RU2012123982A - Способ пайки, гироскоп и паяный узел - Google Patents
Способ пайки, гироскоп и паяный узел Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012123982A RU2012123982A RU2012123982/02A RU2012123982A RU2012123982A RU 2012123982 A RU2012123982 A RU 2012123982A RU 2012123982/02 A RU2012123982/02 A RU 2012123982/02A RU 2012123982 A RU2012123982 A RU 2012123982A RU 2012123982 A RU2012123982 A RU 2012123982A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- thickness
- solder
- diffusion barrier
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 22
- 238000005476 soldering Methods 0.000 title claims abstract 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 15
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims abstract 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract 8
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims abstract 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag].[Sn] Chemical compound [Cu].[Ag].[Sn] PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 229910000969 tin-silver-copper Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract 2
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/0008—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
- B23K1/0016—Brazing of electronic components
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/19—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering taking account of the properties of the materials to be soldered
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
- B23K35/262—Sn as the principal constituent
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
Abstract
1. Способ пайки, по меньшей мере, частично проводящего корпуса, называемого проводящий корпус (2, 34), к подложке (4, 28), используя сплав, выбранный из сплава олово-серебро и сплава олово-серебро-медь, который содержит следующие стадии:- металлизация подложки (4), которая содержит этап (6) осаждения соединительного слоя (8) на подложку (4) и этап (10) осаждения диффузионного барьерного слоя (12), при этом вышеуказанный соединительный слой (8) содержит любой из химических компонентов, выбранный из хрома, титана и титанового сплава, а вышеуказанный диффузионный барьерный слой (12) содержит материал, выбранный из платины и палладия; и- нанесение (18) припоя (20) между проводящим корпусом (2, 34) и металлизированной подложкой (4), при этом вышеуказанный припой (20) содержит сплав, выбранный из сплава олово-серебро и сплава олово-серебро-медь;отличающийся тем, что способ включает осаждение смачивающего слоя (16), который содержит золото, и который осаждают между этапом (10) осаждения диффузионного барьерного слоя (12) и этапом (18) нанесения припоя (20).2. Способ пайки по п.1, в котором соединительный слой (8) является тонкой пленкой, имеющей толщину 5-50 нанометров.3. Способ пайки по п.1, в котором соединительный слой (8) имеет толщину примерно 30 нанометров.4. Способ пайки по п.1, в котором диффузионный барьерный слой (12) является тонкой пленкой, имеющей толщину примерно 100-1500 нанометров.5. Способ пайки по п.1, в котором диффузионный барьерный слой (12) имеет толщину примерно 200 нанометров.6. Способ пайки по п.1, в котором припой (20) осаждают непосредственно на смачивающий слой (16).7. Способ пайки по п.1, в котором смачивающий слой (16) является тонкой пленкой, имеющей толщину, �
Claims (13)
1. Способ пайки, по меньшей мере, частично проводящего корпуса, называемого проводящий корпус (2, 34), к подложке (4, 28), используя сплав, выбранный из сплава олово-серебро и сплава олово-серебро-медь, который содержит следующие стадии:
- металлизация подложки (4), которая содержит этап (6) осаждения соединительного слоя (8) на подложку (4) и этап (10) осаждения диффузионного барьерного слоя (12), при этом вышеуказанный соединительный слой (8) содержит любой из химических компонентов, выбранный из хрома, титана и титанового сплава, а вышеуказанный диффузионный барьерный слой (12) содержит материал, выбранный из платины и палладия; и
- нанесение (18) припоя (20) между проводящим корпусом (2, 34) и металлизированной подложкой (4), при этом вышеуказанный припой (20) содержит сплав, выбранный из сплава олово-серебро и сплава олово-серебро-медь;
отличающийся тем, что способ включает осаждение смачивающего слоя (16), который содержит золото, и который осаждают между этапом (10) осаждения диффузионного барьерного слоя (12) и этапом (18) нанесения припоя (20).
