or liquids allows us to solve the problem of expanding the spectral range of radiation. The solution to the above problem is ensured by the fact that the primary energy converter acts on all gases or liquids located in the active region, and therefore all substances can simultaneously emit quanta characteristic of each substance separately. In some cases, the interaction of the energy levels of gases, the redistribution of the excited state, and the concentration of excitation at certain levels are possible.
Выполнение корпуса из материала, прозрачного для излучения источника, обеспечивает решение задачи дополнительного повышения мощности излучения. Это вызвано тем, что возникающее в активной области излучение не является направленным, т.е. распространяется во все стороны. Увеличение выходной мощности достигается за счет вывода большей части излучения. Такой источник подобен обычной накальной лампе со стеклянным корпусом. Для получения направленного пучка источник инфракрасного излучения следует поместить в рефлектор, отражающий излучение источникаThe implementation of the housing from a material transparent to the radiation source, provides a solution to the problem of further increasing the radiation power. This is because the radiation arising in the active region is not directed, i.e. spreads in all directions. An increase in output power is achieved by removing most of the radiation. Such a source is similar to a conventional incandescent lamp with a glass casing. To obtain a directed beam, the infrared radiation source should be placed in a reflector reflecting the radiation of the source
Выполнение в источнике инфракрасного излучения по меньшей мере части внутренней поверхности упомянутого корпуса, противолежащей прозрачной для излучения части корпуса, отражающей излучение источника, обеспечивает увеличение мощности излучения в выделенном направлении, т.е. создания направленного источника. В целях уменьшения габаритов оптической схемы в данном случае рефлектор может быть интегрирован с корпусом.The implementation in the infrared radiation source of at least part of the inner surface of the said casing, the opposite transparent to the radiation part of the casing, reflecting the radiation of the source, provides an increase in radiation power in the selected direction, i.e. creating a directional source. In order to reduce the dimensions of the optical circuit in this case, the reflector can be integrated with the housing.
Выполнение в источнике инфракрасного излучения отражающей излучение источника части внутренней поверхности корпуса криволинейной с центром кривизны, расположенным со стороны, противоположной прозрачной части корпуса, и площадью, по меньшей мере двукратно превосходящей площадь проекции на нее первичного преобразователя энергии, обеспечивает увеличение мощности излучения в выделенном направлении, т.е. создание направленного источника. Создание направленного и узкого пучка излучения возможно при превышении размеров отражателя над размерами светящейся области. Однако при размерах отражателя, больших двукратной проекции площади первичного преобразователя энергии на отражающую криволинейную внутреннюю поверхность корпуса неоправданно увеличивается объем корпуса. Это ведет к уменьшению мощности/теплового контраста (ΔТ).The implementation in the infrared radiation source reflecting the source radiation of the part of the inner surface of the housing is curved with a center of curvature located on the side opposite to the transparent part of the housing, and the area at least twice exceeding the projection area of the primary energy converter on it, provides an increase in radiation power in the selected direction, those. creating a directional source. The creation of a directed and narrow beam of radiation is possible if the dimensions of the reflector exceed the dimensions of the luminous region. However, when the dimensions of the reflector are larger than twice the projection of the area of the primary energy converter onto the reflective curved inner surface of the housing, the volume of the housing unjustifiably increases. This leads to a decrease in power / thermal contrast (ΔT).
Выполнение в источнике инфракрасного излучения токоподводящих контактов, отражающими излучение источника, обеспечивает увеличение мощности излучения из-за снижения поглощения излучения контактами.The implementation of the current source in the infrared radiation source reflecting the radiation of the source, provides an increase in radiation power due to a decrease in the absorption of radiation by the contacts.
Выполнение в источнике инфракрасного излучения поверхности первичного преобразователя энергии, отражающей излучение источника, обеспечивает увеличение мощности излучения из-за снижения поглощения излучения контактами.The execution in the source of infrared radiation of the surface of the primary energy Converter, reflecting the radiation of the source, provides an increase in radiation power due to a decrease in the absorption of radiation by the contacts.
Выполнение в источнике инфракрасного излучения первичного преобразователя энергии вытянутой формы с длинной стороной, ориентированной в направлении прозрачной части корпуса, повышает эффективность источника, поскольку создает благоприятные условия для создания максимального значения ΔТ. При ином, чем указано, расположении преобразователя неоправданно увеличивается объем корпуса, что снижает значение ΔТ.Execution of an elongated primary energy converter in a source of infrared radiation with a long side oriented in the direction of the transparent part of the housing increases the efficiency of the source, since it creates favorable conditions for creating a maximum ΔТ value. If the location of the converter is different than indicated, the body volume unreasonably increases, which reduces the ΔТ value.
