NL8902271A - Werkwijze voor het verbinden van twee lichamen. - Google Patents
Werkwijze voor het verbinden van twee lichamen. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8902271A NL8902271A NL8902271A NL8902271A NL8902271A NL 8902271 A NL8902271 A NL 8902271A NL 8902271 A NL8902271 A NL 8902271A NL 8902271 A NL8902271 A NL 8902271A NL 8902271 A NL8902271 A NL 8902271A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- layer
- boron
- silicon oxide
- bodies
- polishing
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 33
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
- H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/133—Reflow oxides and glasses
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S228/00—Metal fusion bonding
- Y10S228/903—Metal to nonmetal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
Description
N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken.
Werkwijze voor het verbinden van twee lichamen
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het verbinden vaneen eerste lichaam en een tweede lichaam, waarbij het eerste lichaam wordt voorzien van een vlak oppervlak, en het tweede lichaam wordt bedekt met een siliciumoxydelaag, die eveneens wordt voorzien van een vlak oppervlak, waarna op ten minste een van de twee vlakke oppervlakken een borium bevattende verbindingslaag wordt aangebracht, en vervolgens het eerste lichaam en het tweede lichaam met genoemde vlakke oppervlakken gedurende enige tijd bij verhoogde temperatuur op elkaar worden gedrukt, waarna een van beide lichamen door wegnemen van materiaal dun wordt gemaakt.
De verbinding wordt hierbij gevormd door een borosilicaatglaslaag, die wordt gevormd door reactie bij verhoogde temperatuur van de borium bevattende verbindingslaag met de siliciumoxydelaag. Door geschikte keuze van de dikte van de lagen kan een laag borosilicaatglas van zo'n samenstelling worden verkregen, dat deze laag een relatief lage of hoge verwekingstemperatuur bezit.
Met genoemde werkwijze wordt een structuur gerealiseerd met een op een isolator liggende dunne laag, van bijvoorbeeld een halfgeleidend, magnetooptisch, optoelectrisch, ferroelectrisch, electrisch geleidend, supergeleidend, isolerend of fotorefractief eigenschappen bezittend materiaal. De isolator bestaat uit een laag boriurabevattend siliciumoxyde. Beide lagen worden ondersteund door het andere niet dun gemaakte lichaam. Dit kan bijvoorbeeld vervaardigd zijn van silicium, kwarts, saffier of een granaat. Wordt als materiaal voor de dunne laag silicium toegepast, dan wordt een dergerlijke structuur wel aangeduid met SOI (Silicon On Insulator). In een dergelijke dunne laag halfgeleidermateriaal kunnen halfgeleidercircuits worden aangebracht. Deze circuits bieden het voordeel dat ze minder storingsgevoelig zijn voor bijvoorbeeld 'latch up', dat ze stralingshard zijn, dat de parasitaire capaciteiten geringer zijn en dat ze een hoge circuitdichtheid toelaten.
Een werkwijze van de in de aanhef genoemde soort is bekend uit het Amerikaanse octrooischrift no 3.909.332, waarbij als verbindingslaag een glasverbindingslaag uit boriumoxyde en siliciumoxyde (borosilicaat- glas) wordt toegepast voor het verbinden van de lichamen. Volgens de werkwijze worden twee siliciumschijven voorzien van een siliciumoxyde- laag, waartussen opgenomen een borosilicaatglaslaag, op elkaar gedrukt met een druk van ongeveer 3x10**N/m2. Bij het op temperatuur brengen tot 900°C, blijkt dat de borosilicaatglaslaag gaat vervloeien, al vanaf 500°C, waardoor borosilicaatglas voor een deel tussen de lichamen uit wordt geperst, dat wordt opgevangen met behulp van in de pers aangebrachte micavelletjes. Het resterende borosilicaatglas reageert met de siliciumoxydelagen onder vorming van een anderborosilicaatglas met een boorgehalte dat lager is dan dat van het oorspronkelijke borosilicaatglas. Hierdoor ontstaat een borosilicaatglas met een hogere verwekingstemperatuur dan het oorspronkelijke borosilicaatglas.
