RU2488919C1 - Method of making light-emitting element - Google Patents
Method of making light-emitting element Download PDFInfo
- Publication number
- RU2488919C1 RU2488919C1 RU2012104415/28A RU2012104415A RU2488919C1 RU 2488919 C1 RU2488919 C1 RU 2488919C1 RU 2012104415/28 A RU2012104415/28 A RU 2012104415/28A RU 2012104415 A RU2012104415 A RU 2012104415A RU 2488919 C1 RU2488919 C1 RU 2488919C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- substrate
- emitting element
- layer
- nanocrystallites
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра.The invention relates to methods for manufacturing a light emitting element with a wavelength from the near infrared region of the spectrum.
Известен способ создания светоизлучающих приборов на основе кремния, включающий формирование в непосредственной близости от p-n перехода излучающей зоны, легированной примесями редкоземельных элементов, на основе того же полупроводникового материала, что и активные слои n- и p-типа проводимости (см. US №6828598, H01S 3/16, H01S 5/30, H01S 5/32, 2004). В зависимости от уровня легирования активных слоев в приборах реализуется механизм туннельного, лавинного либо смешанного пробоев. Основным ограничивающим фактором практического применения приборов создаваемых известным способом, несмотря на их простоту и интегрируемость в схемы микроэлектроники является их низкая излучающая способность и, следовательно, низкая выходная мощность прибора.A known method of creating light-emitting devices based on silicon, including the formation in the immediate vicinity of the pn junction of the emitting zone doped with impurities of rare-earth elements, based on the same semiconductor material as the active layers of n- and p-type conductivity (see US No. 6828598,
Известен также способ создания светоизлучающего элемента, включающий формирование наноостровков дисилицида железа β-FeSi2 путем осаждения в условиях сверхвысокого вакуума атомов железа на кремниевую подложку первого типа проводимости, нагретую до температуры около 470°C и последующее осаждение эпитаксиального слоя кремния второго типа проводимости при нагреве подложки до 600-800°C, (см. US №6368889, H01L 33/26; H01L 21/00; H01L 33/00, 2002).There is also known a method of creating a light-emitting element, including the formation of nanoislands of iron disilicide β-FeSi 2 by deposition of iron atoms under ultrahigh vacuum conditions on a silicon substrate of the first type of conductivity, heated to a temperature of about 470 ° C and subsequent deposition of an epitaxial layer of silicon of the second type of conductivity when the substrate is heated up to 600-800 ° C, (see US No. 6368889, H01L 33/26; H01L 21/00; H01L 33/00, 2002).
Недостаток этого технического решения - значительный (около 100 нм) размер кристаллов дисилицида железа, что не позволяет обеспечить высокую эффективность светоизлучающего элемента в силу недостаточно хорошего встраивания кристаллов в кремниевую матрицу и релаксированной внутренней структуры.The disadvantage of this technical solution is the significant (about 100 nm) size of the crystals of iron disilicide, which does not allow to ensure high efficiency of the light-emitting element due to the insufficiently good incorporation of crystals into the silicon matrix and relaxed internal structure.
Задача, на решение которой направлено заявленное изобретение, выражается в повышении эффективности светоизлучающего элемента.The problem to which the claimed invention is directed, is expressed in increasing the efficiency of the light-emitting element.
Технический результат - повышение эффективности светоотдачи светоизлучающего элемента за счет возможности уменьшения размеров кристаллитов полупроводникового дисилицида железа (до 20-40 нм) и обеспечения их высокой плотности (количества кристаллитов в единице объема кремниевой матрицы) и в силу этого упругого встраивания в кремниевую матрицу и значительной напряженности внутренней структуры кристаллитов.EFFECT: increased efficiency of light output of a light-emitting element due to the possibility of reducing the crystallite size of semiconductor iron disilicide (up to 20-40 nm) and ensuring their high density (number of crystallites per unit volume of the silicon matrix) and, due to this, elastic incorporation into the silicon matrix and significant tension internal structure of crystallites.
