RU2436226C1 - Differential operational amplifier with paraphase output - Google Patents
Differential operational amplifier with paraphase output Download PDFInfo
- Publication number
- RU2436226C1 RU2436226C1 RU2010146242/08A RU2010146242A RU2436226C1 RU 2436226 C1 RU2436226 C1 RU 2436226C1 RU 2010146242/08 A RU2010146242/08 A RU 2010146242/08A RU 2010146242 A RU2010146242 A RU 2010146242A RU 2436226 C1 RU2436226 C1 RU 2436226C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- output
- base
- transistor
- bus
- additional
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, решающих усилителях (ОУ), компараторах, мостовых усилителях мощности и т.п.).The invention relates to the field of radio engineering and communication and can be used as a device for amplifying analog signals in the structure of analog microcircuits for various functional purposes (for example, decision amplifiers (op amps), comparators, bridge power amplifiers, etc.).
Известны схемы классических двухкаскадных дифференциальных усилителей (ДУ) с парафазным выходом, которые стали основой многих серийных аналоговых микросхем [1-8].There are known schemes of classical two-stage differential amplifiers (DU) with a paraphase output, which became the basis of many serial analog microcircuits [1-8].
Кроме того, ДУ данного класса активно применяются в структуре СВЧ-устройств, реализованных на базе новейших SiGe-технологий. Это связано с возможностью построения на их основе активных RC-фильтров гигагерцового диапазона для современных и перспективных систем связи, мостовых усилителей мощности и т.п.In addition, the remote controls of this class are actively used in the structure of microwave devices implemented on the basis of the latest SiGe technologies. This is due to the possibility of building on their basis active RC-filters of the gigahertz range for modern and promising communication systems, bridge power amplifiers, etc.
Ближайшим прототипом (фиг.1) заявляемого устройства является дифференциальный усилитель, представленный в статье Будякова А.С., Прокопенко Н.Н., Манжулы В.Г. Анализ частотных характеристик подсхем входных каскадов СВЧ операционных усилителей для сложных функциональных блоков радиационностойкой аппаратуры нового поколения// в журнале «Научно-технические ведомости СПбГПУ. Информатика, Телекоммуникации. Управление». - №3 (101)/2010. - с.210, рис.4 и содержащий входной дифференциальный каскад 1 с первым 2 и вторым 3 токовыми выходами, первым 4 и вторым 5 входами, первой 6 шиной источника питания, связанной с общей эмиттерной цепью входного дифференциального каскада 1, первый 7 выходной транзистор, база которого соединена со вторым 3 токовым выходом входного дифференциального каскада 1, коллектор подключен к шине второго 8 источника питания, а эмиттер связан с первым 9 вспомогательным выходом устройства и через первый 10 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой 6 шиной источника питания, второй 11 выходной транзистор, база которого соединена с первым 2 токовым выходом входного дифференциального каскада 1, коллектор подключен к шине второго 8 источника питания, а эмиттер связан со вторым 12 вспомогательным выходом устройства и через второй 13 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой 6 шиной источника питания, третий 14 и четвертый 15 выходные транзисторы, эмиттеры которых соединены со второй 8 шиной источника питания, базы связаны друг с другом, коллектор третьего 14 выходного транзистора подключен к базе второго 11 выходного транзистора, коллектор четвертого 15 выходного транзистора подключен к базе первого 7 выходного транзистора.The closest prototype (figure 1) of the claimed device is a differential amplifier, presented in the article Budyakova A.S., Prokopenko N.N., Manzhuly V.G. Analysis of the frequency characteristics of the input circuits of the input stages of the microwave operational amplifiers for the complex functional blocks of radiation-resistant equipment of the new generation // in the journal "Scientific and Technical Journal of St. Petersburg State Polytechnical University. Informatics, Telecommunications. Control". - No. 3 (101) / 2010. - p.210, Fig. 4 and containing the input
Существенный недостаток известного ДУ состоит в том, что он имеет нестабильный уровень выходного синфазного напряжения, зависящий от параметров входного дифференциального каскада 1 и напряжений источников питания. Это значительно затрудняет его согласование с последующими функциональными узлами СФ-блоков систем на кристалле A/d и D/a классов.A significant drawback of the known remote control is that it has an unstable output common-mode voltage level, depending on the parameters of the input
Основная задача предлагаемого изобретения состоит в создании условий, при которых выходное статическое синфазное напряжение ДУ будет иметь высокую стабильность и нулевое значение.The main objective of the invention is to create conditions under which the output static common-mode voltage of the remote control will have high stability and zero value.
