[go: up one dir, main page]

RU2000108581A - PERMANENT MEMORY AND PERMANENT MEMORY DEVICES - Google Patents

PERMANENT MEMORY AND PERMANENT MEMORY DEVICES

Info

Publication number
RU2000108581A
RU2000108581A RU2000108581/09A RU2000108581A RU2000108581A RU 2000108581 A RU2000108581 A RU 2000108581A RU 2000108581/09 A RU2000108581/09 A RU 2000108581/09A RU 2000108581 A RU2000108581 A RU 2000108581A RU 2000108581 A RU2000108581 A RU 2000108581A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor material
memory
electrode
memory cell
semiconductor
Prior art date
Application number
RU2000108581/09A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2216055C2 (en
Inventor
Ханс Гуде Гудесен
Пер-Эрик Нордаль
Гейрр И. Лейстад
Original Assignee
Тин Филм Электроникс Аса
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from NO973993A external-priority patent/NO973993L/en
Application filed by Тин Филм Электроникс Аса filed Critical Тин Филм Электроникс Аса
Publication of RU2000108581A publication Critical patent/RU2000108581A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2216055C2 publication Critical patent/RU2216055C2/en

Links

Claims (26)

1. Электрически-адресуемая энергонезависимая постоянная память, содержащая некоторую совокупность ячеек памяти. (5), каждой из которых во время операции записи, составляющей часть процесса изготовления постоянной памяти, на постоянное время присваивают одно из двух, или более логических состояний в соответствии с заданным протоколом, который в этой памяти определяет постоянно записываемые или запоминаемые данные, и параллельные электроды (2, 4) для адресации, причем пассивная матрица проводников содержит первую и вторую электродные структуры в соответствующих взаимно отделенных интервалом и параллельных плоскостях и с параллельными электродами (2, 4) в каждой плоскости, и выполнена с возможностью формирования электродами по существу ортогональной х, y-матрицы; при этом электроды (2) в первой электродной структуре содержат вертикальные шины матрицы, или x-электроды, а электроды (4) во второй электродной структуре содержат горизонтальные шины матрицы, или y-электроды, при этом по меньшей мере некоторая часть объема между пересечением х-электрода (2) и у-электрода (4) определяет ячейку памяти (5) в постоянной памяти; причем обеспечивают по меньшей мере один полупроводниковый материал (9) с выпрямляющими свойствами в отношении выбранного электропроводного электродного материала и первого электроизолирующего материала (6); причем полупроводниковый материал (9) в электрическом контакте с электродом (2, 4) в ячейке памяти формирует диодный переход на границе между полупроводниковым материалом и электродным материалом; и причем некоторое логическое состояние в каждом случае создают значением полного сопротивления ячейки памяти (5), при этом указанное значение полного сопротивления по существу создают либо характеристиками полного сопротивления полупроводникового материала, либо характеристиками полного сопротивления изолирующего материала и характеристикой полного сопротивления диодного перехода, отличающаяся тем, что y-электроды (4) обеспечивают на втором электроизолирующем материале (12), который формируют в виде полосковых структур по существу той же формы и протяженности, что и у y-электродов (4), и их обеспечивают вблизи х-электродов (2) как часть матрицы, тем, что полупроводниковый материал обеспечивают на электродных структурах, в результате чего контактная площадка (11) в ячейке памяти (5) определяется частями, которые соответственно проходят вдоль каждого бокового края y-электрода (4), где он накладывается на х-электрод (2) в ячейке памяти (5), тем что первое логическое состояние ячейки памяти (5) в постоянной памяти генерируют активной частью полупроводникового материала (9), покрывающего всю контактную площадку (11) ячейки памяти; при этом диодный переход таким образом включает в себя всю контактную площадку ячейки памяти; тем, что второе логическое состояние в выбранной ячейке памяти (5) в постоянной памяти генерируют обеими электродными структурами в ячейке памяти, покрываемой первым изолирующим материалом (6), тем, что одно, или более дополнительных логических состояний в ячейке памяти (5) в постоянной памяти генерируют активной частью полупроводникового материала (9), покрывающего только некоторую часть указанной контактной площадки (11), в результате чего данные, которые запоминают в памяти, могут быть представлены логическими состояниями в многозначном коде, и тем, что указанное одно, или более дополнительных логических состояний создают значениями полного сопротивления, определяемыми продолжением активной части полупроводникового материала, и продолжением той части контактной площадки, которая формирует диодный переход.1. An electrically addressable non-volatile read-only memory containing a plurality of memory cells. (5), each of which during the recording operation, which is part of the process of manufacturing permanent memory, is assigned one of two or more logical states for a constant time in accordance with a specified protocol, which in this memory determines permanently recorded or stored data, and parallel electrodes (2, 4) for addressing, and the passive matrix of conductors contains the first and second electrode structures in the respective mutually separated by an interval and parallel planes and with parallel electrodes (2, 4) in each plane, and is configured to form electrodes substantially orthogonal to the x, y matrix; wherein the electrodes (2) in the first electrode structure comprise vertical matrix buses, or x-electrodes, and the electrodes (4) in the second electrode structure comprise horizontal matrix buses, or y-electrodes, with at least some of the volume between the intersection x -electrode (2) and y-electrode (4) defines a memory cell (5) in read-only memory; moreover, provide at least one semiconductor material (9) with rectifying properties in relation to the selected conductive electrode material and the first electrically insulating material (6); moreover, the semiconductor material (9) in electrical contact with the electrode (2, 4) in the memory cell forms a diode junction at the boundary between the semiconductor material and the electrode material; and moreover, a certain logical state in each case is created by the impedance value of the memory cell (5), while the indicated impedance value is essentially created either by the impedance characteristics of the semiconductor material or by the impedance characteristics of the insulating material and the impedance characteristic of the diode junction, characterized in that the y-electrodes (4) provide on the second electrically insulating material (12), which is essentially formed as strip structures the same shape and length as that of the y-electrodes (4), and they are provided near the x-electrodes (2) as part of the matrix, in that the semiconductor material is provided on the electrode structures, as a result of which the contact area (11) in the cell memory (5) is determined by the parts that respectively extend along each side edge of the y-electrode (4), where it is superimposed on the x-electrode (2) in the memory cell (5), so that the first logical state of the memory cell (5) is constant memories generate the active part of the semiconductor material (9), covering the entire contact pad (11) of the memory cell; in this case, the diode junction thus includes the entire contact pad of the memory cell; the fact that the second logical state in the selected memory cell (5) in constant memory is generated by both electrode structures in the memory cell covered by the first insulating material (6), in that one or more additional logical states in the memory cell (5) are in constant the memory is generated by the active part of the semiconductor material (9), covering only some part of the indicated contact pad (11), as a result of which the data that is stored in the memory can be represented by logical states in the multi-valued ode, and the fact that the indicated one or more additional logical states are created by the impedance values determined by the continuation of the active part of the semiconductor material and the continuation of that part of the contact area that forms the diode junction. 2. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что указанная постоянная память образует двоичную логическую память, при этом первое логическое состояние, которое представляет либо логический "0", либо логическую "1", создают сопротивлением по переменному току прямого смещения диода, сформированного в ячейке памяти (5), в которой полупроводниковый материал (9) контактирует и с х-электродом (2), и с y-электородом (4), и тем, что вторые, или дополнительные, логические состояния, которые соответственно представляют либо логическую "1", либо логический "0", создают выбранным значением сопротивления для первого изолирующего материала (6), обеспечиваемого в ячейке памяти (5), в которой полупроводниковый материал (9) не контактирует ни с х-электродом (2), ни с y-электродом (4). 