Заявляемое устройство поясняется чертежом, где:The inventive device is illustrated in the drawing, where:
на фиг.1 схематически изображен первый вариант воплощения заявляемого источника инфракрасного излучения в продольном разрезе;figure 1 schematically shows a first embodiment of the inventive source of infrared radiation in longitudinal section;
на фиг.2 схематически показан второй вариант воплощения заявляемого источника инфракрасного излучения в продольном разрезе;figure 2 schematically shows a second embodiment of the inventive source of infrared radiation in longitudinal section;
на фиг.3 схематически изображен третий вариант воплощения заявляемого источника инфракрасного излучения в продольном разрезе;figure 3 schematically shows a third embodiment of the inventive infrared radiation source in longitudinal section;
на фиг.4 схематически показан четвертый вариант воплощения заявляемого источника инфракрасного излучения в продольном разрезе;figure 4 schematically shows a fourth embodiment of the inventive infrared radiation source in longitudinal section;
на фиг.5 схематически изображен пятый вариант воплощения заявляемого источника инфракрасного излучения в продольном разрезе.figure 5 schematically shows a fifth embodiment of the inventive infrared radiation source in longitudinal section.
Заявляемый источник 1 инфракрасного излучения (см. фиг.1) включает первичный преобразователь 2 энергии с токоподводящими контактами 3 и активную область 4 с оптической толщиной в направлении вывода излучения, не превышающей двойного значения обратной величины среднего коэффициента поглощения активной области 4 в диапазоне энергий квантов излучения источника 1. Активная область 4 выполнена по меньшей мере из одной непроводящей жидкости или газа, имеющих полосы поглощения излучения источника 1, например, из SF6 (полоса поглощения в области 0,12 эВ). Первичный преобразователь 2 энергии выполнен из пьезоэлектрика. Активная область 4 и первичный преобразователь 2 энергии помещены в герметичный металлический корпус 5, одна стенка 6 которого выполнена прозрачной для излучения источника 1, например, из CaF2. Токоподводящие контакты 3 и поверхность первичного преобразователя 2 энергии выполнены отражающими излучение источника. Первичный преобразователь 2 энергии имеет вытянутую форму, например, прямоугольную, причем его длинная сторона ориентирована в направлении прозрачной части (стенки) 6 корпуса 5.The inventive infrared radiation source 1 (see Fig. 1) includes a
Второй вариант воплощения заявляемого источника 1 инфракрасного излучения (см. фиг.2) отличается от первого варианта тем, что корпус 5 выполнен из материала, прозрачного для излучения источника, например, из монокристаллического кремния.The second embodiment of the inventive infrared radiation source 1 (see FIG. 2) differs from the first embodiment in that the
Третий вариант воплощения заявляемого источника 1 инфракрасного излучения (см. фиг.3) отличается от первого варианта тем, что часть 7 внутренней поверхности корпуса 5, части 6 упомянутого корпуса, выполнена отражающей излучение источника. При этом часть 7 внутренней поверхности корпуса 5 выполнена криволинейной с центром кривизны со стороны, противоположной прозрачной части 6 корпуса 5, и имеет площадь, по меньшей мере двукратно превосходящую площадь проекции на нее первичного преобразователя 2 энергии.The third embodiment of the inventive infrared radiation source 1 (see FIG. 3) differs from the first embodiment in that
Четвертый вариант воплощения заявляемого источника 1 инфракрасного излучения (см. фиг.4) отличается от второго варианта тем, что источник 1 инфракрасного излучения снабжен внешним рефлектором 8 для эффективной коллимации излучения.The fourth embodiment of the inventive infrared radiation source 1 (see FIG. 4) differs from the second embodiment in that the
Пятый вариант воплощения заявляемого источника 1 инфракрасного излучения (см. фиг.5) отличается от второго варианта тем, что в источнике 1 инфракрасного излучения первичный преобразователь 2 энергии с токоподводящими контактами 3 прикреплен к корпусу 5.The fifth embodiment of the inventive infrared radiation source 1 (see FIG. 5) differs from the second embodiment in that in the
В заявляемом источнике 1 инфракрасного излучения токоподводящие контакты 3 соединены с токоподводящими проводниками 9.In the
Заявляемый источник инфракрасного излучения работает следующим образом. Внешний источник энергии, например, источник тока (напряжения), подключают к токопроводящим контактам 3 через токоподводящие проводники 9 и подают переменное (периодическое) электрическое смещение (потенциал) на первичный преобразователь 2 энергии, инициирующее изменение объема пьезоэлектрика преобразователя 2. Изменение объема пьезоэлектрика преобразователя 2 приводит к периодическому изменению давления и, следовательно, температуры активной области 4 в корпусе 5 вследствие ее адиабатического сжатия/расширения. Релаксация возбужденной таким образом активной области 4 приводит к появлению потока фотонов, которые покидают источник 1 через прозрачный корпус 5 (а в случае металлического корпуса 5 - через его прозрачную часть 6).The inventive source of infrared radiation operates as follows. An external energy source, for example, a current (voltage) source, is connected to