De uitvinding beoogt onder meer een werkwijze te verschaffen waarmee op een eenvoudige wijze een verbinding tussen de lichamen wordt gevormd, zonder dat de borium bevattende verbindingslaag gaat vervloeien. Tevens beoogt de uitvinding onder meer een werkwijze te verschaffen waarbij een sterkere verbinding tussen de lichamen wordt bewerkstelligd.
De uitvinding van de in de aanhef genoemde soort heeft daartoe het kenmerk, dat als verbindingslaag een laag practisch zuiver boor wordt toegepast. In tegenstelling tot borosilicaatglaslagen, die een relatief lage verwekingstemperatuur van ongeveer 500-800°C hebben, is practisch zuiver boor thermisch stabieler. Practisch zuiver boor smelt pas bij ongeveer 2300°C. Tijdens het vormen van de verbinding kunnen boor- atomen vanuit de laag boor diffunderen in de siliciumoxydelaag. Dezezijn relatief mobiel omdat zij niet in een rooster gevormd door de silicium/zuurstof atomen van de siliciumoxydelaag zijn opgenomen.Het boor kan zich verdelen over de siliciumoxydelaag zonder dat glasfases met een lage verwekingstemperatuur ontstaan. Aldus wordt een verbinding verkregen, waarbij de verbindingslaag niet tussen de lichamen wordt uitgeperst. Dit heeft onder meer als voordeel dat de samenstelling van de borosilicaatglaslaag, die gevormd wordt door menging van de verbindingslaag met de siliciumoxydelaag, uitsluitend wordt bepaald door van te voren gekozen laagdikten.
Bij voorkeur heeft de werkwijze volgens de uitvinding als kenmerk, dat het op elkaar drukken van het eerste lichaam en het tweede lichaam wordt voorafgegaan door een polijsten van de verbindingslaag van de laag practisch zuiver boor. Dit polijsten kan zowel nat chemisch als nat mechanisch worden gedaan. Bij voorkeur wordt het polijsten zodanig uitgevoerd dat een optisch glad oppervlak wordt verkregen, want dan wordt de verbinding door 'van der Waals krachten' geactiveerd.Opgemerkt wordt, dat in tegenstelling tot een laag practisch zuiver boor het moeilijk is om borosilicaatglas te polijsten zonder dat water en andere verontreinigingen in het glas achterblijven omdat dit glas hygroscopisch is.
Een verdere voorkeursuitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding heeft het kenmerk, dat de laag practisch zuiver boor een dikte tussen 1 en 200 nm bezit en de siliciumoxydelaag een dikte tussen 0.01 en 2 pm bezitten. Door de dikte van de siliciumoxydelaag groter te kiezen dan de dikte van de laag practisch zuiver boor is het mogelijk een verbinding tussen de lichamen te vormen zonder dat het boor door diffusie in de siliciumoxydelaag het aangrenzende lichaam bereikt en verontreinigt.
Een bijzondere voorkeursuitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding heeft het kenmerk, dat de verhoogde temperatuur benodigd voor het vormen van de verbinding wordt verkregen door de laag practisch zuiver boor te verhitten met behulp van straling, die door het lichaam wordt doorgelaten en door de laag practisch zuiver boor wordt geabsorbeerd. De straling kan bijvoorbeeld met behulp van een laser worden opgewekt, waardoor locale verhitting van de laag boor ontstaat.
De uitvinding wordt in het navolgende, bij wijze van voorbeeld, nader toegelicht aan de hand van een tekening en enkele uitvoeringsvoorbeelden.
In de tekening tonen:
Figuur 1 t/m 4 een aantal stadia van het verbinden van twee lichamen volgens een werkwijze van de uitvinding, toont Figuur 5 een halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens een werkwijze van de uitvinding, waarbij in de dunne laag halfgeleidermateriaal een transistor is aangebracht, en toont
Figuur 6 een voorkeursuitvoeringsvorm van een werkwijze volgens de uitvinding, waarbij de verbinding tussen de twee lichamen met behulp van een laser wordt verkregen.
