RU2195045C2 - Quartz glass part for semiconductor manufacture - Google Patents
Quartz glass part for semiconductor manufacture Download PDFInfo
- Publication number
- RU2195045C2 RU2195045C2 RU98123600/28A RU98123600A RU2195045C2 RU 2195045 C2 RU2195045 C2 RU 2195045C2 RU 98123600/28 A RU98123600/28 A RU 98123600/28A RU 98123600 A RU98123600 A RU 98123600A RU 2195045 C2 RU2195045 C2 RU 2195045C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- quartz glass
- plane
- structural elements
- average
- elements
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 20
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 4
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 4
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/225—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/213—SiO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/28—Other inorganic materials
- C03C2217/281—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/28—Other inorganic materials
- C03C2217/282—Carbides, silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/31—Pre-treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к детали из кварцевого стекла для применения при изготовлении полупроводников с шершавой поверхностью, которая образована рельефными структурными элементами неправильной формы, расположенными между первой, возвышающейся, плоскостью, и второй, углубленной, плоскостью, при этом множество структурных элементов имеют проходящую в первой плоскости в основном плоскую верхнюю поверхность, которая со всех сторон ограничена наподобие граней в основном плоскими боковыми поверхностями, которые проходят между первой и второй плоскостями. The invention relates to a part made of quartz glass for use in the manufacture of semiconductors with a rough surface, which is formed by relief structural elements of irregular shape, located between the first, rising, plane, and the second, recessed, plane, while many structural elements have passing in the first plane in basically a flat upper surface, which is bounded on all sides like faces, mainly flat side surfaces that extend between the first and swarm planes.
При изготовлении полупроводниковых элементов обычно используют покрытия-подложки с применением так называемого способа осаждения из газовой фазы (CVD). Так, например, из пластины кремния осаждаются слои из диоксида кремния, нитрида кремния или из кремния. При этом наносимые материалы осаждаются не только на подложку, но также на стенки реакционного пространства и на находящиеся в нем приборы. Начиная с определенной толщины слоя эти слои откалываются и приводят таким образом к проблемам с частицами. Для предотвращения этого время от времени очищают соответствующие поверхности. In the manufacture of semiconductor elements, substrate coatings are usually used using the so-called vapor deposition method (CVD). So, for example, layers of silicon dioxide, silicon nitride or silicon are deposited from a silicon wafer. In this case, the deposited materials are deposited not only on the substrate, but also on the walls of the reaction space and on the devices contained therein. Starting from a certain layer thickness, these layers break off and thus lead to problems with particles. To prevent this, clean the appropriate surfaces from time to time.
Очистка поверхностей требует затрат времени и средств. Для снижения этих затрат желательно иметь как можно более длинные интервалы между последующими стадиями очистки. В частности, в способе осаждения из газовой фазы при более высоких температурах различие между тепловыми коэффициентами расширения кварцевого стекла и наносимого материала приводит к откалыванию слоев уже при относительно небольшой толщине слоя. Cleaning surfaces requires time and money. To reduce these costs, it is desirable to have as long intervals as possible between subsequent stages of cleaning. In particular, in the method of deposition from the gas phase at higher temperatures, the difference between the thermal expansion coefficients of silica glass and the applied material leads to chipping off of the layers even with a relatively small layer thickness.
Известно, что шершавые поверхности могут удерживать более толстые слои осаждения из газовой фазы. Для придания поверхности шероховатости используют обычно способ пескоструйной обработки или способ химического травления. С помощью пескоструйной обработки на поверхности кварцевого стекла хотя и создаются структуры, которые, с одной стороны, способствуют прочному сцеплению осажденных из газовой фазы слоев, однако, с другой стороны, за счет этого возникают трещины в поверхности детали, которые, со своей стороны, приводят к отслаиванию осажденных из газовой фазы слоев. Кроме того, при пескоструйной обработке становится проблематичной равномерная обработка всей поверхности детали и выдерживание точных размеров. It is known that rough surfaces can hold thicker vapor deposition layers. To roughen the surface, a sandblasting method or a chemical etching method is usually used. Using sandblasting on the surface of the quartz glass, although structures are created that, on the one hand, contribute to the strong adhesion of the layers deposited from the gas phase, however, on the other hand, cracks occur in the surface of the part, which, in turn, cause exfoliation of gas-deposited layers. In addition, when sandblasting, it becomes problematic to uniformly treat the entire surface of the part and maintain accurate dimensions.
В качестве альтернативного решения поверхности детали из кварцевого стекла придают шершавость с помощью химических травильных растворов. С помощью травления поверхности часто создают закругленные поверхностные структуры, например круглые или овальные углубления. Такие поверхностные структуры по сравнению с пескоструйно обработанными поверхностями имеют уменьшенную прочность сцепления осажденных из газовой фазы слоев. As an alternative solution to the surface, quartz glass parts are roughened with chemical etching solutions. Using surface etching, often create rounded surface structures, such as round or oval indentations. Such surface structures, in comparison with sandblasted surfaces, have a reduced adhesion strength of the layers deposited from the gas phase.
Деталь указанного типа раскрыта в опубликованной японской заявке на патент JP 6-332956. Из нее известен травильный раствор для придания шероховатости поверхности кварцевого стекла, с помощью которого можно создавать рельефные, неправильной формы, в основном имеющие острые кромки структурные элементы на поверхности детали из кварцевого стекла. На виде сверху на обработанной известным травильным раствором поверхности можно видеть зернистую морфологию с расположенными рядом друг с другом структурными элементами в форме усеченных меза-структур или пирамид. Структурные элементы расположены между возвышающейся плоскостью, например первоначальной поверхностью детали, и углубленной плоскостью, которая определяется, например, максимальной глубиной травления. Величина структурных элементов находится в среднем в диапазоне 5-15 мм. На поверхности кварцевого стекла микротрещин не видно. Однако было установлено, что выполненная таким образом поверхность не пригодна для прочного сцепления с толстыми осажденными из газовой фазы слоями. A detail of this type is disclosed in Japanese Published Patent Application JP 6-332956. An etching solution is known from it to roughen the surface of quartz glass, with which it is possible to create embossed, irregularly shaped, mainly sharp-edged structural elements on the surface of a quartz glass part. In a plan view, on a surface treated by a known etching solution, one can see granular morphology with structural elements located next to each other in the form of truncated mesa structures or pyramids. Structural elements are located between a rising plane, for example, the initial surface of the part, and a recessed plane, which is determined, for example, by the maximum etching depth. The value of structural elements is on average in the range of 5-15 mm. No microcracks are visible on the surface of the quartz glass. However, it was found that the surface thus made is not suitable for strong adhesion to thick layers deposited from the gas phase.
В основе настоящего изобретения лежит задача создать деталь из кварцевого стекла с шершавой поверхностью, особенно пригодной для сцепления с осажденными из газовой фазы слоями. The present invention is based on the task of creating a quartz glass part with a rough surface, especially suitable for adhesion to the layers deposited from the gas phase.
Эта задача решается исходя из указанной выше детали из кварцевого стекла согласно изобретению тем, что средняя глубина Ra неровностей профиля поверхности находится между 0,1 и 10 мкм, и величина проекции структурных элементов на первую плоскость находится в среднем между 30 мкм и 180 мкм.This problem is solved on the basis of the above quartz glass part according to the invention in that the average depth R a of the surface profile irregularities is between 0.1 and 10 μm, and the projection of the structural elements on the first plane is on average between 30 μm and 180 μm.
Было установлено, что средняя глубина неровностей профиля поверхности и, в частности, средняя величина структурных элементов имеет решающее значение для прочного сцепления осажденных из газовой фазы слоев. Оптимальные результаты были получены при средней глубине Ra неровностей профиля поверхности в диапазоне между 0,1 и 10 мкм. Величину глубины Ra неровностей профиля поверхности определяют согласно DIN 4768.It was found that the average depth of the surface profile irregularities and, in particular, the average value of the structural elements is crucial for the strong adhesion of the layers deposited from the gas phase. Optimum results were obtained with an average depth R a of surface profile irregularities in the range between 0.1 and 10 μm. The depth value R a of the surface profile irregularities is determined according to DIN 4768.
Существенным является то, что наряду с нахождением средней глубины неровностей профиля поверхности в указанном выше диапазоне, величина структурных элементов в проекции на первую, более высокую, плоскость в среднем находится в диапазоне между 30 и 180 мкм. Величину структурных элементов определяют с помощью вида сверху на поверхность. Из вида сверху следует, что структурные элементы, отделенные друг от друга только разделительной линией, непосредственно граничат друг с другом. Ограничительные линии можно легко распознать на основании возвышенного выполнения структурных элементов. В качестве величины структурного элемента принимается максимальное расстояние между двумя противоположными ограничительными линиями. Для измерения учитывают часть поверхности детали размером 10 мм2. В качестве среднего значения величины принимается среднеарифметическое значение измеренных величин. Структурные элементы с величиной менее 5 мкм при определении средней величины не учитывают.It is significant that, along with finding the average depth of the surface profile irregularities in the above range, the magnitude of the structural elements in the projection onto the first, higher plane is on average in the range between 30 and 180 microns. The value of the structural elements is determined using a top view of the surface. From the top view it follows that the structural elements, separated from each other only by a dividing line, are directly adjacent to each other. Boundary lines can be easily recognized based on the elevated execution of structural elements. The maximum distance between two opposite boundary lines is taken as the value of the structural element. For measurement take into account a part of the surface of a part measuring 10 mm 2 . The arithmetic mean value of the measured values is taken as the average value of the quantity. Structural elements with a value of less than 5 microns are not taken into account when determining the average value.
Выполненная с такой микроструктурой поверхности деталь из кварцевого стекла отличается отличным сцеплением осажденных из газовой фазы слоев, в частности таких осажденных из газовой фазы слоев, которые осаждают способом с повышенной температурой. A quartz glass component made with such a microstructure of the surface is characterized by excellent adhesion of the gas-deposited layers, in particular such gas-deposited layers, which are deposited by an elevated temperature method.
Этот эффект можно объяснить особенным видом шероховатости поверхности, которая способствует благоприятному распределению напряжения между кварцевым стеклом и материалом осажденных из газовой фазы слоев. Микроструктура поверхности приводит к трехмерному распределению напряжений. Для этого необходимо, чтобы структурные элементы были составлены в основном из плоских поверхностных элементов в виде граней и чтобы они имели среднюю величину, не превышающую 180 мкм. За счет этого образуются плотность и распределение структурных элементов и образующих их верхних и боковых поверхностей, которые обеспечивают пригодное распределение напряжений. При средней величине структурных элементов ниже 30 мкм этот эффект больше не наблюдается. This effect can be explained by a special type of surface roughness, which contributes to a favorable stress distribution between the quartz glass and the material of the layers deposited from the gas phase. The surface microstructure leads to a three-dimensional stress distribution. For this, it is necessary that the structural elements are composed mainly of flat surface elements in the form of faces and that they have an average value not exceeding 180 microns. Due to this, the density and distribution of the structural elements and the upper and side surfaces forming them are formed, which provide a suitable stress distribution. With an average value of structural elements below 30 μm, this effect is no longer observed.
В контексте изобретения под плоской верхней поверхностью понимается также верхняя поверхность с изгибом, который возникает, например, после травления на непротравленных участках цилиндрической верхней поверхности трубчатой или стержневой детали из кварцевого стекла. При создании структурных элементов с помощью травления за верхнюю плоскость можно принимать поверхность непротравленных областей или же поверхность областей с наименьшей глубиной травления. In the context of the invention, a flat upper surface is also understood to mean a bent upper surface, which occurs, for example, after etching in the non-etched portions of a cylindrical upper surface of a tubular or rod part made of quartz glass. When creating structural elements by etching, the surface of non-etched regions or the surface of regions with the smallest etching depth can be taken as the upper plane.
Средняя глубина Ra неровностей профиля поверхности составляет предпочтительно 1-5 мкм, и величина проекции структурных элементов на первую плоскость находится в среднем в диапазоне между 50 и 100 мкм.The average depth R a of the surface profile irregularities is preferably 1-5 μm, and the projection of the structural elements onto the first plane is on average between 50 and 100 μm.
Особенно хорошо зарекомендовала себя деталь, в которой по меньшей мере часть боковых поверхностей расположена с образованием ступенчатых элементов. Ступенчатый элемент образуется за счет попарного следования друг за другом боковых поверхностей, из которых одна боковая поверхность проходит параллельно верхней поверхности или под небольшим углом к ней, и граничащая с ней боковая поверхность проходит под большим углом к верхней поверхности. Выдерживание прямого угла между соседними боковыми поверхностями не требуется. Ступенчатое выполнение боковых ограничительных поверхностей структурного элемента обеспечивается за счет последовательного расположения друг за другом большого числа ступенчатых элементов. Такое ступенчатое выполнение боковых ограничительных поверхностей дополнительно способствует снижению напряжений за счет трехмерного распределения напряжений. Этот эффект обнаруживается уже тогда, когда такое ступенчатое выполнение и расположение боковых поверхностей имеет место в некоторых структурных элементах. При этом не требуется, чтобы все ступенчатые элементы одной боковой ограничительной стенки имели одинаковые геометрические размеры. Особенно явный эффект в отношении сцепляемости осажденных из газовой фазы слоев проявляют ступенчатые элементы с глубиной ступеньки в диапазоне от 0,5 до 5 мкм. Particularly well-proven is the part in which at least part of the side surfaces is arranged with the formation of stepped elements. The stepped element is formed by pairwise following one another of the side surfaces, of which one side surface runs parallel to the upper surface or at a small angle to it, and the side surface bordering with it passes at a large angle to the upper surface. Maintaining a right angle between adjacent side surfaces is not required. The stepwise execution of the lateral boundary surfaces of the structural element is ensured by the sequential arrangement of a large number of stepwise elements one after the other. This stepwise implementation of the lateral boundary surfaces further contributes to the reduction of stresses due to the three-dimensional stress distribution. This effect is already detected when such a stepwise execution and arrangement of the side surfaces takes place in some structural elements. It is not required that all the stepped elements of one side restrictive wall have the same geometric dimensions. Step effects with step depths ranging from 0.5 to 5 microns have a particularly pronounced effect on the adhesion of the gas-deposited layers.
Предпочтительным является вариант выполнения детали из кварцевого стекла, в которой во второй плоскости между соседними структурными элементами образована канавка, которая имеет ширину по меньшей мере 1 мкм. Такие канавки, выполненные между возвышениями соседних структурных элементов, оказались особенно предпочтительными в отношении прочной сцепляемости осажденных из газовой фазы слоев. При этом под шириной понимается средняя ширина канавки на отрезке длины, на котором она разделяет друг от друга два структурных элемента. Нижняя поверхность канавки может быть выполнена плоской или изогнутой. A preferred embodiment is a quartz glass part in which a groove is formed in the second plane between adjacent structural elements, which has a width of at least 1 μm. Such grooves, made between the elevations of adjacent structural elements, have been particularly preferred with respect to the strong adhesion of the gas-deposited layers. In this case, the width refers to the average width of the groove in the length segment at which it separates two structural elements from each other. The bottom surface of the groove may be flat or curved.
Последовательное расположение друг за другом углублений в канавке оказалось предпочтительным в отношении прочности сцепления осажденных из газовой фазы слоев. Такие углубления в канавке могут быть выполнены, например, при повторном травлении структурированной согласно изобретению детали из кварцевого стекла в содержащем плавиковую кислоту травильном растворе. The successive arrangement of the recesses in the groove, one after the other, was preferable with respect to the adhesion strength of the gas-deposited layers. Such grooves in the groove can be made, for example, by re-etching a quartz glass structure according to the invention in a hydrofluoric acid etching solution.
Особенно хорошо зарекомендовала себя деталь из кварцевого стекла, в которой структурные элементы выполнены с острыми кромками и углами. Такие кромки и углы имеют, например, затылованные срезы, за которые может зацепляться удерживаемый на детали осажденный из газовой фазы слой. Particularly well-proven is a quartz glass part in which structural elements are made with sharp edges and corners. Such edges and corners have, for example, backed sections, for which a layer deposited from the gas phase can be held onto the part and can be caught.
Изобретение поясняется ниже на примерах выполнения с помощью чертежей, на которых изображено:
фиг. 1 - схематичный вид поперечного сечения перпендикулярно поверхности детали из кварцевого стекла согласно изобретению;
фиг. 2 - снимок с помощью растрового электронного микроскопа поверхности детали согласно изобретению при 100-кратном увеличении и
фиг.3 - обозначенная на фиг.2 область при 500-кратном увеличении.The invention is illustrated below by examples with the help of the drawings, which depict:
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view perpendicular to the surface of a quartz glass part according to the invention;
FIG. 2 is a photograph using a scanning electron microscope of the surface of a part according to the invention at a 100-fold magnification and
figure 3 - designated in figure 2, the area at 500x magnification.
На фиг.1 схематично показаны структурные элементы согласно изобретению в виде возвышений 1. Возвышения 1 расположены между первой, верхней, плоскостью 2 и второй, нижней, плоскостью 3. В поперечном сечении возвышения 1 выполнены в виде усеченных конусов. Они имеют плоскую верхнюю поверхность 4, которая проходит в верхней плоскости 2. Верхняя поверхность 4 ограничена боковыми поверхностями, которые на фиг. 1 обозначены одной позицией 5. Боковые стенки 5 выполнены частично в виде гладких ограничительных поверхностей 6 или они составлены в виде ступенек из отдельных ступенчатых элементов 1. Отдельные ступенчатые элементы 7 отличаются друг от друга их формой. Боковые стенки 5 соседних возвышений 1 не граничат непосредственно друг с другом, а между ними проходит соответствующая канавка 8 с плоской нижней поверхностью. При этом нижняя поверхность канавок 8 определяет нижнюю плоскость 3. Канавки 8 отделяют соседние возвышения 1 друг от друга. 1 schematically shows the structural elements according to the invention in the form of
Размер для определения величины возвышений 1 обозначен на фиг.1 позицией "L". Средняя ширина канавок определяется размером "D". Для определения шершавости поверхности измеряют расстояние "R" между верхней плоскостью 2 и нижней плоскостью 3 в нескольких местах и по ним рассчитывается среднее значение Ra согласно DIN 4768.The size for determining the magnitude of the
На снимке по фиг. 2, сделанном с помощью растрового электронного микроскопа, можно видеть, что поверхность детали из кварцевого стекла согласно изобретению определяется множеством возвышений 1, которые отличаются острыми углами и кромками, и отделены друг от друга канавками 8. Возвышения 1 кажутся на снимке темными поверхностями, канавки 8 - светлыми ограничительными линиями. В конкретном примере выполнения получена средняя величина возвышений 1 около 100 мкм. Значение Ra составляет на показанной на фиг.2 поверхности около 2 мкм.In the photograph of FIG. 2, made using a scanning electron microscope, it can be seen that the surface of the quartz glass part according to the invention is defined by a plurality of
Увеличение участка "А" снимка показано на фиг.3. На нем можно видеть детали микроструктуры поверхности детали из кварцевого стекла согласно изобретению, которые поясняются ниже подробнее. The increase of the plot "A" of the image shown in Fig.3. On it you can see the details of the microstructure of the surface of the quartz glass part according to the invention, which are explained in more detail below.
На снимке можно видеть, в основном, пять неравномерных возвышений в виде усеченных пирамид, которые обозначены позициями 1a-1е. Например, возвышение 1а имеет четко выраженную верхнюю поверхность 4а в форме многоугольника, которая ограничена проходящими наклонно вниз боковыми стенками 5а, 5b, 5с. Боковые стенки 5а, 5b, 5с выполнены ступенчатыми. Ступенчатое выполнение особенно хорошо можно различить, в частности, на обозначенной позицией 5d стенке. Глубина отдельных ступенек в боковой стенке 5d неравномерна; в среднем глубина составляет около 1 мкм. Высота отдельных ступенек также изменяется. In the picture, you can see mainly five uneven elevations in the form of truncated pyramids, which are indicated by
Отдельные возвышения 1a-1е отделены друг от друга канавками 8. Канавки 8 имеют в среднем ширину около 2 мкм. Их нижняя поверхность в примере выполнения не является плоской, а на основании множества примыкающих друг к другу углублений с диаметром менее 1 мкм выполнена неравномерной. The
Изображенная микроструктура детали из кварцевого стекла предоставляет для осажденного на нее из газовой фазы слоя множество мест сцепления. Это обеспечивается, с одной стороны, за счет указанной выше средней шероховатости поверхности, которая определяется в основном высотой "R" соответствующих возвышений, и, с другой стороны, их продольными размерами "L". Плотность и распределение возвышений отражается также в значении средней глубины Ra неровностей профиля поверхности.The illustrated microstructure of a quartz glass part provides a plurality of adhesion points for a layer deposited thereon from the gas phase. This is ensured, on the one hand, due to the above average surface roughness, which is determined mainly by the height "R" of the respective elevations, and, on the other hand, by their longitudinal dimensions "L". The density and distribution of elevations is also reflected in the average depth R a of the surface profile irregularities.
По сравнению с известной из уровня техники деталью на деталь из кварцевого стекла согласно изобретению можно, например, с помощью способа осаждения из газовой фазы при температуре около 600oС наносить в 5-10 раз более толстые слои нитрида кремния без отслоения слоев. Срок службы детали согласно изобретению является соответственно более длительным.In comparison with a part known from the prior art, a quartz glass part according to the invention can, for example, be applied to a gas phase deposition method at a temperature of about 600 ° C. to apply 5-10 times thicker silicon nitride layers without peeling the layers. The service life of the part according to the invention is accordingly longer.
Ниже поясняется способ изготовления детали согласно изобретению. Below is explained a method of manufacturing parts according to the invention.
Предварительно полированную пламенем решетку из кварцевого стекла для опоры кремниевых полупроводниковых пластин очищают в растворе спирта и затем в содержащем плавиковую кислоту травильном растворе. Чистая и гомогенная поверхность способствует созданию равномерной шершавости и указанной выше мелкозернистой микроструктуры по всей поверхности детали. A quartz glass lattice pre-polished by flame to support silicon semiconductor wafers is cleaned in an alcohol solution and then in an etching solution containing hydrofluoric acid. A clean and homogeneous surface helps to create uniform roughness and the above fine-grained microstructure over the entire surface of the part.
Готовят травильный раствор с указанным ниже составом:
23,6 мас.% HF (взвешенная как 50%-ый раствор HF),
17,4 мас.% фторида аммония (взвешенный как твердое вещество),
35,4 мас. % уксусной кислоты (взвешенной как 100%-я уксусная кислота; ледяная уксусная кислота) и
23,6 мас.% воды.Prepare an etching solution with the following composition:
23.6 wt.% HF (weighed as a 50% solution of HF),
17.4 wt.% Ammonium fluoride (suspended as a solid)
35.4 wt. % acetic acid (suspended as 100% acetic acid; glacial acetic acid) and
23.6 wt.% Water.