Решение поставленной задачи обеспечивается тем, что способ создания светоизлучающего элемента, включающий формирование наноостровков дисилицида железа β-FeSi2 путем осаждения в условиях сверхвысокого вакуума атомов железа на кремниевую подложку первого типа проводимости, нагретую до температуры около 470°C и последующее осаждение эпитаксиального слоя кремния второго типа проводимости при нагреве подложки, отличается тем, что на кремниевую подложку первого типа проводимости осаждают слой нелегированного кремния толщиной 100-200 нм, при скорости осаждения 5×10-2-3.3×10-1 нм/с и нагреве подложки до 700-750°C, на который при нагреве подложки около 470°C осаждают железо в количестве, достаточном для формирования на нем слоя толщиной 0,2-0,8 нм, со скоростью осаждения 1,7×10-3-1,7×10-2 нм/с, при этом агрегацию наноостровков β-FeSi2 в нанокристаллиты β-FeSi2 с размерами 20-40 нм, упруго встроенных в кремниевую матрицу, осуществляют осаждением нелегированного кремния толщиной 100-200 нм при скорости осаждения 5×10-2-3,3×10-1 нм/с при нагреве подложки до 600-800°C, после чего осаждают слой кремния второго типа проводимости толщиной 100-200 нм при скорости осаждения 5×10-2-3,3×10-1 нм/с и нагреве подложки до 700-750°C. Кроме того, в качестве подложки используют кремний с ориентацией поверхности (100) или (111).The solution of this problem is provided by the fact that the method of creating a light-emitting element, including the formation of nanoislands of iron disilicide β-FeSi 2 by deposition of iron atoms under ultrahigh vacuum conditions on a silicon substrate of the first type of conductivity, heated to a temperature of about 470 ° C and subsequent deposition of an epitaxial silicon layer of the second type of conductivity when the substrate is heated, characterized in that a layer of undoped silicon with a thickness of 100-200 nm is deposited on a silicon substrate of the first type of conductivity, at The deposition rate is 5 × 10 −2 −3.3 × 10 −1 nm / s and the substrate is heated to 700–750 ° C, on which, when the substrate is heated to about 470 ° C, iron is deposited in an amount sufficient to form a layer with a thickness of 0.2 -0.8 nm at a deposition rate of 1,7 × 10 -3 -1,7 × 10 -2 nm / sec, the aggregation nanoislands β-FeSi 2 nanocrystallites β-FeSi 2 with dimensions of 20-40 nm elastically embedded in the silicon matrix, carry out the deposition of undoped silicon with a thickness of 100-200 nm at a deposition rate of 5 × 10 -2 -3.3 × 10 -1 nm / s when the substrate is heated to 600-800 ° C, after which a layer of silicon of the second type is deposited spend bridges with a thickness of 100-200 nm at a deposition rate of 5 × 10 -2 -3.3 × 10 -1 nm / s and heating the substrate to 700-750 ° C. In addition, silicon with a surface orientation of (100) or (111) is used as a substrate.
Сопоставительный анализ признаков заявляемого и известных технических решений свидетельствует о его соответствии критерию «новизна».A comparative analysis of the features of the claimed and well-known technical solutions indicates its compliance with the criterion of "novelty."
Признаки отличительной части формулы изобретения решают следующие функциональные задачи:The features of the characterizing part of the claims solve the following functional tasks:
Признаки «на кремниевую подложку первого типа проводимости осаждают слой нелегированного кремния толщиной 100-200 нм» отделяют нанокристаллиты β-FeSi2 от подложки, что обеспечивает их расположение вне границы p-n перехода и эффективную инжекцию носителей заряда.The signs “a layer of undoped silicon with a thickness of 100-200 nm are deposited on a silicon substrate of the first type of conductivity” separate β-FeSi 2 nanocrystallites from the substrate, which ensures their location outside the pn junction boundary and efficient injection of charge carriers.
Признаки, указывающие, что осаждение слоя нелегированного кремния ведут «при скорости осаждения 5×10-2-3.3×10-1 нм/с и нагреве подложки до 700-750°C», обеспечивают эпитаксиальное формирование буферного слоя нелегированного кремния на подложке.Signs indicating that the deposition of the unalloyed silicon layer is carried out “at a deposition rate of 5 × 10 -2 -3.3 × 10 -1 nm / s and the substrate is heated to 700-750 ° C”, provide epitaxial formation of a buffer layer of undoped silicon on the substrate.
