[go: up one dir, main page]

RU2253874C2 - Method for panoramic measurement of uhf bipolar reflection coefficient - Google Patents

Method for panoramic measurement of uhf bipolar reflection coefficient Download PDF

Info

Publication number
RU2253874C2
RU2253874C2 RU2002116277/09A RU2002116277A RU2253874C2 RU 2253874 C2 RU2253874 C2 RU 2253874C2 RU 2002116277/09 A RU2002116277/09 A RU 2002116277/09A RU 2002116277 A RU2002116277 A RU 2002116277A RU 2253874 C2 RU2253874 C2 RU 2253874C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
reflection coefficient
microwave
value
measurement
formula
Prior art date
Application number
RU2002116277/09A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2002116277A (en
Inventor
И.И. Чупров (RU)
И.И. Чупров
С.В. Лобынцев (RU)
С.В. Лобынцев
Original Assignee
ФГУП Курский завод "Маяк"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ФГУП Курский завод "Маяк" filed Critical ФГУП Курский завод "Маяк"
Priority to RU2002116277/09A priority Critical patent/RU2253874C2/en
Publication of RU2002116277A publication Critical patent/RU2002116277A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2253874C2 publication Critical patent/RU2253874C2/en

Links

Landscapes

  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

FIELD: radio communications.
SUBSTANCE: method provides information concerning measured parameter in accordance to formula
Figure 00000117
including two calibrating measurements of reflection coefficient module: |A1| - idling with reflection coefficient Γ1; |A2| - short circuit means with reflection coefficient Γ2=-Γ1, and also in measurement of reflection coefficient module |Ax| - UHF bipolar with reflection coefficient Γx and calculation of measured vale |Γx|u according to formula
Figure 00000118
Reflection coefficient module value |A3| is additionally measured (or set) in case of synchronous load, and result of measurement |Γx|u is used to derive target value |Γx| from formula
Figure 00000119
where
Figure 00000120
and cosψ is determined from frequency dependence of value |Γx|2 u, set by expression
Figure 00000121
EFFECT: higher precision.
1 dwg

Description

Изобретение относится к радиоизмерительной технике и может быть использовано при создании панорамных измерителей параметров СВЧ устройств.The invention relates to a radio engineering and can be used to create panoramic meters of parameters of microwave devices.

Измерение частотных зависимостей модуля коэффициента отражения

Figure 00000015
, определяющего наряду с коэффициентом стоячей волны (КСВ) входные параметры СВЧ устройств, относится к важнейшим задачам радиоизмерительной техники.Measurement of frequency dependences of the reflection coefficient module
Figure 00000015
, which determines, along with the standing wave coefficient (SWR), the input parameters of microwave devices, is one of the most important tasks of radio measuring equipment.

Исторически первым, с помощью измерительной линии [1], был реализован способ измерения КСВ и пересчета его в

Figure 00000016
по известной формуле КСВ-1Historically, the first, using the measuring line [1], was a method for measuring the SWR and converting it to
Figure 00000016
according to the well-known formula KSV-1

Figure 00000017
Figure 00000017

Однако этот способ трудно реализовать в панораме частот. Поэтому в современной измерительной технике более широко используются способы измерения комплексного значения Г и квадрата модуля 2 коэффициента отражения, из результатов измерения которых находят

Figure 00000019
и при необходимости - значение КСВ по формулеHowever, this method is difficult to implement in the frequency panorama. Therefore, in modern measuring technology, methods for measuring the complex value of G and the module square are more widely used. 2 reflection coefficients, from the measurement results of which they find
Figure 00000019
and if necessary - the value of the SWR according to the formula

Figure 00000020
Figure 00000020

Известны [2, 3] способы измерения комплексной величиныKnown [2, 3] methods for measuring complex values

Figure 00000021
Figure 00000021

где Ai - результат измерения комплексного коэффициента отражения Гi;where A i is the measurement result of the complex reflection coefficient G i ;

К, d, ρ - комплексные коэффициенты передачи, направленности и отражения измерителя соответственно.K, d, ρ are the complex transmission, directivity, and reflection coefficients of the meter, respectively.

Из выражения (3) тем или иным путем находят значение Гi, а значит, и модуль его

Figure 00000022
. Но эти способы очень сложны в технической реализации, что ограничивает их применение.From the expression (3) one way or another find the value of G i , and hence its module
Figure 00000022
. But these methods are very difficult in technical implementation, which limits their application.

Поэтому основными способами измерения

Figure 00000023
сегодня являются способы измерения в панораме частот величиныTherefore, the main measurement methods
Figure 00000023
today are methods of measuring in the panorama frequencies of magnitude

Figure 00000024
Figure 00000024

где

Figure 00000025
- результат измерения
Figure 00000026
[4, 5].Where
Figure 00000025
- measurement result
Figure 00000026
[4, 5].

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ, реализованный с помощью микропроцессорного панорамного измерителя КСВ и ослабления (МПИКО) типа Р2-83 [5], принцип действия которого основан на измерении величины

Figure 00000027
, согласно (4). Этот способ заключается в двух калибровочных измерениях модуля коэффициента отражения (МКО):Closest to the technical nature of the proposed method is a method implemented using a microprocessor panoramic meter SWR and attenuation (MPIKO) type P2-83 [5], the principle of which is based on measuring
Figure 00000027
according to (4). This method consists of two calibration measurements of the reflectance coefficient module (MCO):

- холостого хода с коэффициентом отражения Г1 - idling with a reflection coefficient of G 1

Figure 00000028
Figure 00000028

- короткозамыкателя с коэффициентом отражения Г2=-Г1 - short circuit with reflection coefficient Г 2 = -Г 1

Figure 00000029
Figure 00000029

с последующим измерением СВЧ устройства с коэффициентом отражения Гх followed by measurement of a microwave device with a reflection coefficient of G x

Figure 00000030
Figure 00000030

и вычислением измеряемой величины

Figure 00000031
и по формулеand calculating the measured value
Figure 00000031
and according to the formula

Figure 00000032
Figure 00000032

значение которого принимается равным

Figure 00000033
.whose value is taken equal
Figure 00000033
.

Подставляя (5)-(7) в (8) с учетом значений параметров микропроцессорного панорамного измерителя КСВ и ослабления, удовлетворяющих условиям [5]Substituting (5) - (7) in (8) taking into account the values of the parameters of the microprocessor panoramic measuring device SWR and attenuation, satisfying the conditions [5]

Figure 00000034
Figure 00000034

легко найти зависимость результата измерения

Figure 00000035
х в (8) от параметров d, K, ρeasy to find the dependence of the measurement result
Figure 00000035
x in (8) on the parameters d, K, ρ

Figure 00000036
Figure 00000036

Из (10) следует, что известный способ измерения

Figure 00000037
позволяет в результате проведения двух калибровочных измерений (холостого хода и короткозамыкателя) исключить влияние параметра К и погрешности рассогласования, вносимой в процесс калибровки влиянием параметров ρ и d в (5) и (6), но не исключает погрешностей рассогласования (влияние параметров ρ и d), вносимых непосредственно процессом измерения
Figure 00000038
в соответствия с (7).From (10) it follows that the known method of measurement
Figure 00000037
as a result of two calibration measurements (no-load and short-circuit) allows to exclude the influence of the parameter K and the mismatch error introduced into the calibration process by the influence of the parameters ρ and d in (5) and (6), but does not exclude the mismatch errors (the influence of the parameters ρ and d ) introduced directly by the measurement process
Figure 00000038
in accordance with (7).

Таким образом, недостатком известного способа является недостаточная точность измерения, обусловленная тем, что он не исключает погрешностей рассогласования при измерении

Figure 00000039
, вносимых влиянием параметров ρ и d.Thus, the disadvantage of this method is the lack of accuracy of the measurement, due to the fact that it does not exclude errors of mismatch in the measurement
Figure 00000039
introduced by the influence of the parameters ρ and d.

Технической задачей изобретения является повышение точности измерения за счет уменьшения влияния параметров ρ и d на результат измерений

Figure 00000040
.An object of the invention is to increase the measurement accuracy by reducing the influence of the parameters ρ and d on the measurement result
Figure 00000040
.

