[go: up one dir, main page]

RU198294U1 - Устройство для очистки поверхности образцов для электронной микроскопии - Google Patents

Устройство для очистки поверхности образцов для электронной микроскопии Download PDF

Info

Publication number
RU198294U1
RU198294U1 RU2020101511U RU2020101511U RU198294U1 RU 198294 U1 RU198294 U1 RU 198294U1 RU 2020101511 U RU2020101511 U RU 2020101511U RU 2020101511 U RU2020101511 U RU 2020101511U RU 198294 U1 RU198294 U1 RU 198294U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
cleaning
samples
voltage
electrode
sample
Prior art date
Application number
RU2020101511U
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Васильевич Алексеев
Николай Иванович Бодгардт
Роман Леонидович Волков
Original Assignee
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" filed Critical Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Priority to RU2020101511U priority Critical patent/RU198294U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU198294U1 publication Critical patent/RU198294U1/ru

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01TSPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
    • H01T23/00Apparatus for generating ions to be introduced into non-enclosed gases, e.g. into the atmosphere
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)

Abstract

Устройство предназначено для очистки поверхности образцов для электронной микроскопии. Очистка производится с помощью коронного разряда в воздушной среде при атмосферном давлении.Устройство содержит рабочую камеру с закрепленными в ней внешним коронирующим электродом малой площади с иглами на поверхности и опорным электродом-экстрактором, на котором располагается образец. Электроды подключены к вторичной обмотке высоковольтного импульсного трансформатора, на первичную обмотку которого непрерывно подается импульсное напряжение от внешнего источника, которое трансформатором повышается до 10 кВ или больше, что приводит к загоранию коронного разряда над поверхностью очищаемого образца.

Description

Полезная модель относится к устройствам очистки поверхности от загрязнений, которое предназначено для использования в электронной микроскопии.
При подготовке образцов для электронной микроскопии происходит загрязнение их поверхности как веществами, применяемыми для подготовки образцов, так и веществами, осаждающимися на поверхность из окружающей атмосферы. В основном это продукты органического происхождения, например, аэрозольные капельки пота, выделяемого человеком, капельки испаряющихся с оборудования смазочных материалов. Они адсорбируются на поверхности образцов и при воздействии электронного луча, который активирует межатомные связи, образуют плотную полимерную пленку в виде нагара, которая мешает исследованию образцов.
Для борьбы с этим нежелательным явлением производят очистку поверхности образцов с помощью плазмы непосредственно в рабочей камере электронного микроскопа или производят десорбцию загрязнения в вакууме (с нагревом образцов или без нагрева), или производят очистку поверхности перед загрузкой образцов в электронный микроскоп.
Известны устройства для очистки поверхности образцов с помощью жидкостной обработки моющими составами [1, 2]. Их недостатком является возможность повреждения некоторых образцов силами поверхностного натяжения жидкостей. Образцы для электронного просвечивающего микроскопа имеют толщину несколько микрон, они ломаются при извлечении их из жидкости. Кроме того, моющие составы, содержащие кислоты и щелочи, могут растворять сами образцы или их отдельные детали.
Известно устройство, очищающее поверхность образцов с помощью лазерного излучения [3]. Его недостатками являются дороговизна устройства и возможность повреждения тонких структур в образце, ведь очистка осуществляется мощным световым пучком, испаряющим загрязнения.
Известно устройство, очищающее поверхность образцов с помощью пламени [4]. Его недостатком является возможность повреждения тонких структур в образце под действием высоких температур.
Известно устройство, очищающее поверхность образцов путем облучения поверхности потоком ускоренных ионов и плазмой при подаче на проводящий держатель высокочастотных коротких импульсов напряжения смещения [5]. Устройство достаточно дорогое, т.к. включает в себя высоковакуумную камеру, систему подачи газов, источник плазмы и источник высоковольтного смещения. Кроме того, оно может вызывать аморфизацию поверхности из-за большой энергии ионов.
Известно устройство, очищающее поверхность образцов путем облучения поверхности потоком ионов и плазмой, возбуждаемой СВЧ разрядом [6]. За счет высокой частоты колебаний электромагнитного поля энергия ионов и электронов в этом разряде низкая, не повреждает образцы. Эффективность очистки высокая. Недостатком его является высокая стоимость, связанная с необходимостью иметь вакуумную систему и источник СВЧ.
Таким же недостатком - высокой стоимостью - обладают устройство с использованием индуктивно связанной плазмы [7] и устройство очистки с использованием низкотемпературной плазмы [8].
В качестве прототипа выбрано устройство, описанное в патенте "Способ импульсно-периодической ионной обработки металлического изделия и устройство для его осуществления" [9]. Очистка поверхности изделия осуществляется низкоэнергетичной ионной и электронной бомбардировкой способом, включающим в себя следующие операции; помещение изделий в вакуумную камеру, подачу ионизируемого газа внутрь камеры, ионизацию газа для формирования ионной плазмы вблизи поверхности обрабатываемого изделия, ускорение ионов в плазме при помощи электрического поля.
Устройство для его осуществления содержит заземленную металлическую вакуумную камеру с закрепленными в ней внешним электродом и опорным электродом, которые через вакуумные проходные изоляторы подключены к источнику переменного напряжения подаваемого от высоковольтного импульсного трансформатора.
Для осуществления очистки поверхности в предварительно откачанную камеру с образцами, лежащими на опорном электроде, напускают рабочий газ и от источника переменного высокого напряжения подают питание на внешний и опорный электроды. При этом при пониженном давлении загорается тлеющий разряд, который генерирует ионы и электроны, ускоряемые электрическим полем и очищающие поверхность. Очистка производится при энергии ионов и электронов не более 1 кэВ, что минимизирует повреждение поверхности образца.
К недостаткам указанного устройства для очистки следует отнести его высокую стоимость, связанную в основном с наличием вакуумной системы.
Задачей полезной модели является уменьшение стоимости устройства для очистки поверхности при сохранении других преимуществ.;
Это достигается тем, что в предлагаемом устройстве процесс очистки осуществляется при атмосферном давлении в обычной воздушной среде, для чего используется не тлеющий разряд при пониженном давлении, а коронный, который может зажигаться и при атмосферном давлении. При этом в конструкцию устройства вносятся следующие изменения: площадь внешнего коронирующего электрода делается меньше площади опорного электрода (экстрактора), коронирующий электрод оснащается иглами, торчащими из его поверхности, высоковольтные емкостные накопители, переключатели и вакуумная система исключаются. На первичную обмотку высоковольтного импульсного трансформатора непрерывно подается импульсное напряжение, которое трансформатором повышается до 10 кВ или больше.
Отличительными признаками полезной модели являются: применение коронного разряда для очистки поверхности, использование напряжения 10 кВ или более, уменьшение площади внешнего электрода и наличие игл на его поверхности. Применение коронного разряда позволяет проводить очистку поверхности при атмосферном давлении в воздушной среде, что исключает необходимость в вакуумной системе и в использовании баллонов с газами, что и делает этот способ очистки более дешевым. Использование напряжения 10 кВ или более обусловлено тем, что при напряжении 9 кВ и менее коронный разряд загорается только на одной из игл, самой длинной или острой, а этого не достаточно для эффективной очистки всей площади образца. Постепенное повышение напряжения приводит к тому, что разряд загорается на двух, трех и т.д. иглах. При 10 кВ он горит на 7 иглах, что обеспечивает очистку всей площади стандартного предметного столика для образцов. Значительное уменьшение площади одного из электродов необходимо, поскольку на внешнем электроде равной или близкой с опорным электродом площади даже наличие игл на его поверхности не обеспечивает достаточно мощный коронный разряд. При большом межэлектродном расстоянии разряд очень слабый, а при сближении электродов происходит искровой пробой воздушного промежутка. Малая площадь внешнего электрода позволяет создавать неравномерное электрическое поле в камере, что усиливает коронный разряд при межэлектродных расстояниях, исключающих искровой пробой. Иглы на поверхности электрода необходимы для создания центров ионизации газа. На остриях игл достигается наибольшая напряженность электрического поля, что и обеспечивает ионизацию газа.
Предлагаемое устройство схематически изображено на чертеже (фиг. 1), где 1 - рабочая камера, 2 - внешний коронирующий электрод, 3 - опорный электрод-экстрактор, 4 - высоковольтные проходные изоляторы, 5 - высоковольтный импульсный трансформатор, 6 - обрабатываемый образец, 7 - низковольтный источник импульсного напряжения, 8 - короткие иглы, торчащие из поверхности коронирующего электрода.
Устройство работает следующим образом. Образец 6 устанавливают на опорном электроде 3, камеру 1 закрывают (с целью электробезопасности и накопления в ней образующегося в коронном разряде озона), на внешний коронирующий электрод 2 и опорный электрод-экстрактор 3 через изоляторы 4 подается высокое импульсное напряжение от высоковольтного импульсного трансформатора 5, питаемого от низковольтного источника импульсного напряжения 7. На иглах 8 коронирующего электрода загорается коронный разряд. Образовавшиеся в нем ионы и электроны ускоряются высоким напряжением и движутся в сторону образца. При этом они непрерывно сталкиваются с атомами воздуха, ионизируя их или просто передавая им часть своей энергии. Образуется поток частиц, бомбардирующих поверхность образца и производящих ее очистку. Несмотря на большую величину ускоряющего напряжения, энергия электронов и ионов не превышает нескольких десятков эВ, поскольку за время действия импульса напряжения они не успевают набрать в электрическом поле скорость из-за постоянных столкновений с атомами воздуха. Образующиеся в коронном разряде ионы, озон и активные радикалы кислорода и азота удаляют загрязнения не только за счет бомбардировки поверхности, но и за счет химических реакций с органическими составляющими загрязнений. Поэтому важно и накопление озона в камере.
Пример конкретного применения. При практической реализации устройства в качестве рабочей камеры использовалась стеклянная банка, позволяющая наблюдать за процессом. При слабом освещении поток частиц виден в виде слабо светящегося факела. Расстояние между электродами выбрано таким, чтобы не наблюдалось искровых пробоев и загорания дугового разряда между ними, а факел коронного разряда касался поверхности образца. Диаметр коронирующего электрода 12 мм, из его поверхности торчат 7 коротких игл на равных расстояниях друг от друга. Площадь электрода-экстрактора, обращенная к коронирующему электроду, составляет 50 см2. В качестве высоковольтного импульсного трансформатора используется строчный трансформатор ТВС-ПОЛА от лампового телевизора. Низковольтный импульсный источник собран по схеме блокинг-генератора на транзисторе КТ838А и обеспечивает на вторичной обмотке трансформатора не менее 10 кВ. Время очистки поверхности составляет 2-5 минут в зависимости от расстояния между электродами.
Преимуществом данного устройства перед прототипом является его низкая стоимость и возможность изготовления устройства своими силами. Качество очистки поверхности удовлетворяет требованиям электронной микроскопии, а вероятность повреждения тонких структур образцов ниже, чем у прототипа за счет меньшей энергии ионов.
Источники информации:
1. Патент США №7879783, опубл. 1.02.2011.
2. Патент США №7928046, опубл. 19.04.2011.
3. Патент РФ №2668619, опубл. 02.10.2018.
4. Патент РФ №2038534, опубл. 27.06.1995.
5. Патент РФ №2526654, опубл. 27.05.2014.
6. Патент РФ №2332268, опубл. 27.08.2008.
7. Патент США №10083817 (В1), опубл. 04.02.2013.
8. Патент Китая №207746187 (U), опубл. 14.12.2017.
9. Патент РФ №2454485, опубл. 27.06.2012 - прототип.