De figuren 1 t/m 4 tonen schematisch een aantal stadia van het verbinden van twee lichamen volgens een werkwijze van de uitvinding, waarbij het eerste lichaam 1 wordt voorzien van een vlak oppervlak 5 en wordt het tweede lichaam 2 bedekt met een siliciumoxydelaag 4, die eveneens wordt voorzien van een vlak oppervlak 6, waarna op ten minste een van de twee oppervlakken 5,6 een boriumbevattende verbindingslaag 7 wordt aangebracht. Vervolgens worden het eerste lichaam 1 en het tweede lichaam 2 met genoemde vlakke oppervlakken 5,6 gedurende enige tijd op elkaar gedrukt bij verhoogde temperatuur, waarna een van beide lichamen 2 door wegnemen van materiaal dun wordt gemaakt.
Het eerste lichaam 1 en het tweede lichaam 2 zijn in dit voorbeeld een dragerlichaam 1 en een halfgeleiderlichaam 2, beide schijven van silicium met een diameter van 7.5 cm en een dikte van 500 pm. Andere halfgeleidermaterialen voor de schijven dan silicium zijn evenzeer mogelijk, bijvoorbeeld galliumarseen of indiumphosphide, en ook behoeft het materiaal van het dragerlichaam 1 niet gelijk te zijn aan dat van het halfgeleiderlichaam 2. Zo kan het dragerlichaam 1 ook van een ander materiaal dan halfgeleidermateriaal vervaardigd zijn, zoals bijvoorbeeld glas, saffier of een granaat.
Het halfgeleiderlichaam 2 en het dragerlichaam 1 worden beide voorzien van een siliciumoxydelaag 3,4, bijvoorbeeld door depositie vanuit de gasfase door ontleding bij verhoogde temperatuur van tetraetoxysilaan, figuur 1. Het oppervlak van de siliciumdioxydelagen 3,4 wordt hierna vlak gepolijst. Vervolgens wordt ten minste een oppervlak 5 van een siliciumoxydelaag 3 voorzien van een verbindingslaag 7, figuur 2, waarna het halfgeleiderlichaam 2 en het dragerlichaam 2 met de vlakke oppervlakken 5,6 op elkaar worden gedrukt, figuur 3.
Na het verbinden van de lichamen 1,2 wordt het halfgeleiderlichaam 2 van silicium met een dikte van circa 500 pm dun gemaakt, figuur 4, bijvoorbeeld door isotroop terugetsen van het halfgeleiderlichaam 2 tot een laag 8 overblijft met een dikte van circa 1 pm.
Figuur 5 toont een halfgeleiderinrichting waarbij in de dunne laag halfgeleidermateriaal 8 op gebruikelijke wijze een transistor 9 is aangebracht met laterale afmetingen van ongeveer 4x4 pm. De transistor 9 in dit voorbeeld is een MOSFET transistor omvattende een source en een drainzone 11,12 en een gate 13 van polysilicium met een gateoxyde 14 en een gateisolatie 15 van siliciumoxyde. De transistor 9 grenst in de dunne laag 8 aan veldoxydegebieden 10 die bijvoorbeeld verkregen zijn door locale thermische oxydatie van de dunne laag 8 gedurende 1 uur bij een temperatuur van 1050°C. Een op deze wijze vervaardigde transistor 9 is een voorbeeld van een SOI structuur die niet gevoelig is voor 'latch up', die stralingshard is, en waarvan de paracitaire capaciteiten in vergelijking met andere structuren gering is.
Volgens de uitvinding wordt als verbindingslaag 7 een laag practisch zuiver boor toegepast. Hiermee wordt een verbinding verkregen tussen de lichamen zonder dat de verbindingslaag 7 gaat vervloeien tijdens het vormen van de verbinding. De laag boor 7 kan op gebruikelijke wijze, bijvoorbeeld door sputteren worden aangebracht op een of op beide oppervlakken 5,6 van de siliciumoxydelagen 3,4.
