NO307488B1 - Flersjiktstransduser med põsveisete kontaktforbindelser - Google Patents
Flersjiktstransduser med põsveisete kontaktforbindelser Download PDFInfo
- Publication number
- NO307488B1 NO307488B1 NO903622A NO903622A NO307488B1 NO 307488 B1 NO307488 B1 NO 307488B1 NO 903622 A NO903622 A NO 903622A NO 903622 A NO903622 A NO 903622A NO 307488 B1 NO307488 B1 NO 307488B1
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- contact areas
- transducer
- electrically conductive
- side surfaces
- layer end
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims 1
- 238000005246 galvanizing Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000009718 spray deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 claims 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
Denne oppfinnelse angår en flersjikts overføringsinnretning som her vil kalles flersjikts transduser og som har elektriske kontaktområder slik det angis i innledningen i det etterfølgende patentkrav 1.
Oppfinnelsen angår også en fremgangsmåte for utførelse av kontaktforbindelser via kontaktområdene.
Oppfinnelsen er tiltenkt anvendelsen å fremstille elektriske kontaktforbindelser mellom flersjikts halvlederstrukturer, særlig transdusere, og som fremstilles på et basissubstrat slik at det dannes et matrisemønster med titalls eller opptil flere hundre enkelttransdusere på hvert substrat. Etter fremstillingsprosessen deles så substratet opp i enkelte transduserbrikker, gjerne ved saging. Hver enkelt transduser kommer da til å omfatte flere ledende sjikt som strekker seg ut til de avsagde flatene. De ledende sjikt er galvanisk isolert fra hverandre.
Elektrisk forbindelse til eksterne kretser skjer vanligvis via separate kontaktområder. Et kontaktområde er et metallbelagt, generelt rektangulært område tiltenkt elektrisk forbindelse via ledere til eksterne kretser. Kontaktområdet er elektrisk tilkoplet inne i transduseren til de forskjellige deler innenfor denne. En konvensjonell transduseroppbygging er vist på fig. 1. Konstruksjonen representerer teknikkens stilling og er kjent fra blant annet US patent nr. 4 597 027.
Kontaktområder av den type som er omtalt ovenfor er lagt inn i en transduser på et enkelt tilkoplingsplan som ligger parallelt med den plane substratoverflate, og dette gjøres fordi slike tilkoplingsområder da er lettere å fremstille, for eksempel ved hjelp av fotolitografi og vakuumdeponering ved fordampning før transdusersubstratet skjæres opp. Tilkoplingsplanområdet bestemt for kontaktområdene øker imidlertid de ytre dimensjoner av transduseren ganske betydelig. Siden størrelsen av transduserbrikken har et lineært bidrag til transduserens totale pris, er det i fabrikantens interesse å konstruere transduseren med så lite fysisk areal som mulig. Følgelig søkes å unngå at kontaktområder slik som innenfor den konvensjonelle teknikk bidrar til å øke størrelsen og følgelig prisen av hver transduserbrikke. Nok en ulempe er den problematiske dannelse av ohmske forbindelser fra innsiden av transduseren og ut til kontaktområdene på tilkoplingsplanet, siden fremstillingsprosessen må sørge for en eller annen løsning for å hindre kortslutning av disse ohmske ledere til andre ledende deler av transduseren.
Formålet med den foreliggende oppfinnelse er å unngå de ulemper som teknikkens stilling er beheftet med og komme frem til en ny type f lers j iktstransduser med elektriske kontaktforbindelser, såvel som en fremgangsmåte for utførelse av forbindelsestilkop-lingen.
Oppfinnelsen er basert på utforming av kontaktene på de vertikale vegger av de ledende sjikt i transduseren og som dannes når denne skjæres ut fra substratet. Med andre ord er oppfinnelsen kjennetegnet ved fremstillingen av de ledende sjiktområder som skal benyttes for tilkopling, på de flater som ikke hører til noen av de opprinnelige flater i det plane substratmateriale.
Nærmere bestemt kjennetegnes den flersjiktstransduser som oppfinnelsen angår av det som er anført i karakteristikken i det etterfølgende krav 1.