Признаки, указывающие, что на слой нелегированного кремния «при нагреве около 470°C, осаждают железо в количестве, достаточном для формирования на нем слоя толщиной 0,2-0,8 нм», обеспечивают формирование на буферном слое нелегированного кремния наноостровков β-FeSi2, при этом заданные режимные параметры процесса осаждения железа обеспечивают возможность минимизировать размеры наноостровков β-FeSi2.Signs indicating that iron is deposited on an unalloyed silicon layer “when heated at about 470 ° C in an amount sufficient to form a 0.2-0.8 nm thick layer on it” ensures the formation of β-FeSi nanoislands on a buffer layer of unalloyed silicon 2 , while the specified operating parameters of the iron deposition process provide the opportunity to minimize the size of β-FeSi 2 nanoislands.
Признаки, указывающие, что наноостровки β-FeSi2 формируют при скорости осаждения «1,7×10-3-1,7×10-2 нм/с», обеспечивают формирование необходимого количества наноостровков β-FeSi2 на поверхности, что позволяют впоследствии агрегатировать их до нанокристаллитов с высокой концентрацией в объеме кремния.Signs indicating that β-FeSi 2 nanoislands are formed at a deposition rate of “1.7 × 10 -3 -1.7 × 10 -2 nm / s” provide the formation of the required number of β-FeSi 2 nanoislands on the surface, which subsequently allows aggregate them to nanocrystallites with a high concentration in the bulk of silicon.
Признаки, указывающие, что «агрегацию наноостровков β-FeSi2 в нанокристаллиты β-FeSi2 с размерами 20-40 нм, упруго встроенные в кремниевую матрицу, осуществляют осаждением нелегированного кремния толщиной 100-200 нм» обеспечивают возможность формирования кремниевой матрицы толщиной существенно большей размеров нанокристаллитов β-FeSi2, заключенных в ней. Кроме того, обеспечивается отделение нанокристаллитов β-FeSi2 от верхнего слоя кремния второго типа, что обеспечивает их расположение вне границы p-n перехода и эффективную инжекцию носителей заряда. Кроме того, обеспечивается трансформация наноостровков в нанокристаллиты заданной крупности и обладающие напряженной внутренней структурой.Signs which indicate that "nanoislands aggregation of β-FeSi 2 nanocrystallites β-FeSi 2 with dimensions of 20-40 nm, elastically embedded in a silicon matrix, is performed by depositing undoped silicon 100-200 nm thick" provide the possibility of forming a silicon matrix thickness substantially larger sizes β-FeSi 2 nanocrystallites enclosed in it. In addition, β-FeSi 2 nanocrystallites are separated from the upper silicon layer of the second type, which ensures their location outside the pn junction boundary and efficient injection of charge carriers. In addition, the transformation of nanoislands into nanocrystallites of a given size and possessing a strained internal structure is ensured.
Признаки, указывающие, что осаждение покрывающего слоя нелегированного кремния ведут «при скорости осаждения 5×10-2-3,3×10-1 нм/с при нагреве подложки до 600-800°C», задают режимные параметры процесса осаждения нелегированного кремния, обеспечивающего «запуск» и «протекание» процесса агрегации наноостровков в нанокристаллиты β-FeSi2.Signs indicating that the deposition of the coating layer of undoped silicon is carried out "at a deposition rate of 5 × 10 -2 -3.3 × 10 -1 nm / s when the substrate is heated to 600-800 ° C", set the operating parameters of the process of deposition of undoped silicon, providing “start” and “flow” of the process of aggregation of nanoislands into β-FeSi 2 nanocrystallites.
Признаки, указывающие, что процесс формирования структуры светоизлучающего элемента завершают осаждением слоя «кремния второго типа проводимости толщиной 100-200 нм, при скорости осаждения 5×10-2-3,3×10-1 нм/с и нагреве подложки до 700-750°C», обеспечивают формирование p-n перехода в структуре светоизлучающего элемента.Signs indicating that the process of forming the structure of the light-emitting element is completed by the deposition of a layer of "silicon of the second type of conductivity with a thickness of 100-200 nm, with a deposition rate of 5 × 10 -2 -3.3 × 10 -1 nm / s and heating the substrate to 700-750 ° C ”, provide the formation of pn junction in the structure of the light-emitting element.