Травильный раствор стабилизируют посредством нахождения в течение часа в состоянии покоя. Стабилизация травильного раствора также способствует образованию равномерной шероховатости и указанной выше мелкозернистой микроструктуры по всей поверхности детали. The pickling solution is stabilized by being at rest for an hour. The stabilization of the etching solution also contributes to the formation of a uniform roughness and the above fine-grained microstructure over the entire surface of the part.
Решетку термостатируют при температуре около 15oС. Затем решетку из кварцевого стекла погружают в травильный раствор. Для достижения равномерного травления и предотвращения отложений на поверхности решетки процесс погружения производят возможно быстрее.The lattice is thermostated at a temperature of about 15 o C. Then the quartz glass lattice is immersed in the etching solution. To achieve uniform etching and prevent deposits on the surface of the grating, the dipping process is carried out as quickly as possible.
При температуре травильного раствора 15oС время обработки составляет 60 мин. Затем решетку в течение 10 мин очищают в 5%-ом растворе плавиковой кислоты. После такого процесса травления и очистки поверхность имеет показанную на фиг. 2 и 3 микроструктуру со средней глубиной Ra неровностей профиля поверхности 2 мкм.When the temperature of the etching solution of 15 o With the processing time is 60 minutes Then the lattice for 10 min is cleaned in a 5% solution of hydrofluoric acid. After such an etching and cleaning process, the surface has that shown in FIG. 2 and 3 microstructure with an average depth R a of surface irregularities of 2 μm.
Решетку и травильный раствор можно термостатировать также при другой температуре, например около 20oС. Необходимо также соответственно изменить состав травильного раствора. При более высоких температурах подходят более разбавленные травильные растворы.The grill and pickling solution can also be thermostated at a different temperature, for example about 20 o C. It is also necessary to accordingly change the composition of the pickling solution. At higher temperatures, more dilute etching solutions are suitable.
Ниже приводится другой способ приготовления подходящего травильного раствора и пример выполнения изготовления детали согласно изобретению. The following is another method for preparing a suitable pickling solution and an example of manufacturing a part according to the invention.
В охлаждаемом сосуде сначала приготовляют водный раствор фторида аммония таким образом, что в чистой воде размешивают порошок фторида аммония с содержанием 40 мас. %. Из него посредством добавления 50 мас.% плавиковой кислоты получают водный основной травильный раствор, который имеет содержание HF 13 мас.% и NH4F 30 мас.%. Собственно травильный раствор изготавливают незадолго до начала процесса травления тем, что к 40 объемным частям основного раствора добавляют 60 объемных частей дополнительного раствора. Дополнительный раствор содержит уксусную кислоту с чистотой 99,7% и имеет точку кипения 118,1oС. В изготовленном таким образом растворе трубку из кварцевого стекла обрабатывают в течение 3 ч, затем промывают чистой водой и высушивают. После этого трубка из кварцевого стекла имеет шершавую в виде граней поверхность, средняя глубина Ra неровностей профиля поверхности которой составляет 0,6 мкм, при этом величина отдельных граней составляет в среднем 100 мкм.In a cooled vessel, an aqueous solution of ammonium fluoride is first prepared so that a powder of ammonium fluoride with a content of 40 wt. % From it, by adding 50 wt.% Hydrofluoric acid, an aqueous basic etching solution is obtained which has a HF content of 13 wt.% And NH 4 F of 30 wt.%. The etching solution itself is prepared shortly before the etching process begins by adding 60 volume parts of the additional solution to 40 parts by volume of the basic solution. The additional solution contains acetic acid with a purity of 99.7% and has a boiling point of 118.1 o C. In the solution prepared in this way, the quartz glass tube is treated for 3 hours, then washed with clean water and dried. After that, the quartz glass tube has a rough surface in the form of faces, the average depth R a of the surface profile irregularities of which is 0.6 μm, while the size of individual faces is on average 100 μm.
Claims (7)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19713014.3 | 1997-03-27 | ||
| DE19713014A DE19713014C2 (en) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | Quartz glass component for use in semiconductor manufacture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU98123600A RU98123600A (en) | 2000-09-27 |
| RU2195045C2 true RU2195045C2 (en) | 2002-12-20 |
Family
ID=7824874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU98123600/28A RU2195045C2 (en) | 1997-03-27 | 1998-03-24 | Quartz glass part for semiconductor manufacture |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6150006A (en) |
| EP (1) | EP0914676B1 (en) |
| JP (1) | JP3786240B2 (en) |
| KR (1) | KR100507604B1 (en) |
| CN (1) | CN1150346C (en) |
| AT (1) | ATE326065T1 (en) |
| DE (2) | DE19713014C2 (en) |
| RU (1) | RU2195045C2 (en) |
| SG (1) | SG63833A1 (en) |
| TW (1) | TW506950B (en) |
| WO (1) | WO1998044538A2 (en) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3985243B2 (en) * | 1998-12-01 | 2007-10-03 | 信越石英株式会社 | Quartz glass jig having large irregularities on the surface and manufacturing method thereof |
| DE19917288C2 (en) | 1999-04-16 | 2001-06-28 | Heraeus Quarzglas | Quartz glass crucible |
| US6368410B1 (en) * | 1999-06-28 | 2002-04-09 | General Electric Company | Semiconductor processing article |
| CN1214129C (en) * | 1999-12-28 | 2005-08-10 | 东芝株式会社 | Parts for vacuum film-forming device and vacuum film-forming device using the same and board device thereof |
| JP2002047034A (en) * | 2000-07-31 | 2002-02-12 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | Quartz glass jig for process equipment using plasma |
| EP1187170B1 (en) * | 2000-08-29 | 2007-05-09 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Plasma resistant quartz glass jig |
| JP4539794B2 (en) * | 2000-09-28 | 2010-09-08 | 信越石英株式会社 | Silica glass jig for semiconductor industry and manufacturing method thereof |
| KR100547743B1 (en) * | 2000-09-28 | 2006-01-31 | 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤 | Silica Glass Jig for Semiconductor Industry and Manufacturing Method Thereof |
| US6897002B2 (en) * | 2002-03-25 | 2005-05-24 | Ricoh Company, Ltd. | Liquid developer, image-fixing apparatus using the same, and image-forming apparatus using the same |
| CN100350571C (en) * | 2002-04-04 | 2007-11-21 | 东曹株式会社 | Silex glass spraying component and manufacturing method thereof |
| US20040055709A1 (en) * | 2002-09-19 | 2004-03-25 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having a low level of particle generation and method of fabricating same |
| US6879777B2 (en) | 2002-10-03 | 2005-04-12 | Asm America, Inc. | Localized heating of substrates using optics |
| US7338699B2 (en) * | 2002-10-31 | 2008-03-04 | Tosoh Corporation | Island projection-modified part, method for producing the same, and apparatus comprising the same |
| US6720531B1 (en) | 2002-12-11 | 2004-04-13 | Asm America, Inc. | Light scattering process chamber walls |
| JP4330363B2 (en) * | 2003-03-28 | 2009-09-16 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | Quartz glass crucible |
| US7250114B2 (en) * | 2003-05-30 | 2007-07-31 | Lam Research Corporation | Methods of finishing quartz glass surfaces and components made by the methods |
| US7045072B2 (en) * | 2003-07-24 | 2006-05-16 | Tan Samantha S H | Cleaning process and apparatus for silicate materials |
| JP4994576B2 (en) * | 2004-03-23 | 2012-08-08 | コバレントマテリアル株式会社 | Silica glass crucible |
| DE102005005196B4 (en) * | 2005-02-03 | 2009-04-23 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Method for producing a component made of quartz glass for use in semiconductor production and component obtained by the method |
| WO2009107834A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | Quartz crucible for pulling silicon single crystal and method for manufacturing the quartz crucible |
| BE1020793A3 (en) * | 2012-07-18 | 2014-05-06 | Agc Glass Europe | GLASS SHEET DEPOLIE. |
| US10727094B2 (en) * | 2016-01-29 | 2020-07-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Thermal reflector device for semiconductor fabrication tool |
| KR102019817B1 (en) * | 2017-09-07 | 2019-09-09 | 주식회사 원익큐엔씨 | Quarts surface treatment method |
| DE102020131324A1 (en) | 2020-11-26 | 2022-06-02 | Heraeus Noblelight Gmbh | Infrared radiator and infrared radiation emitting component |
| DE102022111985A1 (en) | 2022-05-12 | 2023-11-16 | Heraeus Noblelight Gmbh | Infrared emitter with an emissive layer applied to a metal reflector layer and use of the emissive layer |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55127021A (en) * | 1979-03-24 | 1980-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | Deposition apparatus for gaseous phase reaction |
| JPS58202535A (en) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | Film forming device |
| LU86722A1 (en) * | 1986-12-23 | 1988-07-14 | Glaverbel | SHEET OF GLASS MATERIAL CARRYING A SERIOUS DRAWING AND METHOD FOR ENGRAVING A DRAWING ON A SUBSTRATE OF GLASS MATERIAL |
| US5091053A (en) * | 1990-02-28 | 1992-02-25 | At&T Bell Laboratories | Matte finishes on optical fibers and other glass articles |
| JPH0415215A (en) * | 1990-05-08 | 1992-01-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Thermosetting resin composition for laminate |
| JPH04152515A (en) * | 1990-10-16 | 1992-05-26 | Seiko Epson Corp | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP3262674B2 (en) * | 1994-03-31 | 2002-03-04 | 信越石英株式会社 | Quartz glass surface treatment liquid and method of using the same |
| JP3117611B2 (en) * | 1994-03-31 | 2000-12-18 | 信越石英株式会社 | Quartz glass surface processing method |
| DE4429825C1 (en) * | 1994-08-23 | 1995-11-09 | Heraeus Quarzglas | Coated component made of quartz glass |
| US5614071A (en) * | 1995-06-28 | 1997-03-25 | Hmt Technology Corporation | Sputtering shield |
| EP0763504B1 (en) * | 1995-09-14 | 1999-06-02 | Heraeus Quarzglas GmbH | Silica glass member and method for producing the same |
| JP4195916B2 (en) * | 1996-12-04 | 2008-12-17 | 信越石英株式会社 | Silica glass container for dry etching, method for producing the same, and dry etching apparatus provided with the silica glass container |
-
1997
- 1997-03-27 DE DE19713014A patent/DE19713014C2/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-03-17 TW TW087103933A patent/TW506950B/en not_active IP Right Cessation
- 1998-03-24 EP EP98924075A patent/EP0914676B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-24 DE DE59813532T patent/DE59813532D1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-24 WO PCT/EP1998/001715 patent/WO1998044538A2/en active IP Right Grant
- 1998-03-24 US US09/194,307 patent/US6150006A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-24 CN CNB988003899A patent/CN1150346C/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-24 AT AT98924075T patent/ATE326065T1/en active
- 1998-03-24 RU RU98123600/28A patent/RU2195045C2/en not_active IP Right Cessation
- 1998-03-26 KR KR10-1998-0010587A patent/KR100507604B1/en not_active IP Right Cessation
- 1998-03-26 SG SG1998000639A patent/SG63833A1/en unknown
- 1998-03-27 JP JP08102998A patent/JP3786240B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6150006A (en) | 2000-11-21 |
| SG63833A1 (en) | 1999-03-30 |
| JP3786240B2 (en) | 2006-06-14 |
| CN1150346C (en) | 2004-05-19 |
| KR19980080738A (en) | 1998-11-25 |
| DE19713014A1 (en) | 1998-10-08 |
| EP0914676A2 (en) | 1999-05-12 |
| DE19713014C2 (en) | 1999-01-21 |
| EP0914676B1 (en) | 2006-05-10 |
| DE59813532D1 (en) | 2006-06-14 |
| KR100507604B1 (en) | 2005-12-06 |
| WO1998044538A2 (en) | 1998-10-08 |
| ATE326065T1 (en) | 2006-06-15 |
| JPH10273339A (en) | 1998-10-13 |
| TW506950B (en) | 2002-10-21 |
| CN1220708A (en) | 1999-06-23 |
| WO1998044538A3 (en) | 1998-12-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2195045C2 (en) | Quartz glass part for semiconductor manufacture | |
| JP3855105B2 (en) | Method for creating a roughened surface on a silicon solar cell substrate | |
| JP4839836B2 (en) | Manufacturing method of silicon epitaxial wafer | |
| TW201212246A (en) | Surface processing method of silicon substrate for solar cell, and manufacturing method of solar cell | |
| JP3985243B2 (en) | Quartz glass jig having large irregularities on the surface and manufacturing method thereof | |
| EP1193327B1 (en) | Silica glass apparatus for semiconductor industry and method for producing the same | |
| KR100614741B1 (en) | Silica glass jig used in process for manufacturing semiconductor and method of manufacturing silica glass jig | |
| JP2006253726A (en) | Semiconductor substrate roughening method | |
| Cho et al. | Fabrication method for surface gratings using a Faraday cage in a conventional plasma etching apparatus | |
| CN220121868U (en) | Total reflection patterned substrate base plate and LED light source | |
| JP5284960B2 (en) | Quartz glass material for plasma etching | |
| JP4437365B2 (en) | Silica glass jig for semiconductor industry and manufacturing method thereof | |
| KR20250012650A (en) | Metastructure comprising meta-atoms with outwardly inclined side walls | |
| CN115763245A (en) | Preparation method of total reflection patterned substrate | |
| JP5585577B2 (en) | Evaluation method of SiC coating for semiconductor heat treatment member | |
| JP5212529B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor film forming substrate | |
| JP2018107340A (en) | Substrate, and light-emitting element including the same | |
| JPH07188923A (en) | Collimator |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130325 |