Claims (1)

  1. Устройство для очистки поверхности образцов для электронной микроскопии, состоящее из рабочей камеры, внешнего и опорного электродов, питаемых высоковольтным импульсным напряжением от импульсного трансформатора, отличающееся тем, что внешний электрод является коронирующим, имеет площадь меньше площади опорного электрода-экстрактора и иглы на поверхности.
RU2020101511U 2019-02-26 2019-02-26 Устройство для очистки поверхности образцов для электронной микроскопии RU198294U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020101511U RU198294U1 (ru) 2019-02-26 2019-02-26 Устройство для очистки поверхности образцов для электронной микроскопии

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020101511U RU198294U1 (ru) 2019-02-26 2019-02-26 Устройство для очистки поверхности образцов для электронной микроскопии

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU198294U1 true RU198294U1 (ru) 2020-06-30

Family

ID=71510714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2020101511U RU198294U1 (ru) 2019-02-26 2019-02-26 Устройство для очистки поверхности образцов для электронной микроскопии

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU198294U1 (ru)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0840357A2 (en) * 1996-11-05 1998-05-06 Ebara Corporation Method and apparatus for removing particles from surface of article
US6006763A (en) * 1995-01-11 1999-12-28 Seiko Epson Corporation Surface treatment method
EA008013B1 (ru) * 2002-04-10 2007-02-27 Дау Корнинг Айэлэнд Лимитед Плазменный агрегат, работающий при атмосферном давлении
RU2454485C1 (ru) * 2010-10-18 2012-06-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский государственный энергетический университет имени В.И. Ленина" (ИГЭУ) Способ импульсно-периодической ионной обработки металлического изделия и устройство для его осуществления
RU2480878C2 (ru) * 2008-07-31 2013-04-27 Шарп Кабусики Кайся Устройство генерации ионов и электрический прибор
WO2017153898A1 (en) * 2016-03-07 2017-09-14 King Abdullah University Of Science And Technology Non thermal plasma surface cleaner and method of use

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6006763A (en) * 1995-01-11 1999-12-28 Seiko Epson Corporation Surface treatment method
EP0840357A2 (en) * 1996-11-05 1998-05-06 Ebara Corporation Method and apparatus for removing particles from surface of article
EA008013B1 (ru) * 2002-04-10 2007-02-27 Дау Корнинг Айэлэнд Лимитед Плазменный агрегат, работающий при атмосферном давлении
RU2480878C2 (ru) * 2008-07-31 2013-04-27 Шарп Кабусики Кайся Устройство генерации ионов и электрический прибор
RU2454485C1 (ru) * 2010-10-18 2012-06-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский государственный энергетический университет имени В.И. Ленина" (ИГЭУ) Способ импульсно-периодической ионной обработки металлического изделия и устройство для его осуществления
WO2017153898A1 (en) * 2016-03-07 2017-09-14 King Abdullah University Of Science And Technology Non thermal plasma surface cleaner and method of use

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Subedi et al. Dielectric barrier discharge (DBD) plasmas and their applications
TWI638379B (zh) 離子植入系統和減少粒子污染的方法
JP7440528B2 (ja) バイアスされた抽出プレートを備えたイオン源
JP6419078B2 (ja) 複数のプラズマ源部を備えたイオン注入装置
WO2002078407A3 (en) Neutral particle beam processing apparatus
Maskrey et al. The role of inclusions and surface contamination arc initiation at low pressures
Li et al. Diffuse plasma treatment of polyamide 66 fabric in atmospheric pressure air
RU198294U1 (ru) Устройство для очистки поверхности образцов для электронной микроскопии
JP6114262B2 (ja) 低圧法用のプラズマ浸漬モードにおけるイオン注入装置
Sun et al. Effects of surface “micro-holes” on the flashover properties of a disk-type ceramic-vacuum insulator
EA009514B1 (ru) Способ ионной обработки поверхности диэлектрика и устройство для осуществления способа
US11600473B2 (en) Ion source with biased extraction plate
CN104395496A (zh) 沉积装置和沉积方法
CN1087128A (zh) 微波等离子体源离子注入装置
JP6972693B2 (ja) イオン生成装置及びイオン生成方法
KR101102324B1 (ko) 전자빔 소스로부터 조사된 전자빔 전하의 중화 방법
RU2665315C1 (ru) Способ обработки электродов изолирующих промежутков высоковольтных электровакуумных приборов
Sharma et al. Electrical and optical characterization of cold atmospheric pressure plasma jet and the effects of N2 gas on argon plasma discharge
Benocci et al. I–V characteristics and photocurrents of a He corona discharge under flow conditions
CN104332338A (zh) 提高真空灭弧室老炼效果的方法
WO2010082345A1 (ja) シリコンドット形成方法及びシリコンドット形成装置
RU2454485C1 (ru) Способ импульсно-периодической ионной обработки металлического изделия и устройство для его осуществления
CN1268781C (zh) 离子注入或者注入且沉积的材料表面改性方法
SU938330A1 (ru) Способ термической обработки электродов импульсных газоразр дных приборов
JPH03102755A (ja) イオン注入方法