2. The read-only memory according to claim 1, characterized in that said read-only memory forms a binary logical memory, wherein the first logical state, which represents either a logical “0” or a logical “1”, is created by the diode direct current bias resistance, formed in the memory cell (5), in which the semiconductor material (9) is in contact with both the x-electrode (2) and the y-electrode (4), and the fact that the second, or additional, logical states, which respectively represent either logical "1" or logical "0", create the selected resistance value for the first insulating material (6) provided in the memory cell (5), in which the semiconductor material (9) is not in contact with either the x-electrode (2) or the y-electrode (4). 3. Постоянная память по п. 2, отличающаяся тем, что изолирующий материал (6) в ячейке памяти имеет бесконечное значение сопротивления. 3. Permanent memory according to claim 2, characterized in that the insulating material (6) in the memory cell has an infinite resistance value. 4. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что постоянную память формируют как многоуровневую логическую память с двумя, или более дополнительными логическими состояниями, при этом первое логическое состояние создают сопротивлением по переменному току прямого смещения диода, сформированного в ячейке памяти (5), в которой полупроводниковый материал (9) контактирует и с х-, и с y-электродами (2, 4), и тем, что дополнительные логические состояния создают определенными значениями сопротивления для изолирующего материала (6), обеспечиваемого в ячейке памяти (5), в которой полупроводниковый материал (9) большей частью контактирует либо с х-электродом (2), либо с y-электродом (4), при этом определенное значение сопротивления в каждом случае находится между сопротивлением по переменному току прямого смещения ячейки памяти (5), сформированным диодом, и бесконечным значением. 4. The read-only memory according to claim 1, characterized in that the read-only memory is formed as a multi-level logical memory with two or more additional logical states, wherein the first logical state is created by the direct current bias resistance of the diode formed in the memory cell (5) in which the semiconductor material (9) is in contact with both the x- and y-electrodes (2, 4), and the fact that additional logical states are created by certain resistance values for the insulating material (6) provided in a memory cell (5), in which the semiconductor material (9) is mostly in contact with either the x-electrode (2) or the y-electrode (4), and a certain resistance value in each case is between the resistance to direct bias alternating current memory cells (5), formed by a diode, and an infinite value. 5. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что первый изолирующий материал (6) в выбранных ячейках памяти (5) обеспечивают на электродных структурах в виде отдельной слоеобразной изолирующей накладки (7), которая полностью или частично покрывает электроды (2, 4) в ячейке памяти (5), причем выбранная ячейка памяти, зависимая от активной части полупроводникового материала и/или зоны диодного перехода, в последнем случае приобретает логическое состояние, которое соответствует некоторому уровню в многозначном коде. 5. Permanent memory according to claim 1, characterized in that the first insulating material (6) in the selected memory cells (5) is provided on the electrode structures in the form of a separate layer-shaped insulating pad (7), which completely or partially covers the electrodes (2, 4 ) in the memory cell (5), and the selected memory cell, depending on the active part of the semiconductor material and / or the diode junction zone, in the latter case acquires a logical state that corresponds to a certain level in a multi-valued code. 6. Постоянная память по п. 5, отличающаяся тем, что полупроводниковый материал (9) обеспечивают на электродных структурах в слое по всему полю пластины и также на изолирующих накладках (7) в выбранных ячейках памяти (5). 6. Permanent memory according to claim 5, characterized in that the semiconductor material (9) is provided on the electrode structures in the layer over the entire field of the plate and also on insulating pads (7) in the selected memory cells (5). 7. Постоянная память по п. 5, отличающаяся тем, что полупроводниковый материал (9) обеспечивают на электродных структурах и в прилегании к изолирующей накладке (7) в выбранных ячейках памяти (5), в результате чего полупроводниковый материал (9) и изолирующие накладки (7) выполняют взаимно заподлицо в общем сплошном слое. 7. Permanent memory according to claim 5, characterized in that the semiconductor material (9) is provided on the electrode structures and adjacent to the insulating lining (7) in the selected memory cells (5), resulting in a semiconductor material (9) and insulating lining (7) perform mutually flush in a common continuous layer. 8. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что первый изолирующий материал (6) обеспечивают на электродных структурах по существу в виде слоя по всему полю пластины, и с удаленными частями (8) в выбранных ячейках памяти (5), в результате чего удаленная часть полностью или частично экспонирует электроды (2,4) в выбранной ячейке памяти (5), причем указанная ячейка памяти, зависящая от активной части полупроводникового материала (9) и/или зоны диодного перехода, в последнем случае приобретает логическое состояние, которое соответствует некоторому уровню в многозначном коде. 8. Permanent memory according to claim 1, characterized in that the first insulating material (6) is provided on the electrode structures essentially in the form of a layer over the entire field of the plate, and with the removed parts (8) in the selected memory cells (5), as a result of which the remote part fully or partially exposes the electrodes (2,4) in the selected memory cell (5), and the specified memory cell, depending on the active part of the semiconductor material (9) and / or the diode junction zone, in the latter case acquires a logical state that corresponds to some level in a multi-valued code. 9. Постоянная память по п. 8, отличающаяся тем, что полупроводниковый материал (9) обеспечивают на электродных структурах и на изолирующем слое (6) в слое по всему полю пластины, который также контактирует с электродными структурами в удаленных частях изолирующего слоя (6). 9. Permanent memory according to claim 8, characterized in that the semiconductor material (9) is provided on the electrode structures and on the insulating layer (6) in the layer over the entire field of the plate, which also contacts the electrode structures in the remote parts of the insulating layer (6) . 10. Постоянная память по п. 8, отличающаяся тем, что полупроводниковый материал (9) обеспечивают на электродных структурах и в прилегании к изолирующему слою (6) в выбранных ячейках памяти (5), в результате чего полупроводниковый материал (9) и изолирующий слой (6) выполняют взаимно заподлицо в общем сплошном слое. 10. Permanent memory according to claim 8, characterized in that the semiconductor material (9) is provided on the electrode structures and adjacent to the insulating layer (6) in the selected memory cells (5), as a result of which the semiconductor material (9) and the insulating layer (6) perform mutually flush in a common continuous layer. 11. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что полупроводниковый материал (9) в выбранных ячейках памяти (5) обеспечивают на электродных структурах в виде отдельной слоеобразной полупроводниковой накладки (10), которая полностью или частично покрывает электроды (2,4) в ячейке памяти (5), причем выбранная ячейка памяти, зависимая от активной части полупроводникового материала (9) и/или зоны диодного перехода, в последнем случае приобретает логическое состояние, которое соответствует некоторому уровню в многозначном коде. 11. Permanent memory according to claim 1, characterized in that the semiconductor material (9) in the selected memory cells (5) is provided on the electrode structures in the form of a separate layer-shaped semiconductor lining (10), which completely or partially covers the electrodes (2,4) in the memory cell (5), and the selected memory cell, depending on the active part of the semiconductor material (9) and / or the diode junction zone, in the latter case acquires a logical state that corresponds to a certain level in a multi-valued code. 12. Постоянная память по п. 11, отличающаяся тем, что первый изолирующий материал (6) обеспечивают на электродных структурах в слое по всему слою пластины и также на полупроводниковых накладках (10) в выбранных ячейках памяти (5). 