Указанная цель достигается за счет того, что в способе измерения модуля коэффициента отражения СВЧ двухполюсника с помощью микропроцессорного панорамного измерителя КСВ и ослабления, обеспечивающего получение информации об измеряемой параметре в соответствии с выражениемThis goal is achieved due to the fact that in the method of measuring the module of the reflection coefficient of the microwave dvukhpolosnykh using a microprocessor panoramic measuring device SWR and attenuation, providing information about the measured parameter in accordance with the expression

Figure 00000041
Figure 00000041

заключающемся в двух калибровочных измерениях модуля коэффициента отражения;consisting in two calibration measurements of the reflection coefficient module;

-

Figure 00000042
- холостого хода с коэффициентов отражения Г1;-
Figure 00000042
- idling with reflection coefficients G 1 ;

-

Figure 00000043
- короткозамыкателя с коэффициентом отражения-
Figure 00000043
- short-circuit with reflection coefficient

Г2=-Г1.G 2 = -G 1 .

а также в измерении модуля коэффициента отражения

Figure 00000044
- СВЧ двухполюсника с коэффициентом отражения Гх и вычисления измеряемой величины
Figure 00000045
по формулеas well as in measuring the reflection coefficient modulus
Figure 00000044
- microwave dvukhpolosnykh with reflection coefficient G x and calculation of the measured value
Figure 00000045
according to the formula

Figure 00000046
Figure 00000046

дополнительно измеряют (или задают) значение модуля коэффициента отражения

Figure 00000047
- согласованной нагрузки, а результат измерения
Figure 00000048
и пересчитывают в значение
Figure 00000049
по формулеadditionally measure (or set) the value of the coefficient of reflection coefficient
Figure 00000047
- the agreed load, and the measurement result
Figure 00000048
and count in value
Figure 00000049
according to the formula

Figure 00000050
Figure 00000050

где

Figure 00000051
Where
Figure 00000051

ψ - разность фаз между вектором эффективного коэффициента отражения ρ э и измеряемого коэффициента Гх; величина

Figure 00000052
находится из анализа частотной зависимости отношенияψ is the phase difference between the vector of the effective reflection coefficient ρ e and the measured coefficient G x ; value
Figure 00000052
found from analysis of the frequency dependence of the ratio

Figure 00000053
Figure 00000053

при

Figure 00000054
в (12), равном I, а значении
Figure 00000055
, равном А3. Величина cosψ определяется из анализа частотной зависимости величины
Figure 00000056
, представленной выражениемat
Figure 00000054
in (12), equal to I, and the value
Figure 00000055
equal to A 3 . Cosψ is determined from the analysis of the frequency dependence of the quantity
Figure 00000056
represented by

Figure 00000057
Figure 00000057

принимая, что cosψ =1 при max

Figure 00000058
иassuming that cosψ = 1 at max
Figure 00000058
and

cosψ =-1 при max

Figure 00000059
cosψ = -1 at max
Figure 00000059

Сопоставительный анализ заявляемого решения и прототипа показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что дополнительно измеряют (или задают) модуль коэффициента отражения А3 - согласованной нагрузки (с коэффициентом отражения Г3=0), а результат измерения

Figure 00000060
и пересчитывают в значение
Figure 00000061
по формулеA comparative analysis of the proposed solution and the prototype shows that the claimed method differs from the known one in that it additionally measures (or sets) the reflection coefficient module A 3 - matched load (with reflection coefficient G 3 = 0), and the measurement result
Figure 00000060
and count in value
Figure 00000061
according to the formula

Figure 00000062
Figure 00000062

где

Figure 00000063
Where
Figure 00000063

ψ - разность фаз между векторами эффективного коэффициента отражения ρ э и измеряемого коэффициента Гх, величину

Figure 00000064
находят из анализа частотной зависимости отношенияψ is the phase difference between the vectors of the effective reflection coefficient ρ e and the measured coefficient G x , the value
Figure 00000064
find from the analysis of the frequency dependence of the relationship

Figure 00000065
Figure 00000065

значение

Figure 00000066
принимают равным А3, а величину cosψ определяют по частотной зависимости величины
Figure 00000067
представляемой выражениемvalue
Figure 00000066
taken equal to A 3 , and the value of cosψ is determined by the frequency dependence of
Figure 00000067
represented by the expression

Figure 00000068
Figure 00000068

принимая, что cosψ =1 при mах1

Figure 00000069
и cosψ =-1 при max
Figure 00000070
.assuming that cosψ = 1 for max1
Figure 00000069
and cosψ = -1 at max
Figure 00000070
.