В качестве первичного преобразователя был взят элемент пьезокерамический ЭПД-15. Его параметры: диаметр 15 мм; толщина 1 мм; электрическая емкость 3000±1000 пФ; tg δ=5·10-2; пьезоэлектрический модуль (d31·10-12, Кл/Н), не менее 100. К первичному преобразователю припаивались выводы припоем ПСрОС 3-58 ГОСТ 19746, флюс спирто-канифольный, состоящий из 25% по массе канифоли ГОСТ 19113 и 75% по массе этилового спирта ГОСТ 18300. Температура жала паяльника была не более 240°С. при времени пайки не более 3 с. С целью защиты от механических нагрузок, связанных с вибрацией в процессе работы, места пайки были покрыты клеящей массой на основе эпоксидной смолы. Первичный преобразователь был помещен в центр цилиндрического металлического корпуса с внутренним диаметром 19 мм, высотой 5 мм и толщиной стенок 2 мм, торцы которого были герметично закрыты дисками из ZnSe толщиной 1 мм, а электрические выводы через изолирующий компаунд выведены наружу. Перед герметизацией корпус заполнялся газом SF6, при этом первичный преобразователь удерживался в середине металлического цилиндра с помощью выводов. Для приема инфракрасного излучения был использован пневматический приемник Голлея типа «Eppley», расположенный в непосредственной близости от одного из окон ZnSe. В целях сравнения с аналогом часть окна из ZnSe закрывалась непрозрачным для излучения материалом, при этом размер «незачерненной» части составлял 1×1 мм2. В процессе эксплуатации на первичный преобразователь подавалось электрическое напряжение величиной до 100 В, совпадающее с полярностью, указанной на первичном преобразователе (положительная полярность). Использовался генератор прямоугольных импульсов частотой 80 Гц и осциллограф с функцией инверсии показаний. Для сравнения был взят известный источник с оптическим с возбуждением с размером излучающей области 1×1 мм2, излучающий вблизи 10 мкм, переданный для проведения измерений ООО «Иоффе ЛЕД». Эксперименты показали, что сигнал пневматического приемника Голлея, при регистрации излучения от заявляемого источника, был на 50-90% выше, чем в известном источнике (светодиоде), подключенном к генератору прямоугольных импульсов тока частотой 80 Гц при максимально допустимых значениях тока светодиода.The element piezoelectric EPD-15 was taken as the primary transducer. Its parameters: diameter 15 mm; 1 mm thick; electrical capacitance 3000 ± 1000 pF; tg δ = 5 · 10 -2 ; piezoelectric module (d31 · 10 -12 , C / N), not less than 100. The leads were soldered to the primary converter with solder ПСрОС 3-58 GOST 19746, alcohol-rosin flux consisting of 25% by weight of rosin GOST 19113 and 75% by weight ethyl alcohol GOST 18300. The temperature of the tip of the soldering iron was not more than 240 ° C. at a soldering time of not more than 3 s. In order to protect against mechanical stresses associated with vibration during operation, the soldering sites were covered with an adhesive mass based on epoxy resin. The primary transducer was placed in the center of a cylindrical metal case with an internal diameter of 19 mm, a height of 5 mm, and a wall thickness of 2 mm, the ends of which were hermetically sealed with 1 mm thick ZnSe disks, and the electrical leads were brought out through an insulating compound. Before sealing, the casing was filled with SF 6 gas, while the primary transducer was held in the middle of the metal cylinder by the leads. To receive infrared radiation, a pneumatic Holley receiver of the Eppley type was used, located in the immediate vicinity of one of the ZnSe windows. In order to compare with the analog, part of the ZnSe window was covered with a material opaque to radiation, while the size of the “non-blacked” part was 1 × 1 mm 2 . During operation, an electrical voltage of up to 100 V was applied to the primary converter, which coincided with the polarity indicated on the primary converter (positive polarity). We used a rectangular pulse generator with a frequency of 80 Hz and an oscilloscope with a function of reading inversion. For comparison, we took a well-known optical source with excitation with a size of the emitting region of 1 × 1 mm 2 , emitting near 10 μm, transmitted for measurements by Ioffe LED LLC. The experiments showed that the signal of the pneumatic Golley receiver, when registering radiation from the inventive source, was 50-90% higher than in the known source (LED) connected to a rectangular current pulse generator with a frequency of 80 Hz at the maximum allowable LED current values.
