RU2316613C1 - Способ получения пленок оксида цинка - Google Patents
Способ получения пленок оксида цинка Download PDFInfo
- Publication number
- RU2316613C1 RU2316613C1 RU2006113291/02A RU2006113291A RU2316613C1 RU 2316613 C1 RU2316613 C1 RU 2316613C1 RU 2006113291/02 A RU2006113291/02 A RU 2006113291/02A RU 2006113291 A RU2006113291 A RU 2006113291A RU 2316613 C1 RU2316613 C1 RU 2316613C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- zinc oxide
- films
- magnetron sputtering
- film
- Prior art date
Links
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 54
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 title claims description 27
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 7
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 25
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N [O].[Ar] Chemical compound [O].[Ar] VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 44
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 18
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000036284 oxygen consumption Effects 0.000 description 2
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000809 Alumel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000441 X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000005328 architectural glass Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 229910001179 chromel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000016709 nutrition Nutrition 0.000 description 1
- 230000035764 nutrition Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000036470 plasma concentration Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области получения тонкопленочных покрытий, в частности к вакуумному нанесению прозрачных низкоэмиссионных покрытий методом реактивного магнетронного распыления. Техническим результататом является увеличение однородности параметров пленки оксида цинка, допированного алюминием, полученных при температурах подложки не выше 150°С. Данный результат достигается тем, что магнетронное распыление ведут при подаче на мишень импульсного биполярного напряжения. 1 ил.
Description
Изобретение относится к области получения тонкопленочных покрытий, в частности, к вакуумному нанесению прозрачных низкоэмиссионных покрытий методом реактивного магнетронного распыления. В настоящее время пленки допированного алюминием оксида цинка находят свое применение в производстве дисплеев, изготовлении электродов солнечных элементов, прозрачных нагревательных элементов и т.п. Высокая прозрачность в видимом диапазоне и высокое отражение в ИК-диапазоне делает возможным их использование для производства низкоэмиссионного стекла [1].
Одним из перспективных методов нанесения пленок допированного алюминием оксида цинка на подложки большой площади является метод магнетронного распыления, поскольку он позволяет контролируемым образом изменять условия осаждения, определяющие электрофизические и структурные свойства наносимого покрытия. Напыление пленки допированного алюминием оксида цинка может производиться из керамических мишеней (ZnO:Al, ZnO:Al2O3) методом высокочастного (ВЧ) магнетронного распыления в среде аргона, а также с использованием металлических сплавных мишеней (Zn:Al) методом реактивного магнетронного распыления в кислородсодержащей атмосфере. Для коммерческих применений предпочтительным является метод реактивного магнетронного распыления, позволяющий производить напыление на подложки большой площади с высокой скоростью роста покрытия. Важными преимуществами этого метода являются также меньшая стоимость мишеней и источников питания магнетрона в сравнении с ВЧ-распылением. Для обеспечения высокого (>80%) отражения в инфракрасном диапазоне покрытие должно обладать низким удельным сопротивлением.
Известны способы получения пленок допированного алюминием оксида цинка методом магнетронного распыления. В работе [2] приведено сравнение электрических параметров пленок допированного алюминием оксида цинка, полученных магнетронным методом с использованием постоянного, переменного и ВЧ-питания. При напылении пленок допированного алюминием оксида цинка с использованием металлической мишени температура подложки составляла 300°С. Высокие температуры подложки (200-300 С°) необходимы для улучшения однородности распределения параметров покрытия на ее поверхности. Причиной неоднородного распределения электрофизических параметров покрытия является усиленная бомбардировка областей подложки, находящихся напротив зоны эрозии мишени, энергетичными атомами и отрицательными ионами кислорода. Поступление избыточного количества атомов и ионов кислорода в эти области подложки приводит к увеличению удельного сопротивления пленки за счет уменьшения подвижности и концентрации носителей заряда [3, 4]. С повышением температуры подложки увеличивается подвижность атомов распыляемого материала по поверхности, улучшается кристалличность растущей пленки, усиливается десорбция кислорода с границ зерен. Указанные процессы улучшают однородность распределения удельного сопротивления.