Поставленная задача решается тем, что в дифференциальном операционном усилителе с парафазным выходом фиг.1, содержащем входной дифференциальный каскад 1 с первым 2 и вторым 3 токовыми выходами, первым 4 и вторым 5 входами, первой 6 шиной источника питания, связанной с общей эмиттерной цепью входного дифференциального каскада 1, первый 7 выходной транзистор, база которого соединена со вторым 3 токовым выходом входного дифференциального каскада 1, коллектор подключен к шине второго 8 источника питания, а эмиттер связан с первым 9 вспомогательным выходом устройства и через первый 10 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой 6 шиной источника питания, второй 11 выходной транзистор, база которого соединена с первым 2 токовым выходом входного дифференциального каскада 1, коллектор подключен к шине второго 8 источника питания, а эмиттер связан со вторым 12 вспомогательным выходом устройства и через второй 13 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой 6 шиной источника питания, третий 14 и четвертый 15 выходные транзисторы, эмиттеры которых соединены со второй 8 шиной источника питания, базы связаны друг с другом, коллектор третьего 14 выходного транзистора подключен к базе второго 11 выходного транзистора, коллектор четвертого 15 выходного транзистора подключен к базе первого 7 выходного транзистора, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введены первый 16, второй 17 и третий 18 дополнительные транзисторы, эмиттеры которых соединены друг с другом и через третий 19 токостабилизирующий двухполюсник связаны с первой 6 шиной источника питания, коллекторы первого 16 и второго 17 дополнительных транзисторов объединены и связаны с базами третьего 14 и четвертого 15 выходных транзисторов, база первого 16 дополнительного транзистора соединена с первым 4 входом устройства, база второго 17 дополнительного транзистора соединена со вторым 5 входом устройства, коллектор третьего 18 дополнительного транзистора связан со второй 8 шиной источника питания, причем первый 9 вспомогательный выход устройства соединен с базой третьего 18 дополнительного транзистора через первый 20 резистор обратной связи, а второй 12 вспомогательный выход устройства соединен с базой третьего 18 дополнительного транзистора через второй 21 резистор обратной связи.The problem is solved in that in a differential operational amplifier with a paraphase output of Fig. 1, containing an input
На фиг.1 показана схема ДУ-прототипа.In Fig.1 shows a diagram of the remote control prototype.
На фиг.2 показана схема заявляемого устройства в соответствии с п.1 формулы изобретения.Figure 2 shows a diagram of the inventive device in accordance with
На фиг.3 показана схема ДУ по п.2 и п.3 формулы изобретения.Figure 3 shows the scheme of the remote control according to
На фиг.4 приведена схема заявляемого ДУ фиг.3 в среде компьютерного моделирования Cadance на моделях SiGe интегральных транзисторов.In Fig.4 shows a diagram of the claimed remote control of Fig.3 in a computer simulation environment Cadance on SiGe models of integrated transistors.
Графики фиг.5 показывают зависимость постоянной составляющей выходного синфазного статического напряжения ДУ фиг.4 от тока третьего 19 токостабилизирующего двухполюсника (I19=Ivar) при сопротивлениях резисторов обратной связи 20 и 21 R20=R21=1 кОм.The graphs of Fig. 5 show the dependence of the constant component of the output common-mode static voltage of the remote control of Fig. 4 on the current of the third 19 current-stabilizing two-terminal network (I 19 = I var ) with the resistance of the
На фиг.6 представлена временная зависимость выходных синусоидальных напряжений ДУ фиг.4.Figure 6 presents the time dependence of the output sinusoidal voltages of the remote control of figure 4.