2. Способ пайки по п.1, в котором соединительный слой (8) является тонкой пленкой, имеющей толщину 5-50 нанометров.
3. Способ пайки по п.1, в котором соединительный слой (8) имеет толщину примерно 30 нанометров.
4. Способ пайки по п.1, в котором диффузионный барьерный слой (12) является тонкой пленкой, имеющей толщину примерно 100-1500 нанометров.
5. Способ пайки по п.1, в котором диффузионный барьерный слой (12) имеет толщину примерно 200 нанометров.
6. Способ пайки по п.1, в котором припой (20) осаждают непосредственно на смачивающий слой (16).
7. Способ пайки по п.1, в котором смачивающий слой (16) является тонкой пленкой, имеющей толщину, приблизительно равную 0,4% толщины припоя (20).
8. Способ пайки по п.1, в котором смачивающий слой (16) является тонкой пленкой, имеющей толщину примерно от 5 нанометров до 1 микрона.
9. Способ пайки по любому из пп.1-8, в котором смачивающий слой (16) является тонкой пленкой, имеющей толщину примерно 50 нанометров.
10. Способ пайки по п.1, в котором соединительный слой (8) содержит хром и в котором диффузионный барьерный слой (12) содержит платину.
11. Гироскоп (22), содержащий:
- резонатор (24);
- подложку (28), поддерживающую резонатор (24); и
- по меньшей мере, частично проводящий корпус, называемый проводящим корпусом, (2, 34) прикрепленным к подложке (28);
отличающийся тем, что проводящий корпус (2, 34) прикреплен припоем к подложке (28) за счет использования способа пайки по п.1.
12. Гироскоп (22) по п.11, в котором подложка (28) включает в себя, по меньшей мере, один возбуждающий/детектирующий электрод (30), при этом вышеуказанный электрод (30) соединен с корпусом (2, 34).
13. Паяный узел (21), содержащий, по меньшей мере, подложку (4) и, по меньшей мере, частично проводящий корпус, называемый проводящим корпусом (2), прикрепленным к подложке (4); отличающийся тем, что проводящий корпус (2) прикреплен припоем к подложке (4) за счет использования способа пайки по п.1.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR09/05429 | 2009-11-12 | ||
| FR0905429A FR2952314B1 (fr) | 2009-11-12 | 2009-11-12 | Procede de brasage, gyroscope et piece brasee |
| US32450510P | 2010-04-15 | 2010-04-15 | |
| US61/324,505 | 2010-04-15 | ||
| PCT/EP2010/067221 WO2011058062A1 (en) | 2009-11-12 | 2010-11-10 | Soldering method, gyroscope and soldered part |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012123982A true RU2012123982A (ru) | 2013-12-20 |
| RU2553144C2 RU2553144C2 (ru) | 2015-06-10 |
Family
ID=42238617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012123982/02A RU2553144C2 (ru) | 2009-11-12 | 2010-11-10 | Способ пайки, гироскоп и паяный узел |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120227493A1 (ru) |
| EP (1) | EP2498942B1 (ru) |
| KR (1) | KR20120107087A (ru) |
| CN (1) | CN102695575A (ru) |
| FR (1) | FR2952314B1 (ru) |
| RU (1) | RU2553144C2 (ru) |
| WO (1) | WO2011058062A1 (ru) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5966504B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2016-08-10 | 三菱マテリアル株式会社 | はんだ接合構造、パワーモジュール、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、並びに、はんだ接合構造の製造方法、パワーモジュールの製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
| CN104215235B (zh) * | 2013-06-05 | 2017-08-22 | 北京信息科技大学 | 一种新型钟形振子式角速率陀螺 |
| DE102015117198A1 (de) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements |
| WO2017200621A2 (en) * | 2016-02-29 | 2017-11-23 | The Regents Of The University Of Michigan | Assembly processes for three-dimensional microstructures |
| ES2884350T3 (es) * | 2016-05-10 | 2021-12-10 | Saint Gobain | Procedimiento para la producción de un disco con un elemento de conexión eléctrico |
| CH713026A2 (fr) * | 2016-10-13 | 2018-04-13 | Patek Philippe Sa Geneve | Procédé d'assemblage de composants horlogers. |
| CN107088705B (zh) * | 2017-05-10 | 2018-08-31 | 北京航天时代光电科技有限公司 | 一种用于光纤陀螺仪装配的焊接装置及焊接方法 |
| US11194059B2 (en) | 2019-04-09 | 2021-12-07 | The University Of Chicago | Methods of fabricating vacuum housings with hermetic solder seals using capillary solder wicks |
| WO2021227010A1 (zh) * | 2020-05-11 | 2021-11-18 | 中国科学院地质与地球物理研究所 | 一种高温固态谐振陀螺仪及其组成的钻井测量系统 |
| CN111878068B (zh) * | 2020-05-11 | 2021-06-29 | 中国科学院地质与地球物理研究所 | 一种高温固态谐振陀螺仪及其组成的钻井测量系统 |
| CN112135491B (zh) * | 2020-09-27 | 2024-05-10 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种半球谐振陀螺吸气剂散热装置及散热方法 |
| CN114396925B (zh) * | 2021-12-01 | 2023-08-04 | 上海航天控制技术研究所 | 一种带有弹簧阻尼结构的半球谐振陀螺 |
| CN114396926B (zh) * | 2021-12-01 | 2024-04-23 | 上海航天控制技术研究所 | 一种半球谐振陀螺 |
| WO2024077035A1 (en) | 2022-10-04 | 2024-04-11 | Enertia Microsystems Inc. | Vibratory gyroscopes with resonator attachments |
| CN117146865B (zh) * | 2023-10-30 | 2024-01-23 | 湖南二零八先进科技有限公司 | 一种平板电极式半球谐振陀螺的装配方法 |
| CN118308693A (zh) * | 2024-04-07 | 2024-07-09 | 江苏集萃激光智能装备有限公司 | 一种光学器件金属化的方法及一种利于焊接的光学器件 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5449955A (en) * | 1994-04-01 | 1995-09-12 | At&T Corp. | Film circuit metal system for use with bumped IC packages |
| US6440836B1 (en) * | 1999-03-16 | 2002-08-27 | Industrial Technology Research Institute | Method for forming solder bumps on flip chips and devices formed |
| FR2805139A3 (fr) * | 1999-07-02 | 2001-08-24 | Etienne Sibille | Le chauffe-vetements |
| FR2805039B1 (fr) | 2000-02-15 | 2002-04-19 | Sagem | Capteur gyroscopique |
| JP3972790B2 (ja) * | 2001-11-27 | 2007-09-05 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜微小機械式共振子および薄膜微小機械式共振子ジャイロ |
| US6767411B2 (en) * | 2002-03-15 | 2004-07-27 | Delphi Technologies, Inc. | Lead-free solder alloy and solder reflow process |
| JP3882712B2 (ja) * | 2002-08-09 | 2007-02-21 | 住友電気工業株式会社 | サブマウントおよび半導体装置 |
| TWI243488B (en) * | 2003-02-26 | 2005-11-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electrical contact-area for optoelectronic semiconductor-chip and its production method |
| DE102005009358B4 (de) * | 2005-03-01 | 2021-02-04 | Snaptrack, Inc. | Lötfähiger Kontakt und ein Verfahren zur Herstellung |
| TWI294151B (en) * | 2005-11-15 | 2008-03-01 | Advanced Semiconductor Eng | Wafer structure and method for fabricating the same |
| US7543496B2 (en) * | 2006-03-27 | 2009-06-09 | Georgia Tech Research Corporation | Capacitive bulk acoustic wave disk gyroscopes |
| US7388288B2 (en) * | 2006-07-17 | 2008-06-17 | University Of Utah Research Foundation | Flip chip metallization method and devices |
