Claims (21)
1. Способ изготовления режущих устройств из пластин кристаллического материала, согласно которому формируют в пластине кристаллического материала на ее первой стороне канавку, имеющую по меньшей мере один профиль лезвия, и выполняют травление по меньшей мере первой стороны кристаллического материала для формирования по меньшей мере одной режущей кромки.1. A method of manufacturing cutting devices from plates of crystalline material, according to which a groove having at least one blade profile is formed in the plate of crystalline material on its first side, and etching at least the first side of the crystalline material is performed to form at least one cutting edge .
2. Способ по п.1, согласно которому в кристаллическом материале также формируют по меньшей мере одну боковую кромку лезвия, причем процесс травления указанной по меньшей мере первой стороны кристаллического материала включает травление указанной по меньшей мере одной боковой кромки.2. The method according to claim 1, whereby at least one lateral edge of the blade is also formed in the crystalline material, the etching process of said at least first side of the crystalline material comprises etching said at least one lateral edge.
3. Способ по п.2, в котором указанная по меньшей мере одна боковая кромка содержит криволинейный участок.3. The method according to claim 2, wherein said at least one lateral edge comprises a curved portion.
4. Способ по п.3, в котором этот криволинейный участок имеет подковообразную форму.4. The method according to claim 3, in which this curved section has a horseshoe-shaped shape.
5. Способ по п.1, в котором процесс формирования канавки включает формирование первого рельефа, имеющего первый скос, а процесс травления по меньшей мере первой стороны кристаллического материала включает травление первого скоса для формирования по меньшей мере первого участка по меньшей мере одной режущей кромки.5. The method according to claim 1, in which the process of forming a groove includes forming a first relief having a first bevel, and the etching process of at least the first side of the crystalline material includes etching the first bevel to form at least a first portion of at least one cutting edge.
6. Способ по п.5, в котором процесс формирования канавки включает формирование второго рельефа, имеющего второй скос, а процесс травления по меньшей мере первой стороны кристаллического материала включает травление второго скоса для формирования по меньшей мере второго участка по меньшей мере второй режущей кромки.6. The method according to claim 5, in which the process of forming a groove includes forming a second relief having a second bevel, and the etching process of at least the first side of the crystalline material includes etching a second bevel to form at least a second portion of at least a second cutting edge.
7. Способ по п.6, в котором первый рельеф и второй рельеф располагают на первой стороне кристаллического материала, благодаря чему первый скос и второй скос расположены на расстоянии друг от друга.7. The method according to claim 6, in which the first relief and the second relief are located on the first side of the crystalline material, so that the first bevel and the second bevel are located at a distance from each other.
8. Способ по п.7, в котором по меньшей мере один из указанных первого и второго рельефов имеет скосы, сформированные на первой стороне кристаллического материала в виде снежинок.8. The method according to claim 7, in which at least one of these first and second reliefs has bevels formed on the first side of the crystalline material in the form of snowflakes.
9. Способ по п.1, согласно которому в кристаллическом материале дополнительно формируют по меньшей мере один паз, содержащий по меньшей мере участок нережущей кромки лезвия.9. The method according to claim 1, whereby at least one groove is additionally formed in the crystalline material, comprising at least a portion of a non-cutting edge of the blade.
10. Способ по п.9, в котором в процессе формирования указанного по меньшей мере одного паза длину нережущей кромки лезвия выполняют максимальной.10. The method according to claim 9, in which in the process of forming the specified at least one groove, the length of the cutting edge of the blade is maximized.
11. Способ по п.1, в котором на этапе травления помещают пластину кристаллического материала по меньшей мере с одним профилем лезвия на лодочку для пластин, погружают указанные лодочку и пластину в ванну с кислотой для изотропного травления и производят равномерное травление кристаллического материала, так что он равномерно удален на открытой поверхности, благодаря чему протравлена острая кромка режущего устройства в форме профиля по меньшей мере одного лезвия.11. The method according to claim 1, in which, at the etching step, a plate of crystalline material with at least one blade profile is placed on a boat for plates, the boat and plate are immersed in an acid bath for isotropic etching and the crystal material is uniformly etched, so that it is evenly removed on an open surface, whereby the sharp edge of the cutting device in the form of a profile of at least one blade is etched.
12. Способ по п.11, в котором ванна с кислотой для изотропного травления содержит смесь фтористоводородной кислоты, азотной кислоты и уксусной кислоты.12. The method according to claim 11, in which the bath with an acid for isotropic etching contains a mixture of hydrofluoric acid, nitric acid and acetic acid.
13. Способ по п.11, в котором ванна с кислотой для изотропного травления содержит смесь фтористоводородной кислоты, азотной кислоты и воды.13. The method according to claim 11, in which the bath with acid for isotropic etching contains a mixture of hydrofluoric acid, nitric acid and water.
14. Способ по п.1, в котором на этапе травления помещают пластину кристаллического материала по меньшей мере с одним профилем лезвия в лодочку для пластин, разбрызгивают травитель для травления разбрызгиванием на указанные лодочку и пластину и производят равномерное травление кристаллического материала травителем для травления разбрызгиванием, так что указанный материал оказывается равномерно удален на открытой поверхности, благодаря чему оказывается протравлена острая кромка режущего устройства в форме указанного по меньшей мере одного профиля лезвия.14. The method according to claim 1, in which, at the etching step, a plate of crystalline material with at least one blade profile is placed in the boat for plates, the etchant is sprayed for etching by spraying onto said boat and plate, and the crystalline material is etched uniformly with the etching agent for spray etching, so that said material is evenly removed on an open surface, whereby the sharp edge of the cutting device in the form of at least one th blade profile.
15. Способ по п.1, в котором на этапе травления помещают пластину кристаллического материала по меньшей мере с одним профилем лезвия на лодочку для пластин, погружают указанные лодочку и пластину в изотропный дифторид ксенона, гексафторид серы и т.п. среду фтористых газов и производят равномерное травление ими кристаллического материала, так что он оказывается равномерно удален на открытой поверхности, благодаря чему оказывается протравлена острая кромка режущего устройства в форме указанного по меньшей мере одного профиля лезвия.15. The method according to claim 1, in which, at the etching step, a plate of crystalline material with at least one blade profile is placed on a boat for plates, immersing said boat and plate in isotropic xenon difluoride, sulfur hexafluoride, and the like. fluorine gas environment and produce uniform etching of the crystalline material, so that it is evenly removed on an open surface, whereby the sharp edge of the cutting device is etched in the form of at least one blade profile.
16. Способ по п.1, в котором на этапе травления помещают пластину кристаллического материала по меньшей мере с одним профилем лезвия в лодочку для пластин, погружают указанные лодочку и пластину в электролитическую ванну, с помощью которой производят равномерное травление кристаллического материала, так что он оказывается равномерно удален на открытой поверхности, благодаря чему оказывается протравлена острая кромка режущего устройства в форме указанного по меньшей мере одного профиля лезвия.16. The method according to claim 1, in which, at the etching stage, a plate of crystalline material with at least one blade profile is placed in a boat for plates, the said boat and plate are immersed in an electrolytic bath with which uniform etching of the crystalline material is performed, so that it is evenly removed on an open surface, whereby the sharp edge of the cutting device is etched in the form of said at least one blade profile.
17. Способ по п.2, в котором в процессе формирования указанной по меньшей мере одной боковой кромки кристаллическому материалу сообщают энергию лазерным лучом эксимерного лазера или лазера для резки в водной струе.17. The method according to claim 2, in which, in the process of forming said at least one lateral edge, the crystalline material is energized by a laser beam of an excimer laser or a water jet cutting laser.
18. Способ по п.9, в котором при формировании указанного по меньшей мере одного паза кристаллическому материалу сообщают энергию лазерным лучом эксимерного лазера или лазера для резки в водной струе.18. The method according to claim 9, in which when forming the specified at least one groove, the crystalline material is energized by a laser beam of an excimer laser or a water jet cutting laser.
19. Способ по п.1, в котором кристаллический материал содержит кремний.19. The method according to claim 1, in which the crystalline material contains silicon.
20. Способ по п.1, в котором при формирования канавки формируют фоторезистный слой на первой стороне кристаллического материала, формируют рельеф указанного слоя, в результате чего по меньшей мере часть его оказывается удалена по меньшей мере с первого участка первой стороны указанного материала, производят частичное травление указанного первого участка первой стороны указанного материала для формирования канавки и удаляют фоторезистный слой перед травлением указанной по меньшей мере первой стороны кристаллического материала.20. The method according to claim 1, in which, when forming a groove, a photoresist layer is formed on the first side of the crystalline material, the relief of the specified layer is formed, as a result of which at least part of it is removed from at least the first portion of the first side of the specified material, partial etching said first portion of a first side of said material to form a groove, and remove the photoresist layer before etching said at least first side of the crystalline material.
21. Способ по п.1, в котором частичное травление первого участка кристаллического материала осуществляют по меньшей мере одним из видов травления, выбранных из группы, включающей изотропное реактивно-ионное травление и анизотропное реактивно-ионное травление.21. The method according to claim 1, in which partial etching of the first portion of the crystalline material is carried out by at least one of the types of etching selected from the group including isotropic reactive ion etching and anisotropic reactive ion etching.