На фиг.7 приведена зависимость коэффициента усиления по напряжению ДУ фиг.4 от частоты.In Fig.7 shows the dependence of the gain on the voltage of the remote control of Fig.4 from frequency.
Фиг.8 показывает зависимость постоянной составляющей выходного синфазного статического напряжения ДУ фиг.4 от тока третьего 19 токостабилизирующего двухполюсника (I19=Ivar) при сопротивлениях резисторов обратной связи 20 и 21 R20=R21=10 кОм.Fig. 8 shows the dependence of the constant component of the output common-mode static voltage of the remote control of Fig. 4 on the current of the third 19 current-stabilizing two-terminal network (I 19 = I var ) at the resistance of the
На фиг.9 приведена схема драйвера дифференциальной линии связи на основе заявляемого ДУ фиг.4 в среде компьютерного моделирования Cadance на моделях SiGe интегральных транзисторов.In Fig.9 shows a diagram of the driver of a differential communication line based on the claimed remote control of Fig.4 in a computer simulation environment Cadance on SiGe models of integrated transistors.
На фиг.10 представлена зависимость коэффициента усиления по напряжению драйвера фиг.9 от частоты без емкости коррекции.Figure 10 shows the dependence of the gain on the voltage of the driver of figure 9 on the frequency without correction capacity.
На фиг.11 показана временная зависимость выходных синусоидальных напряжений драйвера фиг.9.Figure 11 shows the time dependence of the output sinusoidal voltage of the driver of Fig.9.
На фиг.12 представлена зависимость коэффициента усиления по напряжению драйвера фиг.9 от частоты с емкостью коррекции Ccorr=500 fF между базами транзисторов Q10 и Q11 при неравномерности амлитудно-частотной характеристики менее 1дБ.On Fig presents the dependence of the gain on the voltage of the driver of Fig.9 on the frequency with the correction capacitance C corr = 500 fF between the bases of transistors Q 10 and Q 11 with uneven amplitude-frequency characteristics of less than 1 dB.
Дифференциальный операционный усилитель с парафазным выходом фиг.2 содержит входной дифференциальный каскад 1 с первым 2 и вторым 3 токовыми выходами, первым 4 и вторым 5 входами, первой 6 шиной источника питания, связанной с общей эмиттерной цепью входного дифференциального каскада 1, первый 7 выходной транзистор, база которого соединена со вторым 3 токовым выходом входного дифференциального каскада 1, коллектор подключен к шине второго 8 источника питания, а эмиттер связан с первым 9 вспомогательным выходом устройства и через первый 10 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой 6 шиной источника питания, второй 11 выходной транзистор, база которого соединена с первым 2 токовым выходом входного дифференциального каскада 1, коллектор подключен к шине второго 8 источника питания, а эмиттер связан со вторым 12 вспомогательным выходом устройства и через второй 13 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой 6 шиной источника питания, третий 14 и четвертый 15 выходные транзисторы, эмиттеры которых соединены со второй 8 шиной источника питания, базы связаны друг с другом, коллектор третьего 14 выходного транзистора подключен к базе второго 11 выходного транзистора, коллектор четвертого 15 выходного транзистора подключен к базе первого 7 выходного транзистора. В схему введены первый 16, второй 17 и третий 18 дополнительные транзисторы, эмиттеры которых соединены друг с другом и через третий 19 токостабилизирующий двухполюсник связаны с первой 6 шиной источника питания, коллекторы первого 16 и второго 17 дополнительных транзисторов объединены и связаны с базами третьего 14 и четвертого 15 выходных транзисторов, база первого 16 дополнительного транзистора соединена с первым 4 входом устройства, база второго 17 дополнительного транзистора соединена со вторым 5 входом устройства, коллектор третьего 18 дополнительного транзистора связан со второй 8 шиной источника питания, причем первый 9 вспомогательный выход устройства соединен с базой третьего 18 дополнительного транзистора через первый 20 резистор обратной связи, а второй 12 вспомогательный выход устройства соединен с базой третьего 18 дополнительного транзистора через второй 21 резистор обратной связи. В частном случае входной дифференциальный каскад 1 реализован на транзисторах 22 и 23 и источнике тока 24.The differential operational amplifier with a paraphase output of FIG. 2 contains an input
В качестве первого 10, второго 13 и третьего 19 токостабилизирующих двухполюсников авторы рекомендуют использовать классические источники опорного тока на транзисторах или сравнительно высокоомные резисторы.As the first 10,
На фиг.3 в соответствии с п.2 формулы изобретения первый 9 вспомогательный выход устройства связан с базой третьего 18 дополнительного транзистора через последовательно соединенные первый 25 дополнительный буферный усилитель и первый 20 резистор обратной связи, а второй 12 вспомогательный выход устройства связан с базой третьего 18 дополнительного транзистора через последовательно соединенные второй 26 дополнительный буферный усилитель и второй 21 резистор обратной связи.In Fig. 3, in accordance with
В качестве дополнительных буферных усилителей 25 и 26 авторы рекомендуют применение различных классических эмиттерных повторителей, в том числе на основе так называемых «бриллиантовых» транзисторов. Кроме этого на фиг.3 в соответствии с п.3 формулы изобретения между объединенными эмиттерами и объединенными базами третьего 14 и четвертого 15 выходных транзисторов включен дополнительный p-n переход 27.As
Рассмотрим работу ДУ фиг.3.Consider the operation of the remote control of Fig.3.
Статический режим по току транзисторов предлагаемого ДУ устанавливается токостабилизирующими двухполюсниками 19, 24, 10, и 13. Причем коллекторные и эмиттерные токи транзисторов схемы:The static current mode of the transistors of the proposed remote control is set by the current-stabilizing two-
где I0 - заданное значение опорного тока, например, 1 мА.where I 0 is the set value of the reference current, for example, 1 mA.
Статические напряжения U9 на выходе Вых.*1 и U на Вых.2 ДУ при нулевом входном сигнале (uвх=0) можно найти из уравнения:Static voltages U 9 at the output Output. * 1 and U at
где Uэб.18=Uэб.l6=Uэб.l7 - напряжение «эмиттер-база» транзисторов 18, 16 и 17 при одинаковых токах эмиттера Iэi=0.5I0;where U eb . 18 = U eb.l6 = U eb.l7 - voltage "emitter-base" of
Iб.18 - ток баз третьего дополнительного транзистора 18 в резисторе обратной связи 20 (21).I b. 18 - base current of the third
Таким образом, при типовых значениях токов базы транзистора 18, а также при R20=R21=500÷1000 Ом выходное синфазное напряжение ДУ фиг.3 практически равно нулю в широком диапазоне температурных и радиационных воздействий, а также изменений напряжений питания. Это весьма существенно для согласования заявляемого ДУ с последующими функциональными узлами радиоэлектронной аппаратуры.Thus, at typical values of the base currents of the
Графики фиг.6 показывают, что в схемах ДУ фиг.4 диапазон изменения uвых при низковольтном питании (±2 В) лежит в пределах ±1 В. При этом коэффициент усиления по напряжению ДУ более 50 дБ (фиг.7).The graphs of Fig. 6 show that in the remote control circuits of Fig. 4, the range of variation of u out at low-voltage power supply (± 2 V) lies within ± 1 V. Moreover, the gain in voltage of the remote control is more than 50 dB (Fig. 7).
В схеме фиг.3, которая отличается от схемы фиг.2 наличием дополнительных буферных усилителей 25 и 26, значительно снижаются требования к величине сопротивлений резисторов обратной связи 21 и 22, что позволяет получить на выходах Вых.* 1 и Вых.* 2 нулевые уровни статических напряжений U независимо от статических параметров дополнительных буферных усилителей 25 и 26. Однако в схеме фиг.3, соответствующей П.2 формулы изобретения, в низкоомной нагрузке, включенной между выходами Вых.* 1 и Вых.* 2, могут быть получены значительно большие мощности, которые определяются свойствами буферных усилителей 25 и 26. Кроме этого в архитектуре рис.3 при повышенных напряжениях питания максимальные амплитуды выходных напряжений положительной U и отрицательной U полярностей близки к сумме напряжений первого 6 Е и второго Е 8 источников питания:In the circuit of FIG. 3, which differs from the circuit of FIG. 2 by the presence of
Результаты компьютерного моделирования фиг.11, фиг.12 схемы фиг.9 показывают, что на основе предлагаемого ДУ реализуются широкополосные драйвера дифференциальных линий связи гигагерцевого диапазона.The results of computer simulation of Fig. 11, Fig. 12 of the diagram of Fig. 9 show that, based on the proposed remote control, broadband drivers of differential communication lines of the GHz range are implemented.
Таким образом, заявляемый дифференциальный операционный усилитель имеет нулевой уровень выходного синфазного напряжения. Это весьма существенно для его согласования с последующими функциональными узлами различных систем на кристалле, а также для получения более широкого диапазона изменения выходных противофазных напряжений.Thus, the claimed differential operational amplifier has a zero level of output common-mode voltage. This is very important for its coordination with the subsequent functional units of various systems on the chip, as well as for obtaining a wider range of output antiphase voltages.
Источники информацииInformation sources
1. Будяков А.С., Прокопенко Н.Н., Манжула В.Г. Анализ частотных характеристик подсхем входных каскадов СВЧ операционных усилителей для сложных функциональных блоков радиационностойкой аппаратуры нового поколения [Текст] / А.С.Будяков, Н.Н.Прокопенко, В.Г.Манжула // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Информатика, Телекоммуникации. Управление. - №3 (101) / 2010. - С.210, рис.4.1. Budyakov A.S., Prokopenko N.N., Manzhula V.G. Analysis of the frequency characteristics of subcircuits of input stages of microwave operational amplifiers for complex functional blocks of radiation-resistant equipment of a new generation [Text] / A.S. Budyakov, N.N. Prokopenko, V.G. Manzhula // Scientific and Technical Journal of St. Petersburg State Polytechnical University. Informatics, Telecommunications. Control. - No. 3 (101) / 2010. - P.210, Fig. 4.
2. СВЧ операционные усилители ОА-1 - ОА-3 на основе техпроцесса SG25H2 и их практическое применение в системах связи и телекоммуникаций: учебно-методическое пособие / А.Будяков, K.Schmalz, Н.Прокопенко, C.Scheytt, Р.Островский. - Шахты: Изд-во ЮРГУЭС, 2010. - С.23, рис.2.11.2. Microwave operational amplifiers OA-1 - OA-3 based on the SG25H2 process technology and their practical application in communication systems: a training manual / A. Budyakov, K.Schmalz, N. Prokopenko, C.Scheytt, R. Ostrovsky . - Mines: Publishing house of SRUES, 2010. - P.23, Fig. 2.11.
3. Будяков А.С. Микросхема низковольтного операционного усилителя ОА-3, 0_T214_bench_www с повышенным ослаблением синфазного сигнала в диапазоне высоких частот и ее практическое применение в устройствах автоматики и телекоммуникации [Текст] / А.С.Будяков, Н.Н.Прокопенко, С.В.Крюков // Проблемы современной аналоговой микросхемотехники: VII международный научно-практический семинар. В 2 ч., Ч.1 / гл. ред. Н.Н.Прокопенко; редкол.: В.Г.Немудров [и др.]. - Шахты: ГОУ ВПО «ЮРГУЭС», 2009. - С.17-22, рис.1.3. Budyakov A.S. Microcircuit of the low-voltage operational amplifier OA-3, 0_T214_bench_www with increased attenuation of the common-mode signal in the high frequency range and its practical application in automation and telecommunication devices [Text] / AS Budyakov, NN Prokopenko, SV Kryukov // Problems of modern analog microcircuitry: VII international scientific and practical seminar. In 2 hours,
4. Схемотехника СВЧ операционных усилителей для аналоговых интерфейсов с глубокой обратной связью [Текст] / А.С.Будяков, Н.Н.Прокопенко, К.Schmalz, С.Scheytt, P.Ostrovskyy // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2008. Сборник научных трудов III Всероссийской научно-технической конференции / под общ. ред. Академика РАН А.Л.Стемпковского. - М.: Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, 2008. - С.301-306, рис.6, рис.7.4. Circuit design of microwave operational amplifiers for analog interfaces with deep feedback [Text] / A.S. Budyakov, N.N. Prokopenko, K.Schmalz, C.Scheytt, P.Ostrovskyy // Problems of developing promising micro- and nanoelectronic systems - 2008. Collection of scientific papers of the III All-Russian scientific and technical conference / under the total. ed. Academician of the Russian Academy of Sciences A.L. Stempkovsky. - M .: Institute of Design Problems in Microelectronics RAS, 2008. - P.301-306, Fig. 6, Fig. 7.
5. Патент США №4.007.427.5. US patent No. 4.007.427.
6. Патент США №4.101.842, fig.1.6. US patent No. 4.101.842, fig.1.
7. Патент SU 414704.7. Patent SU 414704.
8. Патент США 5.610.547, fig.33.8. U.S. Patent 5,610,547, fig. 33.
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010146242/08A RU2436226C1 (en) | 2010-11-12 | 2010-11-12 | Differential operational amplifier with paraphase output |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010146242/08A RU2436226C1 (en) | 2010-11-12 | 2010-11-12 | Differential operational amplifier with paraphase output |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2436226C1 true RU2436226C1 (en) | 2011-12-10 |
Family
ID=45405769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010146242/08A RU2436226C1 (en) | 2010-11-12 | 2010-11-12 | Differential operational amplifier with paraphase output |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2436226C1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2724921C1 (en) * | 2020-02-06 | 2020-06-26 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Operational amplifier with a paraphase output for active rc-filters operating under conditions of neutron flux and low temperatures |
-
2010
- 2010-11-12 RU RU2010146242/08A patent/RU2436226C1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2724921C1 (en) * | 2020-02-06 | 2020-06-26 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Operational amplifier with a paraphase output for active rc-filters operating under conditions of neutron flux and low temperatures |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2419197C1 (en) | Differential amplifier with increased amplification factor as to voltage | |
RU2364020C1 (en) | Differential amplifier with negative in-phase signal feedback | |
RU2346382C1 (en) | Differential amplifier with paraphase output | |
RU2421887C1 (en) | Differential amplifier with paraphase output | |
RU2436226C1 (en) | Differential operational amplifier with paraphase output | |
RU2390916C1 (en) | Precision operational amplifier | |
RU2413355C1 (en) | Differential amplifier with paraphase output | |
RU2346388C1 (en) | Differential amplifier | |
RU2439778C1 (en) | Differential operational amplifier with paraphase output | |
RU2475941C1 (en) | Differential amplifier with complementary input cascade | |
RU2441316C1 (en) | Differential amplifier with low supply voltage | |
RU2432667C1 (en) | Differential operational amplifier with low supply voltage | |
RU2615066C1 (en) | Operational amplifier | |
RU2452077C1 (en) | Operational amplifier with paraphase output | |
RU2432666C1 (en) | Differential operational amplifier with low supply voltage | |
RU2446555C2 (en) | Differential operational amplifier | |
RU2402150C1 (en) | Current mirror with load circuit in form of cascade at transistor with common emitter | |
RU2439780C1 (en) | Cascode differential amplifier | |
RU2321158C1 (en) | Cascode differential amplifier | |
RU2421893C1 (en) | Cascode differential amplifier | |
RU2319291C1 (en) | Cascade differential amplifier | |
RU2383099C2 (en) | Differential amplifier with low-resistance inputs | |
RU2435293C1 (en) | Differential operational amplifier with paraphase output | |
RU2595926C1 (en) | Bipolar-field operational amplifier | |
RU2439779C1 (en) | Complementary cascode differential amplifier with paraphase output |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20121113 |