Videre kjennetegnes oppfinnelsens fremgangsmåte ved de trekk som fremgår av karakteristikken i det derpå følgende krav 4.
Oppfinnelsen innebærer at betydelige fordeler oppnås.
Først og fremst kan transduserbrikkens areal økes omkring 30% hvorved en tilsvarende reduksjon i fremstillingskostnadene følger. Dette har stor betydning hvis transduseren fremstilles i masseproduksjon. Videre er transduserkonstruksjonen forenklet siden det ikke lenger er behov for å rute de ohmske kontakter i transduseren til yttersiden av sensorområdet. En tredje fordel er at transduserstrukturen i samsvar med oppfinnelsen kan tilkoples et kretskort som for eksempel benytter over f latemonteringsteknikk, mens en konvensjonell oppbygging vil trenge trådføring for forbindelsene.
Oppfinnelsen skal nå gjennomgås i detalj med støtte i de tegninger som hører til og som viser utførelsesformer i form av eksempler.
Fig. 1 viser de ohmske forbindelser i en konvensjonell transduser, sett i perspektiv, fig. 2 viser på tilsvarende måte en transduser i samsvar med oppfinnelsen, også i perspektivfrem-stilling, og fig. 3 viser grunnrisset av et plant substrat fra hvilket transduseren kan skjæres ut i samsvar med oppfinnelsen.
Vist på fig. 1 er en konvensjonell transduser 1 med et første halvledersjikt 2 og et andre tilsvarende halvledersjikt 4, lagt på hverandre med et mellomliggende isolasjonssjikt 3. Over tilkoplingsplanet 6 er det utformet kontaktområder 5. Tilkoplingsplanet 6 er strukturelt en forlengelse av det andre halvledersjikt 4, og de ohmske kontakter rutes fra for eksempel det første halvledersjikt 2 inne i transduseroppbyggingen, til tilkoplingsplanet 6.
Fremgangsmåten for kontaktdannelse, i samsvar med oppfinnelsen, er vist på fig. 2. En typisk transduserbrikke 1' omfatter to eller flere ledende halvledersjikt 2' og 4' på hvilke kontaktområder 5' er dannet på brikkens ene vertikale side 7. Mellom halvledersjiktene er også her lagt et isolasjonssjikt 3' for elektrisk isolering.
Fig. 3 viser et typisk flerlagssubstrat 8 med et matriseformet mønster hvor matriseelementene 1' angir hvert enkelt transduserelement. Transduserelementene 1' skilles typisk fra substratet 8 på mekanisk måte såsom ved saging langs linjene 9 og 10. Alternativt kan en laser brukes for å skjære ut de enkelte transduserelementer 1'.
Den oppbygging som er vist på fig. 2 har ingen kontaktplan i egentlig konvensjonell betydning, mens kontaktområdene 5' fremstilles direkte på sideflatene 7 ved for eksempel en laserbasert prosess for pålegging av metall. Sideflatene 7 er da de flater som blottlegges når transduserbrikken 1' sages ut fra substratet langs linjene 9 og 10, slik som angitt på fig. 3.
De ohmske kontaktområder 5' fremstilles individuelt for hvert fraskilt transduserelement ved for eksempel laserbasert pålegging av metallsjikt slik det for eksempel er beskrevet i publikasj onene: R. Solanki m. f 1., "Low-Temperature Refractory Metal Film Deposition", Appl. Phys. Lett., 41, (11), 1. desember 1982.
R.M. Osgood m.fl., "Laser Microchemistry for Direct Writing of Microstructures", Proe. SPIE, 385, 112 117, 1983.
Dieter Bauerle, "Laser-Induced Chemical Vapor Deposition", i "Laser Processing and Diagnostics", ed. D. Bauerle, Springer Verlag, 1984.