Признаки, указывающие, что «в качестве подложки используют кремний с ориентацией поверхности (100) или (111)», обеспечивают возможность варьирования кристаллографической ориентации подложки и варьирования свойств формируемого полупроводникового материала на подложке кремния.Signs indicating that "silicon with a surface orientation of (100) or (111) is used as the substrate", provide the possibility of varying the crystallographic orientation of the substrate and varying the properties of the formed semiconductor material on the silicon substrate.
На чертежах показаны стадии формирования светоизлучающего элемента, при этом на фиг.1, схематически показан этап формирования слоя нелегированного кремния на подложке кремния первого типа проводимости для пространственного отделения сформирующихся впоследствии нанокристаллитов β-FeSi2 и подложки; на фиг.2 схематически показан этап формирования массива наноостровков β-FeSi2; на фиг.3 схематически показан этап агрегации наноостровков β-FeSi2 в нанокристаллиты β-FeSi2 при осаждении на подложку нелегированного кремния; на фиг.4 показано завершение этапа осаждения нелегированного кремния; на фиг.5 показан этап осаждения кремния второго типа проводимости; на фиг.6 схематически показан общий вид светоизлучающего элемента, на фиг.7 схематически показана установка, обеспечивающая реализацию способа; на фиг.8 показано изображение поверхности кремния, на которой сформированы наноостровки дисилицида железа, полученное методом сканирующей атомно-силовой микроскопии; на фиг.9 приведен спектр фотолюминесценции для полученного образца светоизлучающего элемента.The drawings show the stages of formation of the light-emitting element, while Fig. 1 schematically shows the step of forming an undoped silicon layer on a silicon substrate of the first type of conductivity for spatial separation of subsequently formed β-FeSi 2 nanocrystallites and the substrate; figure 2 schematically shows the stage of formation of an array of nanoislands β-FeSi 2 ; 3 schematically shows a step nanoislands aggregation of β-FeSi 2 nanocrystallites β-FeSi 2 deposited on the undoped silicon substrate; figure 4 shows the completion of the deposition step of undoped silicon; figure 5 shows the step of deposition of silicon of the second type of conductivity; Fig.6 schematically shows a General view of the light-emitting element, Fig.7 schematically shows an installation that provides the implementation of the method; Fig. 8 shows an image of a silicon surface on which nanoislands of iron disilicide are formed, obtained by scanning atomic force microscopy; figure 9 shows the photoluminescence spectrum for the obtained sample of the light emitting element.
На чертежах схематически показаны составные части светоизлучающего элемента, формируемого при реализации способа: подложка 1 кремния первого типа проводимости, например n-типа, слой нелегированного кремния 2 для отделения наноостровков 3 дисилицида железа (β-FeSi2) от подложки, нанокристаллиты 4 дисилицида железа (β-FeSi2), образующие активный слой, заращенные слоем нелегированного кремния 5, слой кремния 6 второго типа проводимости (в данном случае p-типа), положительный 7 и отрицательный 8 электроды. Кроме того, показаны узлы и оборудование установки обеспечивающей реализацию способа.The drawings schematically show the components of a light-emitting element formed during the implementation of the method: a
Для реализации способа используют известный комплект лабораторного оборудования (см. фиг.8), включающий в себя, кроме сверхвысоковакуумной камеры 9 (базовое давление в камере - 5×10-10 Торр и менее), электронный спектрометр 10 (например, фирмы Percin Elmer) манипулятор 11 образца (т.е. подложки) с электрическими вводами, имеющий четыре степени свободы, соединенный с образцом-подложкой 1, обеспечивающий возможность ее удержания в заданном положении и подвод к ней электрического тока для отжига.To implement the method, a well-known set of laboratory equipment is used (see Fig. 8), which includes, in addition to the ultra-high vacuum chamber 9 (the base pressure in the chamber is 5 × 10 -10 Torr or less), an electronic spectrometer 10 (for example, Percin Elmer) a sample manipulator 11 (i.e., a substrate) with electrical inputs, having four degrees of freedom, connected to the