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009119448/28A RU2516197C2 (en) | 2009-05-19 | 2009-05-19 | Infrared radiation source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009119448/28A RU2516197C2 (en) | 2009-05-19 | 2009-05-19 | Infrared radiation source |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2009119448A RU2009119448A (en) | 2010-11-27 |
| RU2516197C2 true RU2516197C2 (en) | 2014-05-20 |
Family
ID=44057312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009119448/28A RU2516197C2 (en) | 2009-05-19 | 2009-05-19 | Infrared radiation source |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2516197C2 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1428141A1 (en) * | 1986-09-09 | 1995-05-10 | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе | Light-emitting diode |
| RU2154324C1 (en) * | 1999-04-27 | 2000-08-10 | Матвеев Борис Анатольевич | Semiconductor infrared radiation source (design versions) |
| US6876006B1 (en) * | 1999-04-27 | 2005-04-05 | Schlumberger Technology Corporation | Radiation source |
| RU2286618C2 (en) * | 2002-07-16 | 2006-10-27 | Борис Анатольевич Матвеев | Semiconductor diode for ir spectral range |
-
2009
- 2009-05-19 RU RU2009119448/28A patent/RU2516197C2/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1428141A1 (en) * | 1986-09-09 | 1995-05-10 | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе | Light-emitting diode |
| RU2154324C1 (en) * | 1999-04-27 | 2000-08-10 | Матвеев Борис Анатольевич | Semiconductor infrared radiation source (design versions) |
| US6876006B1 (en) * | 1999-04-27 | 2005-04-05 | Schlumberger Technology Corporation | Radiation source |
| RU2286618C2 (en) * | 2002-07-16 | 2006-10-27 | Борис Анатольевич Матвеев | Semiconductor diode for ir spectral range |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2009119448A (en) | 2010-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Scully et al. | Enhancing Acceleration Radiation from Ground-State Atoms<? format?> via Cavity Quantum Electrodynamics | |
| US7822090B2 (en) | Semiconductor device | |
| US3353115A (en) | Ruby laser systems | |
| JP6155012B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT SOURCE AND PHOTOCOUPLER USING GRAPHENE, MULTILAYER GRAPHENE OR GRAPHITE | |
| Kissel et al. | High-power diode laser pumps for alkali lasers (DPALs) | |
| RU2516197C2 (en) | Infrared radiation source | |
| WO2004102684A3 (en) | Tunable radiation emitting semiconductor device | |
| US8872503B2 (en) | Electromagnetic wave resonator and its fabrication process as well as electromagnetic wave generator | |
| JP3243510B2 (en) | Field effect terahertz electromagnetic wave generator | |
| Odnoblyudov et al. | Mechanism of population inversion in uniaxially strained p-Ge continuous-wave lasers | |
| US20110024650A1 (en) | Terahertz emitter with high power and temperature operation | |
| Gu et al. | Fiber-Induced Optical Reflective Cavity in a High-Voltage SiC Photoconductive Switch to Improve Photoelectric Responsivity | |
| Shuaibov et al. | Study of the formation conditions of aluminum oxide nanoparticles in an overstressed nanosecond discharge between aluminum electrodes in a mixture of nitrogen and oxygen | |
| US3448403A (en) | Laser structure with laser element inserted concentrically within cylindrical light pump tube | |
| US4035691A (en) | Pulsed laser excitation source | |
| Danilov et al. | Optically (solar) pumped oxygen-iodine lasers | |
| Zhang et al. | A new package structure for high power single emitter semiconductor lasers | |
| CN115244716B (en) | Three-dimensional photoconductive transducer for terahertz signals or picosecond electric pulses | |
| CN118889161B (en) | Terahertz radiation source driven by electron beam in magnetized coaxial gun plasma | |
| Lyakh et al. | Design of External Cavity Quantum Cascade Lasers for Combustion and Explosion Diagnostics | |
| Lou | The effect of specific input energy on the performance of an X-ray preionised XeCl discharge laser | |
| JP4775253B2 (en) | Electromagnetic wave modulator | |
| US3638138A (en) | Cadmium phosphide laser | |
| CN108832473B (en) | A microcavity quantum dot laser driven by capillary force and its preparation method | |
| Zverev et al. | Catastrophic degradation of pulsed lasers based on AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with electron-beam pumping |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130916 |