Однако необходимость использования высоких температур подложек в процессе нанесения пленок ограничивает область их возможного применения. Например, напыление проводящего покрытия на полимерные подложки возможно при температурах, не превышающих температуру размягчения материала [5, 6]. При нанесении пленок оксида цинка на архитектурное стекло уменьшение температуры подложки позволит существенно упростить технологию нанесения. Для снижения температуры подложек в процессе нанесения покрытия необходимо решить задачу минимизирования влияния зоны эрозии и связанной с ней бомбардировки покрытия.
Наиболее близкое техническое решение к заявляемому описано в работе [7], где для получения пленок допированного алюминием оксида цинка использовалась двойная магнетронная распылительная система (Leybold TwinMag®). На расположенные параллельно на расстоянии 7 см друг от друга магнетроны подавалось напряжение с частотой 40 кГц. Температура подложек в процессе напыления покрытия составляла 200°С. Авторы не отмечают заметного влияния зоны эрозии мишени на структуру и свойства пленок. Структурные, электрофизические и оптические свойства пленок, наносимых на подвижную подложку, были сравнимы с параметрами пленок, полученных в центральной зоне неподвижной подложки. Однако применение данного метода требует дополнительной магнетронной распылительной системы. Кроме того, температура подложек 200°С также является достаточно высокой и не позволяет наносить покрытия на полимерные материалы.
С помощью заявляемого изобретения решается задача улучшения электрофизических характеристик пленок оксида цинка, допированного алюминием, и увеличения однородности распределения электрофизических параметров покрытия на подложке при снижении температуры подложки до 150°С. Такая температура является приемлемой для нанесения пленок оксида цинка, допированного алюминием, на полимерные подложки.
Поставленная задача решается тем, что в известном способе получения пленок оксида цинка, включающем реактивное магнетронное распыление металлической цинковой мишени, допированной алюминием, и осаждение пленки на нагретую подложку в аргонокислородной среде, согласно изобретению, магнетронное распыление ведут при подаче на мишень импульсного биполярного напряжения.
Целесообразно проводить процесс напыления покрытия при нагревании подложки не выше 150°С.
Кроме того, амплитуда импульса положительного напряжения составляет (20%-30%) от амплитуды импульса рабочего отрицательного напряжения.
В технике известно применение биполярного импульсного питания магнетронных распылительных систем для борьбы с дугообразованием, а также для решения проблемы «исчезающего анода» [8]. Новым, не обнаруженным при анализе научно-технической и патентной литературы является использование данного способа питания для улучшения однородности распределения электрофизических параметров пленок допированного алюминием оксида цинка.
Улучшение однородности и структуры покрытия в случае биполярного импульсного питания магнетронной распылительной системы связано с энергетическим воздействием на растущую пленку. Модуляция рабочего напряжения ведет к изменению параметров плазмы магнетронного разряда. В [9] отмечается, что импульсное биполярное импульсное питание увеличивает концентрацию плазмы и температуру электронов в области подложки. При этом возрастает поток энергетических частиц на подложку. Это создает условия для получения качественных проводящих пленок оксида цинка, допированного алюминием, при низких температурах подложки. Другим фактором, влияющим на улучшение качества покрытия, является то, что применение биполярного питания позволяет получать прозрачные проводящие покрытия при меньших парциальных давлениях кислорода, что также приводит к уменьшению потока отрицательных ионов кислорода на подложку.
Способ формирования пленки оксида цинка осуществлялся следующим образом. Подготовленные подложки из полиэтилентерефталатной пленки закреплялись на стеклянном подложкодержателе и помещались в вакуумную камеру. После чего камера откачивалась турбомолекулярным насосом до остаточного давления 8·10-3 Па. Нихромовым нагревателем, расположенным за подложкодержателем, производился нагрев подложек до температуры 80-110°С. Температура в процессе нагрева контролировалась термопарой хромель - алюмель с точностью ±5°С. Необходимое количество аргона и кислорода поддерживалось электронными регуляторами расхода газа РРГ-9. Рабочие газы предварительно смешивались, а затем смесь подавалась в камеру вдоль распыляемой части мишени. Рабочее давление составляло 0,25-0,3 Па. При подаче на катод-мишень биполярного импульса напряжения от источника питания загорался магнетронный разряд и происходило распыление мишени и осаждение пленки оксида цинка. Материалом катода магнетронной распылительной системы являлся цинк с добавлением 2 вес.% алюминия.
Для реализации процесса нанесения пленок оксида цинка допированного алюминием методом биполярного импульсного магнетронного распыления использовались источники питания со следующими характеристиками. Частота повторения импульсов от 10 до 50 кГц, предпочтительно от 25 до 40 кГц. Длительность импульса отрицательной полярности от 50 до 90% от длительности периода, предпочтительно от 70 до 80% от длительности периода. Амплитуда импульса положительного напряжения от 10 до 50% от амплитуды импульса отрицательного напряжения, предпочтительно от 20 до 30%.
Данное техническое решение можно использовать для низкотемпературного нанесения проводящего прозрачного покрытия на основе оксида цинка, допированного алюминием, на подложки большой площади, перемещающиеся относительно манетронной распылительной системы.
Эффективность предложенного способа была продемонстрирована сравнительными экспериментами. Образцы оксида цинка наносились при следующих рабочих параметрах:
Эксперимент 1
Нанесение пленок допированного алюминием оксида цинка методом реактивного магнетронного распыления на постоянном токе.
| Рабочее давление | 0,25 Па |
| Расход кислорода | 35 см3/мин |
| Расход аргона | 120 см3/мин |
| Расстояние мишень - подложка | 5 см |
| Температура подложки | 110°С |
| Напряжение на магнетроне | 420 В |
| Мощность разряда | 750 Вт |
| Материал подложки | - полиэтилентерефталат. |
Эксперимент 2
Нанесение пленок допированного алюминием оксида цинка методом биполярного импульсного магнетронного распыления.
| Рабочее давление | 0,25 Па |
| Расход кислорода | 25 см3 /мин |
| Расход аргона | 120 см3/мин |
| Расстояние мишень - подложка | 5 см |
| Температура подложки | 110°С. |
| Амплитуда напряжения отрицательной полярности | 420 В |
| Длительность импульса отрицательной полярности | 30 мкс |
| Амплитуда напряжения положительной полярности | 80 В |
| Длительность импульса положительной полярности | 10 мкс |
| Частота повторения импульсов | 25 кГц |
| Мощность разряда | - 750 Вт |
| Материал подложки | - полиэтилентерефталат |
На чертеже представлены результаты измерений распределения удельного сопротивления (ρ) и коэффициента отражения в ИК-диапазоне (λ=9,8 мкм) (R) пленок оксида цинка, допированного алюминием, в различных точках подложки. Осаждение пленок осуществлялось на неподвижную подложку. Пунктирные линии соответствуют случаю пленок, полученных методом магнетронного распыления на постоянном токе, сплошные линии - методом биполярного импульсного магнетронного распыления. Положение 0 соответствует оси симметрии магнетрона, положения +3 и -3 см соответствуют проекциям зон эрозии мишени на подложку.
Из графиков следует, что значения удельного сопротивления и коэффициента отражения пленки оксида цинка, допированного алюминием, в центральной и периферийных частях подложки примерно одинаковы для обоих методов нанесения. Но в области проекции зоны эрозии мишени характеристики пленки, полученной магнетронным распылением на постоянном токе (сплошные линии), существенно хуже, чем в центральной и периферийной областях. Удельное сопротивление пленок в этих областях увеличивается примерно в 4 раза (от 1·10-3 Ом·см до 4·10-3 Ом·см), а коэффициент отражения в ИК-диапазоне уменьшается на 40% (от 80% до 40%). В пленках, полученных методом биполярного импульсного магнетронного распыления, характеристики пленки в области проекции зоны распыления влияния зон эрозии практически не отличаются от характеристик пленки в центральной и периферийной областях подложки. Таким образом, пленки, полученные методом биполярного импульсного магнетронного распыления, имеют одинаковые характеристики на всей поверхности подложки, включая область проекции зоны распыления мишени.
Структурные исследования полученных образцов атомно-силовым микроскопом и методом рентгеновской спектроскопии также показали улучшение однородности пленок допированного алюминием оксида цинка, полученных методом биполярного импульсного магнетронного распыления. Такие пленки обладали меньшим уровнем остаточных внутренних напряжений и значительно меньшей шероховатостью, чем пленки, полученные магнетронным распылением на постоянном токе.
Таким образом, технический результат - увеличение однородности параметров пленок допированного алюминием оксида цинка при низких температурах подложки - достигается.
Источники информации
1. Hong R.J., Jiang X., Szyszka В., et. al. Studies on ZnO:Al thin films deposited by in-line reactive mid-frequency magnetron sputtering. Applied Surface Science, 2003, v.207, p.341-350.
2. Ellmer K. Magnetron sputtering of transparent conductive zinc oxide: relation between the sputtering parameters and the electronic properties. J. Phys. D: Appl. Phys., 2000, v.33, R17-R32.
3. Tominaga K., Yuasa Т., Kume M. and Tada О. Influence of Energetic Oxygen Bombardment on Conductive ZnO Films. Jpn. J. Appl. Phys., 1985. v.24, p.944-949.
4. Minami Т., Miyata Т., Yamamoto Т., Toda H., Origin of electrical distribution on the surface of ZnO:Al films prepared by magnetron sputtering. J. Vac. Sci. Technol, 2000, A18, p.1584.
5. Zhang D.H., Yang T.L., Ma J., et. al. Preparation of transparent conducting ZnO:Al films on polymer substrates by r.f. magnetron sputtering. Applied Surface Science, 2000, v.158, p.43-48.
6. Chen M., Pei Z.L., Wang X., et. al. Properties of ZnO:Al films on polyester produced by dc magnetron reactive sputtering. Materials Letters, 2001, v.48, p.137-143.
7. Hong R.J., Jiang X., Szyszka В., et. al. Comparison of the ZnO:Al films deposited in static and dynamic modes by reactive mid-frequency magnetron sputtering. Journal of Crystal Growth, 2003, v.253, p.117-128.
8. Brauer G., Sczyrbowski J., Teshner G. New approaches for reactive sputtering of dielectric materials on large scale substrates. Journal of Non-Crystalline Solids, 1997, v.218, p.19-24.
9. Bradley J.W., Karkari S.K., and Vetushka A.A study of the transient plasma potential in a pulsed bi-polar dc magnetron discharge. Plasma Sources Sci. Technol., 2004, v.13, p.189-198.
Claims (1)
- Способ получения пленок оксида цинка, включающий реактивное магнетронное распыление металлической цинковой мишени, легированной алюминием и осаждение пленки на нагретую подложку в аргонокислородной среде, отличающийся тем, что подложку нагревают до температуры, не превышающей 150°С, а магнетронное распыление ведут при подаче на мишень импульсного биполярного напряжения с амплитудой импульса положительного напряжения, составляющей 20-30% от амплитуды импульса рабочего отрицательного напряжения.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006113291/02A RU2316613C1 (ru) | 2006-04-19 | 2006-04-19 | Способ получения пленок оксида цинка |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006113291/02A RU2316613C1 (ru) | 2006-04-19 | 2006-04-19 | Способ получения пленок оксида цинка |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2316613C1 true RU2316613C1 (ru) | 2008-02-10 |
Family
ID=39266260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006113291/02A RU2316613C1 (ru) | 2006-04-19 | 2006-04-19 | Способ получения пленок оксида цинка |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2316613C1 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2531021C2 (ru) * | 2013-03-05 | 2014-10-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской Академии наук" | Способ формирования слоев на основе оксида цинка |
| RU2637455C1 (ru) * | 2016-10-10 | 2017-12-04 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" | Способ импульсно-периодического плазменного формирования покрытия с диффузионным слоем карбида молибдена на изделии из молибдена |
| RU2661160C1 (ru) * | 2017-08-04 | 2018-07-12 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН) | Способ получения тонких магнитных наногранулированных пленок |
-
2006
- 2006-04-19 RU RU2006113291/02A patent/RU2316613C1/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Hong R.J., Jiang X., Szyszka В., et. al. Comparison of the ZnO:Al films deposited in static and dynamic modes by reactive mid-frequency magnetron sputtering. Journal of Crystal Growth, 2003, v.253, p.117-128. * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2531021C2 (ru) * | 2013-03-05 | 2014-10-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской Академии наук" | Способ формирования слоев на основе оксида цинка |
| RU2637455C1 (ru) * | 2016-10-10 | 2017-12-04 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" | Способ импульсно-периодического плазменного формирования покрытия с диффузионным слоем карбида молибдена на изделии из молибдена |
| RU2661160C1 (ru) * | 2017-08-04 | 2018-07-12 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН) | Способ получения тонких магнитных наногранулированных пленок |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20080237034A1 (en) | Processes for forming transparent conductive films | |
| Sønderby et al. | Industrial-scale high power impulse magnetron sputtering of yttria-stabilized zirconia on porous NiO/YSZ fuel cell anodes | |
| CN108707863B (zh) | 一种阻性类金刚石碳基薄膜材料的制备方法 | |
| CN102409293A (zh) | 一种氧化铝薄膜的制备方法 | |
| CN106756792A (zh) | 一种氧化物透明电极薄膜的制备方法 | |
| Carreri et al. | HIPIMS ITO films from a rotating cylindrical cathode | |
| JP4240471B2 (ja) | 透明導電膜の成膜方法 | |
| RU2316613C1 (ru) | Способ получения пленок оксида цинка | |
| Sidelev et al. | Aluminum films deposition by magnetron sputtering systems: Influence of target state and pulsing unit | |
| Mian et al. | Improvement of the uniformity of structural and electrical properties of transparent conductive Al-doped ZnO thin films by inductively coupled plasma-assisted radio frequency magnetron sputtering | |
| Wang et al. | Improved properties of Ti-doped ZnO thin films by hydrogen plasma treatment | |
| JPH02232358A (ja) | 低抵抗透明導電膜の製造方法 | |
| JPH09508942A (ja) | プラズマ活性化蒸着のための方法及び装置 | |
| EP1239056A1 (en) | Improvement of a method and apparatus for thin film deposition, especially in reactive conditions | |
| Cheng et al. | Deposition of MgO films by pulsed mid-frequency magnetron sputtering | |
| US20140255286A1 (en) | Method for manufacturing cubic boron nitride thin film with reduced compressive residual stress and cubic boron nitride thin film manufactured using the same | |
| CN100395371C (zh) | 微波等离子体增强弧辉渗镀涂层的装置及工艺 | |
| CN116288201A (zh) | 一种铁碳合金靶材及其薄膜制备方法 | |
| Futagami et al. | Characterization of RF-enhanced DC sputtering to deposit tin-doped indium oxide thin films | |
| RU2451768C2 (ru) | Способ получения прозрачных проводящих покрытий | |
| RU172351U1 (ru) | Устройство для электронно-лучевого осаждения оксидных покрытий | |
| Bandorf et al. | Properties of Nichrome sputtered by HIPIMS in unipolar and DC-superimposed Mode | |
| CN111139439A (zh) | 一种在大面积衬底上磁控溅射制备薄膜的方法 | |
| Walkowicz et al. | Oxygen activation effect on reactive magnetron synthesis of alumina coatings | |
| US20110168547A1 (en) | Method for producing a transparent and conductive metal oxide layer by highly ionized pulsed magnetron sputtering |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB4A | Licence on use of patent |
Effective date: 20090520 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140420 |