T. Cacouris m.fl., "Laser Direct Writing of Aluminium Conductors", Appl. Phys. Lett., 52, (22), 30. mai 1988.
Transduserbrikken eller -elementet 1' føres for denne metalliseringsprosess inn i et gasstett kammer hvis konstruksjon tillater innføring av en egnet gass og har et laserlystransparent vindu øverst. Transduserbrikkene 1' legges etter hverandre én etter én under laserstrålen slik at den fokuserte stråle kan falle på området 5' på de enkelte halvledersjikt 2'. Den opplyste flekk som skal danne området 5' oppvarmes av den innfallende laserstråle, og gassen som fyller kammeret og som inneholder det ønskede metall, for eksempel aluminium, gull eller nikkel, overføres ved pyrolyse (eller alternativt ved fotolyse) til området 5'. Dette fører til reduksjon av metallet med påfølgende avsetting av dette slik at det dannes et ledende sj ikt på kontaktområdet 5' på siden av halvledersjiktet. Kontaktområdet får da typisk en diameter på 0,1-0,5 mm og en metalltykkelse på 1-5 um. Ved hjelp av laseren kan temperaturen i kontaktområdet 5' bringes tilstrekkelig høyt, typisk til flere hundre grader celsius, hvilket det er behov for for å gi en god ohmsk kontakt mellom metall i ser ingen og halvledermaterialet. Etter fullførelse av metalliseringsprosessen på ett sted fokuseres laserstrålen på neste kontaktområde 5' hvoretter prosessen gjentas.
Alternative måter for metallisering av området 5' er for eksempel dampdeponer ing, påsprøyt ing og elektrolytisk eller sélv-katalyserende (elektroløs galvanisering) avsetting av et metallsjikt på den utsagde sideflate på transduserstrukturen, etter hvilket den ønskede kontaktkonfigurasjon kan oppnås ved å fjerne metallisering fra bestemte kantområder ved for eksempel lasertrimming, etsing gjennom et fotofølsomt og mønsterbelagt polymerharpikssjikt, eller ved mekanisk konfigurering ved sandblåsing eller sliping. Den elektrolytiske galvaniseringsmetode kan benyttes for å gi metallisering på samtlige ledende flater på transduseroppbyggingen, og denne måte gjør automatisk isolasjonssjiktene umetalliserte. Hvis storskalametallisering ikke gir noen ødeleggende virkning vil dette være den enklest mulige prosess for avsetting av metall til et metallsjikt. En alternativ måte er å frembringe metalli-seringen direkte ved hjelp av en mekanisk fremstilt eller en annerledes laget maske for bestemte områder. Masken kan fremstilles for eksempel av fotofølsomt polymer ved eksponering og utvikling av det ønskede mønster i polymeret, eller alternativt ved å tildanne et mønstersjikt av for eksempel polymerplast ved hjelp av en såkalt
excimerlaser eller en tilsvarende lyskilde.
De ohmske kontakter kan fremstilles på sideflatene av transduserbrikken ved blant annet å benytte en eutektisk legering av gull og silisium, og denne legering kan også anvendes for tilkopling av metalliske ledere eller tilsvarende elementer til siden av en flersjikts struktur. Termisk og trykkpåført tilkopling kan så anvendes for å fremstille ohmske kontakter ved hjelp av met al legeringen mellom halvledermaterialet og den metalliske leder.
Claims (12)
1. Transduser (1' ) med elektrisk ledende kontaktområder (5' ) og fremstilt ved oppdeling av et plant substrat (8) med pådeponerte plane og avvekslende elektrisk ledende hhv. isolerende sjikt (2', 3', 4' ), langs kryssende linjer (9, 10) som på substratoverflaten danner et matriseformet rutemønster, til transduserelementer for etterfølgende påmonter ing av kontaktområdene (5' ), idet oppdelingen utføres normalt på substratoverflaten, hvorved hvert transduserelement får tilsvarende avvekslende horisontale elektrisk ledende hhv. isolerende sjikt (2', 3', 4') og vertikale sideflater (7) tilnærmet normalt på sjiktenes hovedplan og elementets plane overflate, idet sjiktene (2', 3', 4') strekker seg helt ut til sideflatene og der danner sine respektive sjiktendeflater, KARAKTERISERT VED at de elektriske kontaktområder (5' ) ved hjelp av en halvlederprosess er påført transduserelementets horisontale elektrisk ledende sjikt (2', 4') på deres sjiktendeflate i en av de vertikale sideflater (7') og innenfor den respektive sjiktendef lates grenser i sideflaten (7').
2. Transduser (1') ifølge krav 1, KARAKTERISERT VED at kontaktområdene (5' ) påføres ved hjelp av en maske under eksponering og utvikling av maskeåpninger.
3. Transduser (1') ifølge krav 2, KARAKTERISERT VED at maskematerialet er et fotofølsomt polymerplastmateriale.
4. Fremgangsmåte for å fremstille en transduser (1') med elektrisk ledende kontaktområder (5') ut fra et plant substrat (8) med pådeponerte plane og avvekslende elektrisk ledende hhv. isolerende sjikt (2', 3', 4'), ved oppdeling av substratet langs kryssende linjer (9, 10) som på substratoverflaten danner et matriseformet rutemønster, til transduserelementer for etterfølgende påmontering av kontaktområdene (5'), idet oppdelingen utføres normalt på substratoverflaten, hvorved hvert transduserelement får tilsvarende avvekslende horisontale elektrisk ledende hhv. isolerende sj ikt (2', 3', 4' ) og vertikale sideflater (7) tilnærmet normalt på sjiktenes hovedplan og elementets plane overflate, idet sjiktene (2', 3', 4' ) strekker seg helt ut til sideflatene og der danner sine respektive sjiktendef later, KARAKTERISERT VED påføring ved hjelp av en halvlederprosess, av de elektriske kontaktområder (5' ) på transduserelementets horisontale elektrisk ledende sjikt (2', 4' ) på deres sjiktendeflate i en av de vertikale sideflater (7' ). innenfor den respektive sjiktendef lates grenser i sideflaten (7- ).
5. Fremgangsmåte ifølge krav 4, KARAKTERISERT VED at kontaktområdene (5') påføres innenfor den respektive sjiktendeflates grenser i sideflaten (7' ), slik at hvert kontaktområde bare er tilkoplet ett ledende sjikt (2', 4').
6. Fremgangsmåte ifølge krav 4, KARAKTERISERT VED at kontaktområdene (5') påføres i en laserdeponeringsprosess.
7. Fremgangsmåte ifølge krav 6, KARAKTERISERT VED at hvert kontaktområde (5' ) påføres transduserelementet ved at dette føres til et gasstett kammer som er fylt med en metallbærende gass og har et laserlystransparent øvre vindu, og oppvarming av et område på hver av sideflatenes (7') ledende sjiktendef later ved hjelp av en laserstråle, slik at den metallbærende gass pyrolyseres, idet områdene er de hvor kontaktområdene (5' ) på sine respektive sjiktendeflater skal avsettes.
8. Fremgangsmåte ifølge krav 4, KARAKTERISERT VED at kontaktområdene (5') dannes ved å benytte en dampdeponeringsprosess.
9. Fremgangsmåte ifølge krav 4, KARAKTERISERT VED at kontaktområdene (5' ) dannes ved å benytte en påsprøytingsdeponeringspro- sess.
10. Fremgangsmåte ifølge krav 4, KARAKTERISERT VED at kontaktområdene (5' ) dannes ved å benytte en elektrolytisk galvaniserings-prosess.
11. Fremgangsmåte ifølge krav 4, KARAKTERISERT VED at kontaktområdene ( 5' ) dannes ved å benytte en autokatalytisk galvaniserings-prosess.
12. Fremgangsmåte ifølge krav 4, KARAKTERISERT VED at kontaktområdene (5' ) dannes på ønsket sted ved hjelp av en maske fremstilt av for eksempel et fotofølsomt polymerplastmateriale ved eksponering og utvikling av de bestemte åpninger i masken.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI893874A FI893874A (fi) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | Kontaktfoersedd givare med skiktstruktur samt foerfarande foer utfoerande av kontakteringen. |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NO903622D0 NO903622D0 (no) | 1990-08-16 |
| NO903622L NO903622L (no) | 1991-02-18 |
| NO307488B1 true NO307488B1 (no) | 2000-04-10 |
Family
ID=8528855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NO903622A NO307488B1 (no) | 1989-08-17 | 1990-08-16 | Flersjiktstransduser med põsveisete kontaktforbindelser |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5083234A (no) |
| JP (1) | JP2866167B2 (no) |
| CH (1) | CH681581A5 (no) |
| DE (1) | DE4023776C2 (no) |
| ES (1) | ES2023345A6 (no) |
| FI (1) | FI893874A (no) |
| FR (1) | FR2651069B1 (no) |
| GB (1) | GB2235090B (no) |
| IT (1) | IT1241544B (no) |
| NO (1) | NO307488B1 (no) |
| SE (1) | SE508914C2 (no) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR930011143A (ko) * | 1991-11-14 | 1993-06-23 | 김광호 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
| CA2115947A1 (en) * | 1993-03-03 | 1994-09-04 | Gregory C. Smith | Wafer-like processing after sawing dmds |
| DE4321804A1 (de) * | 1993-06-30 | 1995-01-12 | Ranco Inc | Verfahren zur Herstellung von Kleinbauelementen |
| US5912796A (en) * | 1996-11-15 | 1999-06-15 | Illinois Tool Works, Inc. | Metallized film capacitor and manufacturing process |
| DE10309869A1 (de) * | 2003-03-06 | 2004-09-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung mindestens eines Halbleiterchips und Halbleiterchip |
| DE10321214A1 (de) * | 2003-05-12 | 2004-12-30 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Aufbringen elektrischer Kontaktierungselemente auf einen Chip eines Chip-Wafers und Chip |
| DE10326804A1 (de) * | 2003-06-13 | 2004-11-18 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung mindestens eines Halbleiterchips und Halbleiterchip |
| DE10334634B3 (de) * | 2003-07-29 | 2005-01-13 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum seitlichen Kontaktieren eines Halbleiterchips |
| DE10334633A1 (de) * | 2003-07-29 | 2004-10-07 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit zwei Halbleiterchips und Anordnung mit zwei Halbleiterchips |
| TWI559349B (zh) * | 2014-10-28 | 2016-11-21 | 鈺邦科技股份有限公司 | 導電端子改良之固態電解電容器封裝結構之製造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL128146C (no) * | 1963-03-05 | |||
| GB1115259A (en) * | 1966-05-20 | 1968-05-29 | Gen Dynamics Corp | Load measuring system |
| GB1342468A (en) * | 1969-10-16 | 1974-01-03 | Chubb Alarms Mfg Ltd | Security detection systems |
| GB1533191A (en) * | 1977-03-30 | 1978-11-22 | G Ni I P I Redkometallich Prom | Pressure-sensitive semiconductor bodies and pressure-sensitive devices including such bodies |
| US4267634A (en) * | 1978-04-05 | 1981-05-19 | American Components Inc. | Method for making a chip circuit component |
| US4386453A (en) * | 1979-09-04 | 1983-06-07 | Ford Motor Company | Method for manufacturing variable capacitance pressure transducers |
| JPS58159360A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| DE3378393D1 (en) * | 1982-05-11 | 1988-12-08 | Nec Corp | Multilayer electrostrictive element which withstands repeated application of pulses |
| FI842307A (fi) * | 1984-06-07 | 1985-12-08 | Vaisala Oy | Foerfarande foer aostadkommande av genomfoering i en mikromekanisk konstruktion. |
| JPS6127688A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-02-07 | Nec Corp | 電歪効果素子およびその製造方法 |
| IL82960A0 (en) * | 1986-06-30 | 1987-12-20 | Rosemount Inc | Differential pressure sensor |
| JPS63149531A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-22 | Fuji Electric Co Ltd | 静電容量式圧力センサ |
| JPH061228B2 (ja) * | 1987-08-13 | 1994-01-05 | 富士電機株式会社 | 静電容量式圧力検出器 |
| DE3727142C2 (de) * | 1987-08-14 | 1994-02-24 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zur Herstellung von Mikrosensoren mit integrierter Signalverarbeitung |
| FI78784C (fi) * | 1988-01-18 | 1989-09-11 | Vaisala Oy | Tryckgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav. |
-
1989
- 1989-08-17 FI FI893874A patent/FI893874A/fi not_active Application Discontinuation
-
1990
- 1990-07-18 US US07/553,597 patent/US5083234A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-26 DE DE4023776A patent/DE4023776C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-02 ES ES9002096A patent/ES2023345A6/es not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-03 GB GB9017035A patent/GB2235090B/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-09 CH CH2599/90A patent/CH681581A5/de not_active IP Right Cessation
- 1990-08-14 FR FR9010329A patent/FR2651069B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-14 IT IT48226A patent/IT1241544B/it active IP Right Grant
- 1990-08-15 SE SE9002663A patent/SE508914C2/sv unknown
- 1990-08-16 NO NO903622A patent/NO307488B1/no not_active IP Right Cessation
- 1990-08-17 JP JP2217992A patent/JP2866167B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT9048226A0 (it) | 1990-08-14 |
| NO903622L (no) | 1991-02-18 |
| JPH03104167A (ja) | 1991-05-01 |
| NO903622D0 (no) | 1990-08-16 |
| ES2023345A6 (es) | 1992-01-01 |
| FI893874A (fi) | 1991-02-18 |
| US5083234A (en) | 1992-01-21 |
| JP2866167B2 (ja) | 1999-03-08 |
| CH681581A5 (no) | 1993-04-15 |
| SE9002663D0 (sv) | 1990-08-15 |
| DE4023776C2 (de) | 2003-07-03 |
| FR2651069A1 (fr) | 1991-02-22 |
| IT9048226A1 (it) | 1992-02-14 |
| DE4023776A1 (de) | 1991-02-21 |
| FR2651069B1 (fr) | 1998-04-03 |
| SE9002663L (sv) | 1991-02-18 |
| FI893874A0 (fi) | 1989-08-17 |
| GB2235090A (en) | 1991-02-20 |
| SE508914C2 (sv) | 1998-11-16 |
| GB2235090B (en) | 1993-11-17 |
| GB9017035D0 (en) | 1990-09-19 |
| IT1241544B (it) | 1994-01-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20210336234A1 (en) | Flexible display substrate and method for manufacturing the same | |
| US6759309B2 (en) | Micromachined structures including glass vias with internal conductive layers anodically bonded to silicon-containing substrates | |
| CN101013686B (zh) | 互连衬底、半导体器件及其制造方法 | |
| US6046410A (en) | Interface structures for electronic devices | |
| US7019402B2 (en) | Silicon chip carrier with through-vias using laser assisted chemical vapor deposition of conductor | |
| KR101148127B1 (ko) | 방열회로기판 및 그 제조방법 | |
| US8248803B2 (en) | Semiconductor package and method of manufacturing the same | |
| TWI313075B (en) | Method for producing a semiconductor component with a planar contact and the semiconductor component | |
| NO307488B1 (no) | Flersjiktstransduser med põsveisete kontaktforbindelser | |
| US9287468B2 (en) | LED submount with integrated interconnects | |
| EP0987768A1 (en) | Solar cell | |
| US20110291153A1 (en) | Chip submount, chip package, and fabrication method thereof | |
| US3647533A (en) | Substrate bonding bumps for large scale arrays | |
| JPWO2018043184A1 (ja) | 貫通電極基板、貫通電極基板の製造方法及び実装基板 | |
| JP2015185820A (ja) | 配線基板および電子装置 | |
| CN104541335A (zh) | 组件装置 | |
| US11270934B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
| TWI738712B (zh) | 貫通電極基板及其製造方法 | |
| US6188013B1 (en) | Solar cell | |
| US10660202B1 (en) | Carrier structure and manufacturing method thereof | |
| CN109967763A (zh) | 表面包覆切削工具 | |
| CN207868201U (zh) | 影像传感芯片的封装结构 | |
| KR100445409B1 (ko) | 반도체소자의금속배선형성방법 | |
| RU2680868C1 (ru) | Герметичный сборочный модуль для монтажа микрорадиоэлектронной аппаратуры, выполненный групповым методом с последующей резкой на модули | |
| CN111415587B (zh) | 一种显示基板及其制备方法和显示面板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MK1K | Patent expired |