На чертеже представлена структурная схема микропроцессорного панорамного измерителя КСВ и ослабления, с помощью которого реализуется предлагаемый способ.The drawing shows a structural diagram of a microprocessor panoramic meter SWR and attenuation, with which the proposed method is implemented.

Микропроцессорный панорамный измеритель КСВ и ослабления (МПИКО) (см. чертеж) содержит модулированный по амплитуде СВЧ генератор 1, уровень выходной мощности которого регулируется блоком 2 автоматической регулировки мощности (АРМ).The microprocessor panoramic SWR and attenuation meter (MPIKO) (see drawing) contains an amplitude modulated microwave generator 1, the output power level of which is regulated by automatic power control unit 2 (AWP).

Кроме того, МПИКО содержит ответвитель 3 падающей волны, измеряемое СВЧ устройство 4, детекторную головку 5, мостовой рефлектометр 6, управляемые делители напряжения 7 и 8, измеритель отношений 9, включающий микропроцессор, и аттенюатор 10. При этом выход СВЧ генератора 1 через первичный тракт ответвителя 3 падающей волны подключен ко входу мостового рефлектометра 6, другой вход которого соединен с клеммой Zx для подключения измеряемого СВЧ устройства 4. Вход детекторной головки 5 через аттенюатор 10 подключен к выходу вторичного тракта ответвителя 3 падающей волны, выход детекторной головки 5 подключен ко входу управляемого делителя 7 напряжения, выход которого соединен со входом блока 2 АРМ и опорным входом измерителя отношений 9, измерительный вход которого через управляемый делитель напряжений 8 соединен с выходом мостового рефлектометра 6.In addition, the MPIKO contains an incident wave coupler 3, a measured microwave device 4, a detector head 5, a bridge reflectometer 6, controlled voltage dividers 7 and 8, a ratio meter 9, including a microprocessor, and an attenuator 10. The output of the microwave generator 1 through the primary path the incident wave coupler 3 is connected to the input of the bridge reflectometer 6, the other input of which is connected to the Zx terminal for connecting the measured microwave device 4. The input of the detector head 5 through the attenuator 10 is connected to the output of the secondary path 3 I of the incident wave, the output of the detector head 5 is connected to an input of a controlled voltage divider 7, whose output is connected to an input unit 2 of APM and reference input relations meter 9, the measuring input of which is controlled through a voltage divider 8 connected to the output of the bridge 6 reflectometer.

В данном микропроцессорном панорамном измерителе КСВ и ослабления управление процессам измерения, обработки избирательной информации и вывода результатов измерения на экран ЭЛТ осуществляется с помощью микропроцессора, встроенного в измеритель отношений 9. Однако цепи управления и обработки результатов измерения на приведенном чертеже не показаны, как не существенные для заявляемого способа.In this microprocessor panoramic SWR and attenuation meter, the measurement processes, the processing of selective information and the output of the measurement results to the CRT screen are controlled by the microprocessor integrated in the ratio meter 9. However, the control and processing circuits of the measurement results are not shown in the drawing as insignificant for the proposed method.

Процесс измерения в предлагаемом способе состоит из следующей последовательности операций;The measurement process in the proposed method consists of the following sequence of operations;

- измерения модуля коэффициента отражения холостого хода- measurements of the module of the coefficient of reflection of idling

Figure 00000071
Figure 00000071

- измерения модуля коэффициента отражения короткозамыкателя (к клемме Zx подключен короткозамыкатель)- measurements of the reflection coefficient module of the short circuit (a short circuit is connected to terminal Zx)

Figure 00000072
Figure 00000072

- измерения (или введения в память микропроцессорного панорамного измерителя КСВ и ослабления) модуля коэффициента отражения согласованной нагрузки (Г3=0) (к клемме Zx подключена согласованная нагрузка)- measuring (or adding to the memory of the microprocessor panoramic SWR meter and attenuation) the reflection coefficient module of the matched load (G 3 = 0) (matched load is connected to the Zx terminal)

Figure 00000073
Figure 00000073

- вычисление (с помощью микропроцессора микропроцессорного панорамного измерителя КСВ и ослабления) частотной зависимости величины- calculation (using a microprocessor of a microprocessor panoramic meter SWR and attenuation) of the frequency dependence of

Figure 00000074
Figure 00000074

- анализа частотной зависимости отношения- analysis of the frequency dependence of the ratio

Figure 00000075
Figure 00000075

с целью определения частот f, на которыхin order to determine the frequencies f at which

Figure 00000076
Figure 00000076

Figure 00000077
Figure 00000077

где

Figure 00000078
Where
Figure 00000078

Figure 00000079
Figure 00000079

- определения значения

Figure 00000080
по формуле- value definitions
Figure 00000080
according to the formula

Figure 00000081
Figure 00000081

при fk≥ f≥ fi и величины ρ (f) по формулеfor f k ≥ f≥ f i and ρ (f) by the formula

ρ (f)=ρ э(f)-А3(f),ρ (f) = ρ e (f) -A 3 (f),

- измерения модуля коэффициента отражения СВЧ устройства

Figure 00000082
(к клемме Zx подключено измеряемое СВЧ устройство), вычисления величины- measurements of the reflection coefficient module of the microwave device
Figure 00000082
(a measurable microwave device is connected to terminal Zx), calculating the value

Figure 00000083
Figure 00000083

где

Figure 00000084
Where
Figure 00000084

и анализа частотной зависимости величины

Figure 00000085
в (22) с целью определения частот, на которыхand analysis of the frequency dependence of the quantity
Figure 00000085
in (22) in order to determine the frequencies at which

Figure 00000086
Figure 00000086

Figure 00000087
Figure 00000087

Figure 00000088
Figure 00000088

Далее путем линейной интерполяции частотной зависимости ψ определяется функция cosψ для всего диапазона частот, в котором измеряется

Figure 00000089
. Модуль коэффициента отражения
Figure 00000090
определяется из формулыThen, by linear interpolation of the frequency dependence of ψ, the function cosψ is determined for the entire frequency range in which
Figure 00000089
. Reflection coefficient module
Figure 00000090
determined from the formula

Figure 00000091
Figure 00000091

Преимущество предлагаемого способа заключается в том, что за счет введения новых, по сравнению с прототипом, операций:The advantage of the proposed method is that due to the introduction of new, compared with the prototype, operations:

- измерения модуля коэффициента отражения согласованной нагрузки

Figure 00000092
:- measurements of the coefficient of reflection coefficient of the matched load
Figure 00000092
:

- определения значения

Figure 00000093
из анализа частотной зависимости отношения (13);- value definitions
Figure 00000093
from the analysis of the frequency dependence of the relation (13);

- определения cosψ по частотной зависимости, представленной выражением (14), принимая, что cosψ =1 при max

Figure 00000094
и cosψ =-1 при max
Figure 00000095
и, позволяет с некоторой степенью приближения определить частотные зависимости собственных параметров микропроцессорного панорамного измерителя КСВ и ослабления
Figure 00000096
,
Figure 00000097
и разность фаз ψ и, подставляя их в выражения (14), уменьшить погрешность рассогласования, обусловленную влиянием параметров ρ и d на результат измерения (7) и являющуюся основной погрешностью измерения
Figure 00000098
в микропроцессорном панорамном измерителе КСВ и ослабления, вследствие чего повышается точность измерения.- determining cosψ from the frequency dependence represented by expression (14), assuming that cosψ = 1 at max
Figure 00000094
and cosψ = -1 at max
Figure 00000095
and, allows, with a certain degree of approximation, to determine the frequency dependences of the intrinsic parameters of the microprocessor panoramic SWR meter and attenuation
Figure 00000096
,
Figure 00000097
and the phase difference ψ and, substituting them in expressions (14), reduce the mismatch error due to the influence of the parameters ρ and d on the measurement result (7) and which is the main measurement error
Figure 00000098
in a microprocessor panoramic meter SWR and attenuation, as a result of which the measurement accuracy is increased.

Экспериментальные исследования заявляемого способа доказали, что точность измерения повышается не менее чем в 1,5-2 раза.Experimental studies of the proposed method have proven that the measurement accuracy increases by at least 1.5-2 times.

Литература:Literature:

1. Елизаров А.С. Электрорадиоизмерения. - Минск: Высш. шк., 1986, с.271.1. Elizarov A.S. Electroradio measurements. - Minsk: Higher. school., 1986, p. 271.

2. А.с. СССР 951181 кл. G 01 R 27/04, 1980.2. A.S. USSR 951181 cells G 01 R 27/04, 1980.

3. а.с. СССР N 1322199, Кл. G 01 R 27/32, 1985.3. A.S. USSR N 1322199, Cl. G 01 R 27/32, 1985.

4. Техника средств связи, сер. РИТ, 1980, вып.4, с.34-40.4. Communication technology, ser. RIT, 1980, issue 4, p. 34-40.

5. Техническое описание прибора Р2-83, ЦЮ1.400.288 ТО.5. Technical description of the device Р2-83, ЦЮ1.400.288 ТО.

Claims (1)

Способ панорамного измерения модуля коэффициента отражения СВЧ двухполюсника
Figure 00000099
основанный на подаче на вход измеряемого СВЧ двухполюсника падающего СВЧ сигнала, выделении отраженного СВЧ сигнала, квадратичном детектировании этих сигналов в постоянные напряжения, определении их отношения
Figure 00000100
предварительном проведении указанных операций при подключении вместо исследуемого СВЧ двухполюсника нагрузки холостого хода, при этом определяют
Figure 00000101
и при подключении вместо исследуемого СВЧ двухполюсника короткозамыкателя, при этом определяют
Figure 00000102
и вычислении искомого параметра
Figure 00000103
и по формуле:Method for panoramic measurement of the reflection coefficient module of a microwave two-terminal network
Figure 00000099
based on the input of the incident microwave signal to the measured microwave two-terminal terminal, the selection of the reflected microwave signal, the quadratic detection of these signals in constant voltage, the determination of their ratio
Figure 00000100
preliminary carrying out these operations when connecting instead of the studied microwave dvukhpolosnykh load idling, while determining
Figure 00000101
and when connecting instead of the studied microwave two-terminal short-circuit,
Figure 00000102
and calculating the desired parameter
Figure 00000103
and according to the formula:
Figure 00000104
Figure 00000104
 отличающийся тем, что предварительно задают известной или определяют величину
Figure 00000105
аналогично величине
Figure 00000106
подсоединяя вместо исследуемого СВЧ двухполюсника согласованную нагрузку, а уточненное значение искомого параметра
Figure 00000107
вычисляют по формуле:characterized in that the pre-set known or determine the value
Figure 00000105
similar to
Figure 00000106
connecting instead of the studied microwave two-terminal, the agreed load, and the specified value of the desired parameter
Figure 00000107
calculated by the formula:
Figure 00000108
Figure 00000108
 где:
Figure 00000109
Where:
Figure 00000109
 ρэ и ψэ - модуль и фаза вектора погрешности при измерении
Figure 00000110
соsψ3 определяют из анализа частотной зависимости величины
Figure 00000111
задаваемой выражениемρ e and ψ e - modulus and phase of the error vector during measurement
Figure 00000110
cos 3 are determined from the analysis of the frequency dependence of the quantity
Figure 00000111
defined by expression
Figure 00000112
Figure 00000112
 ρ - приближенное значение модуля вектора погрешности ρэ при определении величин
Figure 00000113
и
Figure 00000114
значение ρ определяется из анализа частотной зависимости отношения
Figure 00000115
принимаемого равным
Figure 00000116
где ψ - фаза вектора погрешности р.ρ is the approximate value of the modulus of the error vector ρ e when determining the quantities
Figure 00000113
and
Figure 00000114
ρ value is determined from the analysis of the frequency dependence of the ratio
Figure 00000115
taken equal
Figure 00000116
where ψ is the phase of the error vector p.
RU2002116277/09A 2002-06-17 2002-06-17 Method for panoramic measurement of uhf bipolar reflection coefficient RU2253874C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002116277/09A RU2253874C2 (en) 2002-06-17 2002-06-17 Method for panoramic measurement of uhf bipolar reflection coefficient

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002116277/09A RU2253874C2 (en) 2002-06-17 2002-06-17 Method for panoramic measurement of uhf bipolar reflection coefficient

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2002116277A RU2002116277A (en) 2004-03-27
RU2253874C2 true RU2253874C2 (en) 2005-06-10

Family

ID=35138070

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2002116277/09A RU2253874C2 (en) 2002-06-17 2002-06-17 Method for panoramic measurement of uhf bipolar reflection coefficient

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2253874C2 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2488838C2 (en) * 2011-11-03 2013-07-27 Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" Method for measurement of uhf load reflection factor
RU2499272C1 (en) * 2012-07-12 2013-11-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "КубГУ") Method to determine amplitude-phase error of microwave mixer in metre of complex coefficients of transmission and reflection of microwave quadripoles
RU2499271C1 (en) * 2012-07-12 2013-11-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "КубГУ") Device to measure complex coefficients of transmission and reflection of microwave quadripoles
RU2731020C1 (en) * 2019-06-21 2020-08-28 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по космической деятельности "РОСКОСМОС" Method for measuring reflection coefficient of microwave load

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Техника средств связи. РИТ, 1980, вып.4, с.34-40. *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2488838C2 (en) * 2011-11-03 2013-07-27 Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" Method for measurement of uhf load reflection factor
RU2499272C1 (en) * 2012-07-12 2013-11-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "КубГУ") Method to determine amplitude-phase error of microwave mixer in metre of complex coefficients of transmission and reflection of microwave quadripoles
RU2499271C1 (en) * 2012-07-12 2013-11-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "КубГУ") Device to measure complex coefficients of transmission and reflection of microwave quadripoles
RU2731020C1 (en) * 2019-06-21 2020-08-28 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по космической деятельности "РОСКОСМОС" Method for measuring reflection coefficient of microwave load

Also Published As

Publication number Publication date
RU2002116277A (en) 2004-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6316945B1 (en) Process for harmonic measurement accuracy enhancement
US4630228A (en) Transmission line analyzer for automatically identifying the severities and locations of multiple mismatches
EP0064198B1 (en) Apparatus for measuring noise factor and available gain
KR100538405B1 (en) Automated microwave test system with improved accuracy
US8400165B2 (en) Power calibration system
EP0216941B1 (en) Apparatus for analysing two-channel transmission/reflection characteristics
US6448786B1 (en) Stimulus/response system and method for vector characterization of frequency translation devices
RU2253874C2 (en) Method for panoramic measurement of uhf bipolar reflection coefficient
US7079961B2 (en) Method and apparatus for measuring impedance of electrical component under high interference conditions
US6396287B1 (en) Process for measuring output harmonic relative to output fundamental with enhanced accuracy
RU2364875C1 (en) Method to reveal actual contribution of electric circuit loads into distortion of power quality at common connection point
US6292000B1 (en) Process for harmonic measurement with enhanced phase accuracy
RU2482504C2 (en) Method for calibration of inherent s-parameters of devices for measuring complex coefficients of transmission and reflection of microwave four-terminal devices
US6982561B2 (en) Scattering parameter travelling-wave magnitude calibration system and method
US7002357B2 (en) Method and apparatus for phase calculation from attenuation values using a Hilbert transform for FDR measurements
SU868635A1 (en) Device for measuring multi-terminal network impedance
US20250052846A1 (en) Test and/or measurement system and method for calibrating a test and/or measurement system
SU1688187A1 (en) Detection of interchannel decoupling for two-channel meter
SU1626193A1 (en) Device for measuring complex reflection factor of shf two-terminal network
SU1725163A1 (en) Standing-wave and attenuation panoramic meter
SU1582157A1 (en) Method of calibrating selective measuring instruments
RU2302643C2 (en) Method for testing quadripole parameters and panoramic device for realizing the method
Karaböce et al. Bilateral Intercomparison of Ultrasound Power Standards Used for Calibrations in Medical Field
JPS60192271A (en) Neighborhood electric field measuring device
SU1656419A1 (en) Complex reflectivity meter

Legal Events

Date Code Title Description
FA94 Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees)

Effective date: 20041216

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20040618

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20070420

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20090618

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20120427

PC43 Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions

Effective date: 20130117

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130618