Het op elkaar drukken van het halfgeleiderlichaam 2 en het drager- lichaam 1 wordt bij voorkeur voorafgegaan door een polijsten van de laag boor 7. Hierdoor wordt een vlakker oppervlak van de verbindingslaag 7 verkregen hetgeen de kans op mechanische spanningen en de vorming van dislocaties in het halfgeleiderlichaam 2 tijdens het op elkaar drukken van de lichamen 1,2 verkleint. Het polijsten van de laag boor 7 boor kan zowel nat chemisch, of ook nat mechanisch met de hiervoor bestemde polijstmiddelen worden uitgevoerd. Indien het polijsten zodanig wordt uitgevoerd dat een optisch glad oppervlak van de verbindingslaag 7 van boor wordt verkregen, dan wordt de verbinding door 'van der Waals krachten' versterkt. Onder een optisch glad oppervlak wordt verstaan een oppervlak met een ruwheid kleiner dan 10 nm. Goede resultaten zijn verkregen met de zogenaamde 'SYTON' polijstmethode, een combinatie van zowel chemisch en mechanisch etsen. Hierbij wordt gepolijst met een colloidale suspensie van siliciumoxyde in een waterige oplossing met natriumhydroxyde. Voor het versterken van de verbinding door 'van der Waals krachten' wordt de verbindingslaag 7 bij voorkeur op beide oppervlakken 5,6 van de siliciumoxydelagen aangebracht en optisch glad gepolijst.
Voor het vormen van een verbinding tussen het halfgeleiderlichaam 2 en het dragerlichaam 1 worden de lichamen 1,2 op elkaar gedrukt met een druk tussen 1x10^ en 1x10^ N/m^. De druk dient een minimale waarde van ongeveer 1x10^ N/m^ te bezitten voor het tot stand komen van de verbinding. Anderzijds mag de druk niet hoger dan 1x10 N/m worden daar anders de mechanische spanningen te groot worden. Voor het tot stand komen van de verbinding, waarbij het boor zich door chemische reactie verbindt met de siliciumoxydelagen 3,4, is een minimale temperatuur van 900°C vereist. Voor een siliciumoxydelaag met een dikte van ongeveer 1 pm treedt de reactie op bij een verhoogde temperatuur van 1000°C na ongeveer 4 uur, bij 950°C na ongeveer 2 uur, bij 1000°C na ongeveer een half uur en bij 1050°C na enkele minuten.
Figuur 6 toont een voorkeursuitvoeringsvorm van een werkwijze volgens de uitvinding, waarbij de verbinding tussen de twee lichamen 1,2 met behulp van een laser 16 wordt verkregen. Hierbij wordt de verhoogde temperatuur benodigd voor het vormen van de verbinding gerealiseerd door de laag boor 7 lokaal met behulp van de laserstraling 17 te verhitten. De ver- hitting wordt hierbij net zolang door gevoerd totdat het boor is opgenomen in de siliciumoxydelagen 3,4. In dit voorbeeld wordt de laserstraling 17 opgewekt met een vaste stof laser van het type Yttrium-Neodymium-Granaat met een effectief stralingsvermogen van minimaal 1 Watt. Een geschikte golflengte waarop deze laser afgestemd kan worden is 1064 nm. Straling van deze golflengte wordt vrijwel geheel door practisch zuiver boor geabsorbeerd en vrijwel geheel door materialen als siliciumoxyde en zuiver silicium doorgelaten.
Claims (7)
1. Werkwijze voor het verbinden van een eerste lichaam en een tweede lichaam, waarbij het eerste lichaam wordt voorzien van een vlak oppervlak, en het tweede lichaam wordt bedekt met een siliciumoxyde-laag, die eveneens wordt voorzien van een vlak oppervlak, waarna op ten minste een van de twee vlakke oppervlakken een borium bevattende verbindingslaag wordt aangebracht, en vervolgens het eerste lichaam en het tweede lichaam met genoemde vlakke oppervlakken gedurende enige tijd bij verhoogde temperatuur op elkaar worden gedrukt, waarna een van beide lichamen door wegnemen van materiaal dun wordt gemaakt, met het kenmerk, dat als verbindingslaag een laag practisch zuiver boor wordt toegepast.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het op elkaar drukken van het eerste lichaam en het tweede lichaam wordt voorafgegaan door een polijsten van de verbindingslaag van practisch zuiver boor.
3. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het polijsten van de verbindingslaag zodanig wordt uitgevoerd dat een optisch glad oppervlak wordt verkregen.
4. Werkwijze volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat de verbindingslaag op beide genoemde oppervlakken wordt aangebracht.