12. Permanent memory according to claim 11, characterized in that the first insulating material (6) is provided on the electrode structures in the layer over the entire layer of the wafer and also on semiconductor overlays (10) in the selected memory cells (5). 13. Постоянная память по п. 11, отличающаяся тем, что первый изолирующий материал (6) обеспечивают на электродных структурах и в прилегании к полупроводниковым накладкам (10) в выбранных ячейках памяти (11), в результате чего первый изолирующий материал (6) и полупроводниковые накладки (10) выполняют взаимно заподлицо в общем сплошном слое. 13. Permanent memory according to claim 11, characterized in that the first insulating material (6) is provided on the electrode structures and in contact with the semiconductor overlays (10) in the selected memory cells (11), as a result of which the first insulating material (6) and semiconductor pads (10) are mutually flush in a common continuous layer. 14. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что полупроводниковый материал (9) обеспечивают на электродных структурах по существу в виде слоя по всему полю пластины (9) и с удаленными частями (17) в выбранных ячейках памяти (15), в результате чего удаленная часть (17) полностью или частично экспонирует электроды (2, 4) в выбранной ячейке памяти (5), причем указанная ячейка памяти, зависимая от активной части полупроводникового материала и/или зоны диодного перехода, в последнем случае приобретает логическое состояние, которое соответствует некоторому уровню в многозначном коде. 14. Permanent memory according to claim 1, characterized in that the semiconductor material (9) is provided on the electrode structures essentially in the form of a layer over the entire field of the plate (9) and with the removed parts (17) in the selected memory cells (15), as a result, the remote part (17) fully or partially exposes the electrodes (2, 4) in the selected memory cell (5), and the specified memory cell, depending on the active part of the semiconductor material and / or the diode junction zone, in the latter case acquires a logical state, which corresponds to some th level in a multi-valued code. 15. Постоянная память по п. 14, отличающаяся тем, что первый изолирующий материал (6) обеспечивают на электродных структурах и полупроводниковом материале (9) в слое по всему полю пластины, и он также изолирует электродные структуры в удаленных частях (17) полупроводникового слоя (9). 15. Permanent memory according to claim 14, characterized in that the first insulating material (6) is provided on the electrode structures and semiconductor material (9) in the layer over the entire field of the plate, and it also insulates the electrode structures in the remote parts (17) of the semiconductor layer (9). 16. Постоянная память по п. 14, отличающаяся тем, что первый изолирующий материал (6) обеспечивают на электродных структурах и в прилегании к полупроводниковому слою (9) в выбранных ячейках памяти (5), в результате чего первый изолирующий материал (6) и полупроводниковый материал (9) выполняют взаимно заподлицо в общем сплошном слое. 16. Permanent memory according to claim 14, characterized in that the first insulating material (6) is provided on the electrode structures and adjacent to the semiconductor layer (9) in the selected memory cells (5), as a result of which the first insulating material (6) and the semiconductor material (9) is mutually flush in a common continuous layer. 17. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что полупроводниковый материал (9) является аморфным кремнием. 17. Permanent memory according to claim 1, characterized in that the semiconductor material (9) is amorphous silicon. 18. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что полупроводниковый материал (9) является поликристалличеcким кремнием. 18. Permanent memory according to claim 1, characterized in that the semiconductor material (9) is polycrystalline silicon. 19. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что полупроводниковый материал (9) является органическим полупроводником. 19. Permanent memory according to claim 1, characterized in that the semiconductor material (9) is an organic semiconductor. 20. Постоянная память по п. 19, отличающаяся тем, что органический полупроводник (9) является сопряженным полимером. 20. Permanent memory according to claim 19, characterized in that the organic semiconductor (9) is a conjugated polymer. 21. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что полупроводниковый материал (9) является анизотропным проводником. 21. Permanent memory according to claim 1, characterized in that the semiconductor material (9) is an anisotropic conductor. 22. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что полупроводниковый материал (9) содержит более чем один полупроводник. 22. Permanent memory according to claim 1, characterized in that the semiconductor material (9) contains more than one semiconductor. 23. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что, полупроводниковый материал (9) добавляют в электропроводный материал, или комбинируют его с ним. 23. Permanent memory according to claim 1, characterized in that the semiconductor material (9) is added to the electrically conductive material, or combined with it. 24. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что полупроводниковый материал (9), изолирующий материал (6) и электродные структуры формируют в виде тонких пленок. 24. Permanent memory according to claim 1, characterized in that the semiconductor material (9), insulating material (6) and electrode structures are formed in the form of thin films. 25. Постоянная память, содержащая одну, или более постоянных памятей (ПЗУ) по пп. 1-24, отличающаяся тем, что постоянную память (ПЗУ) обеспечивают на подложке (1) полупроводникового материала или между подложками (1; 3) полупроводникового материала и через подложки подключают к задающее и управляющей схемам (13) для приведения в действие и адресации, причем указанные задающая и управляющая схемы (13) интегрированы в подложку (1) или подложки (1; 3) и сформированы согласно полупроводниковой технологии, соответствующей материалу подложки. 25. Permanent memory containing one or more permanent memories (ROM) according to paragraphs. 1-24, characterized in that the read-only memory (ROM) is provided on the substrate (1) of the semiconductor material or between the substrates (1; 3) of the semiconductor material and is connected through the substrates to the driver and control circuits (13) for actuation and addressing, moreover, the specified master and control circuits (13) are integrated into the substrate (1) or substrates (1; 3) and are formed according to the semiconductor technology corresponding to the substrate material. 26. Постоянная память, содержащая одну, или более постоянных памятей (ПЗУ) по пп. 1-24, отличающаяся тем, что постоянную память выполняют в виде стека в слоях для обеспечения объемного запоминающего устройства, тем, что объемное запоминающее устройство обеспечивают на подложке (1) полупроводникового материала или между подложками (1, 3) полупроводникового материала и через подложку или подложки подключают к задающей и управляющей схемам (13) для приведения в действие и адресации, причем указанные задающая и управляющая схемы (13). интегрированы в подложку (1) или подложки (1; 3) и сформированы согласно полупроводниковой технологии, соответствующей материалу подложки. 26. Permanent memory containing one or more permanent memories (ROM) according to paragraphs. 1-24, characterized in that the permanent memory is in the form of a stack in layers to provide volume storage device, in that the volume storage device is provided on the substrate (1) of the semiconductor material or between the substrates (1, 3) of the semiconductor material and through the substrate or the substrates are connected to the master and control circuits (13) for driving and addressing, moreover, these master and control circuits (13). integrated into the substrate (1) or substrates (1; 3) and formed according to the semiconductor technology corresponding to the substrate material.
RU2000108581/09A 1997-09-01 1998-08-28 Read-only memory and read-only memory devices RU2216055C2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NO973993A NO973993L (en) 1997-09-01 1997-09-01 Reading memory and reading memory devices
NO973993 1997-09-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2000108581A true RU2000108581A (en) 2002-02-27
RU2216055C2 RU2216055C2 (en) 2003-11-10

