[go: up one dir, main page]

RU2300835C2 - Инжекционный лазер - Google Patents

Инжекционный лазер Download PDF

Info

Publication number
RU2300835C2
RU2300835C2 RU2005124940/28A RU2005124940A RU2300835C2 RU 2300835 C2 RU2300835 C2 RU 2300835C2 RU 2005124940/28 A RU2005124940/28 A RU 2005124940/28A RU 2005124940 A RU2005124940 A RU 2005124940A RU 2300835 C2 RU2300835 C2 RU 2300835C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
radiation
output
heterostructure
amplification
layer
Prior art date
Application number
RU2005124940/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Василий Иванович Швейкин (RU)
Василий Иванович Швейкин
Original Assignee
Василий Иванович Швейкин
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to RU2005124940/28A priority Critical patent/RU2300835C2/ru
Application filed by Василий Иванович Швейкин filed Critical Василий Иванович Швейкин
Priority to CN200680027590A priority patent/CN100585969C/zh
Priority to PCT/RU2006/000362 priority patent/WO2007018451A1/ru
Priority to CA2617912A priority patent/CA2617912C/en
Priority to JP2008524927A priority patent/JP2009503887A/ja
Priority to EP06769576A priority patent/EP1923972A4/en
Priority to KR1020087004504A priority patent/KR101112682B1/ko
Priority to US11/997,877 priority patent/US7787508B2/en
Priority to TW096103641A priority patent/TWI328909B/zh
Application granted granted Critical
Publication of RU2300835C2 publication Critical patent/RU2300835C2/ru
Priority to IL189022A priority patent/IL189022A0/en
Priority to HK09100813.6A priority patent/HK1123636A1/xx

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/185Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1028Coupling to elements in the cavity, e.g. coupling to waveguides adjacent the active region, e.g. forward coupled [DFC] structures
    • H01S5/1032Coupling to elements comprising an optical axis that is not aligned with the optical axis of the active region
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1039Details on the cavity length
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/185Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
    • H01S5/187Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL] using Bragg reflection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2205Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
    • H01S5/2211Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on II-VI materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42Arrays of surface emitting lasers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, к мощным и компактным полупроводниковым лазерам. Лазер включает лазерную гетероструктуру. Гетероструктура содержит активный слой, волноводные и ограничительные слои, торцевые грани, продольную ось усиления, оптический резонатор. В гетероструктуре сформирована последовательность из чередующихся области усиления излучения и областей вывода излучения. В области вывода выполнен полупроводниковый слой втекания излучения. В области вывода состав и толщина ограничительного слоя гетероструктуры выбраны такими, при которых реализовано частичное ограничение излучения в гетероструктуре. Каждая из областей вывода с противоположных сторон ограничена выводными гранями. Технический результат - возможность получения больших мощностей лазерного излучения, повышение надежности работы лазера, снижение оптических потерь излучения, увеличение эффективности, снижение на выходных гранях плотности лазерного излучения с контролируемой направленностью и расходимостью, упрощение технологического процесса изготовления лазера. 14 з.п. ф-лы, 11 ил.

