RU2453949C1 - Magnetoresistive gradiometer transducer - Google Patents
Magnetoresistive gradiometer transducer Download PDFInfo
- Publication number
- RU2453949C1 RU2453949C1 RU2011107156/28A RU2011107156A RU2453949C1 RU 2453949 C1 RU2453949 C1 RU 2453949C1 RU 2011107156/28 A RU2011107156/28 A RU 2011107156/28A RU 2011107156 A RU2011107156 A RU 2011107156A RU 2453949 C1 RU2453949 C1 RU 2453949C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- thin
- magnetoresistive
- bridge circuit
- film
- transducer
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 6
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области магнитных датчиков и может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитного поля, электрического тока, биодатчиках.The invention relates to the field of magnetic sensors and can be used in tachometers, non-destructive testing devices, displacement sensors, sensors for measuring a constant and alternating magnetic field, electric current, biosensors.
Известен магниторезистивный преобразователь магнитного поля с четной вольт-эрстедной характеристикой (ВЭХ), в котором тонкопленочные магниторезистивные полоски в соседних плечах мостовой схемы расположены перпендикулярно друг другу (Н.П.Васильева, С.И.Касаткин, Н.Н.Аверин, A.M.Муравьев, А.Н.Носков. Разработка тонкопленочных двухслойных магниторезистивных датчиков // Приборы и системы управления. 1995. №2. С.24-26). Конструкция такого магниторезистивного преобразователя является компактной, ВЭХ формируется благодаря топологии мостовой схемы, при этом с возрастанием внешнего магнитного поля ВЭХ преобразователя выходит в насыщение. Недостатком магниторезистивного преобразователя является то, что он реагирует, как и все преобразователи, на все однородные и неоднородные магнитные поля, действующие на него. Часто же стоит задача выделить слабое неоднородное магнитное поле на фоне большого однородного магнитного поля.A magnetoresistive magnetic field transducer with an even volt-oersted characteristic (VEC) is known, in which thin-film magnetoresistive strips in adjacent shoulders of the bridge circuit are perpendicular to each other (N.P. Vasilieva, S.I. Kasatkin, N.N. Averin, AM Muraviev , AN Noskov. Development of thin-film two-layer magnetoresistive sensors // Instruments and control systems. 1995. No. 2. P.24-26). The design of such a magnetoresistive converter is compact, the HEC is formed due to the topology of the bridge circuit, and with an increase in the external magnetic field, the HEC converter saturates. The disadvantage of a magnetoresistive transducer is that it reacts, like all transducers, to all homogeneous and inhomogeneous magnetic fields acting on it. Often the task is to isolate a weak inhomogeneous magnetic field against a background of a large uniform magnetic field.
Данный недостаток устранен в магниторезистивном преобразователе-градиометре (С.И.Касаткин, A.M.Муравьев. Магниторезистивная головка-градиометр // Патент РФ №2366038). Недостатками этого магниторезистивного преобразователя-градиометра являются нечетная ВЭХ и ее спад при увеличении магнитного поля. В настоящее время существует ряд задач, в первую очередь для пороговых преобразователей, когда необходимо сохранять сигнал при больших локальных магнитных полях.This disadvantage is eliminated in a magnetoresistive transducer-gradiometer (S.I. Kasatkin, A.M. Muravyov. Magnetoresistive head-gradiometer // RF Patent No. 2366038). The disadvantages of this magnetoresistive transducer-gradiometer are the odd VEC and its decline with increasing magnetic field. Currently, there are a number of tasks, primarily for threshold converters, when it is necessary to store a signal at high local magnetic fields.
Задачей, поставленной и решаемой настоящим изобретением, является создание магниторезистивного преобразователя-градиометра с четной ВЭХ, выходящей в насыщение с ростом магнитного поля.The problem posed and solved by the present invention is the creation of a magnetoresistive transducer-gradiometer with an even HEC, which saturates with increasing magnetic field.
