RU168184U1 - PLANAR CONVERTER OF IONIZING RADIATIONS WITH ACCUMULATING CAPACITOR - Google Patents
PLANAR CONVERTER OF IONIZING RADIATIONS WITH ACCUMULATING CAPACITOR Download PDFInfo
- Publication number
- RU168184U1 RU168184U1 RU2016115849U RU2016115849U RU168184U1 RU 168184 U1 RU168184 U1 RU 168184U1 RU 2016115849 U RU2016115849 U RU 2016115849U RU 2016115849 U RU2016115849 U RU 2016115849U RU 168184 U1 RU168184 U1 RU 168184U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- metal
- region
- layer
- anode
- dielectric
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical compound [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 2
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000747 cardiac effect Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 230000000155 isotopic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000011089 mechanical engineering Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000012857 radioactive material Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21H—OBTAINING ENERGY FROM RADIOACTIVE SOURCES; APPLICATIONS OF RADIATION FROM RADIOACTIVE SOURCES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; UTILISING COSMIC RADIATION
- G21H1/00—Arrangements for obtaining electrical energy from radioactive sources, e.g. from radioactive isotopes, nuclear or atomic batteries
- G21H1/06—Cells wherein radiation is applied to the junction of different semiconductor materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к области преобразователей энергии радиационных излучений в электрическую энергию и может быть использована в электронике и приборостроении. Планарный преобразователь состоит из слаболегированной полупроводниковой пластины n(p) типа проводимости, на верхней и нижней поверхностях которой размещены сильнолегированные верхняя и нижняя горизонтальные p(n) области соответственно, образующие с пластиной p-n-переходы p-i-n-диода. На верхней и нижней поверхностях горизонтальных p(n) областей расположены соответственно верхний и нижний слои радиоактивного изотопа металла. На поверхности верхнего слоя радиоактивного изотопа металла и верхней поверхности горизонтальной области p(n) типа расположен слой диэлектрика с отверстием над поверхностью контактной n(p) области. На поверхности диэлектрика расположен слой второго металла, образующий омический контакт к n(p) контактной области, при этом нижний слой радиоактивного изотопа металла образует электрод анода (катода) диода, а второй металл - электрод катода (анода) диода, причем диэлектрик и второй металл образуют накопительный конденсатор. Техническим результатом является создание планарного преобразователя радиационных излучений с двукратным увеличением мощности по сравнению с традиционным p-i-n-диодом и расширение области его применения. 2 ил.The utility model relates to the field of converters of radiation energy into electrical energy and can be used in electronics and instrument engineering. The planar converter consists of a lightly doped n (p) type semiconductor wafer, on the upper and lower surfaces of which there are heavily doped upper and lower horizontal p (n) regions, respectively, forming p-n-junction p-junction junctions with the plate. The upper and lower layers of the radioactive metal isotope are located on the upper and lower surfaces of the horizontal p (n) regions. On the surface of the upper layer of the radioactive isotope of metal and the upper surface of the horizontal region of p (n) type, there is a dielectric layer with a hole above the surface of the contact n (p) region. A layer of a second metal is located on the surface of the dielectric, forming an ohmic contact to the n (p) contact region, while the lower layer of the radioactive metal isotope forms the electrode of the anode (cathode) of the diode, and the second metal forms the electrode of the cathode (anode) of the diode, and the dielectric and the second metal form a storage capacitor. The technical result is the creation of a planar transducer of radiation with a twofold increase in power compared to the traditional p-i-n-diode and the expansion of its scope. 2 ill.
Description
Полезная модель относиться к области преобразователей энергии радиационных излучений в электрическую энергию и может быть использована в электронике, приборостроении и машиностроении при создании автономных устройств с большим сроком службы.The utility model relates to the field of converters of radiation energy into electrical energy and can be used in electronics, instrumentation and mechanical engineering to create stand-alone devices with a long service life.
Известны «объемные» конструкций 3D преобразователей, в основном на монокремнии, нацеленных на оптимизацию соотношения веса преобразователя к вырабатываемой энергии [1. Долгий А.Л. Бета-преобразователи энергии на основе макропофигтого кремния // 4-ая Международная научная конференция «Материалы и структуры современной электроники», 23-24 сентября 2010 г., Минск, Беларусь. С. 57-60; 2. Sun W., Hirschman K.D., Gadeken L.L. and Fauchet P.M. Betavoltaic and photovoltaic energy conversion in three-dimensional macroporous silicon diodes // Physica status solidi (a). 2007. V. 204. N 5. P. 1536-1540; 3. Sun W., Kherani N.P., Hirschman K.D., Gadeken L.L. and Fauchet P.M. A Three-Dimensional Porous Silicon p-n Diode for Betavoltaics and Photovoltaics // Advanced Materials. 2005. V. 17. N 10. P. 1230-1233; 4. Gadeken L.L., Engel P.S., Laverdure K.S. Apparatus for generating electrical current from radioactive material and method of making same. USA Patent. US 20080199736 A1. Pub. date: 21.08.2008; 5. Chandrashekhar M.V.S, Thomas Ch.I., Spencer M.G. Betavoltaic cell. USA Patent. US 7939986 B2. Pub. date: 10.05.2011]. Такие конструкции позволяют получить развитую поверхность щелей или каналов кремниевых пластин с оптимальными размерами квазинейтральных областей и областей пространственного заряда p-i-n-диодов, в которых генерируется бета излучением носители заряда. Однако создание бета батареек с такой конструкцией представляет сложную и не решенную технологическую проблему, прежде всего из-за низкого качества p-n-переходов в каналах или щелях кремниевых пластин, что приводит к недопустимо большим токам утечки через них.Known "volumetric" designs of 3D converters, mainly on monosilicon, aimed at optimizing the ratio of the weight of the converter to the generated energy [1. Dolgiy A.L. Beta energy converters based on macroparticulate silicon // 4th International Scientific Conference “Materials and Structures of Modern Electronics”, September 23-24, 2010, Minsk, Belarus. S. 57-60; 2. Sun W., Hirschman K.D., Gadeken L.L. and Fauchet P.M. Betavoltaic and photovoltaic energy conversion in three-dimensional macroporous silicon diodes // Physica status solidi (a). 2007. V. 204.
Известна планарная 2D конструкция полупроводниковых вольтаических преобразователей радиационных бета излучений в электрическую энергию [6. Guo H., Zhang K., Zhang Yu., Zhang Yu., Han Ch., Shi Ya. I-layer vanadium-doped pin type nuclear battery and the preparation process thereof. USA Patent US 20140225472 A1. Pub. date: 14.08.2014 г.] (фиг. 1), взятая за прототип, содержащая слаболегированную полупроводниковую пластину n-(p-) типа проводимости, в которой расположена сильнолегированная n+(p+) область на поверхности которой расположен электропроводящий электрод катода (анода), на верхней поверхности пластины расположена сильнолегированная p+(n+) область, образующая с полупроводниковой пластиной p-n-переход, на поверхности p+(n+) области расположен слой изолирующего диэлектрика и.электропроводящий электрод анода (катода), являющийся радиоактивным изотопом.Known planar 2D design of semiconductor voltaic converters of radiation beta radiation into electrical energy [6. Guo H., Zhang K., Zhang Yu., Zhang Yu., Han Ch., Shi Ya. I-layer vanadium-doped pin type nuclear battery and the preparation process this. USA Patent US20140225472 A1. Pub. date: 08/14/2014]] (Fig. 1), taken as a prototype, containing a lightly doped n - (p - ) type semiconductor wafer, in which a heavily doped n + (p + ) region is located on the surface of which an electrically conductive cathode electrode is located ( anode), on the upper surface of the plate there is a heavily doped p + (n + ) region, forming a pn junction with the semiconductor wafer, on the surface of the p + (n + ) region there is a layer of an insulating dielectric and an electrically conductive electrode of the anode (cathode), which is a radioactive isotope .
Общими недостатками аналогов и прототипа является невозможность достичь наилучших соотношений размеров (веса) преобразователя к выделяемой мощности ЭДС и отсутствие эффективного накопителя энергии, что резко ограничивает области применения маломощного источник ЭДС.Common disadvantages of analogues and prototype is the inability to achieve the best ratio of the size (weight) of the Converter to the emitted power of the EMF and the lack of an effective energy storage, which severely limits the scope of the low-power source of EMF.
Технической проблемой полезной модели является создание конструкции планарного преобразователя со значительно большей (в два раза) генерируемой электрической энергией, приходящейся на единицу его объема (веса), содержащего функционально-интегрированный конденсаторный накопитель энергии.The technical problem of the utility model is the creation of the design of a planar converter with a significantly larger (twice) generated electric energy per unit volume (weight) containing a functionally integrated capacitor energy storage device.
Технический результат заключается в создании планарного преобразователя состоящего из слаболегированной полупроводниковой пластины n-(p-) типа проводимости, на верхней и нижней поверхностях размещены сильнолегированные верхняя и нижняя горизонтальные p+(n+) области соответственно, образующие с пластиной p-n-переходы p-i-n-диода. Данные области соединены между собой вертикальными p+(n+) областями, при этом в центре на верхней поверхности пластины расположена n+(p+) контактная область. На верхней и нижней поверхностях горизонтальных p+(n+) областей расположены соответственно верхний и нижний слои радиоактивного изотопа металла, причем нижний слой изотопа соединен омическим контактом с нижней областью, а на поверхности верхнего слоя радиоактивного изотопа металла и верхней поверхности горизонтальной области p+(n+) расположен слой диэлектрика с отверстием над поверхностью контактной n+(p+) области. На поверхности диэлектрика расположен слой второго металла образующий омический контакт к контактной области n+(p+), при этом нижний слой радиоактивного изотопа металла образует электрод анода (катода) диода, а второй металл - электрод катода (анода) диода, причем диэлектрик и второй металл образуют накопительный конденсатор.The technical result consists in the creation of a planar converter consisting of a lightly doped semiconductor wafer of n - (p - ) type conductivity, on the upper and lower surfaces there are heavily doped upper and lower horizontal p + (n + ) regions, respectively, forming pn junctions of the pin diode with the plate . These areas are interconnected by vertical p + (n + ) regions, while in the center on the upper surface of the plate there is an n + (p + ) contact region. The upper and lower layers of the radioactive metal isotope are respectively located on the upper and lower surfaces of the horizontal p + (n + ) regions, the lower isotope layer being connected by an ohmic contact with the lower region, and on the surface of the upper layer of the radioactive metal isotope and the upper surface of the horizontal region p + ( n + ) there is a dielectric layer with a hole above the surface of the contact n + (p + ) region. A layer of a second metal is located on the surface of the dielectric, forming an ohmic contact to the contact region n + (p + ), while the lower layer of the radioactive metal isotope forms the electrode of the anode (cathode) of the diode, and the second metal forms the electrode of the cathode (anode) of the diode, with the dielectric and the second metal form a storage capacitor.
Конструкция преобразователя показана на фиг. 1 - топология (вид сверху), на фиг. 2 - разрез по сечению А-А.The construction of the converter is shown in FIG. 1 - topology (top view), in FIG. 2 is a sectional view taken along section AA.
Планарный преобразователь состоит из: 1 - слаболегированная полупроводниковая пластина n-(p-) типа проводимости, 2 и 3 - верхняя и нижняя поверхности сильнолегированной горизонтальной области p+(n+) соответственно, 4 - вертикальная область p+(n+) соединяющая области 2 и 3, 5 - сильнолегированная контактная область n+(p+), 6 - радиоактивный изотоп металла расположенный на верхней p+(n+) области, 7 - радиоактивный изотоп металла расположенный на нижней p+(n+) области, являющимся электропроводящим электродом анода (катода), 8 - изолирующий слой диэлектрика, 9 - второй металл, являющийся электропроводящим электродом катода (анода), 10 - омический контакт катода (анода), 11 - омический контакт анода (катода), в центре слоя диэлектрика размещено отверстие - 12.A planar converter consists of: 1 - a lightly doped semiconductor wafer of n - (p - ) type conductivity, 2 and 3 - the upper and lower surfaces of a heavily doped horizontal region p + (n + ), respectively, 4 - a vertical region p + (n + ) connecting the
Принцип действия преобразователя основан на фотогальванической ЭДС и ионизацией полупроводникового материала. Работает преобразователь следующим образом, бета-электроны изотопа металла (6 и 7) (никеля, стронция, трития, кобальта и т.д.) проникают в полупроводниковую пластину (1) (например, кремния), тем самым выбивают валентные электроны. При этом образуются электронно-дырочные пары разделяются полем p-n-перехода в области пространственного заряда (ОПЗ) (1 и 2, 1 и 3, 1 и 4) и создают разность потенциалов на p+ (2, 3 и 4) и n+ (5) областях преобразователя. Часть электронно-дырочных пар может быть собрана полем p-n-перехода также в квазинейтральной (КНО) области (1 и 5) на расстоянии равном диффузионной длине. При этом важно, что электрическая энергия вырабатываемая маломощным преобразователем ионизирующих излучений накапливается в конденсаторе, который функционально совмещен с p-i-n-диодом и не требует дополнительного пространства.The principle of operation of the converter is based on photovoltaic EMF and ionization of a semiconductor material. The converter operates as follows, the beta electrons of the metal isotope (6 and 7) (nickel, strontium, tritium, cobalt, etc.) penetrate the semiconductor wafer (1) (for example, silicon), thereby valence electrons are knocked out. In this case, electron-hole pairs are formed separated by the pn junction field in the space charge region (SCR) (1 and 2, 1 and 3, 1 and 4) and create a potential difference by p + (2, 3 and 4) and n + ( 5) areas of the converter. Part of the electron – hole pairs can be assembled by the pn junction field also in the quasineutral (CCW) region (1 and 5) at a distance equal to the diffusion length. It is important that the electrical energy generated by a low-power ionizing radiation converter is accumulated in a capacitor, which is functionally combined with a pin diode and does not require additional space.
Пример практической реализации конструкции.An example of the practical implementation of the design.
Предлагаемый преобразователь может быть реализован на пластинах кремния КЭФ 5 кОм⋅см с ориентацией (100). При этом в качестве изотопного источника может быть выбран 63Ni, имеющий большой период времени полураспада (101,1 года) испускающий электронное излучение со средней энергией 17 кэВ и максимальной энергией 64 кэВ, практически безопасный для здоровья человека. Такая энергия электронов меньше энергии дефектообразования в кремнии (160 кэВ). При этом глубина поглощения в кремнии электронов со средней энергией 17 кэВ составляет примерно 3,0 мкм, а для 90% поглощения 12 мкм. Данные размеры должны соответствовать глубинам залегания p-n-переходов и величине ОПЗ, что достигается на типовых кремниевых структурах. Следует, отметить, что в качестве радиоактивного изотопа может быть использованы иные материалы, например тритий и т д.The proposed Converter can be implemented on
Технические преимущества полезной моделиUtility Model Technical Advantages
- конструкция планарного преобразователя ионизирующих излучений с накопительным конденсатором позволяет получить практически в два раза большую мощность, по сравнению с обычным p-i-n-диодом и накапливать энергию в «спящем режиме», создавая значительную мощность в импульсном режиме. Следует отметить, что размеры n+-контактной области много меньше размеров p+-горизонтальных областей и ее вкладом можно пренебречь;- the design of a planar ionizing radiation converter with a storage capacitor makes it possible to obtain almost twice as much power as compared to a conventional pin diode and to store energy in “sleep mode”, creating significant power in a pulsed mode. It should be noted that the dimensions of the n + -contact region are much smaller than the sizes of the p + -horizontal regions and its contribution can be neglected;
- такой источник ЭДС обеспечит прямую зарядку аккумулятора при отсутствии солнечных батарей при минимальном ее весе и размерах, что важно, например, для применения в беспилотных летательных аппаратах, взрывоопасных помещениях - шахтах, ночных индикаторах, расположенных в труднодоступных местах, электрокардиостимуляторах сердца и т.д.;- such a source of EMF will provide direct charging of the battery in the absence of solar batteries with its minimum weight and size, which is important, for example, for use in unmanned aerial vehicles, explosive rooms - mines, night indicators located in hard-to-reach places, cardiac pacemakers, etc. .;
- важным обстоятельством является также то, что срок службы такого преобразователя определяется периодом полураспада радиационного материала, который для 63Ni составляет 50 лет, что более чем достаточно в большинстве применений.- An important circumstance is also that the service life of such a converter is determined by the half-life of the radiation material, which is 50 years for 63 Ni, which is more than enough in most applications.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016115849U RU168184U1 (en) | 2016-04-22 | 2016-04-22 | PLANAR CONVERTER OF IONIZING RADIATIONS WITH ACCUMULATING CAPACITOR |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016115849U RU168184U1 (en) | 2016-04-22 | 2016-04-22 | PLANAR CONVERTER OF IONIZING RADIATIONS WITH ACCUMULATING CAPACITOR |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU168184U1 true RU168184U1 (en) | 2017-01-23 |
Family
ID=58451178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016115849U RU168184U1 (en) | 2016-04-22 | 2016-04-22 | PLANAR CONVERTER OF IONIZING RADIATIONS WITH ACCUMULATING CAPACITOR |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU168184U1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110494929A (en) * | 2017-01-31 | 2019-11-22 | 俄罗斯国立科技大学莫斯科钢铁合金研究所 | Ionising radiation converter and its manufacturing method with cross-linked structure |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101599308A (en) * | 2009-06-30 | 2009-12-09 | 西北工业大学 | Micronuclear battery with protective ring structure and manufacturing method thereof |
| CN102254581A (en) * | 2011-06-30 | 2011-11-23 | 西安电子科技大学 | SiC ring electrode PIN-type nuclear battery |
| US20140225472A1 (en) * | 2011-10-19 | 2014-08-14 | Xidian University | I-Layer Vanadium-Doped Pin Type Nuclear Battery and the Preparation Process Thereof |
| RU2013139039A (en) * | 2013-08-22 | 2015-02-27 | Открытое акционерное общество "Интерсофт Евразия" | SENSOR OF IONIZING RADIATION |
-
2016
- 2016-04-22 RU RU2016115849U patent/RU168184U1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101599308A (en) * | 2009-06-30 | 2009-12-09 | 西北工业大学 | Micronuclear battery with protective ring structure and manufacturing method thereof |
| CN102254581A (en) * | 2011-06-30 | 2011-11-23 | 西安电子科技大学 | SiC ring electrode PIN-type nuclear battery |
| US20140225472A1 (en) * | 2011-10-19 | 2014-08-14 | Xidian University | I-Layer Vanadium-Doped Pin Type Nuclear Battery and the Preparation Process Thereof |
| RU2013139039A (en) * | 2013-08-22 | 2015-02-27 | Открытое акционерное общество "Интерсофт Евразия" | SENSOR OF IONIZING RADIATION |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110494929A (en) * | 2017-01-31 | 2019-11-22 | 俄罗斯国立科技大学莫斯科钢铁合金研究所 | Ionising radiation converter and its manufacturing method with cross-linked structure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6774531B1 (en) | Apparatus and method for generating electrical current from the nuclear decay process of a radioactive material | |
| US6949865B2 (en) | Apparatus and method for generating electrical current from the nuclear decay process of a radioactive material | |
| US7939986B2 (en) | Betavoltaic cell | |
| Tang et al. | Optimization design and analysis of Si-63 Ni betavoltaic battery | |
| US8866152B2 (en) | Betavoltaic apparatus and method | |
| US3714474A (en) | Electron-voltaic effect device | |
| US8937360B1 (en) | Beta voltaic semiconductor diode fabricated from a radioisotope | |
| KR20120071241A (en) | Apparatus for beta-battery and method of making same | |
| CN108492905A (en) | A kind of diamond PIM Schottky types β radiation volta effect nuclear battery | |
| RU90612U1 (en) | SOURCE OF ELECTRIC CURRENT | |
| RU168184U1 (en) | PLANAR CONVERTER OF IONIZING RADIATIONS WITH ACCUMULATING CAPACITOR | |
| KR102595089B1 (en) | Cross-linked ionizing radiation converter and method for manufacturing the same | |
| RU2461915C1 (en) | Nuclear battery | |
| JP6720413B2 (en) | Beta voltaic battery | |
| CN112863727B (en) | Nuclear battery and method for providing electric energy | |
| RU2608313C2 (en) | High-voltage converter of ionizing radiation and its manufacturing method | |
| US9018721B1 (en) | Beta voltaic semiconductor photodiode fabricated from a radioisotope | |
| CN113963835A (en) | A diamond Schottky type beta radiation volt effect miniature nuclear battery | |
| RU2605783C1 (en) | Planar high-voltage photo- and beta-voltaic converter and method of making thereof | |
| RU2599274C1 (en) | Ionizing radiations planar converter and its manufacturing method | |
| RU2608058C1 (en) | Beta-voltaic semiconductor electric energy generator | |
| CN113707355A (en) | Energy-carrying and energy-converting integrated nuclear battery | |
| Mohamadian et al. | Conceptual design of GaN betavoltaic battery using in cardiac pacemaker | |
| Choi et al. | Ni-63 radioisotope betavoltaic cells based on vertical electrodes and pn junctions | |
| RU124856U1 (en) | AUTONOMOUS PULSE ELECTRIC POWER SUPPLY WITH LONG LIFE |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM1K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20170423 |