Description

Область техники
Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к эффективным, мощным и компактным полупроводниковым инжекционным лазерам (диодным лазерам) в широком диапазоне длин волн.
Предшествующий уровень техники
Известны различнные типы инжекционных лазеров: инжекционные лазеры с полосковой активной областью генерации и выводом излучения через торцевое зеркало оптического резонатора [S.S. Ou et al., Electronics Letters (1992), v.28, №25, pp.2345-2346], поверхностно-излучающие инжекционные лазеры с вертикальным резонатором [A. Krigge et al., Electronics Letters, 2001, vol.37, №20, pp.1222-1225], инжекционные лазеры с вытекающим излучением в оптическом резонаторе [Швейкин В.И., Patent US № 6748002 В2, Jun.8, 2004].
Наиболее близким по технической сущности и решаемой технической задачи является описанный в [Швейкин В.И., Патент RU 2109382 С1, Бюл. №11, 20.04.98] инжекционный с поверхностным излучением лазер-прототип, включающий помещенную на подложке многослойную гетероструктуру с активным слоем, в котором выполнена полосковая активная область генерации, оптический резонатор, отражатели, омические контакты, средство вывода излучения с покрытиями, средство подавления бокового суперлюминесцентного излучения. Причем в полосковой активной области сформированы по крайней мере две ячейки генерации, составляющие по крайней мере одну линейку генерации лазерного излучения, ячейки ограничены по крайней мере с одной стороны средством вывода излучения, выполненным в виде дополнительно введенных выемки с двумя отражателями и областью, прозрачной для выводимого излучения. Выемка расположена со стороны поверхности гетероструктуры, отражатели помещены на наклонных поверхностях выемки, при этом введен угол ψ, образованный направлением ребра отражателя выемки на поверхности гетероструктуры с направлением боковых сторон полосковой области генерации, выбираемой в диапазоне (π/2)-arcsin(1/n)<ψ<(π/2)+arcsin(1/n), где n - показатель преломления области, прозрачной для выводимого излучения. Кроме того, по крайней мере для одного отражателя выемки введен угол β, образованный нормалью, мысленно проведенной в плоскости активного слоя к линии пересечения его плоскости с плоскостью указанного отражателя выемки с нормалью к поверхности указанного отражателя выемки, выбираемый в диапазоне (1/2)arcsin(1/n)<β<(π/2)-(1/2)arcsin(1/n), дно выемки по отношению к поверхности гетероструктуры помещено на расстоянии, задаваемом потоком энергии Рвх усиленного излучения, распространяемого при работе устройства, который определен в сечении гетероструктуры, нормальном к ее слоям, в начале ячейки генерации, а также задаваемым полным усилением в указанной ячейке, зависящим от заданного тока накачки, длины указанной ячейки и от конструкции гетероструктуры. При этом поток энергии Рвх выбран в диапазоне 0.99-0,001 от значения полного потока энергии усиленного излучения в конце предшествующей области генерации, а полное усиление в указанной ячейке выбрано обратно пропорциональным потоку энергии Рвх. Далее в область, прозрачную для выводимого излучения и расположенную по ходу распространения во время работы устройства, отраженного от отражателя выемки излучения, введена поверхность вывода излучения, по крайней мере одной стороной примыкающая к внешней выводной поверхности.
Основным достоинством инжеционного лазера-прототипа является возможное увеличение выходной мощности излучения, обусловленное многократным увеличением его длины. В то же время имеются технологические сложности в точности и воспроизводимости изготовления средств вывода излучения, выполняемых в виде узких выемок в гетероструктуре, расположенных в непосредственной близости к ативному слою. Это может приводить к большой дифракционной расходимости излучения на ячейках вывода и соответственно увеличивать оптические потери при выводе излучения и уменьшать эффективность, а также создавать трудности в обеспечении необходимого ресурса работы и надежности. Определенные ограничения имеются также в том, что вывод излучения осуществляется только через подложку, которая должна быть прозрачной для лазерного излучения.
Раскрытие изобретения
В основу изобретения поставлена задача создания нового типа сверхмощного инжекционного лазера (далее Лазер) с поверхностным выводом излучения из активного слоя в виде множества выходных лазерных лучей, функционирующего в известном широком диапазоне излучающих длин волн, основанном на оригинальном, эффективном и неочевидном способе вывода вытекающего излучения. Поставленная задача включает возможность получения сверхбольших мощностей лазерного излучения одновременно с высокой надежности его работы, а также снижение оптических потерь излучения и их независимости от длины Лазера, увеличение эффективности, очень значительное снижение на выходных гранях плотности лазерного излучения (на два-три порядка) с контролируемой направленностью и расходимостью при существенном упрощении технологического процесса изготовления Лазера.
В соответствии с изобретением поставленная техническая задача решается тем, что предложен инжекционный лазер, включающий лазерную гетероструктуру, содержащую активный слой, волноводные и ограничительные слои, состоящие по крайней мере из одного подслоя, а также торцевые грани, продольная ось усиления, оптический резонатор, слои металлизации, состоящие по крайней мере из одного подслоя, причем в гетероструктуре вдоль выбранной продольной оси усиления сформирована по крайней мере одна последовательность из чередующихся области усиления излучения, состоящей по крайней мере из одной подобласти, и области вывода излучения, состоящей по крайней мере из одной подобласти, для краткости именуемая далее в совокупности с торцевыми гранями функциональной линейкой. В области вывода дополнительно к слоям гетероструктуры введен, состоящий по крайней мере из одного подслоя полупроводниковый слой втекания излучения, возвышающийся над областью усиления, при этом в области вывода состав и толщина ограничительного слоя гетероструктуры, пограничного со слоем втекания, выбраны такими, при которых реализовано частичное ограничение излучения в гетероструктуре. Вдоль продольной оси усиления каждая из областей вывода с противоположных сторон ограничена выводными гранями, сформированными по отношению к наружной поверхности области усиления под определенными линейными углами наклона, соответственно α1 и α2, и отношение показателя преломления nвт слоя втекания к эффективному показателю преломления nэф гетероструктуры с включенным в нее слоем втекания определено числом большим единицы.
Существенное отличие предложенных многолучевых инжекционных лазеров с поверхностным выводом излучения состоит в новом, неочевидном и эффективном подходе к решению поставленной задачи. Впервые выход лазерного излучения, распространяющегося в оптическом волноводе вдоль продольной оси усиления реализован через наружную поверхность Лазера с помощью дискретно распределенных внутри лазерной гетероструктуры оригинальных по составу, конструкции и размерам областей вывода излучения. При этом состав, конструкция и размеры областей вывода и их выводных граней таковы, что выход излучения реализуется в виде вытекающего излучения. Предложенные Лазеры характеризуются высокой эффективностью, возрастающей с увеличением его длины, в отличие от современных инжекционных лазеров они характеризуются существенно более низкой (на два-три порядка) плотностью лазерного излучения на его выводных гранях, контролируемой направленностью и расходимостью лазерного излучения, низкими оптическими потерями излучения, сниженной пороговой плотностью тока, а также сниженными омическими и тепловыми сопротивлениями. Это определяет возможность получения высокой надежности работы Лазера при сверхбольших мощностях лазерного излучения, а также существенное упрощение технологического процесса изготовления Лазера.
Поставленная техническая задача решается также тем, что в области усиления со стороны вывода излучения состав и толщину ограничительного слоя гетероструктуры выбирают такими, при которых реализовано частичное ограничение излучения в гетероструктуре. При этом со стороны вывода излучения на наружную поверхность гетероструктуры в области усиления присоединяют подслой металлизации с высоким коэффициентом отражения излучения. Этим достигается увеличение мощности излучения и упрощение технологии изготовления.
Поставленная техническая задача решается также тем, что на обе торцевые грани формируют отражатели оптического резонатора с коэффициентами отражения, близкими к единице. Этим достигается снижение пороговой плотности тока.
Поставленная техническая задача решается также тем, что дополнительно введен отражатель, примыкающий к одной из торцевых граней с размерами, позволяющими отразить все лазерные лучи, направленные в его сторону. Этим достигается однонаправленность лазерного излучения с малым углом расходимости.
Поставленная техническая задача решается также тем, что каждая область усиления разделена на ряд параллельно расположенных продольных полосковых подобластей усиления одинаковой длины, пространство между которыми заполняют веществом с показателем преломления, меньшим по отношению к эффективному показателю преломления гетероструктуры в области усиления. Это дает возможность получения одномодового лазерного излучения высокой мощности.