Кроме того, комплект включает в себя блок испарителей 12 на три источника: источник 13 атомов железа, 14 нелегированного кремния и кремния первого или второго типа проводимости (не показан), а также сверхвысоковакуумный насос (не показан), обеспечивающий необходимый вакуум в камере 9. Обычно манипулятор 11 сгруппирован на одном фланце с тепло- и электрически-изолированными вводами (на чертежах не показаны), через которые к ней подводится электрический ток для ее нагрева. Источник атомов железа 13 должен обеспечить достаточную для формирования наноостровков скорость осаждения (≥1,7×10-3 нм/с). Источник атомов кремния (нелегированного, первого и второго типов) должен обеспечить достаточную для формирования эпитаксиального слоя скорость осаждения (≥5×10-2 нм/с). Давление паров материала адсорбата в потоке, исходящем из блока испарителей, должно быть не менее, чем на 2-3 порядка выше остаточного давления в камере 9. Экспозицию испаряемой порции адсорбата задают путем пропускания тока соответствующей величины через электрические вводы 15 в течении нужного времени.In addition, the kit includes a block of
Заявленный способ реализуется следующим образом. Перед загрузкой в камеру выбирают подложку 1 со срезом вдоль кристаллической плоскости (100) или (111). Затем подложку очищают известным образом, например, с помощью органических растворителей (например, кипячением в толуоле). После размещения образца-подложки 1 на манипуляторе 11 сверхвысоковакуумной камеры 9 и установки в ней подготовленных источников в блок испарителей 12, камеру 9 известным образом герметично закрывают. Далее камеру вакуумируют с помощью насоса, понижая величину давления в ней до заданного значения (обычно ≤5×10-7 Торр). Далее камеру 9 и всю ее внутреннюю оснастку обезгаживают наружным нагревом камеры до температуры 120-150°C. При этом в процессе и после нагрева камеру 9 непрерывно вакуумируют. Обезгаживание обычно проводят в течение суток, после чего камеру 9 охлаждают. Температуру обезгаживания определяют опытным путем из расчета обеспечения после охлаждения камеры заданного рабочего вакуума (≤5×10-10 Торр).The claimed method is implemented as follows. Before loading into the chamber, a
После загрузки образца-подложки 1 и получения заданного вакуума подложку, перед напылением, очищают термическим отжигом в течение времени, достаточного для испарения окисной пленки с ее поверхности, например, для подложки из кремния - в течении 2-3 мин при температуре 1250°C.After loading the
Затем на подложке формируют эпитаксиальный слой кремния путем осаждения нелегированного кремния при нагреве подложки до 700-750°C, (путем пропускания через нее постоянного стабилизированного тока через термо и электрически изолированные от камеры вводы) толщиной от 100 до 200 нм со скоростью осаждения 5×10-2-3.3×10-1 нм/с, что обеспечивает формирование на поверхности буферного слоя нелегированного кремния 2. Затем температуру подложки устанавливают на уровне около 470°C которая обеспечивает формирование на ее поверхности наноостровков дисилицида железа в процессе осаждения железа (см. фиг..2), при этом поддерживают скорость осаждения железа на уровне 1,7×10-3-1,7×10-2 нм/с. В случае использования сублимационного источника атомов железа заданная скорость обеспечивается его прогревом путем пропускания через него постоянного стабилизированного тока. Величина тока подбирается экспериментально так, чтобы скорость сублимации атомов железа из него находилась в указанных пределах. Осаждение железа на разогретую подложку выполняют до появления на подложке такого количества железа, которое эквивалентно объему сформированной на подложке сплошной пленки железа толщиной от 0,2 до 0,8 нм. При этом, в заданных режимных условиях, на поверхности подложки 1 со сформированным буферным слоем 2 в процессе взаимодействия атомов кремния с атомами железа образуются наноостровки 3 дисилицида железа β-FeSi2 (см. фиг.2). Далее осуществляют агрегацию наноостровков 3 дисилицида железа β-FeSi2 в нанокристаллиты 4 дисилицида железа β-FeSi2 с размерами 20-40 нм, упруго встроенные в кремниевую матрицу, для чего ведут осаждение эпитаксиального слоя нелегированного кремния 5 при нагреве подложки до 600-800°C, толщиной от 100 до 200 нм при скорости осаждения 5×10-2-3.3×10-1 нм/с (см. фиг.3, 4). После этого формируют слой кремния второго типа проводимости, для чего осаждают кремний второго типа проводимости толщиной 100-200 нм при скорости осаждения 5×10-2-3,3×10-1 нм/с и при нагреве подложки до 700-750°C.Then, an epitaxial silicon layer is formed on the substrate by deposition of undoped silicon when the substrate is heated to 700-750 ° C (by passing a constant stabilized current through it through thermally and electrically insulated bushings) with a thickness of 100 to 200 nm with a deposition rate of 5 × 10 -2 -3.3 × 10 -1 nm / s, which ensures the formation on the surface of the buffer layer of
Поскольку в качестве подложки выбран кремний первого типа проводимости (в данном случае, например, n-типа), эпитаксиальный слой кремния второго типа проводимости должен быть представлен кремнием p-типа, для обеспечения возможности формирования области p-n-перехода (при использовании подложки из кремния p-типа, эпитаксиальный слой кремния должен быть n-типа, т.е. фразы «первого типа» и «второго типа» говорят только о необходимости использования кремния различных типов проводимости).Since silicon of the first type of conductivity (in this case, for example, n-type) was chosen as the substrate, the epitaxial layer of silicon of the second type of conductivity must be represented by p-type silicon to enable the formation of a pn junction region (when using a silicon substrate p -type, the epitaxial layer of silicon must be n-type, that is, the phrases “first type” and “second type” only indicate the need for using silicon of various types of conductivity).
По завершению этого процесса на внешних поверхностях кремния (соответственно, свободная поверхность эпитаксиального слоя кремния второго типа проводимости и свободная поверхность подложки) известным образом формируют положительный 7 и отрицательный 8 электроды, завершая процесс формирования светоизлучающего элемента (см. фиг.6).Upon completion of this process, on the external surfaces of silicon (respectively, the free surface of the epitaxial layer of silicon of the second type of conductivity and the free surface of the substrate) in a known manner form the positive 7 and negative 8 electrodes, completing the process of forming the light-emitting element (see Fig.6).
Заявленный способ обеспечивает формирование на поверхности кремния наноостровков дисилицида железа, изображение которых, полученное методом сканирующей атомно-силовой микроскопии приведено на фиг.8. Этот образец был получен осаждением 0,8 нм железа со скоростью 7×10-2 нм/с. Видно, что поверхность оказалась равномерно заполненной небольшими островками округлой формы со средними латеральными размерами 76 нм и высотами 3 нм, часть из которых проявляет тенденцию к прямоугольной огранке. Островки расположены очень плотно (концентрация - 1,1×1010 см-2) и зачастую соприкасаются друг с другом, образуя небольшие цепочки длиной до 5 островков.The claimed method provides for the formation on the silicon surface of nanoislands of iron disilicide, the image of which obtained by scanning atomic force microscopy is shown in Fig. 8. This sample was obtained by the deposition of 0.8 nm of iron at a speed of 7 × 10 -2 nm / s. It can be seen that the surface turned out to be uniformly filled with small round-shaped islands with average lateral sizes of 76 nm and heights of 3 nm, some of which tend to be rectangular cut. The islands are located very densely (concentration - 1.1 × 10 10 cm -2 ) and often come in contact with each other, forming small chains up to 5 islands long.
Заявленный способ обеспечивает формирование в составе светоизлучающего элемента активного слоя. Результаты изучения характеристик материала этого слоя приведены на фиг.9, где показан его спектр фотолюминесценции (ФЛ), полученный при Т=5 K и возбуждении лазером 632,8 нм (He-Ne). Широкий пик в области 0,80-0,85 эВ свидетельствует о протекании процесса излучательной рекомбинации в нанокристаллитах дисилицида железа.The claimed method provides for the formation of a light-emitting element of the active layer. The results of studying the material characteristics of this layer are shown in Fig. 9, which shows its photoluminescence (PL) spectrum obtained at T = 5 K and laser excitation of 632.8 nm (He-Ne). A wide peak in the region of 0.80-0.85 eV indicates the occurrence of the radiative recombination process in iron disilicide nanocrystallites.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012104415/28A RU2488919C1 (en) | 2012-02-08 | 2012-02-08 | Method of making light-emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012104415/28A RU2488919C1 (en) | 2012-02-08 | 2012-02-08 | Method of making light-emitting element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2488919C1 true RU2488919C1 (en) | 2013-07-27 |
Family
ID=49155763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012104415/28A RU2488919C1 (en) | 2012-02-08 | 2012-02-08 | Method of making light-emitting element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2488919C1 (en) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998018167A1 (en) * | 1996-10-24 | 1998-04-30 | University Of Surrey | Optoelectronic semiconductor devices |
| EP1045459A1 (en) * | 1998-10-22 | 2000-10-18 | Japan Science and Technology Corporation | Variable-wavelength light-emitting device and method of manufacture |
| JP2006019426A (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Hamamatsu Photonics Kk | Light emitting element and its manufacturing method |
| JP2006019648A (en) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Takashi Suemasu | Iron-silicide light emitting element and its manufacturing method |
| JP4129528B2 (en) * | 2003-01-29 | 2008-08-06 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | Thin film containing β-FeSi2 crystal particles and light emitting material using the same |
| CN101339906A (en) * | 2008-08-12 | 2009-01-07 | 贵州大学 | Preparation process of novel environmental semi-conductor photoelectronic material beta-FeSi2 film |
-
2012
- 2012-02-08 RU RU2012104415/28A patent/RU2488919C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998018167A1 (en) * | 1996-10-24 | 1998-04-30 | University Of Surrey | Optoelectronic semiconductor devices |
| EP1045459A1 (en) * | 1998-10-22 | 2000-10-18 | Japan Science and Technology Corporation | Variable-wavelength light-emitting device and method of manufacture |
| JP4129528B2 (en) * | 2003-01-29 | 2008-08-06 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | Thin film containing β-FeSi2 crystal particles and light emitting material using the same |
| JP2006019426A (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Hamamatsu Photonics Kk | Light emitting element and its manufacturing method |
| JP2006019648A (en) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Takashi Suemasu | Iron-silicide light emitting element and its manufacturing method |
| CN101339906A (en) * | 2008-08-12 | 2009-01-07 | 贵州大学 | Preparation process of novel environmental semi-conductor photoelectronic material beta-FeSi2 film |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3078611B2 (en) | Light emitting semiconductor device including IIB-VIA group semiconductor layer | |
| Fauchet | Progress toward nanoscale silicon light emitters | |
| TWI659458B (en) | Diamond semiconductor system | |
| KR20130122649A (en) | Semiconductor laminate, semiconductor device, method for producing semiconductor laminate, and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP3477855B2 (en) | Solid-state electroluminescent device and manufacturing method thereof | |
| WO2017057997A1 (en) | Light emitting diode devices with zinc oxide layer | |
| CN105518864A (en) | Semiconductor element, manufacturing method thereof, and semiconductor integrated circuit | |
| EP3157068B1 (en) | Semiconductor multilayer structure and method for producing same | |
| TW201248920A (en) | Light emitting diode element and method for fabricating the same | |
| Ruzyllo | Semiconductor Glossary: A Resource For Semiconductor Community | |
| CN108682703A (en) | A kind of spin detection of luminescence one device and preparation method thereof of full electricity regulation and control | |
| KR20210057824A (en) | Micro-LEDs with ultra-low leakage current | |
| RU2488919C1 (en) | Method of making light-emitting element | |
| JP2000164921A (en) | Semiconductor light emitting material, manufacture thereof, and light emitting element using the material | |
| RU2488918C1 (en) | Method of making light-emitting element | |
| RU2488917C1 (en) | Method of making light-emitting element | |
| RU2485631C1 (en) | Method of making light-emitting element | |
| RU2485632C1 (en) | Method of making light-emitting element | |
| RU2488920C1 (en) | Method of making light-emitting element | |
| JP2018154553A (en) | GaN substrate | |
| US20050186435A1 (en) | Light emitting device and method for manufacturing the same | |
| Dow | Surface Etching and Temperature Effects on SiC Electroluminescence | |
| Shi | Zinc Oxide Thin Film Bandgap Engineering and Its Metal-Semiconductor-Metal Random Laser Devices Application | |
| Pan et al. | {113} Defect-engineered silicon light-emitting diodes | |
| Nagar et al. | P-type ZnO films by phosphorus doping using plasma immersion ion-implantation technique |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180209 |