5. Werkwijze volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat het eerste lichaam en het tweede lichaam op elkaar worden gedrukt met een druk tussen 1x10 en 1x10' N/m bij een verhoogde temperatuur tussen 900 en 1050°C voor een duur van tenminste enkele minuten en ten hoogste vier uur.
6. Werkwijze volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de verbindingslaag een dikte tussen 1 en 200 nm bezit en de siliciumoxydelaag een dikte tussen 0.01 en 2 pm bezit.
7. Werkwijze volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk,dat de verhoogde temperatuur benodigd voor het vormen van de verbinding wordt verkregen door de laag practisch zuiver boor te verhitten met behulp van straling, die door het lichaam wordt doorgelaten en door de laag practisch zuiver boor wordt geabsorbeerd.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8902271A NL8902271A (nl) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | Werkwijze voor het verbinden van twee lichamen. |
| US07/576,328 US5054683A (en) | 1989-09-12 | 1990-08-29 | Method of bonding together two bodies with silicon oxide and practically pure boron |
| KR1019900013601A KR0185384B1 (ko) | 1989-09-12 | 1990-08-31 | 두 보디의 결합 방법 |
| DE69015291T DE69015291T2 (de) | 1989-09-12 | 1990-09-06 | Verfahren zum Verbinden zweier Körper. |
| EP90202366A EP0417838B1 (en) | 1989-09-12 | 1990-09-06 | Method of bonding together two bodies |
| JP2237259A JP2857802B2 (ja) | 1989-09-12 | 1990-09-10 | ２個の物体を一体に連結する方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8902271A NL8902271A (nl) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | Werkwijze voor het verbinden van twee lichamen. |
| NL8902271 | 1989-09-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8902271A true NL8902271A (nl) | 1991-04-02 |
Family
ID=19855295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8902271A NL8902271A (nl) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | Werkwijze voor het verbinden van twee lichamen. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5054683A (nl) |
| EP (1) | EP0417838B1 (nl) |
| JP (1) | JP2857802B2 (nl) |
| KR (1) | KR0185384B1 (nl) |
| DE (1) | DE69015291T2 (nl) |
| NL (1) | NL8902271A (nl) |
Families Citing this family (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2812405B2 (ja) * | 1991-03-15 | 1998-10-22 | 信越半導体株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
| JPH04365377A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-17 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置 |
| JP3237888B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2001-12-10 | キヤノン株式会社 | 半導体基体及びその作製方法 |
| US5227313A (en) * | 1992-07-24 | 1993-07-13 | Eastman Kodak Company | Process for making backside illuminated image sensors |
| US5441591A (en) * | 1993-06-07 | 1995-08-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Silicon to sapphire bond |
| JPH07169660A (ja) * | 1993-09-09 | 1995-07-04 | Xerox Corp | ウェハ対を接合する装置及び方法 |
| US7148119B1 (en) | 1994-03-10 | 2006-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for production of semiconductor substrate |
| US6015980A (en) * | 1996-03-08 | 2000-01-18 | The Regents Of The University Of California | Metal layered semiconductor laser |
| US5977604A (en) | 1996-03-08 | 1999-11-02 | The Regents Of The University Of California | Buried layer in a semiconductor formed by bonding |
| US6045625A (en) * | 1996-12-06 | 2000-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Buried oxide with a thermal expansion matching layer for SOI |
| US5932045A (en) * | 1997-06-02 | 1999-08-03 | Lucent Technologies Inc. | Method for fabricating a multilayer optical article |
| US6362075B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-03-26 | Harris Corporation | Method for making a diffused back-side layer on a bonded-wafer with a thick bond oxide |
| US6737337B1 (en) * | 2001-04-27 | 2004-05-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of preventing dopant depletion in surface semiconductor layer of semiconductor-on-insulator (SOI) device |
| US6721076B2 (en) | 2001-08-03 | 2004-04-13 | Inphase Technologies, Inc. | System and method for reflective holographic storage with associated multiplexing techniques |