Поставленная техническая задача решается также тем, что в середине, каждой из областей вывода, вдоль всей ее длины сформированы полосковой формы дополнительные области усиления полностью идентичными областям усиления с соответствующими слоями металлизации, ширина которых много меньше ширины областей вывода. Это приводит к снижению порогового тока Лазера и увеличению мощности излучения.
Поставленная техническая задача решается также тем, что в области усиления со стороны, противоположной стороне вывода излучения, состав и толщину ограничительного слоя гетероструктуры выбирают такими, при которых реализовано частичное ограничение излучения в гетероструктуре. При этом после удаления подложки на гетероструктуру со стороны, противоположной стороне вывода излучения, наносят подслой металлизации с высоким коэффициентом отражения излучения. Это дает возможность уменьшить тепловое сопротивление Лазера, улучшить его температурные характеристики и, как следствие этого, увеличить мощность лазерного излучения и ресурс работы.
Поставленная техническая задача решается также тем, что к наружной поверхности слоя втекания области вывода присоединены соответствующие слои металлизации. Это увеличивает эффективность и снижает пороговый ток Лазера.
Поставленная техническая задача решается также тем, что в функциональной линейке к совокупности областей вывода излучения и к совокупности областей усиления формируют автономные расширенные омические контакты (слои металлизации). Это дает возможность провести оптимизацию размеров областей усиления и областей вывода и увеличить эффективность и мощность излучения Лазера.
Поставленная техническая задача решается также предложенными вариантами исполнения области вывода Лазера.
Для упрощения технологии изготовления Лазера линейные углы наклонов выводных граней α1 и α2 выполнены с одинаковыми по абсолютной величине значениями, равными π/2. При этом толщина слоя втекания в области вывода выбрана по крайней мере не менее чем одна длина области вывода, умноженная на тангенс угла вытекания φ, где угол φ равен арккосинусу отношения nэф к nвт.
В следующих трех вариантах углы α1 и α2 наклонов выводных граней выбраны с одинаковыми по абсолютной величине значениями, равными (π/2)+(φ), а также (π/4)+(φ/2) и (3π/4)-(φ/2).
Поставленная техническая задача решается также тем, что Лазер выполнен по крайней мере с двумя функциональными линейками, соединенными по току параллельно. Этим достигается увеличение мощности излучения Лазера примерно в число раз, равное числу параллельно соединенных функциональных линеек.
Поставленная техническая задача решается также тем, что Лазер выполнен по крайней мере с двумя функциональными линейками, соединенными по току последовательно. При одном и том же токе этим достигается увеличение мощности излучения Лазера примерно в число раз, равное числу последовательно соединенных функциональных линеек за счет соответствующего увеличения напряжения, приложенного к Лазеру.
Существом настоящего изобретения является создание в интегральном исполнении нового типа Лазера с поверхностным выводом излучения из активного слоя в виде множества лучей, основанном на предложенном оригинальном, эффективном и неочевидном способе вывода излучения, использующим свойства вытекающего излучения. Введенные в активную область, дискретно распределенные вдоль длины Излучателя (практически неограниченной), оригинальные и эффективные области вывода излучения обеспечивают сверхвысокую мощность излучения при высокой надежности их работы, а также снижение оптических потерь излучения и их независимость от длины Лазера, увеличение эффективности, очень значительное снижение плотности излучения (на два-три порядка) на выходных гранях, контролируемую направленность и расходимость лазерного излучения, сниженные омическими и тепловые сопротивления, а также существенное упрощение технологического процесса изготовления Лазера.
Краткое описание чертежей
Настоящее изобретение поясняется чертежами.
На Фиг.1 схематически изображено продольное сечение предлагаемого многолучевого Лазера с последовательностью чередующихся областей усиления и областей вывода излучения, выводные грани которых перпендикулярны к наружной поверхности области усиления.
На Фиг.2 схематически изображен вид сверху предложенного Лазера, продольное сечение которого схематически изображено на Фиг.1.
На Фиг.3 схематически изображено поперечное сечение в области усиления Лазера, продольное сечение которого схематически изображено на Фиг.1.
На Фиг.4 схематически изображен вид сверху предложенного Лазера, две области усиления в котором разделены на три параллельно расположенных подобластей усиления.
На Фиг.5 схематически со стороны вывода излучения изображен вид сверху предложенного Лазера, в котором введены дополнительные три узкие области усиления, соединяющие области усиления вдоль всей его длины.
На Фиг.6 схематически изображено продольное сечение предлагаемого Лазера, в котором к областям вывода присоединены слои металлизации, и со стороны, противоположной стороне вывода излучения, непосредственно к слоям гетероструктуры также присоединены слои металлизации и теплоотводящая пластина.
На Фиг.7 схематически изображен вид сверху предложенного Лазера, продольное сечение которого схематически изображено на Фиг.6.
На Фиг.8 схематически изображено поперечное сечение в области усиления Лазера с двухуровневыми слоями, металлизации для области усиления и области вывода, продольное сечение которого схематически изображено на Фиг.6.
На Фиг.9-11 схематически изображены (без слоев металлизации) продольные сечения предлагаемых Лазеров, выводные грани которых наклонены и образуют с наружной поверхностью областей усиления линейные углы наклона α1 и α2,
на Фиг.9 - равные (π/2)+(φ),
на Фиг.10 - равные (π/4)+(φ/2),
на Фиг.11 - равные (3π/4)-(φ/2).
Варианты осуществления изобретения
В дальнейшем изобретение поясняется конкретными вариантами его выполнения со ссылками на прилагаемые чертежи. Приведенные примеры модификаций Лазера не являются единственными и предполагают наличие других реализаций, в том числе в известных диапазонах длин волн, особенности которых отражены в совокупности признаков формулы изобретения.
Предложенный Лазер 1 (см. Фиг.1-3) содержит на подложке 2 из n-типа GaAs лазерную гетероструктуру на основе соединений InAIGaAs с активным InGaAs слоем 3, волноводными слоями 4, 5 и ограничительными слоями 6, 7 из AIGaAs, соответственно со стороны вывода излучения и противоположной ей стороны. Длина волны лазерного излучения выбрана равной 0,98 мкм. Функциональная линейка Лазера 1 выполнена полосковой и состоит из чередующихся вдоль продольной оптической оси областей усиления 8 и областей вывода 9, ширины которых, ограниченные боковыми ограничительными областями 10 из ZnSe, выполнены одинаковыми и равными 100 мкм. На торцевые грани 11 сформированы пленочные отражатели 12 оптического резонатора Фабри-Перо с коэффициентами отражения 99%. Со стороны вывода излучения толщина и состав ограничительного слоя 6 в области усиления 8 выбраны такими, при которых реализовано частичное ограничение излучения в гетероструктуре. На наружную поверхность областей усиления 8 присоединен подслой металлизации 13 из серебра с коэффициентом отражения излучения, равным 98%. Область вывода 9 содержит дополнительный полупроводниковый слой втекания 14 из GaAs, отличительной особенностью которого является то, что его показатель преломления nвт превышает эффективный показатель преломления nэф лазерной гетероструктуры с включенным в нее слоем втекания 14. Соединение по току всех областей усиления 8 осуществлено расширением слоев металлизации 13 не только к наружной поверхности областей усиления 8, но и к боковым ограничительным областям 10 (расширенный контакт областей усиления 8). Соответствующие омические слои металлизации 15 нанесены также на подложку 2. Выводные грани 16, ограничивающие вдоль продольной оси усиления область вывода 9, перпендикулярны к наружной поверхности области усиления 9, при этом углы α1 по абсолютной величине равны углам α2 и равны 90°. В этом случае области вывода 9, возвышающиеся над наружной поверхностью областей усиления 8, имеют форму прямоугольного параллепипеда. Длина Лазера 1 выбрана равной 20010 мкм. Длины областей усиления 8 и областей вывода 9 выбраны соответственно равными 90 мкм и 10 мкм. При этом количество сформированных в функциональной линейке областей 8 и областей вывода 9 соответственно равно 200 и 201. Выходное излучение Лазера 1 состоит из 400 лучей, половина из которых направлена в одном направлении вдоль продольной оси усиления, а другая половина - в обратном. Для данной модификации Лазера 1 соответствующим подбором составов и толщин слоев гетероструктуры и слоя втекания 14 угол вытекания φ получен равным 10°. При этом угол преломления β для выходных лучей равен 30°. Выбранная толщина 6,0 мкм областей вывода излучения 9 несколько превышает трехкратную величину произведения длины области вывода 9, умноженной на три тангенса угла вытекания φ. В этом случае расчетная доля вывода излучения при трехкратном падении лучей на выводную грань 16 составляет 98%. Дифракционная расходимость каждого луча примерно равна 9°. Расчетная мощность выходного излучения Ризл равна 100 Вт (на каждый выходящий луч приходится по 0,5 Вт). Средняя плотность излучения на выводной грани 16 при этом составляет всего 125 кВт/см2. Наклонная эффективность ηн равна 85%. Коэффициент полезного действия (КПД от розетки) равен 80%.
Следующая модификация Лазера 1 отличалась от предыдущей тем, что со стороны одной торцевой грани 11 присоединен введенный отражатель (не показан) с размерами, позволяющими отразить все лазерные лучи, направленные в его сторону. При этом суммарное лазерное излучение с низкой расходимостью формируется однонаправленным в сторону противоположного торца под углом β, равным 30° по отношению к продольной оси усиления.
Следующая модификация Лазера 1 (см. Фиг.4) отличалась от модификации, изображенной на Фиг.1-3 тем, что каждая область усиления 8 состояла из десяти параллельно расположенных полосковых подобластей усиления 17 шириной по 10 мкм и размещенных между ними боковых ограничительных областей 10 шириной по 5 мкм, заполненных на соответствующую оптимальную глубину распыленным диэлектриком ZnSe. Поверх полосковых подобластей 17 и боковых ограничительных областей 10 нанесены слои металлизации 13.
Следующая модификация (см. Фиг.5) отличалась от модификации Лазера 1, изображенного на Фиг.1-3, тем, что в середине каждой из областей вывода 9, вдоль всей ее длины сформированы полосковой формы дополнительные области усиления 18 с соответствующими подслоями металлизации 13, соединяющие по току области усиления 8 вдоль всей 20010 мкм длины Лазера 1. При этом ширина введенных дополнительных областей генерации равна 4 мкм.
Предложенный Лазер 1 (см. Фиг.6-8) отличался от модификации Лазера 1, изображенного на Фиг.1-3, тем, что со стороны, противоположной стороне вывода излучения удалена подложка 2 и толщина и состав ограничительного слоя 7 выбраны такими, при которых реализовано частичное ограничение излучения в гетероструктуре. При этом на наружную поверхность ограничительного слоя 7 присоединен соответствующий слой металлизации 19, включающий подслой серебра с коэффициентом отражения излучения, равным 98%. Этой же стороной Лазер 1 присоединяется к проводящей пластине 20 из CuW, вместе с которой устанавливается на медное теплоотводящее основание (не показанное). Кроме того, к слою втекания 14 областей вывода 9 присоединены соответствующие слои металлизации 21. Соединение по току всех областей вывода 9 осуществлено расширением слоев металлизации 21 (по уровню слоев втекания 14) на одну из боковых сторон Лазера 1 (расширенный автономный контакт областей вывода 9).
Предложенный Лазер 1 (см. Фиг.9) отличался от модификации Лазера 1, изображенного на Фиг.1-3, тем, что выводные грани 16, ограничивающие области вывода 9 вдоль продольной оси усиления, выполнены наклонными к наружной поверхности области усиления 8, при этом углы α1 по абсолютной величине равны углам α2 и имеют значения, равные 100°. В этом случае область вывода 9 в продольном сечении имеет форму трапеции. Для увеличения эффективности Лазера 1 на выводные грани 16 областей вывода 9 наносят просветляющие оптические покрытия (не показаны). Толщина слоя втекания 14 в области вывода 9 выбрана равной 2,0 мкм. Для этой модификации каждый лазерный луч падает под прямым углом на наклонную выводную грань 16 и напрямую выходит из Лазера 1.
Следующая модификация отличается от предыдущей тем, что на выводные грани 16, выходное излучение из которых направлено в одном выбранном (из двух) направлении, нанесены оптические покрытия (не показано) с коэффициентом отражения 99%.
Следующая модификация Лазера 1 (см. Фиг.10) отличалась от модификации Лазера 1, изображенного на Фиг.9, тем, что выводные грани 16 выполнены наклонными, при этом углы α1 по абсолютной величине равны углам α2 и имеют значения, равные 50°. В этом случае область вывода 9 в продольном сечении имеет форму перевернутой трапеции. Толщина областей вывода 9 равна 2,2 мкм. Для этой модификации выходное излучение испытывает полное внутреннее отражение от наклонных выводных граней 16, меняет направление и выводится по краям наружной поверхности слоев втекания 14 при прямом падении на них.
Следующая модификация Лазера 1 (см. Фиг.11) отличалась от предыдущей тем, что выводные грани 16, выполнены наклонными, при этом углы α1 по абсолютной величине равны углам α2 и имеют значения, равные 130°. В этом случае области вывода 9 в продольном сечении имеют форму трапеции, толщина областей вывода 9 выбрана равной 1,7 мкм. Для этой модификации вытекающее излучение испытывает полное внутреннее отражение от наклонных выводных граней 16, меняет направление и выводится через прозрачную для излучения подложку 2 при прямом падении на нее. На подложку в местах выхода излучения наносят просветляющие оптические покрытия.
Промышленная применимость
Инжекционные лазеры применяются для накачки твердотельных и волоконных лазеров и усилителей, при создании медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования, лазеров с удвоенной частотой генерируемого излучения, а также в качестве высокоэффективных мощных твердотельных источников излучения широкого применения в известном диапазоне длин волн, в том числе излучателей белого света для освещения.

Claims (15)

1. Инжекционный лазер, включающий лазерную гетероструктуру, содержащую активный слой, волноводные и ограничительные слои, состоящие, по крайней мере, из одного подслоя, а также торцевые грани, продольную ось усиления, оптический резонатор, слои металлизации, состоящие, по крайней мере, из одного подслоя, отличающийся тем, что в гетероструктуре вдоль выбранной продольной оси усиления сформирована, по крайней мере, одна последовательность из чередующихся области усиления излучения, состоящей, по крайней мере, из одной подобласти, и области вывода излучения, состоящей, по крайней мере, из одной подобласти, для краткости именуемая далее в совокупности с торцевыми гранями функциональной линейкой, в области вывода дополнительно к слоям гетероструктуры выполнен состоящий, по крайней мере, из одного подслоя полупроводниковый слой втекания излучения, возвышающийся над областью усиления, при этом в области вывода состав и толщина ограничительного слоя гетероструктуры, пограничного со слоем втекания, выбраны такими, при которых реализовано частичное ограничение излучения в гетероструктуре, вдоль продольной оси усиления каждая из областей вывода с противоположных сторон ограничена выводными гранями, сформированными по отношению к наружной поверхности области усиления под определенными линейными углами наклона, соответственно α1 и α2, и отношение показателя преломления nвт слоя втекания к эффективному показателю преломления nэф гетероструктуры с включенным в нее слоем втекания определено числом, большим единицы.
2. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что на обе торцевые грани сформированы отражатели оптического резонатора с коэффициентами отражения, близкими к единице.
3. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что в областях усиления со стороны вывода излучения состав и толщина ограничительного слоя гетероструктуры выбраны такими, при которых реализовано частичное ограничение излучения в гетероструктуре.
4. Инжекционный лазер по п.3, отличающийся тем, что к наружной поверхности гетероструктуры присоединен подслой металлизации с высоким коэффициентом отражения излучения.
5. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что в областях вывода к наружной поверхности слоя втекания нанесены соответствующие слои металлизации.
6. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся дополнительно введенным отражателем, примыкающим к одной из торцевых граней с размерами, позволяющими отразить практически все излучение, направленное в его сторону.
7. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что в областях усиления со стороны, противоположной стороне вывода излучения, состав и толщина ограничительного слоя гетероструктуры выбраны такими, при которых реализовано частичное ограничение излучения в гетероструктуре.
8. Инжекционный лазер по п.7, отличающийся тем, что к поверхности гетероструктуры присоединен подслой металлизации с высоким коэффициентом отражения излучения.
9. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что в середине каждой из областей вывода введены полосковой формы дополнительные области усиления с соответствующими слоями металлизации, соединяющие по току области усиления вдоль всей длины функциональной линейки, при этом ширина введенных дополнительных областей усиления много меньше ширины областей вывода.
10. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что области усиления разделены вдоль продольной оси усиления на ряд параллельно расположенных полосковых подобластей усиления, пространство между которыми заполнено веществом с показателем преломления, меньшим эффективного показателя преломления гетероструктуры в подобластях усиления.
11. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что линейные углы α1 и α2 одинаковы по абсолютной величине и равны (π/2).
12. Инжекционный лазер по п.12, отличающийся тем, что в областях вывода толщина слоя втекания выполнена большей, чем длина области вывода, умноженная на тангенс угла φ вытекания излучения из активного слоя в слой втекания, где угол φ определен как арккосинус (nэф/nвт).
13. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что линейные углы α1 и α2 одинаковы по абсолютной величине и равны (π/2)+(φ).
14. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что линейные углы α1 и α2 одинаковы по абсолютной величине и равны (π/4)+(φ/2).
15. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что линейные углы α1 и α2 одинаковы по абсолютной величине и равны (3π/4)-(φ/2).
RU2005124940/28A 2005-08-05 2005-08-05 Инжекционный лазер RU2300835C2 (ru)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005124940/28A RU2300835C2 (ru) 2005-08-05 2005-08-05 Инжекционный лазер
PCT/RU2006/000362 WO2007018451A1 (en) 2005-08-05 2006-07-07 Injection laser
CA2617912A CA2617912C (en) 2005-08-05 2006-07-07 Injection laser
JP2008524927A JP2009503887A (ja) 2005-08-05 2006-07-07 インジェクションレーザ
CN200680027590A CN100585969C (zh) 2005-08-05 2006-07-07 注入式激光器
EP06769576A EP1923972A4 (en) 2005-08-05 2006-07-07 INJECTION LASER
KR1020087004504A KR101112682B1 (ko) 2005-08-05 2006-07-07 인젝션 레이저
US11/997,877 US7787508B2 (en) 2005-08-05 2006-07-07 Injector laser
TW096103641A TWI328909B (en) 2005-08-05 2007-02-01 Injection laser
IL189022A IL189022A0 (en) 2005-08-05 2008-01-24 Injection laser
HK09100813.6A HK1123636A1 (en) 2005-08-05 2009-01-23 Injection laser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005124940/28A RU2300835C2 (ru) 2005-08-05 2005-08-05 Инжекционный лазер

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2300835C2 true RU2300835C2 (ru) 2007-06-10

Family

ID=37727567

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005124940/28A RU2300835C2 (ru) 2005-08-05 2005-08-05 Инжекционный лазер

Country Status (11)

Country Link
US (1) US7787508B2 (ru)
EP (1) EP1923972A4 (ru)
JP (1) JP2009503887A (ru)
KR (1) KR101112682B1 (ru)
CN (1) CN100585969C (ru)
CA (1) CA2617912C (ru)
HK (1) HK1123636A1 (ru)
IL (1) IL189022A0 (ru)
RU (1) RU2300835C2 (ru)
TW (1) TWI328909B (ru)
WO (1) WO2007018451A1 (ru)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011079782A1 (de) * 2011-07-26 2013-01-31 Osram Ag Halbleiteremitter und Verfahren zum Erzeugen von Nutzlicht aus Laserlicht
RU2540233C1 (ru) * 2013-10-09 2015-02-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук Инжекционный лазер с многоволновым модулированным излучением
RU2539117C1 (ru) * 2013-10-09 2015-01-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российский академии наук Полупроводниковый усилитель оптического излучения
CN109861078B (zh) * 2019-04-02 2021-01-05 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种面发射激光器及一种面发射激光器阵列

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5931084A (ja) * 1982-08-13 1984-02-18 Mitsubishi Electric Corp 注入形レ−ザ
JP2516953B2 (ja) * 1987-02-17 1996-07-24 松下電器産業株式会社 半導体レ―ザ装置の製造方法
JPH01136389A (ja) * 1987-11-24 1989-05-29 Nec Corp 半導体レーザ
JPH02267988A (ja) * 1989-04-10 1990-11-01 Hitachi Ltd 光半導体装置
JPH0319292A (ja) * 1989-06-15 1991-01-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ
US5131001A (en) * 1990-12-21 1992-07-14 David Sarnoff Research Center, Inc. Monolithic semiconductor light emitter and amplifier
JPH0566439A (ja) * 1991-09-05 1993-03-19 Fuji Photo Film Co Ltd 光波長変換装置
DE69415576T2 (de) * 1993-03-15 1999-06-17 Canon K.K., Tokio/Tokyo Optische Vorrichtungen und optische Übertragungssystemen die diese verwenden
JPH0766383A (ja) * 1993-08-30 1995-03-10 Nissan Motor Co Ltd 半導体レーザ装置
RU2110874C1 (ru) * 1996-04-24 1998-05-10 Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы" Инжекционный полупроводниковый лазер
RU2109382C1 (ru) * 1996-08-19 1998-04-20 Швейкин Василий Иванович Полупроводниковый лазер
JPH10190016A (ja) * 1996-12-24 1998-07-21 Canon Inc 半導体分波光検出装置
RU2134007C1 (ru) * 1998-03-12 1999-07-27 Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Полюс" Полупроводниковый оптический усилитель
RU2142665C1 (ru) 1998-08-10 1999-12-10 Швейкин Василий Иванович Инжекционный лазер
RU2142661C1 (ru) * 1998-12-29 1999-12-10 Швейкин Василий Иванович Инжекционный некогерентный излучатель
US7031360B2 (en) * 2002-02-12 2006-04-18 Nl Nanosemiconductor Gmbh Tilted cavity semiconductor laser (TCSL) and method of making same
US7242703B2 (en) 2004-12-21 2007-07-10 The Trustees Of Princeton University Organic injection laser

Also Published As

Publication number Publication date
CN100585969C (zh) 2010-01-27
CA2617912A1 (en) 2007-02-15
IL189022A0 (en) 2008-08-07
JP2009503887A (ja) 2009-01-29
TWI328909B (en) 2010-08-11
HK1123636A1 (en) 2009-06-19
KR20080047370A (ko) 2008-05-28
EP1923972A1 (en) 2008-05-21
CN101233658A (zh) 2008-07-30
EP1923972A4 (en) 2011-03-30
TW200835103A (en) 2008-08-16
US7787508B2 (en) 2010-08-31
KR101112682B1 (ko) 2012-02-17
US20080192789A1 (en) 2008-08-14
WO2007018451A1 (en) 2007-02-15
CA2617912C (en) 2012-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2142665C1 (ru) Инжекционный лазер
US4633476A (en) Semiconductor laser with internal reflectors and vertical output
AU4992999A (en) High power laterally antiguided semiconductor light source with reduced transverse optical confinement
RU2134007C1 (ru) Полупроводниковый оптический усилитель
JP2021515980A (ja) 半導体レーザー
RU2391756C2 (ru) Диодный лазер, интегральный диодный лазер и интегральный полупроводниковый оптический усилитель
US4831630A (en) Phased-locked window lasers
WO2007018451A1 (en) Injection laser
RU2419934C2 (ru) Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения (варианты)
RU2133534C1 (ru) Инжекционный лазер
RU2535649C1 (ru) Полупроводниковый лазер
RU2230410C1 (ru) Инжекционный лазер и лазерная диодная линейка
RU2109382C1 (ru) Полупроводниковый лазер
RU2300826C2 (ru) Инжекционный излучатель
US10348055B2 (en) Folded waveguide structure semiconductor laser
RU2685434C1 (ru) Инжекционный лазер
RU2109381C1 (ru) Интегральный полупроводниковый лазер-усилитель
Boucke et al. Development of high-brightness diode lasers: the Z-laser
RU2398325C2 (ru) Диодный многолучевой источник лазерного когерентного излучения
KR20040032104A (ko) 내부 미러를 가지는 레이저 다이오드
Rogg et al. High-brightness laser diodes using angular filtering by total reflection
RU96115454A (ru) Интегральный полупроводниковый лазер-усилитель

Legal Events

Date Code Title Description
PC4A Invention patent assignment

Effective date: 20090709

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180806