Family

ID=19901057

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2000108482/09A RU2212716C2 (en) 1997-09-01 1998-08-28 Read-only memory and read-only memory device
RU2000108581/09A RU2216055C2 (en) 1997-09-01 1998-08-28 Read-only memory and read-only memory devices

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2000108482/09A RU2212716C2 (en) 1997-09-01 1998-08-28 Read-only memory and read-only memory device

Country Status (14)

Country Link
US (2) US6236587B1 (en)
EP (2) EP1010180B1 (en)
JP (2) JP3526551B2 (en)
KR (2) KR100368819B1 (en)
CN (2) CN1199193C (en)
AT (2) ATE213089T1 (en)
AU (2) AU750496B2 (en)
CA (2) CA2302015C (en)
DE (2) DE69803782T2 (en)
DK (2) DK1010181T3 (en)
ES (2) ES2172189T3 (en)
NO (2) NO973993L (en)
RU (2) RU2212716C2 (en)
WO (2) WO1999014762A1 (en)

Families Citing this family (171)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8280682B2 (en) 2000-12-15 2012-10-02 Tvipr, Llc Device for monitoring movement of shipped goods
US6266623B1 (en) * 1994-11-21 2001-07-24 Phatrat Technology, Inc. Sport monitoring apparatus for determining loft time, speed, power absorbed and other factors such as height
US5673218A (en) 1996-03-05 1997-09-30 Shepard; Daniel R. Dual-addressed rectifier storage device
US6839158B2 (en) 1997-08-28 2005-01-04 E Ink Corporation Encapsulated electrophoretic displays having a monolayer of capsules and materials and methods for making the same
US6893896B1 (en) * 1998-03-27 2005-05-17 The Trustees Of Princeton University Method for making multilayer thin-film electronics
US7075502B1 (en) 1998-04-10 2006-07-11 E Ink Corporation Full color reflective display with multichromatic sub-pixels
DE69920228T2 (en) 1998-07-08 2005-01-27 E-Ink Corp., Cambridge METHOD FOR IMPROVING COLOR REPRODUCTION IN ELECTROPHORETIC DEVICES USING MICROCAPSULES
US7157314B2 (en) 1998-11-16 2007-01-02 Sandisk Corporation Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication
US6842657B1 (en) 1999-04-09 2005-01-11 E Ink Corporation Reactive formation of dielectric layers and protection of organic layers in organic semiconductor device fabrication
NO311317B1 (en) * 1999-04-30 2001-11-12 Thin Film Electronics Asa Apparatus comprising electronic and / or optoelectronic circuits and method of realizing and / or integrating circuits of this kind in the apparatus
JP2003508807A (en) 1999-08-31 2003-03-04 イー−インク コーポレイション Electronically driven display transistors
JP4010091B2 (en) * 2000-03-23 2007-11-21 セイコーエプソン株式会社 Memory device and manufacturing method thereof
US6956757B2 (en) * 2000-06-22 2005-10-18 Contour Semiconductor, Inc. Low cost high density rectifier matrix memory
US6515888B2 (en) 2000-08-14 2003-02-04 Matrix Semiconductor, Inc. Low cost three-dimensional memory array
US6711043B2 (en) 2000-08-14 2004-03-23 Matrix Semiconductor, Inc. Three-dimensional memory cache system
US6545891B1 (en) 2000-08-14 2003-04-08 Matrix Semiconductor, Inc. Modular memory device
US6658438B1 (en) 2000-08-14 2003-12-02 Matrix Semiconductor, Inc. Method for deleting stored digital data from write-once memory device
US6424581B1 (en) 2000-08-14 2002-07-23 Matrix Semiconductor, Inc. Write-once memory array controller, system, and method
US6765813B2 (en) 2000-08-14 2004-07-20 Matrix Semiconductor, Inc. Integrated systems using vertically-stacked three-dimensional memory cells
US6584541B2 (en) 2000-09-15 2003-06-24 Matrix Semiconductor, Inc. Method for storing digital information in write-once memory array
US20030120858A1 (en) * 2000-09-15 2003-06-26 Matrix Semiconductor, Inc. Memory devices and methods for use therewith
US6912696B2 (en) * 2000-12-05 2005-06-28 Oki Electric Industry Co., Ltd. Smart card and circuitry layout thereof for reducing cross-talk
US6591394B2 (en) 2000-12-22 2003-07-08 Matrix Semiconductor, Inc. Three-dimensional memory array and method for storing data bits and ECC bits therein
US20020108054A1 (en) * 2001-02-02 2002-08-08 Moore Christopher S. Solid-state memory device storing program code and methods for use therewith
US6778974B2 (en) 2001-02-02 2004-08-17 Matrix Semiconductor, Inc. Memory device and method for reading data stored in a portion of a memory device unreadable by a file system of a host device
US7424201B2 (en) * 2001-03-30 2008-09-09 Sandisk 3D Llc Method for field-programming a solid-state memory device with a digital media file
US7062602B1 (en) 2001-04-09 2006-06-13 Matrix Semiconductor, Inc. Method for reading data in a write-once memory device using a write-many file system
US6895490B1 (en) 2001-04-09 2005-05-17 Matrix Semiconductor, Inc. Method for making a write-once memory device read compatible with a write-many file system
US7003619B1 (en) 2001-04-09 2006-02-21 Matrix Semiconductor, Inc. Memory device and method for storing and reading a file system structure in a write-once memory array
US6996660B1 (en) 2001-04-09 2006-02-07 Matrix Semiconductor, Inc. Memory device and method for storing and reading data in a write-once memory array
WO2002091495A2 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Coatue Corporation Molecular memory device
WO2002091496A2 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Advanced Micro Devices, Inc. Reversible field-programmable electric interconnects
US6873540B2 (en) 2001-05-07 2005-03-29 Advanced Micro Devices, Inc. Molecular memory cell
EP1390984B1 (en) 2001-05-07 2009-08-26 Advanced Micro Devices, Inc. Floating gate memory device using composite molecular material
US6855977B2 (en) 2001-05-07 2005-02-15 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device with a self-assembled polymer film and method of making the same
CN100367528C (en) 2001-05-07 2008-02-06 先进微装置公司 Switching device with memory effect
US6756620B2 (en) * 2001-06-29 2004-06-29 Intel Corporation Low-voltage and interface damage-free polymer memory device