| US7112359B2 (en) | 2001-08-22 | 2006-09-26 | Inphase Technologies, Inc. | Method and apparatus for multilayer optical articles |
| US7001541B2 (en) * | 2001-09-14 | 2006-02-21 | Inphase Technologies, Inc. | Method for forming multiply patterned optical articles |
| US6825960B2 (en) * | 2002-01-15 | 2004-11-30 | Inphase Technologies, Inc. | System and method for bitwise readout holographic ROM |
| US7545481B2 (en) * | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP4747263B2 (ja) * | 2003-11-24 | 2011-08-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | オブジェクティブにおける光学素子のための保持装置 |
| US20070082179A1 (en) * | 2005-10-07 | 2007-04-12 | Wade James J | Method and apparatus for forming optical articles |
| KR100857224B1 (ko) * | 2008-03-28 | 2008-09-05 | 주식회사 코디에스 | 레이저를 이용한 프로브카드 제조장치 및 방법 |
| KR100857228B1 (ko) * | 2008-03-28 | 2008-09-05 | 주식회사 코디에스 | 프로브카드 제조장치 및 방법 |
| US8666505B2 (en) | 2010-10-26 | 2014-03-04 | Medtronic, Inc. | Wafer-scale package including power source |
| US9171721B2 (en) | 2010-10-26 | 2015-10-27 | Medtronic, Inc. | Laser assisted direct bonding |
| US8796109B2 (en) * | 2010-12-23 | 2014-08-05 | Medtronic, Inc. | Techniques for bonding substrates using an intermediate layer |
| US10197501B2 (en) | 2011-12-12 | 2019-02-05 | Kla-Tencor Corporation | Electron-bombarded charge-coupled device and inspection systems using EBCCD detectors |
| US9496425B2 (en) | 2012-04-10 | 2016-11-15 | Kla-Tencor Corporation | Back-illuminated sensor with boron layer |
| US9601299B2 (en) | 2012-08-03 | 2017-03-21 | Kla-Tencor Corporation | Photocathode including silicon substrate with boron layer |
| US9426400B2 (en) | 2012-12-10 | 2016-08-23 | Kla-Tencor Corporation | Method and apparatus for high speed acquisition of moving images using pulsed illumination |
| US9478402B2 (en) | 2013-04-01 | 2016-10-25 | Kla-Tencor Corporation | Photomultiplier tube, image sensor, and an inspection system using a PMT or image sensor |
| JP6180162B2 (ja) * | 2013-04-09 | 2017-08-16 | アルバック成膜株式会社 | 基板の貼り合わせ方法および貼り合わせ基板 |
| US9347890B2 (en) | 2013-12-19 | 2016-05-24 | Kla-Tencor Corporation | Low-noise sensor and an inspection system using a low-noise sensor |
| US9748294B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-08-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Anti-reflection layer for back-illuminated sensor |
| US9410901B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-08-09 | Kla-Tencor Corporation | Image sensor, an inspection system and a method of inspecting an article |
| US9767986B2 (en) | 2014-08-29 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corporation | Scanning electron microscope and methods of inspecting and reviewing samples |
| US10136535B2 (en) | 2014-12-24 | 2018-11-20 | Medtronic, Inc. | Hermetically-sealed packages including feedthrough assemblies |
| US10124559B2 (en) | 2014-12-24 | 2018-11-13 | Medtronic, Inc. | Kinetically limited nano-scale diffusion bond structures and methods |
| US9968794B2 (en) | 2014-12-24 | 2018-05-15 | Medtronic, Inc. | Implantable medical device system including feedthrough assembly and method of forming same |
| US9865533B2 (en) | 2014-12-24 | 2018-01-09 | Medtronic, Inc. | Feedthrough assemblies |
| US9860466B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-01-02 | Kla-Tencor Corporation | Sensor with electrically controllable aperture for inspection and metrology systems |
| US10748730B2 (en) | 2015-05-21 | 2020-08-18 | Kla-Tencor Corporation | Photocathode including field emitter array on a silicon substrate with boron layer |
| US10462391B2 (en) | 2015-08-14 | 2019-10-29 | Kla-Tencor Corporation | Dark-field inspection using a low-noise sensor |
| US10098589B2 (en) | 2015-12-21 | 2018-10-16 | Medtronic, Inc. | Sealed package and method of forming same |
| US10313622B2 (en) | 2016-04-06 | 2019-06-04 | Kla-Tencor Corporation | Dual-column-parallel CCD sensor and inspection systems using a sensor |
| JP2018151602A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-09-27 | セイコーエプソン株式会社 | 接合光学部材の製造方法、虚像表示装置の製造方法、導光装置及び虚像表示装置 |
| US11114489B2 (en) | 2018-06-18 | 2021-09-07 | Kla-Tencor Corporation | Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor |
| US10943760B2 (en) | 2018-10-12 | 2021-03-09 | Kla Corporation | Electron gun and electron microscope |
| US11114491B2 (en) | 2018-12-12 | 2021-09-07 | Kla Corporation | Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor |
| US11848350B2 (en) | 2020-04-08 | 2023-12-19 | Kla Corporation | Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor using a silicon on insulator wafer |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3484302A (en) * | 1966-01-18 | 1969-12-16 | Fujitsu Ltd | Method of growing semiconductor crystals |
| BE759667A (fr) * | 1969-12-01 | 1971-06-01 | Philips Nv | Procede permettant la fabrication d'un dispositif semiconducteur, et dispositif semiconducteur obtenu par la mise en oeuvre de ce procede |
| US3909332A (en) * | 1973-06-04 | 1975-09-30 | Gen Electric | Bonding process for dielectric isolation of single crystal semiconductor structures |
| GB2081155A (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-17 | Gen Electric | Improved Cladding Process and Product |
| JP2559700B2 (ja) * | 1986-03-18 | 1996-12-04 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6453763A (en) * | 1987-08-22 | 1989-03-01 | Komatsu Mfg Co Ltd | Resistance diffusing junction method |
-
1989
- 1989-09-12 NL NL8902271A patent/NL8902271A/nl not_active Application Discontinuation
-
1990
- 1990-08-29 US US07/576,328 patent/US5054683A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-31 KR KR1019900013601A patent/KR0185384B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-09-06 DE DE69015291T patent/DE69015291T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-06 EP EP90202366A patent/EP0417838B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-10 JP JP2237259A patent/JP2857802B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0185384B1 (ko) | 1999-04-15 |
| EP0417838B1 (en) | 1994-12-21 |
| KR910007102A (ko) | 1991-04-30 |
| JPH03105910A (ja) | 1991-05-02 |
| US5054683A (en) | 1991-10-08 |
| EP0417838A1 (en) | 1991-03-20 |
| JP2857802B2 (ja) | 1999-02-17 |
| DE69015291T2 (de) | 1995-07-20 |
| DE69015291D1 (de) | 1995-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL8902271A (nl) | Werkwijze voor het verbinden van twee lichamen. | |
| US6429094B1 (en) | Treatment process for molecular bonding and unbonding of two structures | |
| KR100742790B1 (ko) | 특히 반도체 재료(들)로 제조된 기판 또는 잉곳에서 적어도 하나의 박층을 절단하는 방법 및 장치 | |
| US7498245B2 (en) | Embrittled substrate and method for making same | |
| US6103597A (en) | Method of obtaining a thin film of semiconductor material | |
| US5340435A (en) | Bonded wafer and method of manufacturing it | |
| JPS62185339A (ja) | 半導体デバイスの製造法 | |
| JP2003504845A (ja) | 薄膜の製造方法、およびかくして得られた膜構造物 | |
| NL8501773A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen. | |
| US5276345A (en) | Composite GaAs-on-quartz substrate for integration of millimeter-wave passive and active device circuitry | |
| JPH05251292A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7119400B2 (en) | Isotopically pure silicon-on-insulator wafers and method of making same | |
| US6867459B2 (en) | Isotopically pure silicon-on-insulator wafers and method of making same | |
| US5025304A (en) | High density semiconductor structure and method of making the same | |
| AUPP646298A0 (en) | Melt through contact formation method | |
| JPH07297377A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2006245567A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61174661A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP3034528B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10199840A (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| Guerin et al. | Proposal For New Multichip-on-silicon Packaging Scheme | |
| Blackstone | Recent advances in wafer bonding of silicon and alternative materials | |
| JPH0669063B2 (ja) | 半導体ウェハの製造方法 | |
| JPS63248148A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP2002134723A (ja) | シリコン基板の接合方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |