[go: up one dir, main page]

RU2010149024A - Устройство нагрева подложки для установки изготовления полупроводниковой структуры - Google Patents

Устройство нагрева подложки для установки изготовления полупроводниковой структуры Download PDF

Info

Publication number
RU2010149024A
RU2010149024A RU2010149024/28A RU2010149024A RU2010149024A RU 2010149024 A RU2010149024 A RU 2010149024A RU 2010149024/28 A RU2010149024/28 A RU 2010149024/28A RU 2010149024 A RU2010149024 A RU 2010149024A RU 2010149024 A RU2010149024 A RU 2010149024A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
chamber
lid
cavity
heat insulating
wall
Prior art date
Application number
RU2010149024/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2468468C2 (ru
Inventor
Владимир Геннадьевич Шенгуров (RU)
Владимир Геннадьевич Шенгуров
Сергей Петрович Светлов (RU)
Сергей Петрович Светлов
Вадим Юрьевич Чалков (RU)
Вадим Юрьевич Чалков
Сергей Александрович Денисов (RU)
Сергей Александрович Денисов
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И.
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И., Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И.
Priority to RU2010149024/28A priority Critical patent/RU2468468C2/ru
Publication of RU2010149024A publication Critical patent/RU2010149024A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2468468C2 publication Critical patent/RU2468468C2/ru

Links

Landscapes

  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)

Abstract

1. Устройство нагрева подложки для установки изготовления полупроводниковой структуры, содержащее подложкодержатель и расположенный в камере нагреватель, подключенный к источнику питания токовводами, отличающееся тем, что подложкодержатель установлен в камере, которая снабжена съемной крышкой, при этом подложкодержатель установлен между съемной крышкой и нагревателем. ! 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что камера выполнена теплоизолированной. ! 3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что в камере установлен, по меньшей мере, один теплоотражающий экран. ! 4. Устройство по п.2, отличающееся тем, что внутренняя поверхность, по меньшей мере, одной стенки камеры выполнена отражающей. ! 5. Устройство по п.2, отличающееся тем, что, по меньшей мере, одна стенка камеры выполнена полой. ! 6. Устройство по п.5, отличающееся тем, что полость в стенке камеры заполнена теплоизолирующей средой. ! 7. Устройство по п.6, отличающееся тем, что в качестве теплоизолирующей среды использован воздух. ! 8. Устройство по п.7, отличающееся тем, что давление в полости стенки камеры ниже атмосферного. ! 9. Устройство по п.1, отличающееся тем, что крышка выполнена теплоизолированной. ! 10. Устройство по п.9, отличающееся тем, что внутренняя поверхность крышки выполнена отражающей тепловое излучение. !11. Устройство по п.10, отличающееся тем, что крышка выполнена полой. ! 12. Устройство по п.1, отличающееся тем, что полость в крышке заполнена теплоизолирующей средой. !13. Устройство по п.12, отличающееся тем, что в качестве теплоизолирующей среды использован воздух. ! 14. Устройство по п.13, отличающееся тем, что давление в полости крышки ниже атмосферного. ! 15. Уст

Claims (15)

1. Устройство нагрева подложки для установки изготовления полупроводниковой структуры, содержащее подложкодержатель и расположенный в камере нагреватель, подключенный к источнику питания токовводами, отличающееся тем, что подложкодержатель установлен в камере, которая снабжена съемной крышкой, при этом подложкодержатель установлен между съемной крышкой и нагревателем.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что камера выполнена теплоизолированной.
3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что в камере установлен, по меньшей мере, один теплоотражающий экран.
4. Устройство по п.2, отличающееся тем, что внутренняя поверхность, по меньшей мере, одной стенки камеры выполнена отражающей.
5. Устройство по п.2, отличающееся тем, что, по меньшей мере, одна стенка камеры выполнена полой.
6. Устройство по п.5, отличающееся тем, что полость в стенке камеры заполнена теплоизолирующей средой.
7. Устройство по п.6, отличающееся тем, что в качестве теплоизолирующей среды использован воздух.
8. Устройство по п.7, отличающееся тем, что давление в полости стенки камеры ниже атмосферного.
9. Устройство по п.1, отличающееся тем, что крышка выполнена теплоизолированной.
10. Устройство по п.9, отличающееся тем, что внутренняя поверхность крышки выполнена отражающей тепловое излучение.
11. Устройство по п.10, отличающееся тем, что крышка выполнена полой.
12. Устройство по п.1, отличающееся тем, что полость в крышке заполнена теплоизолирующей средой.
13. Устройство по п.12, отличающееся тем, что в качестве теплоизолирующей среды использован воздух.
14. Устройство по п.13, отличающееся тем, что давление в полости крышки ниже атмосферного.
15. Устройство по п.1, отличающееся тем, что нагреватель выполнен в виде набора электрически изолированных друг от друга лент из тугоплавкого материала, расположенных одна подле другой и последовательно соединенных друг с другом, при этом крайние ленты соединены с токовводами.
RU2010149024/28A 2010-11-30 2010-11-30 Устройство нагрева подложки для установки изготовления полупроводниковой структуры RU2468468C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010149024/28A RU2468468C2 (ru) 2010-11-30 2010-11-30 Устройство нагрева подложки для установки изготовления полупроводниковой структуры

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010149024/28A RU2468468C2 (ru) 2010-11-30 2010-11-30 Устройство нагрева подложки для установки изготовления полупроводниковой структуры

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010149024A true RU2010149024A (ru) 2012-06-10
RU2468468C2 RU2468468C2 (ru) 2012-11-27

Family

ID=46679525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010149024/28A RU2468468C2 (ru) 2010-11-30 2010-11-30 Устройство нагрева подложки для установки изготовления полупроводниковой структуры

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2468468C2 (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2723477C1 (ru) * 2019-04-26 2020-06-11 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" Узел фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере (варианты)
RU2755405C1 (ru) * 2020-12-22 2021-09-15 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук Установка для высокотемпературного вакуумного отжига тонких плёнок с возможностью in situ оптического наблюдения с высоким разрешением

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4492852A (en) * 1983-02-11 1985-01-08 At&T Bell Laboratories Growth substrate heating arrangement for UHV silicon MBE
SU1321136A1 (ru) * 1985-05-28 1994-02-28 Н.А. Брюхно Реактор для осаждения слоев
RU1768675C (ru) * 1990-12-25 1992-10-15 Научно-исследовательский институт точного машиностроения Устройство дл эпитаксиального выращивани полупроводниковых материалов
RU2021556C1 (ru) * 1991-08-20 1994-10-15 Валентин Ильич Свиридов Сосуд для хранения криогенных жидкостей
RU2020654C1 (ru) * 1991-11-27 1994-09-30 Нургельды Розыев Устройство для термической обработки подложек
RU2394117C2 (ru) * 2008-03-24 2010-07-10 Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная фирма "Эпикрист" Cvd-реактор и способ синтеза гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремнии

Also Published As

Publication number Publication date
RU2468468C2 (ru) 2012-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2020121397A (ru) Картридж, имеющий внутреннюю поверхность из материала, представляющего собой токоприемник
CN103184514B (zh) 晶体生长炉
TWI567355B (zh) heating equipment
RU2010149024A (ru) Устройство нагрева подложки для установки изготовления полупроводниковой структуры
TW201831055A (zh) Icp蝕刻機台及其絕緣窗口薄膜加熱器裝置和溫度控制方法
CN210532328U (zh) 一种防水汽的路灯灯头
CN202652559U (zh) Ptc陶瓷加热器
CN204478180U (zh) 一种线盘独立风道散热的商用电磁炉
CN206136337U (zh) 一种管状厚膜供暖元件
CN106108685B (zh) 一种内置电池式保温容器
CN205641119U (zh) 一种基于新型纳米发热体的电热采暖器
CN204410592U (zh) 电加热盘及电饭煲
CN103660263A (zh) 一种可控温光能电热砖
CN105296957B (zh) 一种反应腔
CN203074253U (zh) 玻璃陶瓷真空内胆电饭煲
KR20130077365A (ko) 냉,온풍 기능이 구비된 도자기
KR102063211B1 (ko) 열전발전장치가 구비된 튀김조
RU153065U1 (ru) Многофункциональный осветительный прибор
KR101410227B1 (ko) 개선된 튜브 히터 배치구조를 갖는 전기로
RU2011108530A (ru) Термомагнитное устройство
CN203611457U (zh) 一种可控温光能电热砖
CN221483862U (zh) 一种节能高温长寿命风道加热器
CN204214022U (zh) 采用纳米远红外加热的电暖炉
CN209184843U (zh) 一种电磁加热装置及电水壶
CN209181045U (zh) 一种踢脚线对流式室内加热器

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20201201

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20220204