Указанный технический результат достигается тем, что в магниторезистивном преобразователе-градиометре, содержащем подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками тонкопленочные магниторезистивные полоски, содержащие каждая верхний и нижний защитные слои, между которыми расположена ферромагнитная пленка, а поверх тонкопленочных магниторезистивных полосок расположен изолирующий слой, тонкопленочные магниторезистивные полоски в первом и четвертом плечах мостовой схемы расположены перпендикулярно тонкопленочным магниторезистивным полоскам второго и третьего плеч мостовой схемы, причем первое и второе плечи мостовой схемы расположены от третьего и четвертого плечей мостовой схемы на расстоянии не менее удвоенной длины тонкопленочной магниторезистивной полоски. Тонкопленочные магниторезистивные полоски могут содержать две ферромагнитные пленки, между которыми расположен разделительный слой.The indicated technical result is achieved in that in a magnetoresistive transducer-gradiometer containing a substrate with a dielectric layer, on which thin-film magnetoresistive strips connected to a bridge circuit with non-magnetic low-resistance jumpers are located, containing each upper and lower protective layers, between which a ferromagnetic film is located, and on top of the thin-film magnetoresistive strips is an insulating layer, thin-film magnetoresistive strips in the first and fourth pl At the ends of the bridge circuit, perpendicular to the thin-film magnetoresistive strips of the second and third shoulders of the bridge circuit are arranged, the first and second shoulders of the bridge circuit are located from the third and fourth shoulders of the bridge circuit at a distance of at least twice the length of the thin-film magnetoresistive strip. Thin-film magnetoresistive strips may contain two ferromagnetic films, between which a separation layer is located.
Сущность предлагаемого технического решения заключается в том, что при перпендикулярном расположении тонкопленочных магниторезистивных полосок в первом и четвертом плечах относительно их расположения во втором и третьем плечах мостовой схемы преобразователя-градиометра однородное магнитное поле не вызывает появление сигнала считывания на выходе мостовой схеме, т.е. это схема градиометра. А наличие достаточного расстояния между парами плеч позволяет только одной паре плеч преобразователя-градиометра реагировать на локальное неоднородное магнитное поле, причем его ВЭХ является четной с насыщением при возрастании магнитного поля.The essence of the proposed technical solution lies in the fact that when the thin-film magnetoresistive strips are perpendicular to the first and fourth arms relative to their location in the second and third arms of the transducer-gradiometer bridge circuit, a uniform magnetic field does not cause a read signal to appear at the output of the bridge circuit, i.e. This is a gradiometer circuit. And the presence of a sufficient distance between the pairs of shoulders allows only one pair of shoulders of the transducer-gradiometer to respond to a local inhomogeneous magnetic field, and its SEC is even with saturation with increasing magnetic field.
Изобретение поясняется чертежами: на фиг.1 представлена структура магниторезистивного преобразователя-градиометра в разрезе; на фиг.2 показана топология магниторезистивного преобразователя-градиометра (вид сверху), на фиг.3 представлена теоретическая ВЭХ преобразователя-градиометра.The invention is illustrated by drawings: in Fig.1 shows the structure of a magnetoresistive transducer-gradiometer in section; figure 2 shows the topology of the magnetoresistive transducer-gradiometer (top view), figure 3 presents the theoretical VEC of the transducer-gradiometer.
Магниторезистивный преобразователь-градиометр содержит подложку 1 (фиг.1) с диэлектрическим слоем 2, на котором расположены тонкопленочные магниторезистивные полоски, состоящие каждая из защитных слоев 3, 4, ферромагнитных пленок 5, 6 и разделительного слоя 7. Сверху расположен защитный слой 8.The magnetoresistive transducer-gradiometer contains a substrate 1 (Fig. 1) with a
Магниторезистивный преобразователь-градиометр представляет собой мостовую схему (фиг.2) из рядов тонкопленочных магниторезистивных полосок в плечах 9-12 (первое-четвертое плечи) и низкорезистивных перемычек, последовательно соединяющих тонкопленочные магниторезистивные полоски в мостовую схему.Magnetoresistive transducer-gradiometer is a bridge circuit (figure 2) of the rows of thin-film magnetoresistive strips in the shoulders 9-12 (the first and fourth shoulders) and low-resistance jumpers, sequentially connecting thin-film magnetoresistive strips in the bridge circuit.
Заявляемое изобретение относится к магниторезистивным преобразователям-градиометрам магнитного поля на основе металлических многослойных ферромагнитных наноструктур с анизотропным магниторезистивным эффектом. При этом виде магниторезистивного эффекта изменение сопротивления ферромагнитной пленки в магнитном поле пропорционально sin2φ, где φ - угол между вектором намагниченности М ферромагнитной пленки тонкопленочной магниторезистивной полоски и направлением протекающего в ней сенсорного тока.The claimed invention relates to magnetoresistive transducers-gradiometers of a magnetic field based on metal multilayer ferromagnetic nanostructures with an anisotropic magnetoresistive effect. In this form of the magnetoresistive effect, the change in the resistance of the ferromagnetic film in the magnetic field is proportional to sin 2 φ, where φ is the angle between the magnetization vector M of the ferromagnetic film of the thin-film magnetoresistive strip and the direction of the sensor current flowing through it.
Работа магниторезистивного преобразователя-градиометра происходит следующим образом. Рассмотрим случай многослойной наноструктуры с двумя ферромагнитными пленками 5 и 6. При отсутствии внешнего магнитного поля и сенсорного тока в мостовой схеме векторы намагниченности ферромагнитных пленок 5 и 6 (фиг.1) в двух рядах тонкопленочных магниторезистивных полосок плечей 9-12 (фиг.2) устанавливаются вдоль оси легкого намагничивания (ОЛН) ферромагнитных пленок антипараллельно друг другу. ОЛН направлена вдоль длины тонкопленочных магниторезистивных полосок одной из пар плеч мостовой схемы. При подаче в мостовую схему преобразователя-градиометра сенсорного тока появится постоянный сигнал считывания, определяемый технологическим разбалансом его мостовой схемы, и незначительно изменится направление векторов намагниченности ферромагнитных пленок 5 и 6 тонкопленочных магниторезистивных полосок. Однородное внешнее магнитное поле Н, перпендикулярное ОЛН, приведет к развороту векторов намагниченности ферромагнитных пленок 5 и 6 тонкопленочных магниторезистивных полосок в плечах 9-12 по направлению Н. В тонкопленочных магниторезистивных полосках 9 и 12 плечах мостовой схемы угол между направлением сенсорного тока и векторами намагниченности ферромагнитных пленок 5 и 6 возрастет, в полосках 10 и 11 плеча - угол уменьшится. В соответствии с анизотропным магниторезистивным эффектом магнитосопротивление 9 и 12 плеч мостовой схемы возрастет, а 10 и 11 плеч - уменьшится. Это означает отсутствие сигнала считывания на выходе мостовой схемы при внешнем однородном магнитном поле, т.е. данная конструкция магниторезистивного преобразователя соответствует градиометру.The operation of the magnetoresistive transducer-gradiometer is as follows. Consider the case of a multilayer nanostructure with two
Действие локального магнитного поля НЛ на два рабочих плеча приведет к развороту векторов намагниченности ферромагнитных пленок 5 и 6 тонкопленочных магниторезистивных полосок в плечах 9 и 10 по направлению НЛ. На балластные плечи 11 и 12 НЛ не действует и сигнала считывания они не дают. В рабочих плечах 9 и 10 изменение магнитосопротивления приводит к сигналу считывания. Ввиду квадратичной зависимости изменения магнитосопротивления при анизотропном магниторезистивном эффекте ВЭХ преобразователя-градиометра будет четной и выходить в насыщение с ростом локального магнитного поля.The action of the local magnetic field N L on two working arms will lead to a reversal of the magnetization vectors of the
На фиг.3 приведена теоретическая четная ВЭХ магниторезистивного преобразователя-градиометра на основе двухслойных FeNiCo6 ферромагнитных пленок 5 и 6 толщиной 12 нм с размерами тонкопленочной магниторезистивной полоски 14×260 мкм2 для локального магнитного поля, действующего на два рабочих плеча 9 и 10 при напряжении питания 10 В. Величина анизотропного магниторезистивного эффекта - 2%. ВЭХ данного преобразователя-градиометра аналогична ВЭХ обычного преобразователя, но ввиду того, что рабочими плечами являются только два плеча, в отличие от четырех рабочих плеч обычного магниторезистивного преобразователя, величина сигнала считывания и чувствительность преобразователя-градиометра вдвое меньше обычного преобразователя.Figure 3 shows the theoretical even VEC of a magnetoresistive transducer-gradiometer based on bilayer FeNiCo 6 ferromagnetic films of 5 and 6 with a thickness of 12 nm with the dimensions of a thin-film
Таким образом, предложенный магниторезистивный преобразователь-градиометр магнитного поля с перпендикулярно расположенными тонкопленочными магниторезистивными полосками в рабочих и балластных парах плеч мостовой схемы, разнесенных друг относительно друга, обладает заявленными свойствами. Преобразователь-градиометр не реагирует на внешнее однородное магнитное поле и обладает четной ВЭХ с ее насыщением при возрастании внешнего локального магнитного поля, действующего на рабочую пару плеч мостовой схемы преобразователя-градиометра.Thus, the proposed magnetoresistive transducer-gradiometer of a magnetic field with perpendicularly disposed thin-film magnetoresistive strips in the working and ballast pairs of shoulders of the bridge circuit spaced relative to each other, has the declared properties. The transducer-gradiometer does not respond to an external uniform magnetic field and possesses an even HEC with its saturation with increasing external local magnetic field acting on the working pair of shoulders of the bridge circuit of the transducer-gradiometer.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011107156/28A RU2453949C1 (en) | 2011-02-28 | 2011-02-28 | Magnetoresistive gradiometer transducer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011107156/28A RU2453949C1 (en) | 2011-02-28 | 2011-02-28 | Magnetoresistive gradiometer transducer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2453949C1 true RU2453949C1 (en) | 2012-06-20 |
Family