US6624457B2 (en) 2001-07-20 2003-09-23 Intel Corporation Stepped structure for a multi-rank, stacked polymer memory device and method of making same
US6806526B2 (en) 2001-08-13 2004-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
US6992323B2 (en) 2001-08-13 2006-01-31 Advanced Micro Devices, Inc. Memory cell
US6858481B2 (en) 2001-08-13 2005-02-22 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device with active and passive layers
US6838720B2 (en) 2001-08-13 2005-01-04 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device with active passive layers
US6768157B2 (en) 2001-08-13 2004-07-27 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
US6490218B1 (en) 2001-08-17 2002-12-03 Matrix Semiconductor, Inc. Digital memory method and system for storing multiple bit digital data
US6735546B2 (en) 2001-08-31 2004-05-11 Matrix Semiconductor, Inc. Memory device and method for temperature-based control over write and/or read operations
US6724665B2 (en) * 2001-08-31 2004-04-20 Matrix Semiconductor, Inc. Memory device and method for selectable sub-array activation
CN1310311C (en) * 2002-02-05 2007-04-11 张国飙 Design of 3D ROM
US7000063B2 (en) 2001-10-05 2006-02-14 Matrix Semiconductor, Inc. Write-many memory device and method for limiting a number of writes to the write-many memory device
US7202847B2 (en) 2002-06-28 2007-04-10 E Ink Corporation Voltage modulated driver circuits for electro-optic displays
US7219271B2 (en) * 2001-12-14 2007-05-15 Sandisk 3D Llc Memory device and method for redundancy/self-repair
US6901549B2 (en) * 2001-12-14 2005-05-31 Matrix Semiconductor, Inc. Method for altering a word stored in a write-once memory device
US6563745B1 (en) 2001-12-14 2003-05-13 Matrix Semiconductor, Inc. Memory device and method for dynamic bit inversion
US6928590B2 (en) * 2001-12-14 2005-08-09 Matrix Semiconductor, Inc. Memory device and method for storing bits in non-adjacent storage locations in a memory array
DE10200475A1 (en) * 2002-01-09 2003-07-24 Samsung Sdi Co Non-volatile memory element and display matrices made from it
US6649505B2 (en) * 2002-02-04 2003-11-18 Matrix Semiconductor, Inc. Method for fabricating and identifying integrated circuits and self-identifying integrated circuits
DE10214529B4 (en) * 2002-04-02 2006-07-27 Infineon Technologies Ag ROM memory arrangement
US6625055B1 (en) * 2002-04-09 2003-09-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multiple logical bits per memory cell in a memory device
US6567304B1 (en) 2002-05-09 2003-05-20 Matrix Semiconductor, Inc Memory device and method for reliably reading multi-bit data from a write-many memory cell
JP2004046773A (en) * 2002-05-21 2004-02-12 Nec Infrontia Corp History management system
JP4282951B2 (en) * 2002-05-31 2009-06-24 パイオニア株式会社 SEMICONDUCTOR STORAGE ELEMENT, LIFE OPERATION STARTING DEVICE, AND INFORMATION RECORDING MEDIUM HAVING THE SEMICONDUCTOR STORAGE ELEMENT
JP2004047791A (en) 2002-07-12 2004-02-12 Pioneer Electronic Corp Organic thin film switching memory element and memory device
US6642587B1 (en) * 2002-08-07 2003-11-04 National Semiconductor Corporation High density ROM architecture
US7012276B2 (en) 2002-09-17 2006-03-14 Advanced Micro Devices, Inc. Organic thin film Zener diodes
US6847047B2 (en) * 2002-11-04 2005-01-25 Advanced Micro Devices, Inc. Methods that facilitate control of memory arrays utilizing zener diode-like devices
US6954394B2 (en) * 2002-11-27 2005-10-11 Matrix Semiconductor, Inc. Integrated circuit and method for selecting a set of memory-cell-layer-dependent or temperature-dependent operating conditions
AU2003296988A1 (en) * 2002-12-19 2004-07-29 Matrix Semiconductor, Inc An improved method for making high-density nonvolatile memory
US7800933B2 (en) * 2005-09-28 2010-09-21 Sandisk 3D Llc Method for using a memory cell comprising switchable semiconductor memory element with trimmable resistance
US20070164388A1 (en) * 2002-12-19 2007-07-19 Sandisk 3D Llc Memory cell comprising a diode fabricated in a low resistivity, programmed state
US8008700B2 (en) * 2002-12-19 2011-08-30 Sandisk 3D Llc Non-volatile memory cell with embedded antifuse
US7618850B2 (en) * 2002-12-19 2009-11-17 Sandisk 3D Llc Method of making a diode read/write memory cell in a programmed state
US8637366B2 (en) 2002-12-19 2014-01-28 Sandisk 3D Llc Nonvolatile memory cell without a dielectric antifuse having high- and low-impedance states
US7285464B2 (en) 2002-12-19 2007-10-23 Sandisk 3D Llc Nonvolatile memory cell comprising a reduced height vertical diode
US7800932B2 (en) 2005-09-28 2010-09-21 Sandisk 3D Llc Memory cell comprising switchable semiconductor memory element with trimmable resistance
US7660181B2 (en) * 2002-12-19 2010-02-09 Sandisk 3D Llc Method of making non-volatile memory cell with embedded antifuse
US20050226067A1 (en) * 2002-12-19 2005-10-13 Matrix Semiconductor, Inc. Nonvolatile memory cell operating by increasing order in polycrystalline semiconductor material
US7051251B2 (en) 2002-12-20 2006-05-23 Matrix Semiconductor, Inc. Method for storing data in a write-once memory array using a write-many file system
US7103729B2 (en) * 2002-12-26 2006-09-05 Intel Corporation Method and apparatus of memory management
US7179534B2 (en) * 2003-01-31 2007-02-20 Princeton University Conductive-polymer electronic switch
US6868022B2 (en) 2003-03-28 2005-03-15 Matrix Semiconductor, Inc. Redundant memory structure using bad bit pointers
US7511352B2 (en) * 2003-05-19 2009-03-31 Sandisk 3D Llc Rail Schottky device and method of making
KR100596755B1 (en) 2003-05-30 2006-07-04 엘지전자 주식회사 Home network system
KR100638017B1 (en) 2003-05-30 2006-10-23 엘지전자 주식회사 Network device
US7192811B2 (en) * 2003-06-23 2007-03-20 Macronix International Co., Ltd. Read-only memory device coded with selectively insulated gate electrodes
US7376008B2 (en) 2003-08-07 2008-05-20 Contour Seminconductor, Inc. SCR matrix storage device
US7057958B2 (en) * 2003-09-30 2006-06-06 Sandisk Corporation Method and system for temperature compensation for memory cells with temperature-dependent behavior
US7177189B2 (en) * 2004-03-01 2007-02-13 Intel Corporation Memory defect detection and self-repair technique
US7398348B2 (en) * 2004-08-24 2008-07-08 Sandisk 3D Llc Method and apparatus for using a one-time or few-time programmable memory with a host device designed for erasable/rewritable memory
US7781758B2 (en) 2004-10-22 2010-08-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7675123B2 (en) * 2004-10-29 2010-03-09 Agfa-Gevaert Nv Printable non-volatile passive memory element and method of making thereof
US7218570B2 (en) * 2004-12-17 2007-05-15 Sandisk 3D Llc Apparatus and method for memory operations using address-dependent conditions
US7277336B2 (en) 2004-12-28 2007-10-02 Sandisk 3D Llc Method and apparatus for improving yield in semiconductor devices by guaranteeing health of redundancy information
US7307268B2 (en) * 2005-01-19 2007-12-11 Sandisk Corporation Structure and method for biasing phase change memory array for reliable writing
US9104315B2 (en) 2005-02-04 2015-08-11 Sandisk Technologies Inc. Systems and methods for a mass data storage system having a file-based interface to a host and a non-file-based interface to secondary storage
WO2006117853A1 (en) * 2005-04-27 2006-11-09 Spansion Llc Semiconductor device, data read out method and semiconductor device manufacturing method
NO20052904L (en) * 2005-06-14 2006-12-15 Thin Film Electronics Asa A non-volatile electrical memory system
US7212454B2 (en) 2005-06-22 2007-05-01 Sandisk 3D Llc Method and apparatus for programming a memory array
US7633128B2 (en) * 2005-07-15 2009-12-15 Guobiao Zhang N-ary mask-programmable memory
US7627733B2 (en) * 2005-08-03 2009-12-01 Sandisk Corporation Method and system for dual mode access for storage devices
EP1760798B1 (en) * 2005-08-31 2012-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7800934B2 (en) * 2005-09-28 2010-09-21 Sandisk 3D Llc Programming methods to increase window for reverse write 3D cell
WO2007047889A2 (en) 2005-10-18 2007-04-26 Phatrat Technology, Llc Shoe wear-out sensor, body-bar sensing system, unitless activity assessment and associated methods
CN101322195B (en) * 2005-12-07 2012-02-22 Nxp股份有限公司 An electronic circuit with a memory matrix
US7706165B2 (en) * 2005-12-20 2010-04-27 Agfa-Gevaert Nv Ferroelectric passive memory cell, device and method of manufacture thereof
US7769978B2 (en) * 2005-12-21 2010-08-03 Sandisk Corporation Method and system for accessing non-volatile storage devices
US7793068B2 (en) * 2005-12-21 2010-09-07 Sandisk Corporation Dual mode access for non-volatile storage devices
US7747837B2 (en) * 2005-12-21 2010-06-29 Sandisk Corporation Method and system for accessing non-volatile storage devices
US7667996B2 (en) * 2006-02-15 2010-02-23 Contour Semiconductor, Inc. Nano-vacuum-tubes and their application in storage devices
US7605410B2 (en) * 2006-02-23 2009-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP1850378A3 (en) * 2006-04-28 2013-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semicondutor device
US8073984B2 (en) 2006-05-22 2011-12-06 Apple Inc. Communication protocol for use with portable electronic devices
US9137309B2 (en) 2006-05-22 2015-09-15 Apple Inc. Calibration techniques for activity sensing devices
US20070271116A1 (en) 2006-05-22 2007-11-22 Apple Computer, Inc. Integrated media jukebox and physiologic data handling application
US7643895B2 (en) 2006-05-22 2010-01-05 Apple Inc. Portable media device with workout support
US7283414B1 (en) 2006-05-24 2007-10-16 Sandisk 3D Llc Method for improving the precision of a temperature-sensor circuit
US7913297B2 (en) 2006-08-30 2011-03-22 Apple Inc. Pairing of wireless devices using a wired medium
US7813715B2 (en) 2006-08-30 2010-10-12 Apple Inc. Automated pairing of wireless accessories with host devices
US7698101B2 (en) 2007-03-07 2010-04-13 Apple Inc. Smart garment
US8460256B2 (en) 2009-07-15 2013-06-11 Allegiance Corporation Collapsible fluid collection and disposal system and related methods
US7966518B2 (en) * 2007-05-15 2011-06-21 Sandisk Corporation Method for repairing a neighborhood of rows in a memory array using a patch table
US7958390B2 (en) * 2007-05-15 2011-06-07 Sandisk Corporation Memory device for repairing a neighborhood of rows in a memory array using a patch table
UA81208C2 (en) * 2007-06-01 2007-12-10 Yurii Bogdanovych Zarvanytskyi Three-dimensional device for processing information and a method for processing information
US8102694B2 (en) * 2007-06-25 2012-01-24 Sandisk 3D Llc Nonvolatile memory device containing carbon or nitrogen doped diode
US7830697B2 (en) * 2007-06-25 2010-11-09 Sandisk 3D Llc High forward current diodes for reverse write 3D cell
US7684226B2 (en) * 2007-06-25 2010-03-23 Sandisk 3D Llc Method of making high forward current diodes for reverse write 3D cell
US8072791B2 (en) * 2007-06-25 2011-12-06 Sandisk 3D Llc Method of making nonvolatile memory device containing carbon or nitrogen doped diode
US7800939B2 (en) * 2007-06-29 2010-09-21 Sandisk 3D Llc Method of making 3D R/W cell with reduced reverse leakage
US7759666B2 (en) * 2007-06-29 2010-07-20 Sandisk 3D Llc 3D R/W cell with reduced reverse leakage
US7846782B2 (en) 2007-09-28 2010-12-07 Sandisk 3D Llc Diode array and method of making thereof
US7813157B2 (en) * 2007-10-29 2010-10-12 Contour Semiconductor, Inc. Non-linear conductor memory
US20090225621A1 (en) * 2008-03-05 2009-09-10 Shepard Daniel R Split decoder storage array and methods of forming the same
US7830698B2 (en) * 2008-04-11 2010-11-09 Sandisk 3D Llc Multilevel nonvolatile memory device containing a carbon storage material and methods of making and using same
US7812335B2 (en) * 2008-04-11 2010-10-12 Sandisk 3D Llc Sidewall structured switchable resistor cell
US8450835B2 (en) * 2008-04-29 2013-05-28 Sandisk 3D Llc Reverse leakage reduction and vertical height shrinking of diode with halo doping
US20090296445A1 (en) * 2008-06-02 2009-12-03 Shepard Daniel R Diode decoder array with non-sequential layout and methods of forming the same
CN101359509B (en) * 2008-09-02 2010-06-02 北京芯技佳易微电子科技有限公司 Disposable programmable memory circuit and programming and reading method thereof
US8325556B2 (en) * 2008-10-07 2012-12-04 Contour Semiconductor, Inc. Sequencing decoder circuit
CN101645054B (en) * 2009-08-25 2011-07-13 中兴通讯股份有限公司 Data acquisition card, extension control system and method thereof
US9559082B2 (en) 2011-09-01 2017-01-31 HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. Three-dimensional vertical memory comprising dice with different interconnect levels
US9190412B2 (en) 2011-09-01 2015-11-17 HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. Three-dimensional offset-printed memory
US9305604B2 (en) 2011-09-01 2016-04-05 HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. Discrete three-dimensional vertical memory comprising off-die address/data-translator
US8699257B2 (en) 2011-09-01 2014-04-15 HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. Three-dimensional writable printed memory
US9093129B2 (en) 2011-09-01 2015-07-28 Chengdu Haicun Ip Technology Llc Discrete three-dimensional memory comprising dice with different BEOL structures
US8890300B2 (en) 2011-09-01 2014-11-18 Chengdu Haicun Ip Technology Llc Discrete three-dimensional memory comprising off-die read/write-voltage generator
US9024425B2 (en) 2011-09-01 2015-05-05 HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. Three-dimensional memory comprising an integrated intermediate-circuit die
US9117493B2 (en) 2011-09-01 2015-08-25 Chengdu Haicun Ip Technology Llc Discrete three-dimensional memory comprising off-die address/data translator
US9299390B2 (en) 2011-09-01 2016-03-29 HangZhou HaiCun Informationa Technology Co., Ltd. Discrete three-dimensional vertical memory comprising off-die voltage generator
US8921991B2 (en) 2011-09-01 2014-12-30 Chengdu Haicun Ip Technology Llc Discrete three-dimensional memory
US9666300B2 (en) 2011-09-01 2017-05-30 XiaMen HaiCun IP Technology LLC Three-dimensional one-time-programmable memory comprising off-die address/data-translator
US9508395B2 (en) 2011-09-01 2016-11-29 HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. Three-dimensional one-time-programmable memory comprising off-die read/write-voltage generator
US9558842B2 (en) 2011-09-01 2017-01-31 HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. Discrete three-dimensional one-time-programmable memory
US9123393B2 (en) 2011-09-01 2015-09-01 HangZhou KiCun nformation Technology Co. Ltd. Discrete three-dimensional vertical memory
US9305605B2 (en) 2011-09-01 2016-04-05 Chengdu Haicun Ip Technology Llc Discrete three-dimensional vertical memory
US9396764B2 (en) 2011-09-01 2016-07-19 HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. Discrete three-dimensional memory
US9001555B2 (en) 2012-03-30 2015-04-07 Chengdu Haicun Ip Technology Llc Small-grain three-dimensional memory
US9293509B2 (en) 2013-03-20 2016-03-22 HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. Small-grain three-dimensional memory
US10304495B2 (en) 2014-04-14 2019-05-28 Chengdu Haicun Ip Technology Llc Compact three-dimensional memory with semi-conductive address line portion
CN104979352A (en) 2014-04-14 2015-10-14 成都海存艾匹科技有限公司 Hybrid 3D Printing Memory
US10446193B2 (en) 2014-04-14 2019-10-15 HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. Mixed three-dimensional memory
US10199432B2 (en) 2014-04-14 2019-02-05 HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. Manufacturing methods of MOSFET-type compact three-dimensional memory
US10079239B2 (en) 2014-04-14 2018-09-18 HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. Compact three-dimensional mask-programmed read-only memory
US10211258B2 (en) 2014-04-14 2019-02-19 HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. Manufacturing methods of JFET-type compact three-dimensional memory
CN104978990B (en) 2014-04-14 2017-11-10 成都海存艾匹科技有限公司 Compact three-dimensional storage
US10304553B2 (en) 2014-04-14 2019-05-28 HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. Compact three-dimensional memory with an above-substrate decoding stage
US11170863B2 (en) 2016-04-14 2021-11-09 Southern University Of Science And Technology Multi-bit-per-cell three-dimensional resistive random-access memory (3D-RRAM)
US10102917B2 (en) 2016-04-14 2018-10-16 Chengdu Haicun Ip Technology Llc Multi-bit-per-cell three-dimensional one-time-programmable memory
US10490562B2 (en) 2016-04-16 2019-11-26 HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. Three-dimensional vertical one-time-programmable memory comprising multiple antifuse sub-layers
CN107316869A (en) 2016-04-16 2017-11-03 成都海存艾匹科技有限公司 Three-dimensional longitudinal direction one-time programming memory
US10559574B2 (en) 2016-04-16 2020-02-11 HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. Three-dimensional vertical one-time-programmable memory comprising Schottky diodes
US9806256B1 (en) 2016-10-21 2017-10-31 Sandisk Technologies Llc Resistive memory device having sidewall spacer electrode and method of making thereof
CN110534519B (en) 2018-05-27 2022-04-22 杭州海存信息技术有限公司 Improved three-dimensional vertical memory
US12063794B2 (en) 2020-11-24 2024-08-13 Southern University Of Science And Technology High-density three-dimensional vertical memory

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3742592A (en) * 1970-07-13 1973-07-03 Intersil Inc Electrically alterable integrated circuit read only memory unit and process of manufacturing
US4162538A (en) * 1977-07-27 1979-07-24 Xerox Corporation Thin film programmable read-only memory having transposable input and output lines
US4425379A (en) * 1981-02-11 1984-01-10 Fairchild Camera & Instrument Corporation Polycrystalline silicon Schottky diode array
US4442507A (en) * 1981-02-23 1984-04-10 Burroughs Corporation Electrically programmable read-only memory stacked above a semiconductor substrate
US4516223A (en) * 1981-08-03 1985-05-07 Texas Instruments Incorporated High density bipolar ROM having a lateral PN diode as a matrix element and method of fabrication
SU1012704A1 (en) * 1981-08-28 1997-05-27 В.И. Кольдяев Memory gate for read-only memory unit
JPS58188155A (en) * 1982-04-27 1983-11-02 Seiko Epson Corp Double layered rom integrated circuit
US4677742A (en) * 1983-01-18 1987-07-07 Energy Conversion Devices, Inc. Electronic matrix arrays and method for making the same
US4569120A (en) * 1983-03-07 1986-02-11 Signetics Corporation Method of fabricating a programmable read-only memory cell incorporating an antifuse utilizing ion implantation
US4598386A (en) * 1984-04-18 1986-07-01 Roesner Bruce B Reduced-area, read-only memory
US5166901A (en) * 1986-05-14 1992-11-24 Raytheon Company Programmable memory cell structure including a refractory metal barrier layer
SU1378682A1 (en) * 1986-05-18 1994-12-30 В.И. Овчаренко Matrix storage circuit of permanent storage
US4884238A (en) * 1988-03-09 1989-11-28 Honeywell Inc. Read-only memory
JP2508247B2 (en) * 1989-03-20 1996-06-19 三菱電機株式会社 Mask ROM manufacturing method
JPH04115565A (en) * 1990-09-05 1992-04-16 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor memory device
KR960010736B1 (en) * 1991-02-19 1996-08-07 미쓰비시뎅끼 가부시끼가이샤 Mask rom and manufacturing method thereof
RU2028676C1 (en) * 1991-05-30 1995-02-09 Конструкторско-технологическое бюро "Белмикросистемы" Научно-производственного объединения "Интеграл" Electrically programmable read-only storage accumulator
GB9113795D0 (en) 1991-06-26 1991-08-14 Philips Electronic Associated Thin-film rom devices and their manufacture
US5375085A (en) * 1992-09-30 1994-12-20 Texas Instruments Incorporated Three-dimensional ferroelectric integrated circuit without insulation layer between memory layers
US5379250A (en) * 1993-08-20 1995-01-03 Micron Semiconductor, Inc. Zener programmable read only memory
EP0835527B1 (en) 1995-06-07 2001-08-16 Micron Technology, Inc. A stack/trench diode for use with a multi-state material in a non-volatile memory cell
US5962903A (en) * 1995-06-08 1999-10-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Planarized plug-diode mask ROM structure
GB9710514D0 (en) * 1996-09-21 1997-07-16 Philips Electronics Nv Electronic devices and their manufacture
TW334618B (en) 1997-02-05 1998-06-21 United Microelectronics Corp The multi-levels ROM and its manufacturing method
US5952671A (en) * 1997-05-09 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Small electrode for a chalcogenide switching device and method for fabricating same
US5905670A (en) * 1997-05-13 1999-05-18 International Business Machines Corp. ROM storage cell and method of fabrication

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2000108581A (en) PERMANENT MEMORY AND PERMANENT MEMORY DEVICES
RU2000108482A (en) PERMANENT MEMORY AND PERMANENT MEMORY DEVICE
RU2216055C2 (en) Read-only memory and read-only memory devices
KR100900080B1 (en) Memory device having self-assembled polymer film and manufacturing method thereof
CN1263135C (en) Cross-point diode storage array addressing mfg. technology
EP1367596A1 (en) Cross-point diode ROM
US7139188B2 (en) Memory architecture and method of manufacture and operation thereof
WO2003094182A1 (en) Method of forming mram devices
RU2201639C1 (en) Scalable data processing device
JP2004031917A (en) Memory structure
US4400713A (en) Matrix array of semiconducting elements
US20030168675A1 (en) Memory element and method for fabricating a memory element
NO310899B1 (en) Reading memory and reading memory devices
CN1485925A (en) Read-only memory element of three-dimensional storage