Claims (15)
1. Способ получения структур кремний-на-изоляторе, заключающийся в том, что в пластину кремния осуществляют имплантацию водорода, затем проводят химическую обработку пластины кремния и подложки, затем пластину кремния соединяют с подложкой, сращивают и расслаивают по имплантированному слою пластины, перенося отсеченный слой кремния на подложку, после расслоения по имплантированному слою пластины проводят отжиг, отличающийся тем, что также проводят дополнительный отжиг в атмосфере сухого кислорода, или влажного кислорода, или азота.1. The method of obtaining structures of silicon-on-insulator, which consists in the fact that hydrogen implantation is carried out in a silicon wafer, then the silicon wafer and the substrate are chemically treated, then the silicon wafer is connected to the substrate, spliced and layered over the implanted layer of the wafer, transferring the cut-off layer silicon on the substrate, after delamination along the implanted layer of the plate, annealing is carried out, characterized in that they also conduct additional annealing in an atmosphere of dry oxygen, or wet oxygen, or nitrogen.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что отжиг после расслоения по имплантированному слою пластины проводят при 1100°С длительностью 0,5-1 ч.2. The method according to claim 1, characterized in that the annealing after delamination along the implanted layer of the plate is carried out at 1100 ° C for a duration of 0.5-1 hours
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что имплантацию водорода в пластину кремния осуществляют через предварительно выращенный тонкий слой (20-50 нм) окисла кремния, который затем убирают, при этом для имплантации используют ионы водорода H2 + дозой (2,5-5)·1016 см-2.3. The method according to claim 1, characterized in that the implantation of hydrogen into a silicon wafer is carried out through a pre-grown thin layer (20-50 nm) of silicon oxide, which is then removed, while hydrogen ions H 2 + are used for implantation (2, 5-5) 10 16 cm -2 .
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что имплантацию водорода в пластину кремния осуществляют через предварительно выращенный тонкий слой (20-50 нм) окисла кремния, который затем убирают, при этом для имплантации используют ионы водорода Н2 + дозой (2,5-5)·1016 см-2.4. The method according to claim 2, characterized in that the implantation of hydrogen in a silicon wafer is carried out through a pre-grown thin layer (20-50 nm) of silicon oxide, which is then removed, while hydrogen ions H 2 + are used for implantation (2, 5-5) 10 16 cm -2 .
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что сращивание пластины кремния и подложки, расслоение по имплантированному слою пластины кремния осуществляют в температурном интервале 300-600°С длительностью 0,5-2 ч, при этом в качестве подложки используют пластину кремния с выращенным термическим окислом кремния толщиной 0,2-0,5 мкм.5. The method according to claim 1, characterized in that the fusion of the silicon wafer and the substrate, the delamination along the implanted layer of the silicon wafer is carried out in a temperature range of 300-600 ° C for a duration of 0.5-2 hours, while a silicon wafer is used as a substrate grown thermal silicon oxide with a thickness of 0.2-0.5 microns.
6. Способ по п.2, отличающийся тем, что сращивание пластины кремния и подложки, расслоение по имплантированному слою пластины кремния осуществляют в температурном интервале 300-600°С длительностью 0,5-2 ч, при этом в качестве подложки используют пластину кремния с выращенным термическим окислом кремния толщиной 0,2-0,5 мкм.6. The method according to claim 2, characterized in that the fusion of the silicon wafer and the substrate, the delamination along the implanted layer of the silicon wafer is carried out in the temperature range of 300-600 ° C for a duration of 0.5-2 hours, while a silicon wafer is used as a substrate grown thermal silicon oxide with a thickness of 0.2-0.5 microns.
7. Способ по п.3, отличающийся тем, что сращивание пластины кремния и подложки, расслоение по имплантированному слою пластины кремния осуществляют в температурном интервале 300-600°С длительностью 0,5-2 ч, при этом в качестве подложки используют пластину кремния с выращенным термическим окислом кремния толщиной 0,2-0,5 мкм.7. The method according to claim 3, characterized in that the fusion of the silicon wafer and the substrate, the delamination along the implanted layer of the silicon wafer is carried out in the temperature range of 300-600 ° C for a duration of 0.5-2 hours, while a silicon wafer is used as a substrate grown thermal silicon oxide with a thickness of 0.2-0.5 microns.
8. Способ по п.4, отличающийся тем, что сращивание пластины кремния и подложки, расслоение по имплантированному слою пластины кремния осуществляют в температурном интервале 300-600°С длительностью 0,5-2 ч, при этом в качестве подложки используют пластину кремния с выращенным термическим окислом кремния толщиной 0,2-0,5 мкм.8. The method according to claim 4, characterized in that the fusion of the silicon wafer and the substrate, the delamination along the implanted layer of the silicon wafer is carried out in the temperature range of 300-600 ° C for a duration of 0.5-2 hours, while a silicon wafer is used as a substrate grown thermal silicon oxide with a thickness of 0.2-0.5 microns.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что соединение и сращивание пластины кремния и подложки осуществляют в вакууме при давлении 10-105 Па, дальнейшее сращивание и расслоение по имплантированному слою пластины кремния осуществляют в температурном интервале 300-600°С длительностью 0,5-2 ч, при этом в качестве подложки используют пластину кремния с выращенным термическим окислом кремния толщиной 0,2-0,5 мкм.9. The method according to claim 1, characterized in that the connection and splicing of the silicon wafer and the substrate are carried out in vacuum at a pressure of 10-10 5 Pa, further splicing and delamination along the implanted layer of the silicon wafer is carried out in a temperature range of 300-600 ° C with a duration of 0 , 5-2 hours, while a silicon wafer with grown 0.2–0.5 μm thick thermal silicon oxide is used as a substrate.
10. Способ по п.2, отличающийся тем, что соединение и сращивание пластины кремния и подложки осуществляют в вакууме при давлении 10-105 Па, дальнейшее сращивание и расслоение по имплантированному слою пластины кремния осуществляют в температурном интервале 300-600°С длительностью 0,5-2 ч, при этом в качестве подложки используют пластину кремния с выращенным термическим окислом кремния толщиной 0,2-0,5 мкм.10. The method according to claim 2, characterized in that the bonding and splicing of the silicon wafer and the substrate is carried out in vacuum at a pressure of 10-10 5 Pa, further splicing and delamination along the implanted layer of the silicon wafer is carried out in a temperature range of 300-600 ° C with a duration of 0 , 5-2 hours, while a silicon wafer with grown 0.2–0.5 μm thick thermal silicon oxide is used as a substrate.
11. Способ по п.3, отличающийся тем, что соединение и сращивание пластины кремния и подложки осуществляют в вакууме при давлении 10-105 Па, дальнейшее сращивание и расслоение по имплантированному слою пластины кремния осуществляют в температурном интервале 300-600°С длительностью 0,5-2 ч, при этом в качестве подложки используют пластину кремния с выращенным термическим окислом кремния толщиной 0,2-0,5 мкм.11. The method according to claim 3, characterized in that the bonding and splicing of the silicon wafer and the substrate is carried out in vacuum at a pressure of 10-10 5 Pa, further splicing and delamination along the implanted layer of the silicon wafer is carried out in a temperature range of 300-600 ° C with a duration of 0 , 5-2 hours, while a silicon wafer with grown 0.2–0.5 μm thick thermal silicon oxide is used as a substrate.
12. Способ по п.4, отличающийся тем, что соединение и сращивание пластины кремния и подложки осуществляют в вакууме при давлении 10-105 Па, дальнейшее сращивание и расслоение по имплантированному слою пластины кремния осуществляют в температурном интервале 300-600°С длительностью 0,5-2 ч, при этом в качестве подложки используют пластину кремния с выращенным термическим окислом кремния толщиной 0,2-0,5 мкм.12. The method according to claim 4, characterized in that the connection and splicing of the silicon wafer and the substrate is carried out in vacuum at a pressure of 10-10 5 Pa, further splicing and delamination along the implanted layer of the silicon wafer is carried out in a temperature range of 300-600 ° C with a duration of 0 , 5-2 hours, while a silicon wafer with grown 0.2–0.5 μm thick thermal silicon oxide is used as a substrate.
13. Способ по любому из пп.1-12, отличающийся тем, что дополнительный отжиг проводят в атмосфере сухого кислорода после отжига, который следует за расслоением, и проводят его при температуре 1100°С в течение 0,5-2 ч.13. The method according to any one of claims 1 to 12, characterized in that the additional annealing is carried out in an atmosphere of dry oxygen after annealing, which follows the separation, and it is carried out at a temperature of 1100 ° C for 0.5-2 hours
14. Способ по любому из пп.1-12, отличающийся тем, что дополнительный отжиг проводят в атмосфере влажного кислорода после отжига, который следует за расслоением, и проводят его при температуре 1200°С в течение 0,5-2 ч.14. The method according to any one of claims 1 to 12, characterized in that the additional annealing is carried out in an atmosphere of moist oxygen after annealing, which follows the separation, and is carried out at a temperature of 1200 ° C for 0.5-2 hours
15. Способ по любому из пп.1-12, отличающийся тем, что дополнительный отжиг проводят в атмосфере азота после отжига, который следует за расслоением, и проводят его при температуре 1200°С в течение 0,5-2 ч.15. The method according to any one of claims 1 to 12, characterized in that the additional annealing is carried out in a nitrogen atmosphere after annealing, which follows the separation, and is carried out at a temperature of 1200 ° C for 0.5-2 hours