RU2110874C1 - Injection semiconductor laser - Google Patents
Injection semiconductor laser Download PDFInfo
- Publication number
- RU2110874C1 RU2110874C1 RU96108212A RU96108212A RU2110874C1 RU 2110874 C1 RU2110874 C1 RU 2110874C1 RU 96108212 A RU96108212 A RU 96108212A RU 96108212 A RU96108212 A RU 96108212A RU 2110874 C1 RU2110874 C1 RU 2110874C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- laser
- insulating layer
- heterostructure
- emitter
- semiconductor laser
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
Изобретение касается мощных (от 500 мВт до 5 Вт) инжекционных полупроводниковых лазеров, предназначенных для использования в различных областях науки и техники, например медицине, автоматике и робототехнике, связи, в том числе космической, спектрометрии, геологии и т.д. The invention relates to high-power (from 500 mW to 5 W) injection semiconductor lasers intended for use in various fields of science and technology, for example, medicine, automation and robotics, communications, including space, spectrometry, geology, etc.
Известен маломощный одномодовый инжекционный лазер на основе гетероструктуры полупроводниковых соединений AIIIBV и их твердых растворов с эмиттерными слоями и помещенной между ними активной областью, мезаполоской шириной 1-3 мкм с основанием, расположенным в ближайшем к нему эмиттерном слое, и с изолирующим слоем из селенида цинка ZnSe [1].Known low-power single-mode injection laser based on the heterostructure of semiconductor compounds A III B V and their solid solutions with emitter layers and the active region placed between them, a mesa strip of 1-3 μm wide with a base located in the nearest emitter layer and with an insulating layer of zinc selenide ZnSe [1].
Лазер работает при выходной оптической мощности менее 100 мВт. Кроме того, селенид цинка ZnSe обладает недостаточно высокой теплопроводностью, что снижает срок службы лазера из-за перегрева кристалла. The laser operates at an output optical power of less than 100 mW. In addition, ZnSe zinc selenide does not have a sufficiently high thermal conductivity, which reduces the laser life due to overheating of the crystal.
Известна конструкция маломощного полупроводникового инжекционного лазера на основе гетероструктуры GaAs/GaAlAs с эмиттерными слоями и помещенной между ними активной областью, представляющего собой набор параллельно расположенных контактных полосок, изоляция между которыми выполнена из оксида кремния SiO2 [2].A known design of a low-power semiconductor injection laser based on a GaAs / GaAlAs heterostructure with emitter layers and an active region placed between them, which is a set of parallel contact strips, the insulation between which is made of silicon oxide SiO 2 [2].
Кроме того, конструкция лазера содержит общую сплошную контактную область, что позволило получить однородное распределение интенсивности лазерного излучения на выходном зеркале кристалла и, как следствие, достичь выходной оптической мощности 300 мВт. In addition, the laser design contains a common continuous contact region, which made it possible to obtain a uniform distribution of the laser radiation intensity at the output mirror of the crystal and, as a result, achieve an output optical power of 300 mW.
Дальнейшее увеличение мощности при такой конструкции лазера возможно лишь при существенном уменьшении срока службы из-за перегрева кристалла вследствие недостаточно эффективного отвода тепла, связанного с недостаточной теплопроводностью изолирующего слоя из SiO2.A further increase in power with such a laser design is possible only with a significant decrease in the service life due to overheating of the crystal due to insufficient heat removal associated with insufficient thermal conductivity of the insulating layer of SiO 2 .
Известен маломощный инжекционный полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры AlyGa1-yAs-GaAs-InxGa1-xAs с эмиттерными слоями и помещенной между ними активной областью, представляющий собой набор параллельно расположенных мезаполосок шириной 3 мкм с основаниями, расположенными в ближайшем эмиттерном слое, и изолирующим слоем из естественного оксида алюминия Al2O3 [3].A low-power injection semiconductor laser is known based on the Al y Ga 1-y As-GaAs-In x Ga 1-x As heterostructure with emitter layers and an active region placed between them, which is a set of 3 micron-wide parallel strips with bases located in the nearest emitter layer, and an insulating layer of natural alumina Al 2 O 3 [3].
Данная конструкция позволяет изготавливать лазеры с выходной оптической мощностью порядка 100 мВт, однако дальнейшее увеличение мощности при такой конструкции лазера возможно лишь при существенном уменьшении срока службы из-за перегрева кристалла вследствие недостаточно эффективного отвода тепла, связанного с недостаточной теплопроводностью изолирующего слоя из Al2O3 (коэффициент теплопроводности оксида алюминия составляет 0,04 Вт/см•град).This design allows us to produce lasers with an output optical power of about 100 mW, however, a further increase in power with such a laser design is possible only with a significant decrease in the service life due to overheating of the crystal due to insufficient heat removal associated with insufficient thermal conductivity of the insulating layer of Al 2 O 3 (the coefficient of thermal conductivity of aluminum oxide is 0.04 W / cm • deg).
В последнее время возникла острая потребность в источниках мощного лазерного излучения (от 0, 5 до 5,0 Вт). Recently, there has been an acute need for high-power laser radiation sources (from 0.5 to 5.0 W).
В настоящее время в качестве источников мощного излучения используются газовые и твердотельные лазеры. Однако область использования этих лазеров ограничена их большими габаритными размерами и высоким энергопотреблением. Currently, gas and solid-state lasers are used as sources of powerful radiation. However, the field of use of these lasers is limited by their large overall dimensions and high energy consumption.
Поэтому возникла проблема разработки высокомощных полупроводниковых инжекционных источников лазерного излучения, для которых характерны миниатюрные размеры (в 100 - 1000 раз меньшие, чем размеры газовых лазеров) и низкое энергопотребление (более чем в 103 раз меньшее, чем у газовых лазеров).Therefore, the problem arose of developing high-power semiconductor injection sources of laser radiation, which are characterized by miniature sizes (100 - 1000 times smaller than the size of gas lasers) and low power consumption (more than 10 3 times smaller than that of gas lasers).
Задача изобретения заключается в разработке конструкции высокомощного инжекционного полупроводникового лазера со сроком службы не менее 3 - 5 тысяч часов. The objective of the invention is to develop the design of a high-power injection semiconductor laser with a service life of at least 3 to 5 thousand hours.
Задача решается тем, что в инжекционном полупроводниковом лазере, изготовленном на основе гетероструктуры, с эмиттерными слоями и помещенной между ними активной областью, содержащем набор параллельно расположенных мезаполосок с основаниями, находящимися в ближайшем к ним эмиттерном слое, изолирующий слой, нанесенный в межполосковых областях, и сплошной металлический слой, расположенный сверху гетероструктуры и предназначенный для подвода тока к лазеру, упомянутый выше изолирующий слой выполнен из поликристаллического кремния с удельным электрическим сопротивлением не менее ρ = 2•10-3 Ом•см2 и толщиной в диапазоне 0,1 - 0,5 мкм.The problem is solved in that in an injection semiconductor laser fabricated on the basis of a heterostructure with emitter layers and an active region placed between them, containing a set of parallel strips with bases located in the nearest emitter layer, an insulating layer deposited in the interstrip regions, and a continuous metal layer located on top of the heterostructure and designed to supply current to the laser, the above-mentioned insulating layer is made of polycrystalline silicon with electrical resistance of at least ρ = 2 • 10 -3 Ohm • cm 2 and a thickness in the range of 0.1 - 0.5 microns.
Выполнение изолирующего слоя из поликристаллического кремния с удельным электрическим сопротивлением ρ = 2•10-3 Ом•см2 и толщиной 0,1 - 0,5 мкм позволяет осуществить устойчивую межполосковую электроизоляцию с одновременным высокоэффективным отводом тепла от активной области полупроводникового лазера.The implementation of the insulating layer of polycrystalline silicon with a specific electrical resistance ρ = 2 • 10 -3 Ohm • cm 2 and a thickness of 0.1 - 0.5 μm allows for stable interstrip electrical insulation with simultaneous highly efficient heat removal from the active region of the semiconductor laser.
Для доказательства этого утверждения приведем ватт-амперные характеристики инжекционных полупроводниковых лазеров с изолирующими слоями из оксида алюминия Al2O3 и поликристаллического кремния Si (фиг.1).To prove this statement, we present the watt-ampere characteristics of injection semiconductor lasers with insulating layers of aluminum oxide Al 2 O 3 and polycrystalline silicon Si (Fig. 1).
Как видно из характеристик на фиг.1, при увеличении мощности излучения лазера (W) более 300 мВт при одинаковых рабочих токах (I) мощность оптического излучения лазера в случае изготовления изолирующего слоя из Al2O3 (кривая 2) становится меньше по сравнению с лазером, изолирующий слой которого изготовлен из поликристаллического кремния (кривая 1). При увеличении рабочего тока лазера с изолирующим слоем из Al2O3 более 0, 9 А происходит деструкция гетероструктуры, приводящая к полной необратимой деградации лазера.As can be seen from the characteristics in Fig. 1, with an increase in the laser radiation power (W) of more than 300 mW at the same operating currents (I), the laser optical radiation power in the case of the manufacture of an insulating layer of Al 2 O 3 (curve 2) becomes laser, the insulating layer of which is made of polycrystalline silicon (curve 1). With an increase in the operating current of a laser with an insulating layer of Al 2 O 3 greater than 0.9 A, the destruction of the heterostructure occurs, leading to complete irreversible degradation of the laser.
Такие явления связаны с тем, что изоляционные слои из Al2O3 и Si значительно отличаются теплопроводностью при близких электроизоляционных свойствах. Так, теплопроводность Al2O3 составляет 27 - 29 Вт/м•град, а теплопроводность Si 167 - 169 Вт/м•град.Such phenomena are due to the fact that the insulating layers of Al 2 O 3 and Si are significantly different in thermal conductivity with close electrical insulation properties. So, the thermal conductivity of Al 2 O 3 is 27 - 29 W / m • deg, and the thermal conductivity of Si 167 - 169 W / m • deg.
Это же свойство поликристаллического Si приводит к увеличению срока службы полупроводникового лазера до 3 - 5 тысяч часов без заметного увеличения рабочего тока и при отсутствии заметной постоянной деградации лазера. The same property of polycrystalline Si leads to an increase in the life of a semiconductor laser to 3-5 thousand hours without a noticeable increase in the operating current and in the absence of a noticeable constant degradation of the laser.
Для доказательства этого утверждения на фиг.2 приведены зависимости мощности излучения от времени наработки при постоянном токе накачки для лазера с изолирующим слоем из поликристаллического кремния (кривая 1) и лазера с изолирующим слоем из оксида алюминия (кривая 2). To prove this statement, Fig. 2 shows the dependence of the radiation power on the operating time at a constant pump current for a laser with an insulating layer of polycrystalline silicon (curve 1) and a laser with an insulating layer of aluminum oxide (curve 2).
Как видно из фиг.2, мощность излучения лазера, изготовленного с изолирующим слоем из поликристаллического кремния, практически не меняется (наблюдается уменьшение мощности излучения не более 3%) в течение всего срока наработки 5000 ч (кривая 1), в то время как для лазера с изолирующим слоем из оксида алюминия начинает заметно падать уже после 100 ч наработки, а при 200 ч наработки происходит полная деградация лазера (кривая 2). As can be seen from figure 2, the radiation power of a laser made with an insulating layer of polycrystalline silicon, practically does not change (there is a decrease in radiation power of not more than 3%) over the entire operating time of 5000 hours (curve 1), while for a laser With an insulating layer of aluminum oxide, it starts to noticeably drop after 100 hours of operation, and at 200 hours of operation, the laser completely degrades (curve 2).
Толщина изолирующего слоя из поликристаллического кремния должна быть выбрана в диапазоне от 0,1 до 0,5 мкм. При толщине менее 0,1 мкм нарушается сплошность слоя и слой не работает как изолирующий. При толщине более 0,5 мкм ухудшается отвод тепла от кристалла лазера. The thickness of the insulating layer of polycrystalline silicon should be selected in the range from 0.1 to 0.5 microns. With a thickness of less than 0.1 μm, the continuity of the layer is violated and the layer does not work as an insulating layer. With a thickness of more than 0.5 μm, heat removal from the laser crystal is impaired.
На фиг.1 приведены ватт-амперные характеристики полупроводниковых лазеров: предлагаемого (кривая 1) и прототипа (кривая 2);
на фиг. 2 приведены зависимости мощности излучения от времени наработки при постоянном токе накачки для лазера с изолирующим слоем из поликристаллического кремния (кривая 1) и лазера с изолирующим слоем из оксида алюминия (кривая 2);
на фиг. 3 приведена конструкция предлагаемого инжекционного полупроводникового лазера.Figure 1 shows the watt-ampere characteristics of semiconductor lasers: the proposed (curve 1) and prototype (curve 2);
in FIG. Figure 2 shows the dependences of the radiation power on the operating time at a constant pump current for a laser with an insulating layer of polycrystalline silicon (curve 1) and a laser with an insulating layer of aluminum oxide (curve 2);
in FIG. 3 shows the design of the proposed injection semiconductor laser.
Приведем пример конкретного осуществления изобретения. We give an example of a specific embodiment of the invention.
Инжекционный полупроводниковый лазер изготовлен на основе подложки 1 с нижним эмиттерным слоем 2 и верхним эмиттерным слоем 3 с расположенной между ними активной областью 4. Полупроводниковый лазер содержит набор параллельно расположенных мезаполосок 5 с основаниями, находящимися в ближайшем к ним эмиттерном слое 3. В межполосковых областях нанесен изолирующий слой 6 из поликристаллического кремния Si с удельным электрическим сопротивлением ρ = 2•10-3 Ом•см2 и толщиной 0,1 - 0,5 мкм. Сверху гетероструктуры для подвода тока к лазеру нанесен сплошной металлический слой 7.The injection semiconductor laser is made on the basis of a substrate 1 with a
Технология изготовления инжекционного полупроводникового лазера состоит из следующих основных этапов. The manufacturing technology of an injection semiconductor laser consists of the following main steps.
На подложке 1 эпитаксиально последовательно выращиваются эмиттерные слои 2 и 3 с промежуточной активной областью 4, например, методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Далее изготавливается набор параллельно расположенных мезаполосок с основаниями, находящимися в ближайшем к ним эмиттерном слое 3, например, с использованием литографического процесса и ионного травления. On the substrate 1,
После этого производят нанесение поликристаллического кремния в межполосковые области, например, методом магнетронного распыления на постоянном токе. После изготовления изоляционного слоя 6 на поверхность гетероструктуры наносят сплошной металлический слой 7, например, методом вакуумно-термического испарения. After that, polycrystalline silicon is applied to the interstrip regions, for example, by direct current magnetron sputtering. After the manufacture of the insulating layer 6, a continuous metal layer 7 is applied to the surface of the heterostructure, for example, by vacuum thermal evaporation.
Пример 1. Изготовлен инжекционный квантово-размерный с раздельным ограничением на основе двойной гетероструктуры AlGaAs/GaAs полупроводниковый лазер. Example 1. An injection quantum confinement laser with a separate restriction was manufactured on the basis of an AlGaAs / GaAs double heterostructure semiconductor laser.
Технология изготовления состоит из следующих основных этапов. На подложке из арсенида галлия GaAs n-типа проводимости последовательно выращиваются эмиттерные слои AlGaAs с промежуточной активной областью методом молекулярной лучевой эпитаксии. Используя метод фотолитографии и сухого ионного травления, формируется в p-типе эмиттерном слое мезаполосковый рисунок с шириной полоска 4/4 мкм и общей длиной 100 мкм. В межполосковые ямки травления методом магнетронного распыления на постоянном токе наносится слой поликристаллического кремния толщиной 0,3 мкм. После удаления фоторезистивной маски на поверхность гетероструктуры методом вакуумного термического испарения наносится слой золота. Manufacturing technology consists of the following main steps. On a substrate of gallium arsenide GaAs of n-type conductivity, AlGaAs emitter layers with an intermediate active region are sequentially grown by molecular beam epitaxy. Using the method of photolithography and dry ion etching, a mestrip pattern with a strip width of 4/4 μm and a total length of 100 μm is formed in the p-type emitter layer. A direct current layer of polycrystalline silicon with a thickness of 0.3 μm is applied to the interstrip etch pits by direct current magnetron sputtering. After removing the photoresist mask, a gold layer is deposited on the surface of the heterostructure by vacuum thermal evaporation.
Изготовленный лазер имеет следующие основные характеристики:
Длина волны излучения, мкм - 0,82
Спектральная ширина линии, нм - 3
Выходная мощность излучения на постоянном токе, Вт - 0,5
Максимальная выходная мощность излучения на постоянном токе, Вт - 0,6
Пороговый ток, mА - 200
Рабочий ток, А - 1,1
Рабочее напряжение, В - 2,0
Срок службы, ч - 5000
Пример 2. Изготовлен инжекционный квантово-размерный с раздельным ограничением на основе двойной гетероструктуры AlGaInAs/GaAs полупроводниковый лазер.The manufactured laser has the following main characteristics:
The radiation wavelength, microns - 0.82
Spectral line width, nm - 3
Output power of direct current radiation, W - 0.5
Maximum output power of direct current radiation, W - 0.6
Threshold current, mA - 200
Working current, A - 1.1
Operating voltage, V - 2.0
Service life, h - 5000
Example 2. An injection quantum-dimensional with a separate restriction based on a double heterostructure AlGaInAs / GaAs semiconductor laser is manufactured.
Технология изготовления состоит из следующих основных этапов. На подложке из арсенида галлия GaAs n-типа проводимости методом металлоорганической газофазной эпитаксии последовательно выращиваются эмиттерные слои AlGaAs с промежуточной активной областью GaAs/InGaAs/GaAs. Используя метод фотолитографии и сухого ионного травления, формируется в p-типе эмиттерном слое мезаполосковая структура с шириной полоска 4/4 мкм и общей длиной рисунка 150 мкм. В межполосковые ямки травления методом газофазного осаждения наносится слой поликристаллического кремния толщиной 0,2 мкм. После снятия фоторезистивной маски на поверхность гетероструктуры методом магнетронного распыления наносится металлический слой из золота. Manufacturing technology consists of the following main steps. On a substrate of gallium arsenide GaAs of n-type conductivity, AlGaAs emitter layers with an intermediate active GaAs / InGaAs / GaAs region are successively grown by the method of organometallic gas-phase epitaxy. Using the method of photolithography and dry ion etching, a messtrip structure is formed in the p-type emitter layer with a strip width of 4/4 μm and a total pattern length of 150 μm. A layer of polycrystalline silicon with a thickness of 0.2 μm is applied to the interstrip etch pits by gas-phase deposition. After removing the photoresist mask, a metal layer of gold is applied to the surface of the heterostructure by magnetron sputtering.
Изготовленный лазер имеет следующие основные характеристики:
Длина волны излучения, мкм - 0,96
Спектральная ширина линии, нм - 3
Выходная мощность излучения на постоянном токе, Вт - 1,2
Максимальная выходная мощность излучения на постоянном токе, Вт - 1,5
Пороговый ток, А - 0,5
Рабочий ток, А - 2,2
Рабочее напряжение, В - 2,2
Срок службы, ч - 4000
Лазеры предлагаемой конструкции с большой мощностью излучения и сроком службы найдут широкое применение в различных областях науки и техники.The manufactured laser has the following main characteristics:
The radiation wavelength, microns - 0.96
Spectral line width, nm - 3
Output power of direct current radiation, W - 1.2
Maximum output power of direct current radiation, W - 1,5
Threshold current, A - 0.5
Working current, A - 2.2
Operating voltage, V - 2.2
Service life, h - 4000
Lasers of the proposed design with high radiation power and service life will be widely used in various fields of science and technology.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU96108212A RU2110874C1 (en) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | Injection semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU96108212A RU2110874C1 (en) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | Injection semiconductor laser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2110874C1 true RU2110874C1 (en) | 1998-05-10 |
| RU96108212A RU96108212A (en) | 1998-09-20 |
Family
ID=20179840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU96108212A RU2110874C1 (en) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | Injection semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2110874C1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002052653A1 (en) * | 2000-12-25 | 2002-07-04 | Lev Vasilievich Kozhitov | Nonplanar semiconductor devices provided with a cylindrical closed effective layer |
| WO2007018451A1 (en) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | General Nano Optics Limited | Injection laser |
| RU2609732C2 (en) * | 2014-10-13 | 2017-02-02 | Александр Эдуардович Виноградский | Multifunctional laser device (versions) |
-
1996
- 1996-04-24 RU RU96108212A patent/RU2110874C1/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 2. T.R. Chem et al.Appl. Phys. Zett, 1988, vol. 53, N 16, p.1468 - 1470. 3. F.A. Kish et al. Appl. Phys. Zett, 1992, vol.60, N 1, pp.71-73. * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002052653A1 (en) * | 2000-12-25 | 2002-07-04 | Lev Vasilievich Kozhitov | Nonplanar semiconductor devices provided with a cylindrical closed effective layer |
| WO2007018451A1 (en) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | General Nano Optics Limited | Injection laser |
| US7787508B2 (en) | 2005-08-05 | 2010-08-31 | General Nano Optics Limited | Injector laser |
| RU2609732C2 (en) * | 2014-10-13 | 2017-02-02 | Александр Эдуардович Виноградский | Multifunctional laser device (versions) |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Haase et al. | Low‐threshold buried‐ridge II‐VI laser diodes | |
| Casey Jr et al. | Room‐temperature operation of low‐threshold separate‐confinement heterostructure injection laser with distributed feedback | |
| JP4636575B2 (en) | Semiconductor device and method having tunnel contact hole source | |
| US4136928A (en) | Optical integrated circuit including junction laser with oblique mirror | |
| Nakamura et al. | GaAs-Ga 1− x Al x As double-heterostructure distributed feedback diode lasers | |
| EP0002827B1 (en) | Strip buried heterostructure laser and method for producing same | |
| US4230997A (en) | Buried double heterostructure laser device | |
| KR20040041730A (en) | Semiconductor optical devices having current-confined structure | |
| Ettenberg et al. | Very high radiance edge-emitting LED | |
| GB2252872A (en) | Laser diode and method of manufacture | |
| US6500688B2 (en) | Interband cascade light emitting device and method of making same | |
| RU2110874C1 (en) | Injection semiconductor laser | |
| JPH11506273A (en) | Radiation-emitting semiconductor diode with a separate confinement layer of a semiconductor material containing up to 30% of aluminum or a semiconductor material without aluminum | |
| JP2002057409A (en) | Semiconductor laser and its fabricating method | |
| EP0284684B1 (en) | Inverted channel substrate planar semiconductor laser | |
| Golikova et al. | Mesastripe single-mode separately bounded lasers based on InGaAsP/InP heterostructures obtained by VPE of organometallic compounds | |
| JPH05235473A (en) | Surface light emitting device and fabrication thereof | |
| Vail et al. | Buried heterostructure 0.98 μm InGaAs/InGaAsP/InGaP lasers | |
| Nam et al. | Operating characteristics of high continuous power (50 W) two-dimensional surface-emitting lase array | |
| Kumabe et al. | High temperature single mode cw operation with a TJS laser using a semi-insulating GaAs substrate | |
| Prince et al. | Long delay time for lasing in very narrow graded barrier single-quantum-well lasers | |
| JPH04186686A (en) | Semiconductor laser | |
| KR100224881B1 (en) | Vertical cavity surface emitting laser | |
| Harding et al. | Novel densely packed laser diode array | |
| JPH10303179A (en) | Semiconductor optical device manufacturing method, semiconductor optical device using the same, and optical application system using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130425 |