| US7727876B2 (en) * | 2006-12-21 | 2010-06-01 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of protecting passivation layer in a solder bump process |
| RU2329622C1 (ru) * | 2007-01-09 | 2008-07-20 | Новосибирский государственный технический университет | Способ изготовления многослойной тонкопленочной структуры |
| JP5279068B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2013-09-04 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振子、フィルタ、通信モジュール、および通信装置 |
| JP5223383B2 (ja) * | 2008-03-05 | 2013-06-26 | セイコーエプソン株式会社 | 水晶振動子、水晶振動子パッケージ、電子部品、電子機器、電子部品の実装方法 |
-
2009
- 2009-11-12 FR FR0905429A patent/FR2952314B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-11-10 WO PCT/EP2010/067221 patent/WO2011058062A1/en active Application Filing
- 2010-11-10 US US13/509,518 patent/US20120227493A1/en not_active Abandoned
- 2010-11-10 CN CN2010800513799A patent/CN102695575A/zh active Pending
- 2010-11-10 RU RU2012123982/02A patent/RU2553144C2/ru active
- 2010-11-10 EP EP10778633.7A patent/EP2498942B1/en active Active
- 2010-11-10 KR KR1020127014583A patent/KR20120107087A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20120107087A (ko) | 2012-09-28 |
| RU2553144C2 (ru) | 2015-06-10 |
| EP2498942A1 (en) | 2012-09-19 |
| FR2952314A1 (fr) | 2011-05-13 |
| WO2011058062A4 (en) | 2011-07-07 |
| WO2011058062A1 (en) | 2011-05-19 |
| CN102695575A (zh) | 2012-09-26 |
| EP2498942B1 (en) | 2019-03-27 |
| US20120227493A1 (en) | 2012-09-13 |
| FR2952314B1 (fr) | 2012-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012123982A (ru) | Способ пайки, гироскоп и паяный узел | |
| WO2007138922A1 (ja) | 電子部品、半導体パッケージ及び電子機器 | |
| TW200915457A (en) | Semiconductor element, semiconductor element manufacturing method, and mounting structure having semiconductor element mounted thereon | |
| CN102931107B (zh) | 用于减缓金属间化合物成长的方法 | |
| WO2008117736A1 (ja) | インターポーザ基板、それを利用したｌｓｉチップ及び情報端末装置、インターポーザ基板製造方法、並びにｌｓｉチップ製造方法 | |
| JP2001501366A (ja) | 低融点金属のバンプを備えた半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2008004602A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP2008004602A5 (ru) | ||
| JP2008227395A (ja) | サブマウントおよびその製造方法 | |
| US20060170114A1 (en) | Novel method for copper wafer wire bonding | |
| JP2007096899A (ja) | 圧電振動片の製造方法、圧電振動片の接合構造、圧電デバイス | |
| CN103681538B (zh) | 半导体芯片及其制造方法和焊接半导体芯片与载体的方法 | |
| CN103489966B (zh) | 一种led芯片电极的制作方法、led芯片及led | |
| JP2005123247A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2011193007A (ja) | 半導体チップおよびこれを用いた半導体装置 | |
| RU2008148937A (ru) | Фольговый соединитель для лампы | |
| JP4758470B2 (ja) | 突起電極の形成方法及び置換金めっき液 | |
| JPH03101234A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3506686B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62122157A (ja) | 光半導体用ヒ−トシンクの電極構造 | |
| JP4775369B2 (ja) | 半導体チップ、半導体装置および製造方法 | |
| JP2020047794A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| RU2714538C1 (ru) | Способ монтажа полупроводниковых кристаллов на покрытую золотом поверхность | |
| TW201227851A (en) | Metal bump structure and method for fabricating the same | |
| JP6494899B1 (ja) | 半導体基板、及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner |