Przedmiotem wynalazku jest urzadzenie do ciaglego nakladania warstwy substancji stalej na powierzchnie podloza ogrzanego do wysokiej temperatury.Znane sa rózne sposoby 1 urzadzenia przeznaczone do pokrywania podloza, np. tafli szklanej9 warstwa materialu pólprzewodnikowego, np. tlenkiem cyny. Warstwa ta powinna miec równoczesnie nastepujace wlasciwosci: przezroczystosc zblizona do przezroczystosci podloza, stosunkowo mala rezystywnosc elektryczna oraz duza wytrzymalosc mechaniczna* W ten sposób spróbowano zastosowac do tego celu technologie znana pod angielska nazwa "Che¬ mical Vapor Deposition" lub C.V.D. Na podstawie artykulu H.Kocha pt. "Elektrische Unter- suchungen an Zinndioydschichten" /patrz Phys. Stat. 1963, tom 3, s.1059 i nastepne/, zna¬ ny jest sposób 1 urzadzenie do nakladania cienkiej warstwy Sn02 na tafle szklana na dro¬ dze reakcji SnCl^ 1 HgO rozcienczonych w gazie nosnym, w danym wypadku w powietrzu, z do¬ prowadzanych na powierzchnie tafli szklanej, uprzednio ogrzanej do temperatury rzedu 200 do 400 C# Te dwa gazowe czynniki chemiczne sa natryskiwane na szklo przy pomocy glowicy z dwiema dyszami wspólosiowymi. Dysza srodkowa jest zasilana roztworem gazowym SnCl,, na¬ tomiast dysza zewnetrzna - roztworem gazowym H20.Znany jest równiez sposób 1 urzadzenie bardzo podobne do poprzedniego opisane zwlasz¬ cza w opisie patentowym RFN DOS Nr 2 123 274, umozliwiajace dodatkowe otrzymywanie wars¬ twy SnOg z domieszka antymonu ulozonej na bedacym w danym wypadku równiez tafla szklana podlozu, aby zmniejszyc rezystywnosc elektryczna tej warstwy. W tym celu, zastosowano do¬ datkowo SnCl~ rozcienczony w gazie nosnym, w danym przypadku w azocie, który jest dostar¬ czany w obecnosci SnCl^ 1 H20 ponad podloze za pomoca glowicy z trzema dyszami wspólosio¬ wymi, z których do kazdej dostarczano jeden ze wspomnianych skladników. W ten sposób, re¬ akcja laczenia sie nastepuje w poblizu podloza 1 w pewnej odleglosci od trzech dysz glo¬ wicy. Tak wiec, zarówno w jednym jak 1 w drugim przypadku chodzi o sposoby 1 urzadzenia przeznaczone wylacznie do nakladania warstwy SnOg, posiadajacego domieszki lub nie,2 133 525 na tafle o wymiarach stosunkowo niewielkich. Nakladania dokonuje sie przemieszczajac glo¬ wice 1 tafle szklane. Uzyskana warstwa ma postac wstegi tlenku cyny, której przezroczys¬ tosc jest dosc nierówna na calej dlugosci tej wstegi* W Istocie bowiem, mieszanina czyn¬ ników wyplywajacych z glowicyt opisanego typu, nie jest idealnie jednorodna, i otrzymywa¬ na warstwa ma obszary o róznej grubosci i o róznym skladzie chemicznym, wystepujace w po¬ staci pasm, równoleglych do osi ruchu wzglednego glowicy 1 podloza.Nalezy podkreslic, ze o ile warstwy te sa jeszcze mimo wszystko mozliwe do przyjecia przy pokrywaniu podlozy o stosunkowo malych wymiarach, to opisane sposoby 1 urzadzenie okazuja sie praktycznie nieuzyteczne, w produkcji przemyslowej, dotyczacej pokrywania po¬ dlozy szczególnie duzych, jak np, tasm szklanych ciagnacych sie praktycznie bez konca, mogacych osiagnac kilka metrów szerokosci, a otrzymywanych przykladowo sposobem zwanym "float".W istocie bowiem, jezeli przy podlozach o duzych powierzchniach pragnie sie wykorzys¬ tac opisane sposoby i urzadzenia, to nalezy umiescic jedna kolo drugiej, duza liczbe glowic opisanego typu, na calej szerokosci tasmy szklanej. Mozna sobie wyobrazic zlozo¬ nosc calego urzadzenia. Mozna tez zastosowac tylko niewielka liczbe glowic, które jakis mechanizm powinien przesuwac ponad tasma ruchem posuwisto-zwrotnym bardzo szybkim w kie¬ runku poprzecznym do kierunku przemieszczania sie tasmy, celem zapewnienia równomiernego pokrycia calej powierzchni tej tasmy.Jest rzecza oczywista, ze zadne z tych rozwiazan nie daje mozliwosci otrzymywania warstwy Sn02 wystarczajaco jednorodnej, a która dawalaby równoczesnie duza przewodnosc elektryczna, przezroczystosc - wlasciwosci pozadane dla gotowego wyrobu. Jest rzecza oczywista, ze takie wlasciwosci sa wysoce pozadane zarówno do produkcji okien lub drzwi budynków, jak i do produkcji okien lub przednich szyb pojazdów wszelkiego rodzaju. Ponad¬ to, warstwy Sn02 powinny posiadac wlasciwosc poddawania sie obróbce mechanicznej lub cieplnej, W szczególnosci jest rzecza konieczna, aby tafle szklane pokryte Sn02 z domiesz¬ ka lub bez, mogly byc ciete diamentem, poprzez naciskanie na jedna strone lub na druga, bez naruszania jakosci pokrycia Sn02, Ponadto plyty szklane otrzymywane przez ciecie ta¬ kich tafli, powinny byc poddawane czynnosci hartowania bez mechanicznego lub optycznego uszkodzenia ich pokrycia. Jest rzecza równiez wazna móc wyginac na goraco takie plyty, np, zwlaszcza przy produkcji przednich lub tylnych okien nadwozi pojazdów, a jednoczesnie bez zmiany wymienionych uprzednio wlasciwosci: niskiej rezystywnosci elektrycznej, dobrej wy¬ trzymalosci mechanicznej, dobrej przezroczystosci oraz jednorodnego odbicia swiatla na calej powierzchni plyty. Zespól tych wlasciwosci nie moze byc otrzymany przy zastosowaniu opisanych sposobów lub urzadzen, to znaczy takich, które umozliwiaja obróbke indywidualna tylko bardzo malej powierzchni szkla.Przypuszczalnie, wlasnie brak tych wlasciwosci spowodowal zastapienie opisanych sposo¬ bów i urzadzen sposobami i urzadzeniami bedacymi przedmiotem patentów Stanów Zjednoczonych Ameryki Nr 3 850 679 i 3 888 649 oraz patentu brytyjskiego Nr i 507 996, We wszystkich tych dokumentach nawiazuje sie do urzadzenia zasilanego, uprzednio przygotowanymi, gazami reakcyjnymi, W dwóch pierwszych patentach gazy te sa kierowane w postaci dwóch kolejnych zaslon na powierzchnie tafli szkla, równoczesnie na cala jej szerokosc, W trzecim patencie jeden strumien gazu jest doprowadzany stycznie do szkla na okreslonej dlugosci tafli.Jednakze, urzadzenia te nie nadaja sie do zastosowania sposobów C,V,D«, wspomnianych uprzednio, a przeznaczonych do nakladania warstw Sn02f z domieszkami lub bez. Doplyw mie¬ szaniny gazowej SnCl^ i 1^0 w poblize otworu zasilajacego tych urzadzen, spowodowalby re¬ akcje przedwczesna i gwaltowna tych skladników, z uwagi na wystepowanie wysokiej tempera¬ tury scian urzadzenia ograniczajacych ten otwór, praktycznie równej temperaturze szkla przeznaczonego do pokrycia /rzedu 500 do 600°C/, Z tego tez powodu, nastapiloby, po pier¬ wsze wieksze lub mniejsze zatykanie sie otworu wylotowego urzadzen zasilajacych, a po drugie, tworzenie sie na szkle osadu Sn02 szczególnie niejednolitego, a wiec o róznych wlasciwosciach elektrycznych, mechanicznych czy tez fizycznych.133 525 3 W duzym stopniu udalo sie zapobiec powyzszym niedogodnosciom dzieki sposobowi 1 urza¬ dzeniu opisanemu w brytyjskim opisie patentowym Nr 2 044 137# Warstwa substancji stalej powstajacej w wyniku reakcji co najmniej dwóch odczynników gazowych lub rozpuszczonych w jakims gazie jest ciagle nakladana na powierzchnie podloza ogrzanego do wysokiej temperatury.Sposób ten jest znamienny tymf ze wspomniane strumienie maja ksztalt prostoliniowych zaslon gazowych, przy czym zarys poprzeczny kazdej z nich zbiega aie na krawedzi pozornej, wspólnej dla wszystkich strumieni, przy czym te zaslony i/lub podloze sa ustawione wzgle¬ dem siebie w taki sposób, aby krawedz pozorna znajdowala sie w plaszczyznie wspomnianej powierzchni podloza, a podloze 1 zaslony gazowe przemieszczaja sie wzgledem siebie w kie¬ runku prostopadlym do wspomnianej wspólnej krawedzi pozornej, w taki sposób, aby utrzymac te krawedz w plaszczyznie wspomnianej powierzchni podloza; natomiast gazy, powstajace w czasie reakcji na skutek zderzenia sie wspomnianych strumieni z podlozem przeplywaja rów¬ nolegle do, wstepnie okreslonej czesci, podloza, rozciagajacej sie z obu stron wspomnia¬ nej krawedzi, a nastepnie usuwa sie te gazy na koncu wspomnianej czesci podloza, znajduja¬ cej sie po przeciwnej stronie wspomnianej wspólnej krawedzi pozornej wspomnianych zaslon* W szczególnym przykladzie wykonania tego sposobu, sa trzy zaslony gazowe, przy czym za¬ slona srodkowa jest utworzona przez strumien pierwszego czynnika, a dwie zaslony boczne - przez 8trumien gazowy drugiego czynnika* Jezeli sposób ten stosuje sie do nakladania na podloze, a zwlaszcza na tafle szklana ogrzana do wysokiej temperatury rzedu np. 600°C, warstwy Sn02 na drodze reakcji cieklego SnCl^ oraz pary wodnej, rozcienczonych w obojetnym gazie nosnym, takim jak azot, to srodkowa zaslone gazowa bedzie tworzyc rozcienczony ga¬ zowy SnCl,, a zaslony boczne rozcienczona para wodna* Urzadzenie do zastosowania sposobu opisanego wyzej znamienne tym, ze sklada sie ze zróala pierwszego czynnika gazowego lub rozpuszczonego czynnika w gazie nosnym; zródla drugiego czynnika gazowego lub rozpuszczonego czynnika w gazie nosnym, glowicy z trzema dyszami, z których kazda ma otwór utworzony ze szczeliny prostoliniowej, a którego sciany boczne, ograniczajace plaszczyzny brzegów wzdluznych kazdej szczeliny, sa zbiezne w kie¬ runku linii pozornej, wspólnej dla wszystkich dysz, przy czym pierwsza z tych dysz przy¬ lega, przy pomocy pierwszego brzegu wzdluznego swojego otworu wylotowego do brzegu wzdlu¬ znego otworu wylotowego drugiej dyszy, a przy pomocy drugiego brzegu wzdluznego wspomnia¬ nego otworu, do brzegu wzdluznego otworu wylotowego trzeciej dyszy; powierzchni odchyla¬ jacych pierwszej i drugiej, rozciagajacych sie, na okreslonej odleglosci, po obu stronach dysz, poczawszy od drugiego brzegu wzdluznego otworu wylotowego odpowiednio drugiej i trzeciej dyszy, przy czym powierzchnie odchylajace leza w jednej plaszczyznie z brzegami wzdluznymi otworów dysz glowicy oraz kinematycznie stanowia jedna calosc z ta glowica; pierwszego ukladu zasilajacego laczacego zródlo pierwszego czynnika z pierwsza dysza glo¬ wicy; drugiego ukladu zasilajacego laczacego zródlo drugiego czynnika z druga i trzecia dysza glowicy; srodków do napedzania ruchem wzglednym, podloza i glowicy w kierunku pro¬ stopadlym do linii pozornej; srodków do utrzymywania, w trakcie wspomnianego ruchu wzgle¬ dnego, stalej odleglosci, plaszczyzny zawierajaca otwory dysz glowicy i powierzchnie od¬ chylajace od powierzchni podloza; przy czym przewidziane jest co najmniej jedno urzadze¬ nie do usuwania gazów reakcyjnych wytwarzajacych sie w przestrzeni zawartej miedzy wspom¬ nianymi powierzchniami odchylajacymi a powierzchnia podloza, poczawszy od konców tej przestrzeni, najbardziej odleglych od otworów wspomnianych dysz.W rzeczywistosci, sposób 1 urzadzenie opisane wyzej umozliwiaja wykonywanie, z duza predkoscia, pokrycia tafli szkla warstwa Sn02 o zadowalajacej jednorodnosci, gwarantuja¬ cych bardzo dobre wlasciwosci wytrzymalosci mechanicznej oraz elektryczne i optyczne kazdego rodzaju.Zgloszenie wynalazku europejskiego Nr 023 471 podaje sposób 1 urzadzenie podobne do opisanego w opisie patentowym brytyjskim Nr 2 044 137. Zasadnicza róznica miedzy nimi po-4 133 525 lega na tym, ze gaz nosny uzyty do zastosowania technologii C.V»D# zawiera duza Ilosc czynnika redukujacego# Zgloszenie wynalazku francuskiego Nr 2 288 068 podaje sposób i urzadzenie do naklada¬ nia, cienkiej warstwy na powierzchni tworzywa w arkuszach poprzez rozpylanie tej cieczy.Omawiane urzadzenie zawiera komore rozpylajaca, która posiada otwór rozpylajacy ustawiony naprzeciwko obrabianej plaszczyzny czolowej, oraz elementy które doprowadzaja do komory rozpylajacej, z jednej strony, ciecz do rozpylania, a z drugiej strony, strumien gazu pod cisnieniem, celem natryskiwania cieczy przez otwór komory, znamienne tym, ze komora roz¬ pylajaca 1 jej otwór rozciagaja sie wzdluz glównego kierunku wzdluznego, oraz elementy doprowadzajace ciecz do komory zawieraja kanal, dochodzacy do niej poprzez szczeline roz¬ ciagajaca sie wzdluz komory, równolegle do wspomnianego kierunku# Zgloszenie wynalazku francuskiego Nr 2 068 937 podaje sposób i urzadzenie do wykonywa¬ nia powloki metalowej lub wykonanej ze zwiazku metalu umieszczonej na jednej stronie tas¬ my szklanej przesuwanej wzdluznie. Opisane urzadzenie zawiera zwlaszcza elementy do pod¬ trzymywania goracej tasmy szklanej przesuwanej wzdluznie w sposób ciagly oraz elementy doprowadzajace czynnik plynny na plaszczyzne czolowa takiej tasmy, znamienne tym, ze wspo¬ mniane elementy doprowadzajace sa zbudowane 1 urzadzone w celu doprowadzania co najmniej jednego strumienia czynnika plynnego na wspomniana plaszczyzne czolowa, w kierunku nachy¬ lonym do tej plaszczyzny, w taki sposób, aby skladowa predkosc strumienia byla w kierunku przesuwania tasmy i aby ostry kat padania lub sredni ostry kat padania takiego strumienia na wspomniana plaszczyzne czolowa, mierzony w plaszczyznie prostopadlej do tej plaszczyz¬ ny czolowej i równolegly do kierunku przesuwania wzdluznego tasmy, nie przekraczal 60 • Zgloszenie brytyjskiego wynalazku Nr 2 068 937 podaje sposób i urzadzenie do naklada¬ nia powloki z metalu lub ze zwiazku metalu na powierzchnie ogrzanego podloza szklanego.Urzadzenie to zawiera zwlaszcza elementy do przesuwania wspomnianego podloza znajdujace sie naprzeciwko strumienia natryskiwanych kropelek substancji powlekajacej, oraz elementy Jo spryskiwania jakims gazem powierzchni powlekanej, wykonujace ruch posuwisto-zwrotny io przodu i do tylu w stosunku do kierunku przemieszczania tej powierzchni* Zgloszenie wynalazku na patent europejski EP-AO 029 809 dotyczy glowicy do równoczes¬ nego natryskiwania na podloze trzech strumieni czynników gazowych, które tworza mieszani¬ ne w bezposredniej bliskosci podloza. Wówczas produkt reakcji naklada sie w postaci po¬ wloki na wspomniane podloze. W swoim ksztalcie ogólnym, glowica ta jest bardzo zblizona do glowicy opisanej w opisie patentowym brytyjskim Nr 2 044 137.Jednakze, pomimo wszelkich usprawnien, które przyniósl obecny stan techniki, starano sie jeszcze ulepszyc charakterystyki pracy urzadzenia takiego, jak opisane w brytyjskim opisie patentowym Nr 2 044 137, zwlaszcza jesli chodzi o regularnosc powloki oraz równo¬ miernosc rozkladu jej przezroczystosci. Uzyskano to zmieniajac nieco ksztalt wyplywu strumienia czynników na wylocie z dysz.Urzadzenie wedlug wynalazku, charakteryzuje sie tym, ze jedna z dwóch powierzchni od¬ chylajacych, biegnaca w kierunku przeciwnym do kierunku przemieszczania sie podloza w stosunku do glowicy, Jest prostopadla do srodkowej plaszczyzny glowicy, a krawedz, która powierzchnia tworzy wzdluz kata ostrego z przedluzona sciana zewnetrzna trzeciej dyszy, jest odchylona w kierunku poprzecznym do kierunku przemieszczania sie podloza w stosunku do plaszczyzny dyszy srodkowej, natomiast druga powierzchnia odchylajaca tworzy, z odpo¬ wiednim brzegiem wzdluznym drugiej dyszy, kat o wierzcholku scietym lub zaokraglonym, tak ze rzeczywisty otwór glowicy znajdujacy sie miedzy krawedziami jest zalamany, a gazy wy¬ plywajace z tego otworu sa odchylone w kierunku przemieszczania podloza 1 to równolegle do podloza.Korzystnie druga powierzchnia odchylajaca jest nachylona w stosunku do podloza w kie¬ runku jego wzglednego przemieszczania, aby regularnie przyspieszac gazy wyplywajace w kierunku do tylu. Korzystnie szerokosc szczelin stanowiacych otwory wylotowe dysz glo-133 525 5 wicy jest równa co najmniej 0,1 mm a najwyzej 0,6 mm. Korzystnie pierwsza powierzchnia odchylajaca i druga powierzchnia odchylajaca rozcieraja sie po obu stronach dysz glowicy na dlugosci zawartej miedzy 10 a 20-krotnoscia wymiarów poprzecznych szczelin, stanowia¬ cych otwory wylotowe dysz* Rozwiazanie takie umozliwia dalsze znaczne zmniejszenie burzli- wosci gazów wyplywajacych z dysz, polepszenie ich wzajemnego przenikania sie przez dyfuz¬ je oraz dalsze zwiekszenie regularnosci przebiegu reakcji. Wynikiem tego jest polepszenie regularnosci przezroczystosci warstwy nalozonej* Przedmiot wynalazku zostal uwidoczniony na rysunkuv na którym fig. 1 przedstawia sche¬ matycznie urzadzenie do ciaglego nakladania warstwy substancji stalej na powierzchnie pod¬ loza; fig* 2 - glowice urzadzenia w przekroju pionowym; fig* 3 - wyloty dysz w przekroju pionowym; fig* 4 - drugi przyklad wykonania urzadzenia z fig* 1, w którym tylko jedna z dysz bocznych jest polaczona z jednym ze zródel czynników, podczas gdy druga dysza bocz¬ na jest polaczona, za posrednictwem trzeciego przewodu zasilajacego ze zródlem gazu nosnego* Urzadzenie uwidocznione na fig* 1 jest przeznaczone do nakladania warstwy tlenku cyno¬ wego Sn02 na podloze* a w danym wypadku na tafle szklana V ogrzana do wysokiej temperatu¬ ry, opierajac sie na nastepujace reakcji chemicznej: SnCl4 + 2H20 —* 6n02 + 4HC1 / Zgodnie z fig*l urzadzenie zawiera najpierw szereg walków 1, na których jest ulozona tafla V i przesuwa sie w kierunku F* Walki 1 sa napedzane obrotowo, w kierunku przeciwnym do ruchu wskazówek zegara, przy pomocy silnika elektrycznego /nie pokazanego/ i maja oczy¬ wiscie dlugosó odpowiadajaca szerokosci tafli szklanej, która podtrzymuja* Predkosc obro¬ towa walków 1 jest dobrana w taki sposób, aby przesuwanie tafli V odbywalo sie z predkos¬ cia liniowa kilku metrów na minute, rzedu 1 do 20 m w zaleznosci od potrzeby* Ponad tym szeregiem walków 1, uwidocznione urzadzenie zawiera glowice 2* Glowica 2 zo¬ stala pokazana na fig* 2 13* Glowica 2 posiada trzy odrebne dysze, odpowiednio 3, 4 i 5 umieszczone wzdluznie, w kierunku równoleglym do wspomnianych walków 1, na dlugosci odpo¬ wiadajacej szerokosci tafli szklanej V* Dysze takie moga wiec mlec dlugosc nawet kilku metrów* Jak to uwidoczniono na rysunku, dysze 3 do 5 sa utworzone poprzez polaczenie smu¬ klych ksztaltowników 6a i 6b, 7a i Tb, które, z kolei, sa polaczone odpowiednim dowolnym sposobem z dwoma parami ksztaltowników 9a i 9b, lOa i lOb* Pomiedzy nimi znajduja sie ka¬ naly 11, 12 1 13 polaczone odpowiednio z dyszami 3, 4 i 5* Kierunki scian bocznych 3a i 3b, 4a i 4b, 5a i 5b dysz 3 15 zbiegaja sie na wspólnej linii pozornej znajdujacej sie poza dolnym koiicem ksztaltowników 7b, we wlasciwej stre¬ fie wylotu dysz 3, 5 glowicy 2* Otwory wylotowe dysz 3, 4 i 5, majace ksztalt trzech szczelin podluznych, rozciagajacych sie na calej dlugosci ksztaltowników, maja szerokosc kilku dziesiatych milimetra, np* 0,1 lub 0,6 mm* Szerokosc dolnej sciany ksztaltowników 6a i 6b bedzie, korzystnie, zawarta miedzy 10 a 20-krotna calkowita szerokoscia szczelin wylotowych dysz 3, 4 i 5* Korzystnie, lecz nie koniecznie, ta dolna sciana ksztaltowników 6a i 6b bedzie pokryta warstwa metalu chemicznie obojetnego, lub stopem takich metali, lub wreszcie tlenkami me¬ talowymi* Przykladowo, metalem tym moze byc zloto lub platyna* Tlenki moga byc wybrane sposród Sn02, S102 lub A1203* W rzeczywistosci bowiem metale 1 stopy zwykle, takie jak stal lub mosiadz, w obecnosci niektórych skladników gazu nosnego, zwlaszcza wodoru, posiadaja wlasciwosci katalityczne, które moga przeszkadzac w reakcji niezbednej dla otrzymywania warstwy Sn02, o wymaganych wlasciwosciach mechanicznych, fizycznych 1 optycznych* Polaczenie ksztaltowników stanowiacych glowice 2 jest zamkniete na kazdym bocznym kon¬ cu plytka zamykajaca, nie pokazana, zmontowana w sposób zapewniajacy calkowita szczelnosc 1 tworzaca w ten sposób dysze 3, 4 1 5 oraz kanaly 11, 12 i 13 dobrze zamkniete z boków* Inne kanaly 14a, 14b, 14c 1 14d wykonane w ksztaltownikach 10a, lOb, 6a, 6b na calej Ich6 133 525 dlugosci9 umozliwiaja obieg plynu, np. oleju9 przeznaczony do utrzymywania glowicy 2 w optymalnej temperaturze pracy, rzedu 100 do 160 C* Inna plyta 15 pokrywa górna sciane glowicy 2 na calej jej rozciaglosci, w sposób szczelny, zapobiegajac tym samym jakiemukolwiek przeplywowi miedzy kanalami 11, 12 i 13.Nalezy jeszcze zwrócic uwage na zarys ogólny 1 dokladnosc obróbki powierzchni scian ograniczajacych zarówno dysze 3, 4 i 5, jak i kanaly 11, 12, 13 /fig* 2/ oraz na ich przekroje poprzeczne* Przekroje poprzeczne sa dobrane w ten sposób, aby przy natezeniach przeplywów gazowych rzedu 3 do 6 l/h na jeden centymetr dlugosci dyszy, wyplywy na wylo¬ cie z dysz byly laminarne* Z boków dyszy 2 i na calej jej dlugosci urzadzenie, wedlug wynalazku, zawiera dwa ka¬ naly zasysajace 16 1 17 /fig* 1 1 2/, o prostopadlym przekroju kwadratowym lub innego do¬ wolnego ksztaltu, umieszczone po obu stronach ksztaltowników 6a 1 6b opisanych uprzednio i w przyblizeniu na poziomie tych ostatnich. W zaleznosci od wykonania, kanaly 16 i 17 zawieraja jeden lub dwa otwory wzdluzne 16a 1 16b dla kanalu 16 1 odpowiednio 17a 1 17b dla kanalu 17. Kanaly sa polaczone ukladem przewodów 18 z wlotem pompy zasysajacej 19 po¬ laczonej swoim wylotem z dolna czescia skrubera 20 napelnionego materialami ogniotrwalymi /pierscieniami Raschiga/? Urzadzenie uwidocznione na fig* 1 posiada ponadto: dwa termostatyczne zbiorniki do barbotowanla 21 1 22 zawierajace, odpowiednio pierwszy - ciekly chlorek cyny SnCl., a drugi - wode; dwa przeplywomierze 23 i 24 wyposazone w zawory do nastawiania natezenia przeplywu 23a 1 24a, zasilane mieszanina azotu i wodoru w okreslonej proporcji, np. 60/40; dwa zawory 25 1 26 zamontowane na prostkach 27 i 28 laczacych przeplywomierze 23, 24 ze zbiornikami do barbotowanla 21, 22* Dwa przewody 29 i 30 lacza wyloty zbiorników 21 i 22 z kanalem 11 1 z kanalami 12 i 13 glowicy 2, to znaczy przewód 29 z dysza 3 a przewód 30 z dyszami 5 14* Przewody 29 i 30 przechodza przez komore E^, której zarys zaznaczono schematycznie linia kropka-kreska zawierajaca ciecz ogrzewajaca, np. olej, utrzymywana w stalej temperaturze okolo 100 Jo 1?C C v? zaleznosci od regulacji warunków pracy, w srt- powiedni sposób* Zgodnie z fig* 3, powierzchnia odbijajaca 51 ksztaltownika 6b, rozciagajaca sie pocza¬ wszy od przedniej strony glowicy 2, jest równolegla do podloza V* Krawedz, która powierz¬ chnia 51 tworzy pod katem ostrym 53 z przedluzona sciana zewnetrzna 5b, trzeciej dyszy 5, jest przesunieta poprzecznie do tylu w stosunku do srodkowej plaszczyzny osiowej glowi¬ cy 2* Natomiast, powierzchnia odbijajaca 52 ksztaltownika 6a tworzy, z odpowiednim brze¬ giem wzdluznym 4b drugiej dyszy 4 wierzcholek zaokraglony 54. Z ukladu tego wynika, ze rzeczywisty otwór glowicy 2, znajdujacy sie poza miejscem stykania sie gazów, pomiedzy krawedziami 53 1 54, jest zalamany i ze gazy wyplywajace z tego otworu sa stale odchylane w kierunku przemieszczania tarli szklanej V oraz równolegle do niej* Gazy odchylone w ten sposób zderzaja sie bardziej lagodnie z podlozem przeznaczonym do powlekania* Wynikajacy przy tym wspólczynnik turbulencji jest pomniejszony, co powoduje zmniejszenie mozliwosci zwichrowania powloki, co zdarza sie niekiedy w urzadzeniu o konstrukcji dawniejszej* Nalezy równiez pamietac, ze natezenie przeplywu gazów Jest równiez regulowane obecnos¬ cia materialu porowatego 55 /np* wlókien weglowych lub teflonowych/ w kanalach doprowa¬ dzajacych 11, 12 i 13* Na fig* 4 przedstawiony zostal inny przyklad wykonania, na którym zastosowano te same oznaczenia jak na fig* 1, dla tych samych elementów* Urzadzenie z fig* 4 sklada sie z glo¬ wicy 2 przeznaczonej do natryskiwania odczynników na plyte szklana V /opisanej na fig* i/, ukladu zasysajacego gazy spalinowe 16, 17, pierwszego ukladu zasilajacego SnCl. i drugiego ukladu zasilajacego wody i trzeciego ukladu zasilajacego gazu nosnego* Pierwszy uklad za¬ silajacy SnCl4 zawiera zbiornik 21 z chlorkiem cynowym, parownik 101 ogrzewany do 120-150°C oraz pompe dawkujaca 102 umozliwiajaca przetlaczanie do parownika SnCl, scisle okreslonej ilosci SnCl.* Parownik 101 jest równiez przemywany strumieniem gazu nosnego N2 lub miesza-133 525 7 nine N2 /H2 o natezeniu przeplywu dawkowanym przez zawory 103 1 104, 1 odmierzanym przez rotametr 105. Ponadto, butla 106 zawierajaca HF umozliwia domieszanie do SnCl. fluoru, za posrednictwem zaworu 107. Ten pierwszy uklad zasilajacy jest polaczony z dysza srodkowa 3 za pomoca przewodu 29. Drugi uklad zasilajacy woda polaczony jest z dysza 4 przewodem 30 i sklada sie ze zbiornika wodnego 22, parownika iii, pompy 122, zaworów 113 i 114 oraz przeplywomierza 115. Trzeci uklad zasilajacy w gaz nosny, sklada sie z zaworów 123 i 124, przeplywomierza 125 oraz przewodu doprowadzajacego 126 polaczonego z dysza 5. Pozostale elementy tego przykladu wykonania urzadzenia niezaleznie od tego czy sa uwidocznione na rysunku czy tez nie, sa analogiczne do tych, które zostaly opisane na fig. 1-3.Dzialanie tego wariantu urzadzenia z fig* 4 jest z grubsza takie samo jak dzialanie urzadzenia z fig* 1, lecz ma wyzszy stopien zmiennosci. Poza tym nadaje sie lepiej do za¬ stosowania w przemysle, poniewaz Istnieje mozliwosc niezaleznej regulacji natezenia prze¬ plywajacych czynników /przy pomocy pomp 102 i 112/ oraz natezenia przeplywajacych gazów nosnych. Doplyw samego gazu nosnego do dyszy 5 umozliwia dalsze polepszenie regularnosci przebiegu reakcji* Za pomoca opisanego urzadzenia z fig. 4 obrabiano wstege szklana typu "float" o szero¬ kosci 3 m. Predkosc przesuwu wstegi w strefie znajdujacej sie miedzy kapiela stopionego Sn a wlotem do pieca wyzarzajacego 11,5 m/min. Urzadzenie posiadalo zespól 5 glowic po¬ dobnych do glowicy 2, o rozpietosci 1 m, ustawionych szeregowo i przesunietych tak, aby pokryc cala powierzchnie szkla. Dysze byly zasilane w sposób nastepujacy: 3 *\ Dysze 3: SnCl^ przeplyw calkowityi 1,44 Nm h; gaz nosny /N2 /H2, 60/40/: 1,06 Nm /h* Dysze 4: H20 /5% HF/ przeplyw calkowity: 0,92 Nm3/n; gaz nosny /N2 /H2/:l,56 Nm3/h.Dysze 5: gaz nosny /N2 /H2/: 2,5 Nm /h.Przeplyw calkowity wynosil wiec 0,5 Nm /h/dysze: szerokosc szczeliny tych ostatnich byla równa 0,4 mm. W powyzszych warunkach uzyskano powloke Sn02 o grubosci 0,14^um, rezy¬ stancji Ra = 9052 i przezroczystosci 90# w zakresie widzialnosci.Urzadzenie opisane na fig. 1-3 umozliwia pokrycie np. plyty szklanej warstwa tlenku cyny o grubosci rzedu 0,5 yum, która posiada zarówno doskonala przezroczystosc, stosunkowo duza przewodnosc elektryczna, znakomite przyleganie do szkla, duza wytrzymalosc mechani¬ czna oraz dobra odpornosc na dzialanie kwasów.Urzadzenie doswiadczalne tego rodzaju, wyposazone w glowice o dlugosci 20 cm, której otwory wylotowe dysz 3, 4 i 5 mialy odpowiednio szerokosci 0,2, 0,1 1 0,1 mm, umozliwilo obróbke plyty szklanej o szerokosoi 20 cm 1 grubosci 4 mm, ogrzanej do temperatury okolo 600°C i napedzanej w kierunku F /fig. 1 1 2/ z predkoscia 1,2 m/min. Odleglosc miedzy dolna sciana glowicy a powierzchnia szkla wynosila 3 mm. Szybkosc narastania powloki wy¬ nosila okolo 0,3 /i/s.Zastosowano zbiorniki 21 i 22 o pojemnosci okolo 200 do 300 ml, napelnione odpowiednio cieklym SnCl. w zbiorniku 21 i H20 w zbiorniku 22* Zbiorniki te byly ogrzewane do takich temperatur, aby przy natezeniu przeplywu gazu nosnego N2 /H2-60 l/h do zbiornika 21 1 120 l/h do zbiornika 22, przy natezeniach przeplywu regulowanych zaworami 23a 1 24a, otrzymac przeplyw odczynnika rozcienczonego w tym gazie odpowiednio chlorku cyny SnCl. o stezeniu 2 moll na godzine oraz H20 1 mol na godzine. Ponadto, temperature dyszy utrzy¬ mywano na wysokosci okolo 120°C za pomoca obiegu oleju w kanalach 14a, 14b, 14c i 14d tej dyszy.Profil nadany dyszom 3, 4 1 5 glowicy 2, a w szczególnosci fakt, ze zbiegaja sie one swymi scianami bocznymi w kierunku wspólnej linii pozornej, powoduja, ze strumienie gazowe wyplywajace z tych przystawek, a mianowicie strumien SnCl. z dyszy 3 oraz para wodna z dysz 4 i 5, sa lamlnarne 1 stykaja sie ze soba najpierw lagodnie, a nastepnie coraz bardziej bezposrednio, w miare jak sie zblizaja do substratu przeznaczonego do powleka¬ nia* Oczywiscie, polaczony wyplyw tych trzech strumieni gazowych staje sie tym bardziej burzliwy, im gwaltowniejsze bedzie wzajemne przenikanie sie tych strumieni. Dzieki umie-8 133 525 szczenili powierzchni odchylajacych 51 i 52, przenikanie to Jest opóznione i przebiega la¬ godnie na powierzchni szkla Vf ogrzanej cio temperatury okolo 600 C9 jak to podano uprzed¬ nio, tak, ze reakcja chemiczna na szkle przebiega nastepujaco: SnCl4 + 2H?0—*Sn02 + 4HC1* W tym miejscu nalezy zaznaczyc, ze mozna zastosowac jeszcze Inne specjalne zabiegi dla zlagodzenia warunków przebiegania reakcji 1 unikniecia powstawania na wylocie dysz 3 do 5 glowicy 29 w pewnych przypadkach, duzych Ilosci tlenku cyny /SnO^/ oraz wodzlanów typu Sn02 i nH20# Ich powstawanie wywolaloby niebezpieczenstwo czesciowego lub calkowitego za¬ tkania sie calkowicie lub czesciowo dysz„ przy równoczesnym nakladaniu tych samych tlen¬ ków cyny na szklo9 w postaci bialego nalotu9 a nie w pozadanej postaci przezroczystej war¬ stwy pólprzewodzaoej.Dla uzyskania tego wystarczy dodac do obu strumieni gazowych SnCl. i pary wodnej Jakis srodek redukujacy. Srodkiem tym moze byc wodór zawarty w gazie nosnym. W istocie bowlem9 wodór jest gazem nie reagujacymi ani z SnCl^ ani z H20# lloze wiec byc stosowany jako gaz nosny obojetny.Reakcja chemiczna SnCl^ i HgO przebiega nie tylko w srodkowej strefie glowicy 29 to znaczy w sasiedztwie tej czesci glowicy, w której znajduja sie otwory wylotowe dysz 3f 4 i 5. W rzeczywistosci9 reakcja ta nastepuje wówczas, gdy w czasie pracy pompy 19 w kana¬ lach zasysajacych 16 1 17, znajdujacych sie po obu stronach glowicy, powstaje podcisnienie na prawym i lewym koncu przestrzeni zawartej miedzy plyta szklana V a dolnymi scianami ksztaltowników 6a 1 6b glowicy 2 /fig. 2/. Z tego powodu, w przestrzeni tej powstaje stru¬ mien gazu przeplywajacego od srodkowej czesci tej przestrzeni do kanalów zasysajacych 16 i 17. Przeplyw ten sklada sie glównie z pewnej czesci SnCl. i HJD, rozcienczonych w gazie nosnym, które jeszcze sie nie polaczyly, z juz utworzonych par HC1, jak równiez pewnej ilosci gazu nosnego, pozbawionego odczynników, które juz weszly do reakcji. W ten sposób, reakcja miedzy Sn02 1 H20 moze przebiegac dalej z resztkami gazów, które reaguja na pew¬ nej dlugosci po obu stronach linii zbieznosci dysz. Oczywiscie, ze wzgledu na odchylenie gazów w kierunku do tylu, kanal zasysajacy 16 zbiera wiecej gazów spalinowych anizeli kanal 17.Moc zasysajaca kanalów 16 i 17 jest tak dobrana, aby gazy reagujace, wyplywajace z glowicy 2, przebywaly w tej przestrzeni tylko przez dokladnie taki czas, który jest nie¬ zbedny do uzyskania powloki Sn02 na szkle. Powloka powinna miec postac warstwy przezro¬ czystej, a nie nalot SnO» w postaci proszku. Oczywiscie zasysanie to nie powinno równiez byc zbyt silne, poniewaz gazy reagujace, wyplywajace z dyszy, musza miec czas, aby osiag¬ nac powierzchnie szkla. Natezenie zasysania jest wiec parametrem decydujacym o jakosci i szybkosci narastania warstwy. Ponadto, zwraca sie uwage, ze dzieki temu zasysaniu, w pewnym stopniu od otaczajacej atmosfery odizolowuje sie przestrzen zawarta miedzy glowica 1 P^yta szklana. W przestrzeni tej nastepuje zadana reakcja 1 zapobiega sie, z jednej strony, jakiemukolwiek przenikaniu do tej przestrzeni dodatkowej wilgoci, która moze wply¬ wac na reakcje chemiczna, a z drugiej strony, jakiemukolwiek przedostawaniu sie do otacza¬ jacej atmosfery par szkodliwych, np. HC1 lub wodoru, gdyz do szczelin 16a 1 16b oraz do szczelin 17a 1 17b doplywa powietrze atmosferyczne przechodzac miedzy kanalem 16 1 odpo¬ wiednio kanalem 17, plyta szklana V 1 glowica 2.Substancje gazowe zasysane przez pompe 19 sa kierowane, jak to opisano wyzej, do skru- bera 20 w taki sposób, aby resztki lotne kwasu podlegaly perkolacji i porywaniu przez wo¬ de, natomiast otrzymany roztwór kwasny byl oddzielany od przemytych gazów 1 usuwany przewodem 20a.W powyzszych warunkach technologicznych sprawnosc reakcyjna wynosila okolo 60%. Szklo bylo powlekane na calej swojej powierzchni warstwa Sn02 o grubosci 0,5 jnm9 przezroczys¬ tosci 80 do 90$ w zaleznosci od próbki, oraz przecietnej rezystancji RD = 100Si .133 525 9 Poza tynp otrzymana w ten sposób warstwa Sn02 okazala sie bardzo twarda, przy czym twardosc jej byla wyzsza od twardosci szkla, na które zostala nalozona* Jej wytrzymalosc okazala sie byc równiez bardzo duza, zarówno pod wzgledem odpornosci na najbardziej In¬ tensywne sily zewnetrzne, op. na uderzenia, jak równiez na dzialanie kwasów* W szczegól¬ nosci omawiane szklo moglo byc poddawane wybrzuszaniu o promieniu krzywizny równym 15 cm, po uprzednim jego ogrzaniu do temperatury od 600 do 700°C, bez jakiegokolwiek uszkodzenia powloki Sn02« Mozna Je bylo równiez hartowac w normalnych warunkach jak zwykle szklo* I wreszcie, nalezy zwrócic uwage, ze plyta szklana powleczona warstwa Sn02 w warunkach opisanych wyzej, moze byc cieta diamentem, poprzez naciskanie na Jedna badz na druga strone plyty 1 to bez odprysklwanla warstwy* Urzadzenie opisane na fig* 1 do 3 moze byc równiez uzyte do nakladania sposobem C*V*D* warstwy Ti02 na plyte szklana* W tym celu wystarczy zastapic chlorek cynowy SnCl^, znajdu¬ jacy sie w zbiorniku barbotujacym 21, chlorkiem tytanowym T1C1.* W tym wypadku mozna rów¬ niez zastosowac Jako gaz nosny azot* Wówczas reakcja chemiczna zachodzaca u wylotu glowicy 2 bedzie nastepujaca! TiCl4 ? 2H20—* T102 + 4HC1/ W tym przypadku, plyta szklana o szerokosol 20 cm i grubosci 4 mm, ogrzana do tempera¬ tury 600°C, byla przesuwana wzdluznie z predkoscia 1,2 m/min wzgledem glowloy 2, w odle¬ glosci 3 mm od tej ostatniej* Przez oddzialywanie na zawory 23a i 24a, natezenie przeply¬ wu gazu nosnego bylo nastawione na 60 l/h, na przeplywomierzu 23 1 na 120 l/h na przeply¬ womierzu 24* Zbiorniki 21 1 22 byly ponadto ogrzewane, aby natezenie przeplywu odozynnl- ków wynosilo 0,2 mola/h TlCl^ 1 0,01 mola/h H20* Otrzymano warstwe T102 o grubosci 0,01 ja9 majaca przezroczystosc w swietle widzialnym okolo 75$ oraz zdolnosc odbijania tego swiatla widzialnego wieksza od zdolnosci odbijania szkla podtrzymujacego te warstwe* Wytrzymalosc mechaniczna byla porównywalna z wytrzyma¬ loscia powloki z Sn02 otrzymanej opisanym sposobem* Ogólnie, rezystywnosc, zdolnosc odbijania swiatla 1 przezroczystosc warstw Sn0o o gru¬ bosci wiekszej od 0,5 urn nalozonych na szklo, moga byc w znacznym stopniu polepszone, Je¬ zeli do warstw tych jest domieszany fluor* W tym oelu, korzystnie Jest zastosowac urza¬ dzenie opisane na fig* 1 1 uzupelnione butla 41 zawierajaca HF w stanie gazowym oraz przewodem 42 laczacym te butle z przewodem 30, przy czym calosc Jest uwidoczniona na fig* 1 linia przerywana* Szklo o grubosci 4 mm, ogrzane do temperatury okolo 600°C, zostalo pokryte warstwa 0,75 um Sn02 domieszkowanego fluorem przez przesuwanie pod glowica 2 z predkoscia 1,2 m/mln, w odleglosol okolo 3 mm od glowicy 2* Natezenie przeplywu gazu nosnego /mieszaniny N2 z 40* H2/ wynosily 60 l/h dla SnCl^ i dla pary wodnej* Natezenie przeplywu HF bylo równe 0,1 l/min* Okazalo sie, ze powloka Sn02 domieszkowana fluorem posiada szczególnie wysokie parame¬ try* W istocie bowiem, jej rezystywnosc wynosila Rq « 652, jej zdolnosc odbijania swiat¬ la widzialnego byla wieksza od zdolnosol odbijania szkla podtrzymujacego te powloke, a jej zdolnosc odbijania promieniowania podczerwonego okazala sie byc szczególnie wysoka, rzedu 75%* Ponadto, Jej przezroczystosc na swiatlo widzialne wynosila 85%* Charakterysty¬ ki mechaniczne byly równiez bardzo wysokies szklo powleczone Sn02 domieszkowanego fluorem moze byc poddawane hartowaniu Identycznemu z obróbka cieplna, której sa tradycyjnie pod¬ dawane niektóre szyby pojazdów, np* szyby samochodów osobowych* Mozna bylo równiez wy¬ brzuszac taka plyte na goraoo /w temperaturze okolo 650°C/ otrzymujao krzywizny 15 cm, bez zmiany charakterystyk warstwy Sn02 domieszkowanego* Oprócz tego, plyta szklana, po¬ kryta w opisany sposób, moze byc obrabiana sposobem tradycyjnym /ciecie, szlifowanie itp*/ bez uszkadzania Jej powloki* Warstwa Sn02 domieszkowanego fluorem ma w rzeczywistosci twardosc wieksza od twardosci szkla, które Ja podtrzymuje 1 nie moze byc zadrapana, a po¬ nadto jej odpornosc chemlozna na dzialanie kwasów 1 odpornosc na uderzenia okazaly sie szczególnie duze*10 133 525 Mozna równiez domieszkowac warstwe Sn02 antymonemt dodajac SnClg do SnCl. znajdujacego sie w zbiorniku barbotujaoym 21, badz przylaczyc Inny dodatkowy zbiornik barbotujacy, za¬ wierajacy SnCl3, do przewodu 29 prowadzacego do dyszy srodkowej 3 glowicy 2. W zwiazku z tym, nalezy zaznaczyc, ze warstwa Sn02 domieszkowanego fluorem lub antymonem, nalozona na plyte szklana w opisanych warunkach, moze byc pokryta srebrem lub farba srebrna ulozo¬ na w temperaturze 600°C, np. w celu wykonania styków elektrycznych. Taka warstwa srebra przylega bardzo dobrze do powierzchni powloki Sn02.Zastosowanie plyt szklanych dowolnych wymiarów, pokrytych warstwa Sn02 domieszkowanego lub nie domieszkowanego antymonem lub fluorem, moga byc bardzo rózne zwlaszcza w zalez¬ nosci od Ich charakterystyk fizycznych 1 elektryoznych.Pomimo, ze warstwa Sn02 bez domieszek ma rezystancje stosunkowo wysoka, w porównaniu z rezystancja podobnej warstwy domieszkowanej antymonem lub fluorem, to plyta szklana po¬ kryta taka warstwa moze byc zastosowana np. do wyrobu okien domów, statków lub pociagów, poniewaz posiada dobra przepuszczalnosc swiatla widzialnego 1 stosunkowo duza zdolnosc odbijania promieniowania podczerwonego• Szklo pokryte Sn02 z domieszka antymonu lub szklo pokryte Sn02 z domieszka fluoru po¬ siada wieksza zdolnosc izolowania. Ponadto, poniewaz rezystancja takich warstw Jest zwykle niewielka dla warstwy Sn02 z domieszka antymonu 1 bardzo mala dla warstwy z domieszka fluoru, jest rzeoza mozliwa zastosowanie szkla pokrytego SnOg z domieszka jako szyb grzej¬ nych, np. na tylne okna nadwozi samochodów.Niezaleznie od powyzszego zauwazono, ze w atmosferze o bardzo duzej wilgotnosci, plyta szklana pokryta warstwa Sn02 z domieszka zarówno antymonu jak 1 fluoru lub bez domieszek, nie pokrywa sie równomierna warstwa oparu, lecz raczej duza liczba kropelek, które znacz¬ nie mniej szkodliwie wplywaja na pole widzenia poprzez powloke 1 plyte szkla. Wlasciwosc ta jest oczywiscie szczególnie korzystna w wypadku plyt szklanych przeznaczonych na szyby dla pojazdów, a w szczególnosci na szyby przednie i tylne nadwozi samochodów osobowych, autobusów lub ciezarówek.Na koniec, nalezy zwrócic uwage, ze pomimo wzmianki o zakresie opisanego sposobu i urzadzenia na fig. 1, 2 i 3 zalaczonych rysunków, polegajacego na stosowaniu wodoru ja¬ ko srodka sterujacego reakcja laczenia sie SnCl^ z H20, mozna równiez stosowac go do In¬ nych sposobów i urzadzen, dzialajacych wedlug teohnologil C.V.D., takich jak opisane przez H.Kocha w artykule wspomnianym uprzednio, lub w opisie patentowym RFN nr 2 123 274, otrzymujac takie same korzysci* Przyklad. Zastosowano urzadzenie takie jak na fig* 1 z glowica z fig. 3.Warunki pracy urzadzenia* Temperatura reakoyjnapodloza 590°C Cisnienie operacyjne otoozenla Natezenie przeplywu pary wodnej /linia30/ 10 moll H^O/h 250 litrów/h pary Stezenie HF wH20 2/98 /objetosciowo/ Sklad chemiczny gazu nosnegoHg/Ng 40/60 /objetosciowo/ Natezenie przeplywu gazu w zbiorniku 21 /SnCl-/ 340 litrów/h Temperatura w zbiorniku21 120°C Natezenie przeplywuSnCl^ 10 moll/h Predkosc przesuwania szklaV 1,2 m/min.Szybkosc zasysania gazów reakcyjnych 1500 l/h Natezenie przeplywu gazunosnego 500 l/h W taki sposób otrzymano powloke majaca nastepujace charakterystykis grubosc 0,6 jum; rezystancja RQ * 20& ; przezroczystosc 80%.133 525 11 Jezeli w powyzszym przykladzie zastapic glowice o wyplywie zagietym, wedlug niniejsze¬ go wynalazkuf glowica wedlug brytyjskiego opisu patentowego nr 2 044 1379 to znaczy z wy¬ plywem prostopadlym do substratu, to uzyskuje sie wyniki podobne, jednakze przypadkowo zdarzaja sie slady nalotów na powlokach Sn02# Zastrzezenia patentowe 1# Urzadzenie do ciaglego nakladania warstwy substancji stalej na powierzchnie podloza ogrzanego do wysokiej temperatury, powstalej z polaczenia co najmniej dwóch czynników w fazie gazowej| zawierajace zródlo pierwszego czynnika gazowego lub czynnika rozpuszczone¬ go w gazie nosnym; zródlo drugiego czynnika gazowego lub czynnika rozpuszczonego w gazie nosnym; glowice z trzema dyszami9 z któryeh kazda ma otwór, utworzony ze szozeliny pro¬ stoliniowej, którego kierunek scian bocznyoh ograniczajacych plaszczyzny brzegów wzdluz¬ nych kazdej szczeliny Jest zbiezny w kierunku wspólnej linii pozornej, przy czym pierwsza dysza srodkowa, jest otoczona przez dwie pozostale i przylega, z jednej strony, do dru¬ giej dyszy w miejscu laczenia sie Ich odpowiednich scian, a z drugiej strony, przylega do trzeciej dyszy równiez w miejscu laczenia sie Ich odpowiednich scian, tak, ze calosó sta¬ nowi wylot gazów z dysz w kierunku wspomnianej wspólnej linii pozornej; pierwsza i druga powierzchnie odchylajaca, stanowiace calosó ze wspomniana glowica i rozolagajace sie na okreslona dlugosc z obu stron dysz, poozawszy od zewnetrznyoh brzegów wzdluznyoh otworu wylotowego odpowiednio drugiej 1 trzeciej dyszy, pierwszy przewód zasilajacy laczaoy zró¬ dlo pierwszego czynnika z pierwsza dysza glowicy; drugi przewód zasilajacy laczacy zródlo drugiego czynnika z druga l/lub trzeola dysza glowloy; elementy do napedzania ruchem wzglednym, w kierunku prostopadlym do wspólnej linii pozornej, podloza i glowicy; elemen¬ ty do utrzymywania, w trakcie ruchu wzglednego, stalej odleglosci miedzy otworami dysz glowicy 1 powierzchniami odchylajacymi, a powierzchnia podloza oraz co najmniej jedno urzadzenie do usuwania gazów reakcyjnyoh, powstajacych w przestrzeni zawartej miedzy wspo¬ mnianymi powierzchniami odchylajacymi a powierzchnia podloza, poczawszy od konców tej przestrzeni najbardziej odleglych od otworów wspomnianych dysz, znamienne tym, ze Jedna /51/ z dwóch powierzchni odchylajacych /51, 52/, biegnaca w kierunku przeciwnym do kierunku przemieszczania sie /F/ podloza w stosunku do glowicy /2/, jest prostopadla do srodkowej plaszczyzny glowicy /2/, a krawedz, która powierzchnia /51/ tworzy wzdluz kata ostrego /53/ z przedluzona sciana zewnetrzna /5b/ trzeciej dyszy /5/, jest odchylona w kie¬ runku poprzecznym do kierunku przemieszczania sie /F/ podloza w stosunku do plaszczyzny dyszy srodkowej /3/, natomiast druga powierzchnia odchylajaca /52/ tworzy, z odpowiednim brzegiem wzdluznym /4b/ drugiej dyszy /4/, kat o wierzcholku scietym lub zaokraglonym /54/, tak, ze rzeozywisty otwór glowicy /2/ znajdujacy sie miedzy krawedziami /53, 54/ jest zala¬ many, a gazy wyplywajace z tego otworu sa odchylone w kierunku przemieszczania /F/ podloza 1 to równolegle do podloza* 2. Urzadzenie, wedlug zastrz. 1, w którym tylko jedna z dwóoh dysz jest polaczona z dru¬ gim przewodem zasilajacym, znamienne tym, ze druga powierzchnia odchylajaca /52/ jest nachylona w stosunku do podloza w kierunku jego wzglednego przemieszczania /F/, aby regularnie przyspieszac gazy wyplywajace w kierunku do tylu. 3, Urzadzenie wedlug zastrz, 2, znamienne tym, ze szerokosc szczelin sta¬ nowiacych otwory wylotowe dysz /3, 4, 5/ glowicy /2/ jest równa co najmniej 0,1 mm a naj¬ wyzej 0,8 mm. 4# Urzadzenie wedlug zastrz. 2, znamienne tym, ze pierwsza powierzchnia odchylajaca /5i/ 1 druga powierzchnia odchylajaca /52/ rozciagaja sie po obu stronach dysz /4, 5/ glowicy /2/ na dlugosoi zawartej miedzy 10 a 20-krotnosola wymiarów poprzecz¬ nych ssozelln, stanowiacych otwory wylotowe dysz#133 525 FIG. I 14 U © /ll\l 5 £ 1/7 4 35 1/7133 525 12 fOc // FIG. 3 rrr ?7?rnr* ST7r: ? :p l6o 6a 6b I7a PL PL PL PL PL