ID=46681203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011107156/28A RU2453949C1 (en) | 2011-02-28 | 2011-02-28 | Magnetoresistive gradiometer transducer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2453949C1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2506666C1 (en) * | 2012-10-11 | 2014-02-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение "Научно-Производственный Комплекс "Технологический Центр" Миэт" | Method of making highly sensitive "magnetoresistive gradiometer head" sensor |
RU2506665C1 (en) * | 2012-09-18 | 2014-02-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение "Научно-Производственный Комплекс "Технологический Центр" Миэт" | Magnetoresistive gradiometer head |
RU212051U1 (en) * | 2022-03-21 | 2022-07-05 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | MAGNETORESISTIVE MAGNETIC FIELD CONVERTER |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2139602C1 (en) * | 1998-04-02 | 1999-10-10 | Войсковая часть 35533 | Magnetoresistive transducer |
RU2216822C1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-11-20 | Войсковая часть 35533 | Magnetoresistive pickup |
RU2236066C1 (en) * | 2003-01-04 | 2004-09-10 | Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН | Magnetoresistive transducer |
RU2366038C1 (en) * | 2008-04-07 | 2009-08-27 | Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН | Magnetoresistive gradiometer head |
RU2403652C1 (en) * | 2009-10-12 | 2010-11-10 | Учреждение Российской академии наук Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН | Magnetoresistive head-gradiometre |
-
2011
- 2011-02-28 RU RU2011107156/28A patent/RU2453949C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2139602C1 (en) * | 1998-04-02 | 1999-10-10 | Войсковая часть 35533 | Magnetoresistive transducer |
RU2216822C1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-11-20 | Войсковая часть 35533 | Magnetoresistive pickup |
RU2236066C1 (en) * | 2003-01-04 | 2004-09-10 | Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН | Magnetoresistive transducer |
RU2366038C1 (en) * | 2008-04-07 | 2009-08-27 | Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН | Magnetoresistive gradiometer head |
RU2403652C1 (en) * | 2009-10-12 | 2010-11-10 | Учреждение Российской академии наук Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН | Magnetoresistive head-gradiometre |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2506665C1 (en) * | 2012-09-18 | 2014-02-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение "Научно-Производственный Комплекс "Технологический Центр" Миэт" | Magnetoresistive gradiometer head |
RU2506666C1 (en) * | 2012-10-11 | 2014-02-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение "Научно-Производственный Комплекс "Технологический Центр" Миэт" | Method of making highly sensitive "magnetoresistive gradiometer head" sensor |
RU212051U1 (en) * | 2022-03-21 | 2022-07-05 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | MAGNETORESISTIVE MAGNETIC FIELD CONVERTER |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2801834B1 (en) | Current sensor | |
US7750620B2 (en) | MTJ sensor based method to measure an electric current | |
EP3026451B1 (en) | Single magnetoresistor tmr magnetic field sensor chip and magnetic currency detector head | |
US9766304B2 (en) | Integrated AMR magnetoresistor with a set/reset coil having a stretch positioned between a magnetoresistive strip and a concentrating region | |
CN112082579B (en) | Wide range tunnel magnetoresistive sensor and Wheatstone half bridge | |
JP7099731B2 (en) | Low noise reluctance sensor with multi-layer magnetic modulation structure | |
JP2012078087A (en) | Semiconductor integrated circuit, magnetism detection device, electronic azimuth meter | |
CN103069282A (en) | Magnetic-balance current sensor | |
CN111929625B (en) | Magnetic field sensor and testing method | |
CN108780131A (en) | Balanced type detector for magnetic field | |
Wang et al. | Preparation of meander thin-film microsensor and investigation the influence of structural parameters on the giant magnetoimpedance effect | |
JP2015219227A (en) | Magnetic sensor | |
RU2436200C1 (en) | Magnetoresistive sensor | |
US20130300408A1 (en) | Magnetometer with angled set/reset coil | |
RU2453949C1 (en) | Magnetoresistive gradiometer transducer | |
JP6228663B2 (en) | Current detector | |
RU2533747C1 (en) | Magnetoresistive current sensor | |
JPH11101861A (en) | Magneto-resistance effect type sensor | |
RU2279737C1 (en) | Variable-resistance transducer | |
CN102360683B (en) | Composite material for magnetic core of magnetic sensitive probe | |
RU2495514C1 (en) | Magnetoresistive sensor | |
RU2175797C1 (en) | Magnetoresistive transducer | |
RU2312429C1 (en) | Magnetoresistive transducer | |
JP2018096895A (en) | Magnetic field detection device | |
JP2012105060A (en) | Magnetic isolator |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190301 |